KR970004302B1

KR970004302B1 - 칩 형상 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR970004302B1
Application number: KR1019930001220A
Authority: KR
Inventors: 노부오 하세가와; 스미오 니시야마; 히데토 야마구찌; 타카시 이다; 준이치 쿠리타; 코오지 우에오카; 야스히로 코바시; 히데오 하시모토
Original assignee: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤; 다니이 아끼오
Priority date: 1993-01-30
Filing date: 1993-01-30
Publication date: 1997-03-26
Also published as: KR940018886A

Abstract

내용없음

Description

칩 형상 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법

제1도는 본 발명의 일실시예 1에 있어서의 칩형상탄탈고체전해콘덴서의 단면도.

제2도는 동콘덴서에 있어서의 콘덴서의 음극도전체층을 두껍게 형성한 상태를 표시한 단면도.

제3도는 동콘덴서의 다른 실시예를 표시한 단면도.

제4도는 (a),(b),(c),(d),(e),(f)는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 칩형상 탄탈고체전도체전해콘덴서의 제조공정을 표시한 외관사시도.

제5도는 동콘덴서의 다른 실시예를 표시한 단면도.

제6도는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 단면도.

제7도는 동콘덴서의 제조 방법의 흐름도.

제8도는 본 발명의 실시예 4에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 단면도.

제9도는 동콘덴서의 사시도.

제10도는 종래의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 표시한 단면도.

제11도는 다른 종래예를 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 단면도.

제12도는 또다른 종래예를 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 표시한 것이고,

(a)는 단면도.

(b)는 사시도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

14 : 양극도출선 14a : 양측도출면

15 : 음극층 16 : 콘덴서소자

17 : 음극면 18 : 둘레면

19 : 음극도전체층 19a : 음극도출면

20 : 외장수지 21a : 외장둘레면

21b : 음극외장둘레면 22a : 양금금속층

22b : 음극금속층 23a : 양극쪽땜납급속층

23b : 음극쪽납금속층 24 : 금속리본

25 : 테플론판 26 : 양극도출선

26a : 양극도출면 27 : 외장수지

28 : 음극도출면 29 : 양극금속층

30 : 음극금속층 31 : 레지스트수지층

32 : 양극쪽땜납금속층 33 : 음극쪽땜납금속층

34 : 금속리본 35 : 다공질의 양극체

36 : 양극도출선 36a : 양극도출면

37 : 금속리본 38 : 테플로판

39 : 음극층 40 : 콘덴서소자

41 : 음극도전체층 41a : 음극도출면

42 : 발수성(撥水性)수지 43 : 외장수지

44 : 양극금속층 45 : 음극금속층

46,47 : 땜납금속층 48 : 콘덴서소자

48a : 양극체 49 : 양극도출선

50 : 음극층 51 : 음극도전체층

52 : 외장수지 53 : 오목부

54 : 위크포인트(Weak point) 55 : 양극도출면

56 : 양극금속층 57 : 음극도출면

58 : 음극금속층 59 : 양극쪽땜납금속층

60 : 음극쪽땜납금속층

본 발명은, 칩형상 탄탈고체전해콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 최근, 전자기기의 경박단소화(經薄短小化)와 면실장기술의 진전으로부터 칩부분이 급증하고 있다. 칩형상 탄탈고체전해콘덴서에 있어서도 소형대용량화가 진전되는 가운데 칩부품자체의 한층의 소형화가 요구되고 있다.

종래의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는 제10도에 표시한 바와 같은 구조로 되어 있었다. 즉, 양극도출선(1)을 구비하고, 또한, 밸브작용 그속인 탄탈금속으로 이루어진 다공질의 양극체의 표면에 양극화에 의해 유전체성산화피막을 형성하고, 이 표면에 2산화망간등의 전해질층을 형성하고, 또 카본질 및 음극층(2)을 순차적 층형성하므로서 콘덴서소자(3)을 구성하고, 이 콘덴서소자(3)는 양극도출선(1)이 돌출한 선단부(1a)와 음극층(2)의 노출부(2a)를 제외하고 외장 수지층(4)에서 외장되고, 양극도출선(1)의 돌출부 선단부(1a)를 포함한 외장 수지(4)의 양극도 출선(1)의 인출면과 이면에 인접한 둘레면에 양극금속층(5)을 피복형성하는 동시에, 음극층(2)의 노출부(2a)를 포함하는 외장수지(4)의 음극쪽단부 및 그 면에 인접한 둘레면에 음극금속층(6)을 피복형성하고 있었다.

또, 이런 종류의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서에 있어서는, 예를 들면 일본국 특개평 2-256222호 공보에 표시되어 있는 바와 같이 즉, 제11도에 표시한 바와 같이, 콘덴서소자(3)의 음극층(2)에 있어서의 단부에 볼록부가 형성되도록 도전성 물질(7)을 접속하고, 그리고 양극도출선(1)이 한쪽끝으로 인출되도록 트랜스퍼모울드 방식에 의해 사각형상으로 외장수지(4)를 형성하고, 그후, 양극도출선(1)과 반대방향인 음극쪽 단부의 외장수지(4)의 단부로부터 외장수지(4)를 일정 치수 잘라내어서 도전성 물질(7)을 노출시키고, 또 그후, 양극도출선(1)의 돌출부(1a)를 포함한 외장수지(4)의 양극도출선(1)의 인출면과 이면에 인접한 둘레면에 양극금속층(5)을 피복형성하는 동시에, 도전성물질(7)의 노출부(7a)를 포함한 외장수지(4)의 음극쪽단부 및 이면에 인접한 둘레면에 음극금속층(6)을 피복형성하도록 한것도 공개되어 있다.

그러나, 상기한 제10도 및 제11도에 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서에서는, 콘덴서소자(3)로부터 인출한 양극도출선(1)을 수평으로 유지해서 모울드성형에의해 외장수지(4)를 형성할때에, 상기 콘덴서소자(3)의 자중에 의한 처짐이나 성형에 이르기전 공정중의 접촉트러블등에 의해, 상기 양극도출선(1)이 만곡변형되었을 경우, 콘덴서소자(3)의 음극층(2)에 있어서의 양극도출선(1)의 인출면에 대향하는 면 및 이면에 인접한 둘레면을 피복한 얇은 음극층(2)이 성형금형에 접촉하기 때문에, 수지외장이 충분히 행하지 못하고, 그 결과, 상기 얇은 음극층(2)의 노출에 의한 외관 불량이 많이 발생하고, 이것을 방지하기 위하여, 성형금형삽입정밀도의 개선이 요구되고 있었다. 또 제10도에 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서에서는, 음극쪽의 외장둘레면을 외부에 노출시킬 경우, 외장수지(4)의 일부를 샌드블래스트에 의해 제거하도록 하고 있으나, 이런 경우, 음극층(2)의 노출상황을 확인하면서 음극층(2)을 파괴시키지 않도록 노출시키지 않으면 안되기 때문에, 그 공정이 매우 어려운 것으로 되어서 생산성도 나빠지고 있었다. 또 음극층(2)은 얇기 때문에 이 음극층(2)이 파괴되었을 경우에는 콘덴서의 누설전류, tanδ치를증대시콘덴서니다고하는 문제에 연결되고 있었다.

