JP2012234835A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では封止された空間内部のEL素子上に、水や酸素などを吸収する性
質(吸収性)を有する吸収膜を備える。これにより空間内部に水や酸素を吸収させる機能
を容易に持たせることができ、また、EL素子を形成した後、連続的に吸収膜を形成させ
ることができるため空間内に酸素や水分を侵入させることなく封止構造を形成することが
でき、EL素子の劣化を防止することができる。
【選択図】図1
Description
置(以下、発光装置という)に関する。特に発光装置が有する、基板上に形成したEL素
子を封止したELパネルの封止技術に関する。なお、本明細書中ではELパネルにFPC
が接続され、FPCを介してIC(集積回路)が直接実装されたモジュールを発光装置と
よぶ。
EL材料として有機材料を用いた発光装置が注目されている。この発光装置は有機ELデ
ィスプレイ(OELD:Organic EL Display)又は有機ライトエミッティングダイオード
(OLED:Organic Light Emitting Diode)とも呼ばれている。
がある。即ち、屋外に用いられるディスプレイとしては、液晶ディスプレイよりも適して
おり、様々な形での使用が提案されている。
構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案し
た「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に
発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用してい
る。
層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に
対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料
からなる膜で形成しても良いし、全て高分子系の材料からなる膜で形成しても良い。
したがって、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、
全てEL層に含まれる。
、これには、互いに直交するように設けられた2種類のストライプ状電極の間にEL層を
形成する方式(単純マトリクス方式)、又はTFTに接続されマトリクス状に配列された
画素電極と対向電極との間にEL層を形成する方式(アクティブマトリクス方式)、の2
種類がある。
ているが、有機EL素子の実用化における最大の問題は、素子の寿命が不十分な点である
。また、素子の劣化は、長時間発光させると共に非発光領域(ダークスポット)が広がる
という形で現れるが、その最大の原因は、陰極の剥離によるものであるといわれている。
場合が多い。例えば、MgAg合金等の安定な金属で作製した電極を用いると大気中で素
子を動作させることも可能であるが、素子の寿命は短くなる。よって、良好な素子特性を
得るために、素子の作製を一貫して真空又は、不活性ガス雰囲気下のグローブボックス中
で行うのが理想的とされている。
には、乾燥窒素や不活性ガス雰囲気下で素子をガラス基板で覆い、周囲を樹脂で封止する
といった方法が採られる。
高い電界によって電極と残留不純物との反応が促進されるためであると考えられている。
つまり、封入されるガスの純度を高くしても表面吸着物や封止用の樹脂からの放出物があ
るため、酸素や水分といった物質を完全に除去するのは難しい。それに対して以下に示す
ような工夫がなされている。
1は基板、1602は陽極、1603はEL層、1604は陰極である。陽極1602お
よび陰極1604は、それぞれ外部電源に電気的に接続されている。そして、陽極160
2、EL層1603および陰極1604からなる基板1601上のEL素子は、封止基板
1607によりシール剤1608を介して封止される。
性の物質からなる吸湿剤(捕水剤ともいう)1606を添加するというものである。これ
については、以下に示す文献に詳細が記されている。(文献:川見伸、内藤武実、大畑浩
、仲田仁:有機EL素子の封止における捕水剤の効果、第45回応用物理学関係連合講演
会講演予稿集、1223(1998))
のと、五酸化リンや塩化カルシウムなどに代表される化学吸着性のものとがあるが、化学
吸着性の物質は、吸着した水分を結晶水として取り込み、再放出することがないことから
酸化バリウム(BaO)等の化学吸着性の物質が用いられることが多い。
設けて、そこに吸湿剤を備えたあと、合成樹脂等のフィルムに粘着性を持たせたもので吸
湿剤が分散しないように貼り付けたり、通気性の材質からなる袋に吸湿剤を入れたものを
封止基板に貼り付けるなどして吸湿剤が空間1609に分散しないように備えるといった
方法が採られている。しかし、空間1609に吸湿剤を直接分散させて備える方法も採ら
れている。
ている。
にそのまま分散させて備えたり、高分子系の材料からなるフィルム等で包んだものを封止
基板等に貼り付けたりして備える方法が採られている。
を生じたり、また包装した吸湿剤を備えたりする場合には、その包装に手間がかかるとい
った問題がある。
る場合もある。しかし、この場合には、当然大気中の酸素や水分が空間1609に含まれ
るという問題を避けることができない。
を有し、さらにこれらを吸収する吸湿剤等を容易に、かつ効率的に添加する方法を提供す
ることにより、EL素子の劣化を防ぐことを目的とする。
内部に添加する酸素や水といった不純物を吸収する性質(以下、吸収性という)の材料お
よび添加方法の改良を行った。これによりEL素子上に吸収性の膜(以下、吸収膜という
