TWI412048B

TWI412048B - Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method

Info

Publication number: TWI412048B
Application number: TW096111058A
Authority: TW
Inventors: Katsuyuki Nakamura; Kazuo Kawahito; Takahiro Jodoi; Hideto Yamaguchi
Original assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2006-04-14
Filing date: 2007-03-29
Publication date: 2013-10-11
Also published as: US7394649B2; CN101055804B; CN101055804A; US20070242409A1; JP4784373B2; JP2007287828A; TW200741782A

Description

固態電解電容器及其製造方法

發明領域

本發明涉及固體電解電容器及其製造方法。

發明背景

第7A圖~第7C圖表示現有的固體電解電容器的構成。第7A圖是側視剖面圖，第7B圖是主視剖面圖，第7C圖是仰視圖。其中，第7A圖是第7C圖所示的A－A線剖面圖，第7B圖是第7C圖所示的B－B線剖面圖。

電容器元件61具有陽極體62、陽極引出部63、電介質氧化膜64、固體電解質65、陰極層66。其中，陽極體62由電子管金屬箔構成，陽極引出部63設於陽極體62的一端，電介質氧化膜64設於陽極體62的另一端表面。由導電性高分子構成的固體電解質65設於電介質氧化膜64上。陰極層66在固體電解質65上層積形成碳層，再在其上層積形成銀膏層。

陽極端子67、陰極端子68由加工成引線架的銅基金屬板構成。陽極端子67具有：在安裝面76上自封裝樹脂69露出的平坦部70、從平坦部70的兩端向上方傾斜彎曲的引出部72、與陽極引出部63的下面結合的載置部74。陰極端子68具有：在安裝面76上自封裝樹脂69露出的平坦部71、從平坦部71的兩端向上方傾斜彎曲的引出部73、與陰極層66的下面結合的載置部75。

封裝樹脂69由環氧樹脂等絕緣性樹脂構成，且以陽極端子67、陰極端子68平坦狀地露出而與安裝面76成為同一個面的方式覆蓋電容器元件61。

該構成中，通過以陽極端子67和陰極端子68盡可能鄰接的方式設置這些端子，使得從電路基板的配線流經電容器元件61的電路路徑變短。由此，使得固體電解電容器的等效串聯電阻(ESR)、等效串聯電感(ESL)降低。這種固體電解電容器在例如特開2003－133177號公報中被公開。

參照第8圖來說明將這種現有的固體電解電容器安裝在電路基板上的狀態。第8圖是表示第7A圖所示的固體電解電容器的安裝狀態的剖面圖。在電路基板77上，與露出安裝面76的陽極端子67、陰極端子68的位置相對應，設有與這些端子的形狀大致近似的接合部78。將膏狀焊錫塗敷在接合部78上之後，通過將固體電解電容器載置於其上且用回流的高溫將焊錫融化，使固體電解電容器與電路基板77接合。此時，例如當安裝面76上的陰極端子68的面積比陽極端子67大時，在陰極端子68上，熔化了的焊錫易於凝聚在陰極端子68的中央部。由此，陽極端子67的焊錫層79A和陰極端子68的焊錫層79B的厚度不同，固體電解電容器就會以傾斜的狀態或者懸浮的狀態被安裝。這樣就會有損可安裝性。

發明概要

本發明提供一種提高安裝性且高頻特性優良的電解電容器及其製造方法。本發明的固體電解電容器具有：電容器元件、陽極端子、陰極端子及封裝樹脂。電容器元件包含：陽極體、陽極引出部、電介質氧化膜、固體電解質及陰極層。陽極體由電子管金屬構成，陽極引出部設置於陽極體的一端。電介質氧化膜形成於陽極體的設有陽極引出部一側的相反側的表面上，在其上依次形成有固體電解質和陰極層。構成安裝面的一部分的陽極端子和陰極端子在電容器元件的正下方引出。陽極端子、陰極端子分別與陽極引出部、陰極層電連接。封裝樹脂覆蓋電容器元件，使陽極端子和陰極端子自安裝面露出。陽極端子和陰極端子中至少在投影到安裝面上的面積大的端子的安裝面側設有凹部。

就該結構而言，由於安裝時熔化的焊錫流進凹部，使陽極端子和陰極端子的焊錫的厚度變得均勻，故而提高了固體電解電容器的安裝性。另外，因為利用凹部使陽極端子、陰極端子與電路基板的連接面積增加，所以不會損害與電路基板之間的導電性。由此，改善了固體電解電容器的安裝性，提高了ESR、ESL特性的高頻特性。