또, 상기한 제10도 및 제11도에 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는, 양극도출선(1) 및 외장수지(4)와 이 외장수지(4)의 양극도출면에 형성되는 양극금속층(5)과의 밀착강도, 또한 외장수지(4)의 음극도출면에 형성되어 음극금속층(6)과 외장수지(4) 및 도전성 물질(7)과의 밀착강도가 약한 것이며, 이런 경우, 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 외형형상의 작아짐에 따라, 양극금속층(5) 및 음극금속층(6)의 형성면적도 작아지기때문에, 이 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 프린트기판에 실장한 후, 프린트기판의 휘어진이나 열스트레스가 발생하였을 경우, 특히 상기 음극금속층(6)이 박리해서 절연불량이 발생하기 쉽다고하는 문제점을 가지고 있었다. 또, 상기 양극도출선(1)의 표면에 산화물이 부착하고 있거나, 성형수지버어(burr)가 있었을 경우, tanδ가 증대한다고 하는 문제점을 가지고 있었다.

그리고 또 상기한 제10도 및 제11도에 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는, 외부로부터의 습기의 침입에 의해 누설전류, tanδ등이 열화되기 쉽고, 특히 고체전해콘덴서의 소형고용량화의 목적으로, 단자의 인출부인 양극금속층(5)과 음극금속층(6)을 도금공법에 의해서 형성하는 경우에는, 도금액속에 고체전체콘덴서를 침지하기 위하여 콘덴서소자(3)의 내부에 수분이나 이온성 물질이 침입하여, 전기적 특성이 열화되기 쉽다고하는 문제점을 가지고 있었다.

또 종래의 이런 종류의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서에 있어서는 예를 들면 일본국 특개소 59-222919호 공보에 표시되어 있는 바와 같이, 즉 제12(a),(b)에 표시한 바와 같이 고체전해콘덴서소자(8)를 피복한 외장수지(9)의 홈부(9a)로부터 도출한 양극리드(10)를 외장 수지(9)의 상부면(9b)위를 2분할하는 절단방향으로 수직면에서 얇게 편평형상으로 찌브러뜨리고, 또한 이 양극리드(10)를 붙어있는 부분(10a)에서 직각으로 구부려서, 홈부(9a)내를 홈부(9a)를 따라서 도출하고, 그후, 홈부(9a)로부터 도출하고 있는 음극인출부(11)에 순차도전성접착제, 도전성 도금, 땝납등을 단층 또는 복층에 피복해서 양극부의, 도전체층(12) 및 음극부의 도전체층(13)을 형성한 것도 공개되어 있다.

그러나, 상기한 제12(a),(b)에표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 구성에서는, 양극리드(10)를 붙어있는 부분(10a)에서 직각으로 구부렸을 경우, 양극리드(10)에는 탄력성이 있기 때문에, 외장수지(9)에 묻혀져있는 양극리드(10)의 부분에 기계적스트레스가 걸려서 외장수지(9)를 파손시키거나, 양극리드(10)의 구부러짐이 만곡형상으로 되어서 양극리드(10)가 외장수지(9)의 홈부(9a)안으로부터 바깥으로 비어져 나오거나, 양극리드(10)의 구부림 위치가 정해지지 않는다고 하는 문제점을 가지고 있었다.

본 발명의 제1목적은, 종래에 있어서의 제1의 문제점을 해결하는 것으로서, 콘덴서소자를 피복하는 외장수지의 성형시에, 콘덴서소자가 경사져서, 삽입되었을 경우에도, 콘덴서소자의 음극층이 외장수지로부터 노출한다고하는 외관불량을 없앨 수있는 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 제공하는데 있다.

또 본 발명의 제2의 목적은, 종래에 있어서의 제2의 문제점을 해결하는 것으로서, 양극도출선 및 외장수지와 이 외장수지의 양극도출면에 형성되는 양극금속층과의 밀착 강도, 및 외장수지의 음극도출면에 형성되는 음극금속층과 외장 수지 및 음극도전체층과의 밀착강도를 높일 수 있고, 또한 양극도출선의 표면의 산화피막 및 수지버어도 제거할 수 있으며, tanδ 특성의 향상에 기여할 수 있는 칩형상 고체전해콘덴서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

그리고 본 발명의 제3의 목적은, 종래에 있어서의 제3의 문제점을 해결하는 것으로서, 사용할 때의 고온 고습하에서나 제조시의 도금공정에 있어서, 수분이나 이온성 물질이 콘덴서소자에 침입하는 것을 방지하고 전기적 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있는 칩형상 고체전해콘덴서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

또 본 발명의 제4의 목적은, 종래에 있어서의 제4의 문제점을 해결하는 것으로서, 실질적으로 콘덴서의 외형치수가 커지는 일 없이 땜납내열시험, 각종환경시험에서의 tanδ 특성의 불량, 오픈불량을 개선할 수 있는 칩형상 고체전해콘덴서를 제공하는데 있다.

이하, 본 발명의 각 실시예를 첨부한 첨부 도면에 의거해서 설명한다.

제1도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 표시한 것으로서, 이 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는 제1도에 표시한 바와 같이, 양극도출선(14)을 구비하고, 또한 음극층(15)을 형성한 콘덴서소자(16)의 음극면(17)과 이면(17)에 인접한 둘레면(18)의 일부에 음극도전체층(19)을 구성하고, 그리고 상기 양극도출선(14)의 선단부 및 음극도출면(19a)을 제외하고 외장수지(20)에 의해 외장하고, 또 양극도출면(14a)와 이면(14a)에 인접한 외장 둘레면(21a)에는 양극금속층(22a)과 양극쪽땜납금속층(23a)을 피복형성하고, 한편, 양극도출면(14a)과 대향하는 음극도출면(19a)과 이면(19a)에 인접한 외장둘레면(21b)에는 음극금속층(22b)과 감극쪽땜납금속층(23b)을 피복형성하고 있다.

제2도는 제1도에 표시한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 음극층(15)을 형성한 콘덴서소자(16)의 음극면(17)에, 음극도전체층(19)을 두껍게 형성한 상태를 표시한 것이다.

다음에, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 제조 방법에 대해서 설명한다.