)を容易に形成させることができ、さらに酸素や水分によりEL素子の劣化を防ぐという
ものである。
EL素子上に吸収膜を形成させる。なお、本発明における吸収膜としては、酸素により酸
化されやすい仕事関数の低い金属であり、さらにその酸化物が水と反応して水和物を形成
し、水分の再放出が生じないような材料からなる膜のことをいう。なお、これらの金属材
料としては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びラ
ジウムといったアルカリ土類金属を用いることができる。また、本明細書中では、このよ
うな材料からなる膜のことを吸収膜と呼ぶ。
EL素子の形成後、連続的に成膜できる方法が好ましい。また、蒸着法を用いる場合には
、抵抗加熱による方法(RE法:Resistivity Evaporation法)と電子ビームによる方法(E
B法:Electron Beam法)を用いることができる。
した水分がEL素子の電極に直接接するのを防ぐために窒化珪素や、酸化珪素といった絶
縁膜からなるバリア膜をEL素子上に形成させた後で形成しても良い。
から備えられるシール剤と重なることがないようにメタルマスク等を用いて選択的に成膜
を行う必要がある。
止基板との間にシール剤を備えて封止構造を形成する。つまり、ここで形成された封止構
造の内部に存在する酸素及び水分等は先に形成された吸収膜により捕捉される。
とが好ましい。なお、シール剤は、EL素子上に形成された吸収膜を囲むように設けられ
ている。
ル剤を覆うように金属膜等を設けて、封止された内部に酸素や水分がより侵入しにくくな
る構造を有しても良い。
された配線(接続配線)上に窒化珪素や酸化珪素からなる絶縁膜を予め形成させておく必
要がある。また、EL素子を外部の駆動回路と接続するために形成される接続部は、メタ
ルマスク等で遮断して金属膜が成膜されることのないようにしておく必要がある。
る金属を膜として備えることから、空間内に吸収機能を持たせることがこれまで以上に容
易になり、また、EL素子形成後に連続的に吸収膜を形成させることができるため空間内
に酸素や水分を侵入させることなく封止構造を作製することができる点に特徴がある。
説明する。
封止基板102との間には、EL素子106が設けられている。なお、EL素子106は
、陽極103と陰極104との間にEL層105が設けられた構造を有している。
ては、酸化スズと酸化インジウムの合金であるITO、酸化インジウムに2〜20%の酸
化亜鉛(ZnO)を混合した化合物及び酸化亜鉛と酸化ガリウムからなる化合物を用いる
ことができる。また、陰極104は、蒸着法によりMg:AgやYbといった仕事関数の
小さい金属により形成することができる。また、陽極103の端部は、絶縁性の材料から
なる絶縁体110により覆われている。
できる。さらに、EL層105の構造としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層、電子注入層、正孔阻止層、バッファー層を自由に組み合わせて積層構造又は、単
層構造とすればよい。
マー)系材料を用いても良いし、低分子(モノマー)系材料を用いることもできる。さら
に、低分子系の材料からなる膜と高分子系の材料からなる膜を積層して形成しても良い。
クス型のELパネルについても適用することが可能である。
れている。ここで形成される吸収膜107は、EL素子106形成後に窒素や希ガスとい
った不活性ガス雰囲気下で連続的に成膜される。
108により封止構造が形成されるが、ここで基板101と封止基板102に囲まれた領
域を空間109とよび、EL素子106は、不活性ガスを有する空間109の内部に位置
している。なお、シール剤は、吸収膜と重ならない位置に備えられている。
している。つまり、EL素子106の構造としては、EL層105から見て、基板101
側に陽極103が形成され、封止基板102側に陰極104が形成されている。
にすることは可能であるが、本発明において用いる吸収膜107は、水分を吸着するにつ
れて透過率が低下してしまうので、図1(B)に示すような素子構造とするのが好ましい
。
いて説明している。一枚の基板から複数のパネルを形成する場合においても本発明を適用
することは可能である。
される吸収膜107は、仕事関数の低い金属で形成される。なお、本明細書中における仕
事関数が低い金属とは、2.0〜4.0eVの範囲の仕事関数を示す金属のことをいう。
しいが、低温での処理が可能であれば、CVD法やスパッタ法を用いて成膜することも可
能である。
いる封止基板102としては、ガラス、石英、プラスチック(プラスチックフィルムも含
む)、金属(代表的にはステンレス)セラミックスといった材料を用いることができる。
なお、プラスチックとしては、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)板、PVF(
ポリビニルフルオライド)フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルム、アクリ
ル樹脂フィルムを用いることができる。
、これらが直接EL素子106に侵入するのを防ぐことができる。好ましくは、EL素子
が基板と吸収膜に密閉され、その結果EL素子が空間109の雰囲気に曝されることを防
ぐことができる。そして、EL素子106が酸素や水分により劣化するのを抑えることが
できる。
において、201は基板であり、ガラスや石英といった透光性の材料を用いることができ
る。また、202は、陽極であり、酸化スズと酸化インジウムの合金であるITOで形成