圖式簡單說明

第1A圖是本發明實施方式的固體電解電容器的側視剖面圖。

第1B圖是第1A圖所示的固體電解電容器的主視剖面圖。

第1C圖是第1A圖所示的固體電解電容器的仰視圖。

第2圖是第1A圖所示的固體電解電容器的、形成有凹部的引線架主要部分的立體圖。

第3圖是表示第1A圖所示的固體電解電容器的、封裝樹脂形成後的安裝面的鐳射照射點的示意圖。

第4圖是表示了將第1A圖所示的固體電解電容器安裝在電路板上的狀態的剖面圖。

第5A圖是本發明實施方式的另一固體電解電容器的側視剖面圖。

第5B圖是第5A圖所示的固體電解電容器的主視剖面圖。

第5C圖是第5A圖所示的固體電解電容器的仰視圖。

第6A圖是本發明實施方式的又一固體電解電容器的側視剖面圖。

第6B圖是第6A圖所示的固體電解電容器的主視剖面圖。

第6C圖是第6A圖所示的固體電解電容器的仰視圖。

第7A圖是現有的固體電解電容器的側視剖面圖。

第7B圖是第7A圖所示的固體電解電容器的主視剖面圖。

第7C圖是第7A圖所示的固體電解電容器的仰視圖。

第8圖是表示第7A圖所示的固體電解電容器的安裝狀態的剖面圖。

較佳實施例之詳細說明

第1A圖是本發明實施方式的固體電解電容器的側視剖面圖，第1B圖是主視剖面圖，第1C圖仰視圖。其中，第1A圖是第1C圖的A－A線剖面圖，第1B圖是第1C圖的B－B線剖面圖。

電容器元件1具有：陽極體2、陽極引出部3、絕緣體層4、電介質氧化膜5、固體電解質6、陰極層7。陽極體2由電子管金屬箔構成。絕緣體層4將陽極體2劃分為陽極部和陰極部。陽極引出部3設在成為陽極體2的陽極部的一端，電介質氧化膜5形成在成為陽極體2的陰極部的另一端表面。由導電性高分子構成的固體電解質6設置在電介質氧化膜5上。陰極層7在固體電解質6上層積形成碳層，再在其上層積形成銀膏層。

陽極體2用鋁、鉭、鈮、鈦等電子管金屬構成，形成電介質氧化膜5的部分也可以是由電子管金屬的粉末構成的多孔質燒結體。固體電解質6用聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等導電性高分子構成，除此之外也可以用含有二氧化錳的錳氧化物構成。陽極端子8、陰極端子9由加工成板狀引線架的金屬元件構成，封裝樹脂10由環氧樹脂等絕緣性樹脂構成。封裝樹脂10的下面是安裝面21。

陽極端子8與陽極引出部3電連接，陰極端子9與陰極層7電連接。陽極端子8、陰極端子9從電容器元件1的正下方引出，構成安裝面21的一部分。即，陽極端子8上從封裝樹脂10露出而設置有平坦部11，該平坦部11在安裝面21上構成與安裝面21共面的面。在陰極端子9上從封裝樹脂10露出而設置有平坦部12，該平坦部12在安裝面21上構成與安裝面21共面的面。平坦部11是矩形狀，平坦部12是T字形。平坦部12從安裝面21的端部越過安裝面21的中心部與平坦部11側接近而設置。另外，安裝面21的平坦部11、12相對於連結平坦部11和平坦部12的方向即C軸呈對稱的形狀。

在陽極端子8的、與C軸正交的非厚度方向的方向的兩端部，設有以自平坦部11向斜上方互相離開的方式立起的引出部13。同樣地，在陰極端子9的、與C軸正交的非厚度方向的方向的兩端部，設有以從平坦部12向斜上方互相離開的方式立起的引出部14。如第1B圖所示，引出部13、14相對於平坦部11、12分別呈傾斜角θ 1。傾斜角θ 1設定為30~60°。

在引出部13、14的上側設有分別與陽極引出部3、陰極層7的下面接合的平坦狀載置部15、16。載置部15、16和平坦部11、12具有0.1~0.15mm的臺階高差且通過引出部13、14連結。即，載置部15和平坦部11、載置部16和平坦部12分別形成臺階狀。