먼저, 제2도에 표시되어 있는 금속리본(24)에 접속된 탄탈선으로 이루어진 양극도출선(14)의 일단부가 표출되도록 매설한 밸브작용금속으로 이루어진 다공질의 양극체에 유전체 성산화피막, 전해질층, 음극층(15)을 형성하므로 콘덴서소자(16)을 구성하고, 이 콘덴서소자(16)에 형성한 음극층(15)중, 상기 양극도출선(14)쪽과 대향한 음극선(17) 및 이면(17)에 인접한 둘레면(18)의 일부에, 은분말체를 주성분으로 하는 열경화성수지로 이루어진 적정한 점도로 유지한 슬러리형상의 음극도전재료를 침지에 의해 두껍게 블록형상으로 부착시키고, 항온조에서 건조경화시키므로서 음극도전체층(19)을 형성하였다. 그리고 상기 음극층(15)에 있어서의 양극도출선(14)의 인출면과 인접한 둘레면(18)의 일부분에 형성되는 형성되는 음극도전체층(19)의 영역은, 상기 음극층(15)에 있어서의 양극도출선(14)의 인출면과 인접한 두레면(18)의 길이에 대해서 1/2~1/5의 영역으로 하였다. 또한, 음극도전재료는 Pd, Ni, Cu의 어느 1종류, 또는 이들과 은을 첨가한 2~3종류로 이루어진 복합금속분말체이온도 되고, 열경화성수지는 150℃~180℃로 가열해서 경화하는 것이다. 또, 음극도전재료는 흡수성, 흡습성이 작고, 또한 내습성이 뛰어난 것이 바람직하고, 그리고 이 음극조전재료는 후술하는 양극금속층(22a). 음극금속층(22b)에 사용하는 처리액이 콘덴서소자(16)의 내부에 침입하지 않는 것이 아니면 안된다. 또한, 이런 경우 Ni 등의 금속판으로 이루어진 금속재료이어도 된다. 또 테플론판(25)은 상기한 전해질층 형성시에 있어서의 양극도출선(14)에의 전해질부착을 방지하는 절연판이다.

상기 음극도전체층(19)을 형성한 후, 양극도출선(14)이 한편쪽에 인출되도록 콘덴서소자(16)를 금형에 세트하고, 트랜스퍼모울드 방식에 의해, 외장수지(20)를 성형하였다. 이런 경우, 콘덴서소자(16)는 성형금형의 중앙에 세트되나, 양극도출선(14)의 만곡이나 변형에 의해, 음극도전체층(19)은 성형금형에 거의 접촉한 상태로 배치되고, 외장수지(20)의 일부에 음극도전체층(19)의 노출되는 경우도 있을 수 있다. 그러나 얇은 음극층(15)은 두꺼운 음극도전체층(19)에 보호되어 있기 때문에, 손상을 받는일은 없어지고, 양극도출선(14)의 변형 스트레스가 해소되기 때문에, 누설전류나 tanδ치의 특성을 열화시키는 일도 없다. 또, 음극도 전체층(19)이외에서의 외관노출불편도 없어진다.

다음에 양극도출선(14)과 함께 외장수지(20)의 일부를 절제해서, 외장수지(20)와 면의 양극도출면(14)의 절단면을 포함한 양극도출면(14a)를 표출시킨다. 한편, 양극도출면(14a)에 대향하는 음극도출면(19a)은 상기 외장수지(20)와 함께, 두꺼운 음극도전체층(19)의 일부를 절제해서, 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 규격치수로 한다. 이런 경우, 두꺼운 음극도전체층(19)이 존재하기 때문에, 종래와 같이 슬라이스에 의한 집단 또는 숫돌에 의한 연삭에 의해 절제하는 경우에 얇은 음극층(15)을 파괴시키지 않도록 노출시킨다고하는 엄격한 관리는 불필요하게 되고, 그 결과, 생산성을 대폭으로 향상시킬 수 있는 동시에, 음극층(15)의 손상이라는 것도 없어지기 때문에, 누설전류나 tanδ치의 전기특성불량은 없어진다. 따라서, 다음에 양극외장둘레면(21a)과 음극외장둘레면(21b)를 조면화하기 위하여, 샌드블래스트처리를 행하였을 경우에도 음극층(15)이 외장수지(20)로부터 노출한다고하는 외관불량을 없앨 수 있다.

이어서 알칼리탈지, 화학에칭을 한후, 촉매부여의 앞처리를 행하고, 그후 Ni의 무전해도금에 의해, 양극외장둘레면(21a)과 음극외장둘레면(21b)을 포함한 외장수지(20)와 양극도출면(14a), 음극도출면(19a)의 전체면에 금속층을 형성한다. 이후 남겨야할 양극도출면(14a)과 이면(14a)에 인접한 양극외장둘레면(21a) 및 음극도출면(19a)과 이면(19a)에 인접한 음극외장둘레면(21b)에 레지스트재에 의해 마스킹을 행하고, 노출부분의 금속층을 산용해시키므로서, 외장수지(20)의 노출절연대역을 형성해서 양극을 전기적으로 완전히 분리시킨다. 이어서 레지스트재를 알칼리 용해에 의해 제거한다. 이에 의해서, 외장수지(20)의 양극도출선(14)표출쪽에 형성되고, 또한 양극도출선(14)과 접속되는 양극금속층(22a)이 형성되는 동시에, 음극도전체층(19)의 표출쪽에 형성되고, 또한 음극도전체층(19)과 접속되는 음극금속층(22b)이 형성된다. 또 용해땜납욕의 땜납코팅에 의해, 양극금속층(22a)에는 양극쪽땜금속층(23a)이 한편, 음극금속층(22b)에는 음극쪽땜납금속층(23b)이 각각 형성된다. 또한, 땜납금속층의 형성은 땜납도금에 의해서도 가능하다. 다음에 에이징, 표시, 특성검사를 거쳐서 완성품이 된다.

이와 같이 본 발명의 실시예 (1)에 의하면, 두꺼운 음극도전체층(19)이 얇은 음극층(15)을 보호하고 있기 때문에, 음극층(15)이 노출한다고하는 외관불량은 없으며, 또한 누설 전류, tanδ치의 전기 특성도 뛰어난 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 효율좋게 생산할 수 있다.