されるが、酸化インジウムに2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を混合した化合物や、酸化
亜鉛と酸化ガリウムからなる化合物を用いても良い。また、陽極202の端部は、絶縁性
の材料からなる絶縁体214により覆われている。
らなる積層構造を有するEL層207が形成される。
具体的には、正孔注入層203としては、銅フタロシアニン(Cu−Pc)や、ポリチオ
フェン誘導体であるPEDOTを用いて形成することができる。
形成し、PEDOTのような高分子系の材料を用いる場合には、スピンコート法やインク
ジェット法を用いると良い。また、正孔輸送層204としては、MTDATAやα−NP
Dを用いることができる。
L材料若しくは低分子系のEL材料を用いることができる。なお、本実施例では、赤色の
発光を示す赤色発光層と緑色の発光を示す緑色発光層及び青色の発光を示す青色発光層の
三色からなる発光層を形成する場合について説明する。
。その他にもEu錯体(Eu(DCM)3(Phen)、アルミキノリラト錯体(Alq3
)にDCM−1をドーパントとして用いたもの等を用いることができる。次に、緑色発光
層は、CBPとIr(ppy)3を共蒸着することにより形成させることができる。なお
、この他にもアルミキノリラト錯体(Alq3)、ベンゾキノリノラトベリリウム錯体(
BeBq)を用いることができる。さらには、アルミキノリラト錯体(Alq3)にクマ
リン6やキナクリドンといった材料をドーパントとして用いたものも可能である。そして
、青色発光層には、ジスチリル誘導体であるDPVBiや、アゾメチン化合物を配位子に
持つ亜鉛錯体及びDPVBiにペリレンをドーピングしたものを用いることができる。
l2O3)、リチウムアセチルアセトネート(Liacac)といった材料を用いることが
できる。
材料である場合には、蒸着法により形成すれば良く、また、高分子系の材料を用いた場合
には、スピンコート法やインクジェット法といった塗布法や印刷法などを用いて形成すれ
ばよい。
すると仕事関数の低い金属材料が必要である。しかし、仕事関数の低い金属は、大気中で
不安定であり、酸化や剥離が問題となる。そのため、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)
を9:1の割合で共蒸着させることにより形成させた合金(MgAg)を用いるのが効果
的である。また、陰極材料としては、アルミニウムとリチウムやカルシウム及びマグネシ
ウムの合金を用いてもよい。さらには、イッテルビウム(Yb)を用いることも可能であ
る。
)からなる保護電極209を設けている。なお、保護電極は、必ずしも設けなければなら
ないものではなく、必要に応じて設ければよい。
極に接触するのを防ぐために設けられている。なお、バリア膜は、必ず設ける必要はなく
必要に応じて設ければよい。なお、バリア膜を形成する材料としては、絶縁材料、具体的
には、銅フタロシアニンや窒化珪素、酸化珪素といった材料を用いて形成すればよい。
小さい金属を用いる。これは、仕事関数の小さい金属は酸化され易いためである。さらに
、ここで用いる金属は、酸化により生じた酸化物が水分を取り込んで水和物になるものを
用いる。具体的には、バリウム(Ba)を用いることができる。バリウムは、酸素及び水
と次のように反応することが知られている。
り込む機能を有している。つまり、この化学的性質を吸収膜として利用しているのである
。
の形成は、その界面に酸素や水分が含まれないように行うことが望ましい。従って真空条
件下でこれらの膜を連続成膜するか、EL層207を窒素や希ガスといった不活性ガス雰
囲気下で形成した後、酸素や水分に触れないようにする必要がある。
とで上述のような成膜を可能とする。
り合わせる。本実施例においては、シール剤212として紫外線硬化樹脂を用いた。なお
、本明細書中では基板201、封止基板213およびシール剤212で囲まれた領域を空
間215という。
属(代表的にはステンレス)セラミックスといった材料を用いることができる。なお、プ
ラスチックとしては、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニ
ルフルオライド)フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルム、アクリル樹脂フ
ィルムを用いることができる。
のEL素子の劣化の様子をEL素子に印加する電圧に対して得られる輝度により評価を行
った。なお、図2には示されていないが、EL素子の陽極及び陰極は、それぞれ外部の電
源に電気的に接続されている。
ス基板上にITOで陽極を形成した後、EL層を形成する。EL層は、以下に示す積層構
造を有する。
として(4,4',4''-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)(以下、「MTDA
TA」と示す)を20nm、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニル−ア
ミノ)−ビフェニル(以下、「α−NPD」と示す)を10nmの膜厚に形成し、次に発
光層としてトリス(8−キノリノラト)−アルミニウム(以下、「Alq3」と示す)を
50nmの膜厚に形成し、バッファー層としてリチウムアセチルアセトネート(以下、「
Liacac」と示す)を2nmの膜厚に形成する。以上によりEL層が形成される。
してAgを150nmの膜厚に形成した。ここまで形成したEL素子を窒素雰囲気下でガ
ラス基板と紫外線硬化樹脂を用いて封止構造を形成させたものを「Ba無し」とし、さら