在陰極端子9的安裝面21側，在陰極端子9的T字形的縱棒部的兩端部，設有在安裝面21側露出的凹部17。凹部17的一側利用從平坦部12向斜上方立起的金屬部件即陰極端子9的壁面18而形成，另一側利用封裝樹脂10的壁面19而形成。壁面18的整體以向與安裝面21相反側的方向鼓出的方式彎曲，且以在B一B線剖面中角度φ 1為10°以上、90°以下的圓弧而形成。另一方面，壁面19相對於安裝面21大致垂直。如第1C圖所示，凹部17與安裝面21相交的開口部，以沿中心線平行切斷橢圓的形狀將開口部的周圍封閉。

比較投影到安裝面21上的面積，則陰極端子9的面積是陽極端子8的面積的2~6倍。在陽極端子8的平坦部11的露出有凹部17的安裝面21側的表面、陰極端子9的平坦部12的露出有凹部17的安裝面21側的表面，形成有錫金屬層(未圖示)。該錫金屬層通過利用鐳射將例如由電解電鍍形成的3~10 μm厚的鍍錫層熔化並凝固、再熔化而形成。

下面，說明如上構成的本實施方式的固體電解電容器的製造方法。首先，通過電化學蝕刻處理將作為陽極體2的100 μm厚的矩形鋁金屬箔的表面粗糙化。把經過處理的鋁箔在己二酸銨水溶液中施加電壓進行陽極氧化而形成電介質氧化膜5即氧化鋁層。

接著，用聚酰亞胺粘接帶形成絕緣體層4，把陽極體2的用絕緣層4劃分為陰極部的一端含浸在硝酸錳溶液中。之後對硝酸錳進行熱分解處理以形成作為固體電解質6的一部分的氧化錳層，然後，將其含浸在吡咯單體、丙基奈磺酸鈉的混合溶液中進行電解氧化聚合，形成由聚吡咯構成的固體電解質6。

然後，通過將陰極部側含浸在膠質碳懸濁液中而將膠質碳懸濁液塗敷到固體電解質6上，使其乾燥而形成碳層。進而，將銀膏塗在陰極部側上並進行固化，在碳層上形成銀膏層，從而形成由碳層和銀膏層構成的陰極層7。由此，製作電容器元件1。

第2圖是表示第1A圖~第1B圖所示的形成有凹部的引線架構成的主要部分立體圖。引線架22通過由銅或銅合金組成的具有0.1mm厚度的帶狀金屬元件構成。即，首先，在該金屬元件的成為安裝面21側的一面上，通過電解電鍍形成鎳基鍍層、錫鍍層。然後對金屬元件進行沖裁，按一定間隔成對地設置多個成為陽極端子8、陰極端子9的沖裁部分55、56。由此，製作引線架22。

在經過沖裁的引線架22上，通過衝壓模具設置成為引出部13、14的折彎部51、52和其上面的臺階狀載置部15、16。折彎部51、52以自成為陽極端子8的平坦部11、陰極端子9的平坦部12的引線架22的平坦狀下面53、54的兩端相互離開的方式，相對於下面53、54以傾斜角θ 1向斜上方彎曲形成。

進而，使用衝壓模具，使下面54和折彎部52的一部分以自下面54向相反側的方向鼓出的方式隆起、彎曲，形成成為凹部17的一部分的壁面18。接著，在載置部16、下面54、壁面18的上面，如第1B圖所示塗敷膏狀的導電性粘接劑27，使陰極層7與沖裁部分56接合。而後，利用鐳射焊接將沖裁部分55的載置部15和陽極引出部3接合。由此，將電容器元件1與引線架22接合。

接著，準備上模和與平坦部11、12相接的下模，該上模設有用於容納電容器元件1、載置部15、16、折彎部51、52、壁面18的腔室。然後，由上模和下模夾住引線架22，用環氧樹脂通過傳遞模形成封裝樹脂10。由此，形成覆蓋電容元件1、載置部15、16、引出部13、14、壁面18並且使平坦部11、12露出的封裝樹脂10。

封裝樹脂10，例如含有環氧樹脂固化物和分散於其中的無機粒子。環氧樹脂固化物例如由主骨架雙環戊二烯型環氧樹脂和苯酚酚醛清漆樹脂構成。無機粒子例如為平均粒徑60~80μm的二氧化矽，相對環氧樹脂硬化物的質量比為80~90%。