제3도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 다른 실시예를 표시한 것으로서, 이 제3도에 표시한 실시예에 있어서는, 양극도출면(14a)과 대향하는 음극면(17)에 위치한 음극층(15)에 인접한 둘레면(18)의 하부면에, 은분말체를 주성분으로하는 열경화수지로 이루어진 음극도전체층(19)을 형성한 것이다. 그리고 이 음극도전체층(19)은 두께 1.5~2.5mm의 볼록형상으로 부착시키고, 항온조에서 건조경화시킨다. 그후, 양극도출선(14)이 한쪽면에 인출되도록 콘덴서소자(16)를 금형에 세트하고, 트랜스퍼모울드에 의해, 외장수지(20)을 형성한다. 이런 경우, 은분말체를 주성분으로하는 열경화수지로 이루어진 음극도전체층(19)은 모울드금형에 거의 접촉한 상태로 배치되어서 외장수지(20)의 일부를 구성하고 있기 때문에, 외장수지(20)의 하면부에서 외부에 노출하는 것으로 되나, 외장수지(20)를 형성한 상태에 있어서는, 이 부분은 외장수지(20)에 의해 피복되어 있는 것이다. 이후, 상기 외장수지(20)와 함께, 두꺼운 음극도전체층(19)의 하면부의 일부를 숫돌등으로 연삭하므로서, 외장수지(20)와 면의 음극도출면(19a)을 표출시킨다. 이와 같이 본 발명의 실시예 1에 있어서의 다른 실시예에 의하면, 양극도출면(14)을 수평으로 모울드금형에 삽입하였을 때, 콘덴서소자(16)가 자중에 의해 경사지지 않도록 하면부에 형성한 두꺼운 음극도전체층(19)으로 지지하기 때문에, 외장수지(20)의 성형에 의해, 음극도전체층(19)이 외장수지(20)의 하면부에서 외부에 노출해도, 내부가 얇은 음극층(15)은 이 음극도전체층(19)에 의해 보호된다. 이에 의해, 누설전류 tanδ치의 전기특성불량을 증대키는 일없이 외장수지(20)와 함께 음극도전체층(19)의 일부를 절제해서 음극도출면(19a)을 표출시키는 것이 용히하게 할 수 있기 때문에, 생산성도 뛰어난 것을 얻을 수 있다.

제4도(a),(b),(c),(d),(e),(f)는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 제조 공정을 표시한 것으로서, 제4도(a)도 있어서, (26a)는 외장 수지(27)에 있어서의 양극도출면이고, 이 양극도출면(26a)는 외장수지(28)의 성형체에 있어서 양극도출면(26)의 근처에 위치해서 오목형상으로 구성되어 잇으며, 이 오목형상에 의해, 양극도출선(26)이 외장수지(27)의 성형체의 외형치수로부터 비어져나오는 일은 없어지고, 노출면적을 많이 취할 수 있다. 한편, 양극도출선(26)과 반대쪽에 위치하는 대향면에 형성한 음극도전체층은 제품의 외형치수보다 길게 되어 있기 때문에, 외장수지(27)의 성형체는 길게 되어 있는 것이다.

제4도(b)는 제4도(a)에 있어서의 외장수지(27)의 성형체를 제품규격의 외형치수로 커트 또는 연삭한 상태를 표시한다. 이 제4도(b)에 있어서, (28)은 음극도출면이고, 이 음극도출면(28)은 외장수지(27)와 음극도전체층을 커트하므로서 표출하는 것이고, 그리고 외장수지(27)의 성형체의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에서 연마하므로서, 표면의 조면화를 행하고, 미세한 요철에 의한 걸림과 표면활성화를 행하고 있다. 이 외장수지(27)는 에폭시수지뿐이거나, 또는 입자직경 1~200μm, 또는 직경 2~20μm, 길이 10~100μm의 섬유형상의 산화규소를 함유한 에폭시수지로 구성되어 있다. 또한, 상기한 산화규소이외에 폴리아미드수지를 함유시켜도 된다. 또, 샌드블래스트는 유리, 알루미나, 산화티탄을 사용하고 그때의 입자직경은 제4도(a)의 오목형상의 홈암으로 들어가도록 100μ이하로 한다. 그리고 또 화학에칭은, 에폭시수지 및 에폭시수지내의 필터(filler)인 산화규소를 조면화할 목적으로 불산, 과망간산염, 수산화나트륨을 사용한다. 이때, 샌드블래스트 및 화학에칭의 조합에 의한 조면화를 행하므로서, 외장수지(27)의 표면과 양극금속층(29) 및 음극금속층(30)과의 밀착강도를 더욱 높일 수 있다.

제4도(c)는 양극도출선(26)을 양극도출면(26a)의 오목형상내에서 위쪽으로 구부린 상태를 표시한 것이고,이와같이 양극도출선(26)을 양극도출면(26a)의 오목 형상내에서 위쪽으로 구부리므로서, 양극도출선(26)의 표면적을 크게 취할 수 있는 동시에, 양극도출선(26)을 양극도출면(26a)의 오목형상의 내부에 수납할 수 있기 때문에, 외관형상에 대해서도 균형이 잡힌 직 6면체로 정리할 수 있다. 또 레이저마킹표시를 채용하므로서, 센서에 의한 판독정렬이 가능하게 되기 때문에, 개편화(個片化)공법도 채용할 수 있다. 제4도(d)는 금속층의 형성상태를 표시한 것이고, 이 금속층은 제4도(c)에 표시양극도출선(26)과 양극도출면(26a) 및 외장수지(27)의 성형체의 일부의 표면에 형성되는 양극금속층(29)과, 음극도출면(28) 및 외장수지(27)의 성형체의 일부의 표면에 형성되는 음극금속층(30)으로 이루어지고, 이들의 금속층(29),(30)은 알칼리탈지, 호학에칭과 촉매부여의 앞처리를 한후 무전해Ni도금에 의해 양극도출선(26), 양극도출면(26a), 음극도출면(28) 및 외장수지(27)의 성형체의 각각의 표면에 형성된다. 이런 경우의 양극금속층(29) 및 음극금속층(30)의 막두께는 0.5~4.0μm의 범위가 밑바탕과 접합강도에 있어서 뛰어나고 있는 것이다.

제4도(e)는 네가티이프의 포토레지스트수지를 도포해서 피복한 상태를 표시한 것이고 (31)은 레지스트수지층이며, 이 레지스트수지층(31) 중에서, 상기 남겨두어야할 영국도출선(26)을 포함한 양극도출면(26a), 음극도출면(28) 및 이것들에 인접한 외장수지(27)의 성형체의 일부를 자외선조사에 의해 반응시켜서 남겨두고, 그후, 또 자외선 조사를 행하고 있지 않은 레지스트수지층(31)의 중앙부분을 용해하고, 이어서 이 용해에 의해 노출한 금속층의 부분을 산용해시킨다. 그리고 최후에, 자외선 조사에 의해 반응시킨 레지스트수지층(31)의 양끝부분을 알칼리용해에 의해서 제거하므로서, 양극도출선(26)을 포함한 양극도출면(26a), 음극도출면(28) 및 이들에 인접한 외장수지(27)의 성형체의 이부에 양극금속층(29)과 음극금속층(30)이 노출한다. 이런 경우, 외장 수지(27)의 성형체의 일부에 노출한 양극금속층(29)과 음극금속층(30)의 외장수지(27)의 중앙부에 형성된 절연대역에 의해 전기적으로 완전히 분리된 양극부분을 구성하고 제4도(f)는 양극을 땜납금속층을 피복한 상태를 표시한 것으로서, (32)는 양극쪽의 땜납금속층(33)은 음극쪽의 땜납금속층이다. 그리고 이들의 땜납금속층(32)은 양극금속층(29)의 표면을 피복하고, 한편, 음극쪽의 땜납층(33)은 음극금속층(30)의표면을 피복한다.