に、保護電極上にバリア膜として銅フタロシアニンを20nm形成し、その上にバリウム
を1500nmの膜厚に形成した後、窒素雰囲気下でガラス基板と紫外線硬化樹脂を用い
て封止構造を形成させたものを「Ba有り」とした。
0℃、湿度95%の高温高湿条件下で1日放置した後で測定した結果を1日後、2日放置
した後で測定した結果を2日後として示している。なお、ここでの駆動電圧は、7Vであ
る。
000カンデラ以上も減少しているのに対し、「Ba付き」のEL素子は、2日後であっ
てもほとんど輝度の減少は見られない。
に、「Ba付き」のEL素子の写真を図12に示す。なお、図11及び図12については
、いずれも(A)に作製直後のEL素子の様子を示し、(B)には、高温高湿条件で1日
放置した後、また、(C)には、2日放置した後のEL素子の様子をそれぞれ示す。
れる。これに対して、図12の「Ba付き」のEL素子は、1日後には、劣化の様子が見
られない。2日後には、やや劣化の兆候が見られるが、「Ba付き」のEL素子の方がE
L素子の劣化が遅くなることが分かる。よって、バリウムからなる吸収膜を形成すること
によりEL素子の劣化を抑えられることが確認された。
て説明する。はじめに、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のTFT
(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)を同時に作製し、さらにEL素子までを
形成する方法について詳細に図4〜図7を用いて説明する。
れるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる
基板300を用いる。なお、基板300としては、透光性を有する基板であれば限定され
ず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラ
スチック基板を用いてもよい。
ら成る下地膜301を形成する。本実施例では下地膜301として2層構造を用いるが、
前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜301の一層
目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成
膜される酸化窒化珪素膜301aを10〜200nm(好ましくは50〜100nm)形成す
る。本実施例では、膜厚50nmの酸化窒化珪素膜301a(組成比Si=32%、O=
27%、N=24%、H=17%)を形成した。次いで、下地膜301のニ層目としては
、プラズマCVD法を用い、SiH4、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪
素膜301bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに積層形成する
。本実施例では、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜301b(組成比Si=32%、O=
59%、N=7%、H=2%)を形成した。
6は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプ
ラズマCVD法等)により成膜した後、公知の結晶化処理(レーザー結晶化法、熱結晶化
法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等)を行って得られた結晶質半導体膜
を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層302〜306の厚さは25〜
80nm(好ましくは30〜60nm)の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定
はないが、好ましくは珪素(シリコン)またはシリコンゲルマニウム(SiXGe1-X(X
=0.0001〜0.02))合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマCV
D法を用い、55nmの非晶質珪素膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜
上に保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化(500℃、1時間)を行った後、熱結晶
化(550℃、4時間)を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を
行って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォトリソグラフィ−法に
よるパターニング処理によって、半導体層302〜306を形成した。
な不純物元素(ボロンまたはリン)のドーピングを行ってもよい。
続発光型のエキシマレーザーやYAGレーザー、YVO4レーザーを用いることができる
。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣
選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数300Hzと
し、レーザーエネルギー密度を100〜400mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)
とする。また、YAGレーザーを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数