然後，使用鐳射除去封裝樹脂10而使壁面18露出。第3圖是表示形成封裝樹脂10之後的安裝面21上的鐳射照射點23的示意圖。

鐳射裝置，例如使用YAG(釔．鋁．石榴石)鐳射，使鐳射照射能量為20J~40J而進行第1鐳射照射。

就該第1鐳射照射而言，如第3圖所示，是在與露出於安裝面21的平坦部11、12相當的下面53、54和覆蓋壁面18的封裝樹脂10的表面上以鐳射照射點23進行照射。鐳射照射點23的間隔，在C軸方向、與C軸垂直的D軸方向各自為0.1mm。首先沿著D軸方向進行鐳射掃描，然後沿著C軸方向依次移動鐳射掃描位置。通過該第1鐳射照射，去除壁面18上的封裝樹脂10，在成為陰極端子9的沖裁部分56上形成以一側作為封裝樹脂10的壁面19的凹部17。另外，在沖裁部分55的下面53的表面、沖裁部分56的下面54的表面，錫鍍層融化、凝固以使在鐳射照射點23的直徑約0.1mm的周圍隆起。

進而，用同一鐳射裝置，在與第1鐳射照射同等條件下進行第2鐳射照射。通過第2鐳射照射，壁面18的表面污漬被去除掉，同時，與下面53、54同樣，錫鍍層融化、凝固以使在壁面18上的鐳射照射點23的直徑約0.1mm的周圍隆起。

最後，用與下面53、54相連並從封裝樹脂10的安裝面21向外側的平面延長的部分切斷引線架22，製作成固體電解電容器單片。

這樣，在本實施方式中，覆蓋與平坦部12連結的壁面18且使相當於平坦部12的下面54露出而形成封裝樹脂10，然後去除封裝樹脂10，使壁面18露出。通過這樣的方法，由於壁面18的加工尺寸偏差不影響平坦部12的外露偏差，所以能夠使平坦部12尺寸精度高且與安裝面21共面。由此，可以確保安裝面21的平坦性，且得到良好的安裝性。

另外，通過使用鐳射照射將覆蓋壁面18的封裝樹脂10炭化而去除，即使產生壁面18的加工尺寸偏差，也能夠切實地形成由壁面18和壁面19圍成的凹部17。另外，還能夠切實地形成焊錫潤濕性優良的凹部17。

下面，對本實施方式的固體電解電容器向電路基板安裝的安裝方法進行說明。第4圖是表示將本實施方式的固體電解電容器安裝在電路基板上的狀態的剖面圖。在電路基板24上，與露出於安裝面21側的陽極端子8、陰極端子9的位置相對應，設有與這些端子的形狀大致相似且稍大的接合部25。在接合部25上塗敷膏狀焊錫之後，將本實施方式的固體電解電容器載置於其上，而後通過回流的高溫使焊錫熔化而形成焊錫層26，由此將固體電解電容器安裝到電路基板24上。

就本實施方式的固體電解電容器而言，在陰極端子9上設有凹部17。由此，在向電路基板24安裝時，熔化的焊錫被容納到凹部17中，陽極端子8和陰極端子9的焊錫層26厚度大致相同。其結果，能夠在安裝性得到改善且高頻特性得到提高的狀態下安裝固體電解電容器。

另外，優選以向遠離安裝面21的方向鼓出的方式彎曲形成凹部17。通過該構成，在熔化的焊錫向凹部17的金屬表面潤濕的過程中，因焊錫的表面張力而產生的朝向封裝樹脂10的焊錫膨脹，尤其在凹部17的深部變小。即，利用熔化的焊錫的表面張力能夠使焊錫的膨脹變小。因此，能夠進一步使氣泡的混入變少且在整個凹部17形成焊錫層26。

另外，優選將凹部17以與連結陽極端子8和陰極端子9的第1軸即C軸相對的方式設置兩處。由此，在凹部17形成焊錫時，在陰極端子9的、與第3圖的D軸相交的兩端部產生的表面張力相互抵消。因此，可防止固體電解電容器的歪斜或懸浮進而使安裝性提高。在第1C圖和第3圖中，將凹部17以與C軸相對的方式設置兩處，但也可以以相對於與C軸垂直相交的第2軸即D軸相對的方式設置兩處。

另外，優選從平坦部12向斜上方彎曲而形成引出部14，且在引出部14的斜面上形成壁面18。這樣，通過使引出部14的斜面作為壁面18露出，能夠利用焊錫從安裝面21連接至引出部14。因而使從安裝面21至電容器元件1的連接電阻變小，進而提高高頻特性。