그리고 이와 같이해서 제조한 것을 에이징하고, 또한 열처리등을 한 후, 양극도출선(26)을 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 외형제품치수가 되도록 절단해서 금속리본(34)으로부터 개편화하고, 그것을 검사후, 완성시킨다.

상기한 본 발명의 실시예(2)에 있어서의 제조방법에 있어서는, 외장수지(27)의 표면을 조면화하고 있기 때문에, 양극금속층(29)과 음극금속층(30)의 형성시에 있어서, 양극금속층(29)과 음극금속층(30)은 외장수지(27)의 표면의 미세한 요철에 걸린형으로 형성되는 것으로 되며, 그 결과, 양극금속층(29) 및 음극금속층(3)과 외장수지(27)의 밀착강도를 높일 수 있기 때문에, 이들의 접촉저항은 작아져서, tanδ특성을 향상시킬 수 있다.

다음에 본 발명의 실시예 2a에 대해서 설명한다. 이 실시예 2a는, 외장수지(27)의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하는 동시에, 이 외장수지(27)의 조면화할때에, 양극도출선(26)의 표면에 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하도록 한 것이다.

이와 같이 외장수지(27)의 표면과 양극도출선(26)의 표면의 조면화를 행하면, 이들의 표면에는 미세한 요철이 형성되는 동시에, 산화피막 및 수지버어의 제거를 행할 수 있기 때문에, 미세한 요철에 의한 걸림과 표면활성화에 의해, 양극금속층(29) 및 음극금속층(30)과의 밀착강도를 더욱 높일 수 있고, 이에 의해, 이들의 접촉저항도도 작아져서, tanδ특성을 향상시킬 수 있다.

다음에 본 발명의 실시예 2b에 대해서 설명한다. 이 실시예 2b는, 외장수지(27)의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하는 동시에, 이 외장수지(27)의 조면화할때에, 양극도출선(26)의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면(28)도 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하도록 한 것이다.

이와 같이 외장수지(27)의 표면, 양극도출선(26)의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면(28)의 조면화를 행하면, 이들의 표면에는 미세한 요철이 형성되는 동시에, 산화피막 및 수지플래쉬의 제거를 행할 수 있기 때문에, 미세한 요철에 의한 걸림과 표면활성화에 의해, 양극금속층(29) 및 음극금속층(30)과의 밀착강도를 더욱 높일 수 있고, 이에 의해, 이들의 접촉강도도 작아져서, tanδ특성을 향상시킬 수 있다.

다음에 본 발명의 실시예 c에 대해서 설명한다. 이 실시예 2c는, 음극도전체층의 음극도출면(28)만을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하도록 한 것이다.

이와 같이 음극도전체층의 음극도출면(28)의 조면화를 행하면, 이 음극도출면(28)에는 미세한 요철이 형성되기 때문에, 음극금속층(30)의 형성시에 있어서, 음극금속층(30)은 음극도출면(28)의 미세한 요철에 걸린형으로 형성되는 것으로 되고, 그 결과, 음극금속층(30)과 음극도출면(28)의 밀착강도를 높일 수 있기 때문에, 양자의 접촉저항은 작아져서, tanδ특성을 향상시킬 수 있다.

다음에 본 발명의 실시예 2d에 대해서 설명한다. 이 실시예 2d는, 외장수지(27)의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하는 동시에, 이 외장수지(27)의 조면화할때에, 음극도전체층의 음극도출면(28)도 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하도록 한 것이다.

이와 같이 외장수지(27)의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면(28)의 조면화를 행하면, 이들의 표면에는 미세한 요철이 형성되기 때문에, 이 미세한 요철에 의한 걸림과 표면활성화에 의해, 양극금속층(29) 및 음극금속층(30)과의 밀착강도를 더욱 높일 수 있고, 이에 의해, 이들의, 접촉저항도 작아져서, tanδ특성을 향상시킬 수 있다.

다음에 본 발명의 실시예 2e에대해서, 제5도를 참조하면서 설명한다. 이 실시예 2e는 외장수지(27)의 양극금속층(29) 및 음극금속층(30)이 형성되는 전극단자부 표면만을 선택적으로 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하도록 한 것이다.

그리고, 상기 양극금속층(29)과 음극금속층(30)의 형성에 있어서는, 알칼리탈지, 화학에칭과 촉매부여의 앞처리가 이루어지나, 상기 실시예 2e에 있어서는, 외장수지(27)의 표면에 조면화를 행할 경우, 양극금속층(29)과 음극금속층(30)이 형성되는 전극단자부표면만을 선택적으로 행하도록 하고 있기 때문에, 그 이외의 비전극 단자부는 조면화되어 있지 않고, 그 때문에, 이들의 부분은 발수성이 있고, 따라서, 상기한 양극금속층(29)과 음극금속층(30)의 형성시에 있어서의 처리액도 이 발수성에 의해 외장 수지(27)의 표면으로부터 내부에 침입하는 것을 억제되기 때문에, tanδ특성에 악영향을 부여하다고 하는 것도 확실히 방지할 수 있다.

또 이런종류의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는, 내습시험이나 염수분무시험을 행하나, 상기 실시예 2e에 있어서는, 외장수지(27)의 표면의 조면화가 양극금속층(29)과 음극금속층(30)의 형성되는 전극단자부표면에만 행하여지고 있기 때문에, 그 이외의 비전극단자부는 조면화되어 있지 않고, 그 때문에, 이들의 부분은 발수성을 가지고 있기 때문에, 상기한 내습시험시에 있어서의 수분이나, 염수분무시험시에 있어서의 염수도 이 발수성에 의해 외장수지(27)의 표면으로부터 내부에 침입하는 것을 억제할 수 있는 것으로 되며, 이에 의해, 이들이 tanδ특성에 악영향을 부여하는 것을 확실히 방지할 수 있다.

제6도는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 단면도를 표시하고, 또 제7도는 동 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 제조방법의 흐름도를 표시한 것이다.