30〜300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm2(代表的には3
50〜500mJ/cm2)とすると良い。そして幅100〜1000μm、例えば400μm
で線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね
合わせ率(オーバーラップ率)を50〜90%として行えばよい。
307はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素
を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸
化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成した。勿
論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単
層または積層構造として用いても良い。
silicate)とO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜400℃とし、高周波
(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成することができる。こ
のようにして作製される酸化珪素膜は、その後400〜500℃の熱アニールによりゲー
ト絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
1の導電膜308と、膜厚100〜400nmの第2の導電膜309とを積層形成する。
本実施例では、膜厚30nmのTaN膜からなる第1の導電膜308と、膜厚370nm
のW膜からなる第2の導電膜309を積層形成した。TaN膜はスパッタ法で形成し、T
aのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、W膜は、Wのターゲ
ットを用いたスパッタ法で形成した。その他に6フッ化タングステン(WF6)を用いる
熱CVD法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには
低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。W
膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、W膜中に酸素などの不
純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。従って、本実施例では、高純度
のW(純度99.9999%)のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時に気相
中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜
20μΩcmを実現することができた。
、特に限定されず、いずれもTa、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれ
た元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。
また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いて
もよい。また、Ag、Pd、Cuからなる合金を用いてもよい。また、第1の導電膜をタ
ンタル(Ta)膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化
チタン(TiN)膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒
化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をAl膜とする組み合わせ、第1の導電
膜を窒化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をCu膜とする組み合わせとして
もよい。
ク310〜314を形成し、電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う
。第1のエッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行う。本実施例では第1の
エッチング条件として、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エ
ッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流
量比を25/25/10(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのR
F(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。ここでは、松下
電器産業(株)製のICPを用いたドライエッチング装置(Model E645−□ICP
)を用いた。基板側(試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実
質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチ
ングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。第1のエッチング条件でのWに対す
るエッチング速度は200.39nm/min、TaNに対するエッチング速度は80.