另外，也可以從平坦部12向斜上方彎曲而形成引出部14，且以與引出部14的斜面和平坦部12連接的方式使陰極端子9隆起而形成壁面18。由此，可以在將陰極層7和陰極端子9接合時抑制引出部14的變形。即，可減小因引出部14的變形造成的對電容器元件1的物理應力。其結果，能夠減小電容器元件1的漏電流。

另外，通過擴大凹部17與接合部25的接觸面積，能夠縮短至電容器元件1的引出距離，因此，高頻特性良好。

另外，優選用封裝樹脂10構成凹部17的壁面的一部分即壁面19。由此，在與D軸相交的兩端生成的熔化了的焊錫，通過不引起焊錫潤濕的封裝樹脂10而與安裝面21的印刷基板的圖案準確地保持一致。由此，固體電解電容器主體不會歪斜或懸浮，安裝性進一步提高。

另外，優選使凹部17露出後，通過鐳射照射使凹部17的金屬元件表面熔化。為了確保焊錫粘附性，在凹部17的金屬元件表面，使用鍍敷法、蒸鍍法而形成由Sn或Sn與Ag、Pb、Bi、In、Cu等的合金、銀、金等構成的金屬層。通過由鐳射照射使這樣的金屬層表面熔化並凝固，由此使氧化膜減少。其結果，金屬層變得緻密，提高了凹部17表面的焊錫潤濕性。

特別是使用電鍍、無電解鍍敷法所形成的鍍層中析出粒子具有晶界而凝聚，厚度變為1~20 μm。通過用鐳射照射使該鍍層熔化、快速凝固，形成沒有晶界且緻密的金屬層。另外，通過將由鐳射照射被熔化、凝固的金屬層作為陽極端子、陰極端子的整個表面，能夠進一步提高焊錫潤濕性。

另外，優選對應於在安裝面21上露出的陽極端子8和陰極端子9的至少任一個而進行鐳射照射掃描。由此，使用一個鐳射裝置就能使照射能量一定而連續地熔化平坦部11、12的表面、去除凹部17上的封裝樹脂10。

另外，通過實施多次鐳射照射，能夠進一步將凹部17表面的金屬層熔化，提高平坦部12的表面和凹部17的表面的焊錫潤濕性。多次掃描的照射點也可以是每次掃描為同一點或在不同次掃描的照射點之間。通過在不同次掃描的照射點之間進行掃描，能夠使熔化了的金屬層的厚度變得均勻，進一步提高焊錫潤濕性。

在本實施方式中使用了YAG雷射器，但也可以使用CO₂ 雷射器、激元雷射器。但是，從具有能夠去除封裝樹脂10的照射能量方面和聚光性優良且能夠精細加工方面來看，理想的是使用YAG雷射器。

下面，對陰極端子的凹部構成不同的固體電解電容器進行說明。第5A圖是本發明的實施方式的另一固體電解電容器的側視剖面圖，第5B圖是其主視剖面圖，第5C圖是其仰視圖。第5A圖是第5C圖所示的A－A線剖面圖，第5B圖是第5C圖所示的B－B線剖面圖。

陰極端子30由加工成引線架的金屬部件構成，在成為安裝面21的下面設有自封裝樹脂10露出且與安裝面21共面的平坦部31。陰極端子30在安裝面21上呈T字形，從安裝面21的端部越過下面的中心部與陽極端子8側接近設置。

在陰極端子30的T字形縱棒部的兩端部，設置引出部33，該引出部33具有傾斜的金屬部件的壁面32。在引出部33的上側設有載置部34。引出部33使用衝壓模具，以將引線架的平坦狀的下面互相分開的方式，相對於平坦部31以5~45°的傾斜角θ 2向斜上方彎曲形成。另外，平坦部31和載置部34具有0.1~0.15mm的臺階高差而形成臺階狀。

在製作該固體電解電容器時，與第3圖同樣，將電容器元件1與引線架連接且形成封裝樹脂10之後，通過鐳射照射使壁面32露出。然後，形成與安裝面21相交的開口周圍閉合成矩形的凹部36。即，用壁面32構成一側面，用設于大致垂直於安裝面21的方向的封裝樹脂的壁面35構成另一側面。

在安裝該構成的固體電解電容器時，熔化了的焊錫被容納到凹部36中，使陽極端子8和陰極端子9的焊錫層的厚度大致相同。即，達到了與第1A圖~第1C圖所示的固體電解電容器同樣的效果。