이 제6도, 제7도에 있어서, (35)는 밸브작용 금속인 탄탈금속분말을 성형소결한 다공질의 양극체이고, 이 양극체(35)의 표면에는 양극산화에 의해 유전체성 산화피막을 형성하고, 또 이 표면에 2산화망간등의 전해질층을 형성하고 있다. 또 양극도출선(36)은 탄탈선으로 이루어지고, 상기 양극체(35)로부터 도출하고 있는 것이다. 그리고, 이 양극체(35)의 표면에의 일련의 처리공정은 금속리본(37)에, 양극도출선(36)을 접속한 상태로 행하여진다. (38)은 양극도출선(36)에 장착한 테플론판이고, 이 테플론판(38)은 상기 양극체(35)에의 전해질층의 형성시에 양극도출선(36)에 2산화망간이 기어올라서 부착하는 것을 방지하는 절연판이다. 또 상기 양극체(35)의 전해질층위에는 침지법에 의해 카본층 및 온도료층으로 이루어진 음극층(39)을 순차 적층형성해서 콘덴서소자(40)를 구성하고 있다. 또 콘덴서소자(40)에 있어서의 음극층(39)의 양극도출선(36)과 반대쪽에 위치한 부분에는 은분말체를 주성분으로하는 도료중에 침지해서 음도전체층(41)을 순차 적층형성하고 있다. 그후, 이 상태의 콘덴서소자 및 음극도전체층(41)을 실리콘계 내지는 불소계의 발수성 수지(42)에 침지해서 이 콘덴서소자(40) 및 음극도전체층(41)이 모두 발수성 수지(42)에 의해 피복되도록 하고 있다. 이런 경우, 침지에 의해 침투성이 높은 이들의 발수성 수지(42)는 다공질의 양극체(35)에 내부에까지 침투해서 보호막을 형성한다.

다음에, 양극도출선(36)이 한쪽면으로 인출되도록 틀내스퍼모울드 방식에 의해 에폭시 수지에 의해서 콘덴서소자(40)를 외장한 후, 음극도전체층(41)이 노출하도록 외장 수지(43)를 절단 또는 연삭한다. 그후 알칼리탈지, 화학에칭과 촉매부여의 앞처리를 한후, 무전해 Ni도금에 의해, 양극도출선(36), 양극도출면(36a), 음극도출면(41a) 및 외장수지(43)의 성형체의 각각의 표면에 Ni로 이루어진 음극금속층(45)을 형성한다. 이런 경우에 양극금속층(44) 및 음극금속층(45)의 총두께는 0.5~5.0μm의 범위가 밑바탕과의 접합강도에 있어서 뛰어나고 있는 것이다. 그리고 이 양극에 상기 양극금속층(44) 및 음극금속층(45)을 개재해서 땜납금속층(46),(47)이 형성된다. 이와 같이 해서 제조한 칩형상 탄탈고체전해콘덴서가 외형제품치수가 되도록 양극도출선을 절단해서 금속리본(37)으로부터 개편화하고, 그것을 검사한 후, 완성시킨다.

상기한 본 발명의 실시예에 있어서는, 탄탈금속분말을 성형소결한 다공질의 양극체(35)의 표면에 유전체성산화피막, 전해질층, 카본층 및 온도료층으로 이루어진 음극층(39)을 순차 적층해서 콘덴서소자(40) 및 음극도전체층(41)을 실리콘계 내지는 불소계의 발수성수지(42)에 침지해서 발수성 수지(42)에 의해 콘덴서소자(40) 및 음극도전체층(41)을 피복하도록 하고 있으므로, 이런 경우, 상기 침지에 의해, 침투성이 높은 이들의 발수성 수지(42)는 콘덴서 수지(40)의 가장 바깥면뿐만 아니라, 다공질의 양극체(35)의 내부에까지 침투해서 보호막을 형성하고 있기 때문에, 무전해 Ni도금에 의해 Ni로 이루어진 양극금속층(44)과 Ni로 이루어진 음극금속층(45)을 형성하는 도금공정에 있어서, 콘덴서소자(40)가 과혹한 조건하에 처하게 되는, 즉 고온하에서 강한 산, 강한 알칼리액에 콘덴서소자(40)가 접지되어도, 상기 보호막의 존재에 의해, 전기적특성 tanδ의 열화를 방지할 수 있고, 또 사용환경하에 있어서의 고온, 고습 조건에 있어서도, 상기 보호막이 존재에 의해서 외부로부터 침입한 수분이나 이온성물질이 밸브작용금속으로 이루어진 다공질의 양극체(35)에 접하는 일도 없어지기 때문에 칩형상고체전해콘덴서의 전기적 특성 tanδ의열화를 방지할 수 있는 것이다.

제8도는 본 발명의 실시예에 있어서의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 단면도를 표시하고, 또 제9도는 동칩형상 탄탈고체전해콘덴서의 사시도를 표시한 것이다. 이 제8도 제9도에 있어서, (48)은 콘덴서소자이고, 이 콘덴서소자(48)는 양극도출선(49)을 구비하고, 또한 밸브작용금속인 탄탈로 이루어진 다공질의 양극체(48a)의 표면에 일반적인 양극산화법에 의해 유전체성산화피막을 형성하고, 또 이 위에 전해질층, 카본층과 온도료층으로 이루어진 음극층(50)중, 양극도출신(49)과 상대하는 면에, 도전재료에 의해 음극도전체층(51)을 두껍게 형성하고, 이어서 콘덴서소자(48)의 양극도출선(49)이 한쪽면으로 인출되도록, 양극도출선(49)의 일부와 콘덴서소자(48) 및 음극도전체층(51)의 전체를 트랜스퍼모울드에 의해 외장수지(52)에 의해 피복되어 있는 것이고, 이런 경우, 모울드에 의한 외장수지(52)의 양극도출선(49)쪽에 오목부(53)를 형성한 것이다. 그리고, 그후, 음극도전체층(51)의 노출상황을 확인하면서 외장수지(52)의 음극쪽의 단부면을 커트 또는 연삭해서 음극도전체층(51)의 노출부를 형성하였다.

다음에, 양극도출선(49)을 오목부(53)내에서 구부리나, 이런 경우, 양극도출선(49)의 일부에 압연(壓延) 또는 절삭에 의해 위크포인트(54)를 형성하고, 이 위크포인트(54)의 부분을 지점으로해서 양극도출선(49)이 오목부(53)내에 수납되도록 양극도출선(49)을 구부리고 있다. 그후, 양극도출선(49)과 외장수지(52)의 양극도출면(55)에 도금으로 이루어진 양극금속층(56)을 형성하는 동시에, 음극도전체층(51)과 외장수지(52)의 음극도출면(57)에 도금에 의해 이루어진 음극금속층(58)을 형성하였다. 또 그후, 이것을 용해땜납욕속에 침지해서 상기 양극금속층(56)과 음극 금속층(58)의 표면에 양극쪽땜납금속층(59)과 음극쪽납금속층(60)을 형성하고, 16V, 6.8μF의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서를 제작하였다.

상기한 본 발명의 실시예 4에 있어서는, 콘덴서소자(48)를 양극도출선(49)이 한편쪽으로 인출되도록 피복하는 외장수지(52)의 양극도출선(49)쪽에 오목부(53)을 형성하고, 이 오목부(53)내에 양극도출선(49)이 수납되도록 상기 양극도출선(49)에 워크포인트(54)를 형성해서 구부리고 있기 때문에, 이 위크포인트(54)의 부분에서 양극도출선(49)을 구부리므로서, 그 구부림을 용이하게 행할 수 있는 동시에, 그 구부림위치도 항상 일정한 것을 얻을 수 있고, 그 결과 양극도출신(49)이 콘덴서의 외형치수로부터 바깥쪽으로 비어져 나오는 일은 없으며, 또 외장수지(52)로부터 도출된 양극도출선(49)을 길게 확보할 수 있기 때문에, 양극도출선(49)쪽에 형성되는 양극쪽단자부와 양극도출선(49)과의 접촉면적도 커져서, 그들의 접합강도를 대폭으로 높일 수 있으며, 이에 의해, 땜납내역시험, 각종환경시험에서의 tanδ특성의 불량, 오픈 불량을 없앨 수 있는 것이다.

또한, 상기 일실시예에 있어서는, 양극도출선(49)의 일부에 압연 또는 절삭에 의해 위크포인트(54)를 형성하고 있으나, 이 위크포인트(54)의 형상은 U자형 또는 V자형으로 하므로서, 그 구부림을 원활하게 행할 수 있는 것이다.

상기 본 발명의 실시예 2,3,4에 있어서는, 콘덴서소자의 음극층과는 별개로 음극도전체층을 형성한 것에 대해서 설명하였으나, 콘덴서소자들 외장수지에 의해 피복하였을 경우, 상기 음극층이 외장수지의 단부면으로부터 직접 노출하도록 구성해도 되는 것이다.

이상의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 칩형상 고체전해콘덴서는, 콘덴서소자를 구성하는 음극층에 있어서의 양극도출선의 인출면에 대향하는 면 및 이면에 인접한 둘레면의 일부에 음극도전체층을 형성하고 있기 때문에, 외장수지의 성형시에 콘덴서소자가 경사져서 삽입되었을 경우에도, 상기 음극도전체층의 성형금형의 내벽에 접촉해서 상기 콘덴서소자의 경사를 수정하게 되고, 이에 의해, 음극쪽의 외장둘레면을 조면화하기 위하여 샌드블래스트를 행하였을 경우에도 음극층이 외장수지로부터 노출한다고 하는 외관불량을 없앨 수 있다.

또 본 발명의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는, 외장수지의 표면, 외장수지의 표면 및 양극도출선의 표면, 음극도전체층의 음극도출면, 외장수지의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면, 외장수지의 표면과 양극도출선의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면, 외장수지의 표면과 양극도출선의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면의 어느것을 샌드브래스트와 호학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하도록 하고있기 때문에, 이들의 표면에는 미세한 요철의 걸림이 형성되게 되고, 이에 의해, 양극금속층과 음극금속층과의 밀착강도를 높일 수 있는 동시에, 양극도출선의 표면의 산화피막 및 수지버어드도 제거할 수 있기 때문에, 양극금속층 및 음극금속층의 부분에 있어서의 접촉저항도 작아서, tanδ특성을 향상시킬 수 있다.

그리고 또 본 발명의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는, 외장수자의 양극금속층과 음극금속층이 형성되는 전극단자부표면만을 선택적으로 조면화하도록 하고 있기 때문에, 그 이외의 비전극단자부는 조면화되어있지 않으며, 그 때문에, 이들의 부분은 발수성이 있고, 이에 의해, 금속층형성할때의 처리액, 내습시험의 수분염수분무시험의 염수가 외장수지의 표면으로부터 내부에 침입하는 것을 억제할 수 있기 때문에, tanδ특성에 악영향을 부여한다고 하는 일도 없어진다.

또 본 발명의 칩형상 탄탈고체전해콘덴서는, 콘덴서소자를 발수성수지에 침지해서 발수성수지에 의해 콘덴서소자를 피복하도록 하고 있기 때문에, 발수성수지는 콘덴서소자의 가장 바깥면뿐만 아니라, 양극체를 구성하는 밸브작용금속의 내부에까지 침투해서 보호막을 형성하게 되고, 이에 의해 외부로부터 침입한 수분이나 이온성물질이 밸브작용금속에 접하는 일은 없어지기 때문에, 고체전해콘덴서의 전기적 특성의 열화를 방지할 수 있다. 특히 도금공법에 의해 양극금속층과 음극금속층을 형성하는 방법을 사용하였을 경우, 고온하에서 강한산, 강한알칼리액에 침지되나, 이런 경우에 있어서도, 콘덴서소자가 수성 수지에 의해 피복되어 있기 때문에, 전기적특성의 열화가 발생하는 일은 없는 것이다.

다시 또 본 발명의 칩형상 고체전해콘덴서는, 콘덴서소자를 양극도출선이 한편쪽으로 인출되도록 피복하는 외장수지의 양극도출선쪽에 오목부를 형성하고, 이 오목부내에 양극도출선이 수납되도록 상기 양극도출선에 위크포인트를 형성해서 구부리고 있기 때문에, 이 위크포인트에서 양극도출선을 구부리므로서, 그 구부림은 용이하게 행할 수 있는 동시에, 그 구부림위치도 항상 일정한 것을 얻을 수 있고, 그 결과, 양극도출선이 콘덴서의 외형치수로부터 바깥쪽으로 비어져나오는 일은 없으며, 또 외장수지로부터 도출된 양극도출선을 길게 확보할 수 있기 때문에, 양극도출선쪽에 형성되는 양극쪽단자부와 양극도출선과의 접촉면적도 켜져서, 그들의 접합강도를 대폭으로 높일 수 있으며, 이에 의해 땜납내열 시험, 각종환경시험에서의 tanδ특성의 불량, 오픈을 없앨 수 있다.