下面，對陰極端子的凹部構成與第5A圖~第5C圖不同的固體電解電容器進行說明。第6A圖是本發明的實施方式的又一固體電解電容器的側視剖面圖，第6B圖是其正視剖面圖，第6C圖是其仰視圖。第6A圖是第6C圖所示的A－A線剖面圖，第6B圖是第6C圖所示的B－B線剖面圖。

陰極端子37由加工成引線架的金屬部件構成，在成為安裝面21的下面設有自封裝樹脂露出且與安裝面21共面的平坦部38。在安裝面21上，陰極端子37呈T字形，從安裝面21的端部越過下面的中心部與陽極端子8側接近而設置。

另外，在陰極端子37的安裝面21側，在與C軸相交且與陽極端子8鄰接的T字形縱棒部的端部設有凹部39。凹部39的一個側面由自平坦部38向斜上方立起的金屬部件的壁面40構成，另一個側面由位於鄰接陽極端子8側的封裝樹脂10的壁面41構成。

壁面40通過使用衝壓模具以將引線架的平坦狀的下面向與安裝面21相反側的方向鼓出的方式彎曲形成整個壁面。如第6A圖所示，壁面40的剖面為角度φ 2是10°以上、90°以下的圓弧狀。另外，壁面40設在相對於安裝面21大致垂直的方向上。

另外，在陰極端子37的、與平行於A－A線的方向垂直且非厚度方向的方向的兩端部，設有傾斜的引出部42，在引出部42的上側臺階狀地具有臺階高差而設有載置部43。引出部42在引線架上形成了金屬部件的壁面40之後，使用衝壓模具以使引線架的平坦狀的下面互相離開的方式，相對於平坦部38以30~60°的傾斜角向斜上方彎曲形成。

這樣，在使引線架彎曲之後，接著，與第1A圖同樣，將電容器元件1與引線架連接形成封裝樹脂10。最後，通過鐳射照射將壁面40露出，形成由壁面40和壁面41圍成的凹部39。

在安裝該結構的固體電解電容器時，熔化了的焊錫也被容納到凹部39，使陽極端子8和陰極端子9的焊錫層的厚度大致相同。即，起到了與第1A圖~第1C圖所示的固體電解電容器同樣的效果。

在以上的實施方式中，在陰極端子9、30、37上設有凹部17、36、39。即，在投影到安裝面21上的面積比陽極端子8的投影到安裝面21上的面積大的陰極端子9、30、37的安裝面21側設有凹部17、36、39。除此之外，當陽極端子、陰極端子投影到安裝面的面積大的情況下，為了具有更大容積的凹部，也可以在陽極端子和陰極端子中的一方或雙方設置凹部。另外，上述實施方式中用引線架製作陽極端子、陰極端子，但不限於此。也可以使用對金屬棒進行了切削加工的金屬片。

如上所述，按照本實施方式，能夠製造安裝性得到改善且高頻特性優良的固體電解電容器。即，本發明提供的固體電解電容器及其製造方法，能夠適用於要求低ESR、低ESL特性的表面安裝型的固體電解電容器。

1．．．電容器元件

2．．．陽極體

3．．．陽極引出部

4．．．絕緣體層

5．．．電介質氧化膜

6．．．固體電解質

7．．．陰極層

8．．．陽極端子

9、30、37．．．陰極端子

10．．．封裝樹脂

11,12．．．平坦部

13、14．．．引出部

15、16．．．載置部

17、36、39．．．凹部

18．．．壁面

19．．．壁面

21．．．安裝面

22．．．引線架

23．．．鐳射照射點

24．．．電路基板

25．．．接合部

26．．．焊錫層

27．．．導電性粘接劑

32．．．壁面

35．．．壁面

36．．．凹部

37．．．陰極端子

38．．．平坦部

39．．．凹部

40．．．壁面

41．．．壁面

42．．．引出部

43．．．載置部

51、52．．．折彎部

53、54．．．下面

55、56．．．沖裁部分

61．．．電容器元件

62．．．陽極體

63．．．陽極引出部

64．．．電介質氧化膜

65．．．固體電解質

66．．．陰極層

67．．．陽極端子

68．．．陰極端子

69．．．封裝樹脂

70．．．平坦部

71．．．平坦部

72．．．引出部

73．．．引出部

74．．．載置部

75．．．載置部

76．．．安裝面

77．．．電路基板

78．．．接合部

79A．．．焊錫層

79B．．．焊錫層

θ 1,θ 2．．．傾斜角