Claims

양극도출선의 일단부가 표출되도록 양극도출선을 매설한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체에 유전체성산화피막, 전해질층, 음극층을 형성해서 구성한 콘덴서소자와, 상기 음극층에 있어서의 양극도출선의 인출면에 대향하는 면 및 이면에 인접한 둘레면의 일부에 형성한 음극도전체층과, 상기 콘덴서소자 및 음극도전체층의 바깥표면을 상기 양극도출선의 선단부 및 음극도전체층의 일부를 제외하고 피복하는 외장수지와, 이 외장수지의 양극도출선 표출쪽에 형성되고, 또한 양극도출선과 접속되는 양극금속층과, 상기 외장수지의 음극도전체층표출쪽에 형성되고, 또한 음극도전체층과 접속되는 음극금속층을 구비한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
제1항에 있어서, 음극도전체층을 콘덴서소자의 음극층보다 두껍게 형성한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
제1항에 있어서, 음극층에 있어서의 음극도출선의 인출면과 인접한 둘레면의 일부에 형성되는 음극도전체층의 영역은, 상기 음극층에 있어서의 양극도출선의 인출면과 인접하는 둘레면의 길이에 대해서 1/2~1/5로 한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체층 산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 구성한 콘덴서소자와, 이 콘덴서소자를 상기 양극도출선과 음극부가 상대향하는 방향으로 노출하도록 피복하는 외장수지와, 표면을 조면화한 외장수지의 양극도출면 및 음극부에 형성되는 양극금속층 및 음극금속층을 구비한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
제4항에 있어서, 외장수지의 표면의 조면화를 샌드블래스트와 화학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 행한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
제4항에 있어서, 양극도출선의 표면을 조면화한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
제6항에 있어서, 양극도출신의 표면의 조면화를, 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 행한 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 또 이 콘덴서소자를 상기 양극도출선과 음극부가 상대향하는 방향으로 노출하도록 피외장수지에 의해 피복하고, 그후, 외장수지의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 존면화하고, 또 그후, 외장수지의 양극도출면 및 음극부에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩형상고체전해콘덴서 제조방법.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체성산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 또 이 콘덴서소자를 상기 양극도출선과 음극부가 상대 향하는 방향으로 노출하도록 외장수지에 의해 피폭하고, 그후 외장 수지 및 양극도출선의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하고, 또 그후, 양극도출선을 포함한 외장수지의 양극도출면 및 음극부에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 칩형상 고체전해콘덴서의 제조방법.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 구성한 콘덴서소자와 이 콘덴서소자에 있어서의 음극층의 양극도출선과 반대쪽에 위치한 부분에 형성되고, 또한 음극도출면을 조면화한 음극도전체층과, 상기 콘덴서소자 및 음극도전체층을 상기 양극도출선이 한편쪽으로 인출되도록 피복하는 외장수지와, 이 외장수지의 양극도출면 및 음극도출면에 형성되는 양극금속층 및 음극금속층을 구비한 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서.
제4항 또는 제6항에 있어서, 음극전도체의 음극도출면을 조면화한 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서.
제10항에 있어서, 음극도전체층의 음극도출면의 조면화를, 샌드블래스트와 호학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 행한 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 이 콘덴서소자에 있어서의 음극층의 양극도출선과 반대쪽에 위치한 부분에는 음극도전체층을 형성하고, 그후 상기 콘덴서소자 및 음극도전체층을 상기 양극도출선이 한편쪽으로 인출되도록 외장수지에 의해 피복하고, 또 이 외장수지에 있어서의 음극도전체층의 음극도출면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화되고, 또 그후 외장수지의 양극도출면 및 음극도출면에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 칩형상 고체전해콘덴서의 제조방법.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 이 콘덴서소자에 있어서의 음극층의 양극도출선과 반대쪽에 위치한 부분에는 음극도전체층을 형성하고, 그후 상기 콘덴서소자 및 음극도전체층을 상기 양극도출선이 한편쪽으로 인출되도록 외장수지에 의해 피복하고, 또 외장수지의 표면 및 음극도전체층의 음극도출면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화되고, 또 그후 외장수지의 양극도출면 및 음극도출면에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서의 제조방법.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 이 콘덴서소자에 있어서의 음극층의 양극도출선과 반대쪽에 위치한 부분에는 음극도전체층을 형성하고, 그후 상기 콘덴서소자 및 음극도전체층을 상기 양극도출선이 한편쪽으로 인출되도록 외장수지에 의해 피복하고, 또 외장수지의 표면, 음극도전체층의 음극도출면 및 양극도출선의 표면을 샌드블래스트와 화학에칭의 어느한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화하고, 또 그후 외장수지의 양극도출면 및 음극도출면에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 칩형상 고체전해콘덴서의 제조방법.
양극도출선을 구비한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 이 콘덴서소자에 있어서의 음극층의 양극도출선과 반대쪽에 위치한 부분에는 음극도전체층을 형성하고, 또 상기 콘덴서소자 및 음극도전체층을 상기 양극도출선이 한편쪽으로 인출되도록 외장수지에 의해 피복하고, 그후 외장수지의 양극금속층과 음극금속층이 형성하는 전극단자부표면만을 선택적으로 샌드블래스트와 화학에칭의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 의해 조면화되고, 또 그후외장수지의 양극도출면 및 음극도출면에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 칩형상 고체전해콘덴서의 제조방법.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 이 콘덴서소자를 피복하는 발수성 수지와, 상기 콘덴서소자를 상기 양극도출선과 음극부가 #로 대향하는 방향으로 노출하도록 피복하는 외장수지와 이 외장수지의 양극도출면 및 음극부에 형성된 양극금속층 및 음극금속층을 구비한 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 콘덴서소자를 구성하고, 이 콘덴서소자를 발수성수지에 침지해서 발수성수지에 의해 콘덴서소자를 피복하고, 그후 이 콘덴서소자를 상기 양극도출선과 음극부가 서로 애향하는 방향으로 노출하도록 외장수지에 의해 피복하고, 또 그후 이 외장수지의 양극도출면 및 음극부에 양극금속층 및 음극금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서의 제조방법.
양극도출선을 구비하고, 또한 밸브작용금속으로 이루어진 양극체의 표면에 유전체산화피막, 전해질층, 음극층을 순차 적층해서 구성한 콘덴서소자와, 이 콘덴서소자를 상기 양국도출선이 한편쪽으로 인출되도록 피복하는 외장수지를 구비하고, 상기 외장수지의 양극도출선쪽 오목부를 형성하고, 이 오목부내에 양극도출선이 수납되도록 상기 양극도출선에 워크포인트를 형성해서 구부리고 또한 상기 외장수지의 양극도출선쪽으로 오목부내의 양극도출선과 접속되는 양극쪽단자부를 설치하는 동시에, 상기 외장수지의 양극도출선과는 반대쪽으로 콘덴서소자의 음극층과 접속되는 음극쪽단자를 설치한 것을 특징으로 하는 칩형상 고체전해콘덴서.