32nm/minであり、TaNに対するWの選択比は約2.5である。また、この第1
のエッチング条件によって、Wのテーパー角は、約26°となる。
第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガ
ス流量比を30/30(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF
(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基
板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バ
イアス電圧を印加する。CF4とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTa
N膜とも同程度にエッチングされる。第2のエッチング条件でのWに対するエッチング速
度は58.97nm/min、TaNに対するエッチング速度は66.43nm/min
である。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜2
0%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
とにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の
端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15〜45°とすればよい。こうし
て、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電
層315〜319(第1の導電層315a〜319aと第2の導電層315b〜319b
)を形成する。320はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層315〜319で覆わ
れない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
にn型を付与する不純物元素を添加する(図4(B))。ドーピング処理はイオンドープ
法、若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013
〜5×1015atoms/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとして行う。本実施例では
ドーズ量を1.5×1015atoms/cm2とし、加速電圧を80keVとして行った。n型を
付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As
)を用いるが、ここではリン(P)を用いた。この場合、導電層315〜319がn型を
付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域321〜32
5が形成される。高濃度不純物領域321〜325には1×1020〜1×1021atoms/cm
3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。
グ処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれの
ガス流量比を20/20/20(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500
WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。基板側(
試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス
電圧を印加する。第2のエッチング処理でのWに対するエッチング速度は124.62n
m/min、TaNに対するエッチング速度は20.67nm/minであり、TaNに
対するWの選択比は6.05である。従って、W膜が選択的にエッチングされる。この第
2のエッチングによりWのテーパー角は70°となった。この第2のエッチング処理によ
り第2の導電層330b〜330bを形成する。一方、第1の導電層315a〜319a
は、ほとんどエッチングされず、第1の導電層330a〜334aを形成する。
を不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層におけるテーパー部下方の半導体
層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。本実施例では、不純物元素としてP
(リン)を用い、ドーズ量1.5×1014、電流密度0.5μA、加速電圧90keVに
てプラズマドーピングを行った。こうして、第1の導電層と重なる低濃度不純物領域34
0〜344を自己整合的に形成する。この低濃度不純物領域340〜344へ添加された
リン(P)の濃度は、1×1017〜5×1018atoms/cm3であり、且つ、第1の導電層に
おけるテーパー部の膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第1の導電層の
テーパー部と重なる半導体層において、第1の導電層におけるテーパー部の端部から内側
に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。また、
高濃度不純物領域321〜325にも不純物元素が添加され、高濃度不純物領域345〜
349を形成する。
ラフィー法を用いて、第3のエッチング処理を行う。この第3のエッチング処理では第1
の導電層のテーパー部を部分的にエッチングして、第2の導電層と重なる形状にするため
に行われる。ただし、第3のエッチングを行わない領域には、図5(B)に示すようにレ
ジスト(350、351)からなるマスクを形成する。
とを用い、それぞれのガス流量比を10/50(sccm)として第1及び第2のエッチ
ングと同様にICPエッチング法を用いて行う。なお、第3のエッチング処理でのTaN
に対するエッチング速度は、111.2nm/minであり、ゲート絶縁膜に対するエッチング
速度は、12.8nm/minである。
を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも10W
のRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。以上によ
り、第1の導電層352a〜354aが形成される。
領域(LDD領域)355〜357が形成される。なお、不純物領域(GOLD領域)3
40および342は、第1の導電層330aおよび332aと重なったままである。
駆動回路のnチャネル型TFTのゲート電極となり、また、第1の導電層352aと第2
の導電層352bとで形成された電極は、最終的に駆動回路のpチャネル型TFTのゲー
ト電極となる。
に画素部のnチャネル型TFTのゲート電極となり、第1の導電層354aと第2の導電
層354bとで形成された電極は、最終的に画素部のpチャネル型TFTのゲート電極と
なる。さらに第1の導電層332aと第2の導電層332bとで形成された電極は、最終
的に画素部のコンデンサ(保持容量)の一方の電極となる。
域(LDD領域)355〜357と、第1の導電層330aおよび332aと重なる不純
物領域(GOLD領域)340および342を同時に形成することができ、TFT特性に
応じた作り分けが可能となる。
チング処理する。ここでのエッチング処理は、エッチングガスにCHF3を用い、反応性
イオンエッチング法(RIE法)を用いて行う。本実施例では、チャンバー圧力6.7P
a、RF電力800W、CHF3ガス流量35sccmで第4のエッチング処理を行った
。これにより、高濃度不純物領域345〜349の一部は露呈し、絶縁膜360〜364
が形成される。
理を行う。この第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層を形成する(
図5(C))。第1の導電層352a、332aおよび354aを不純物元素に対するマ
スクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成す
る。
法で形成する。第1のドーピング処理及び第2のドーピング処理によって、不純物領域3
70〜375にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域にお
いてもp型を付与する不純物元素の濃度が2×1020〜2×1021atoms/cm3となるよう
にドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域
として機能するために何ら問題は生じない。
なお、本実施例では、ゲート絶縁膜をエッチングした後で不純物(ボロン)のドーピン
グを行う方法を示したが、ゲート絶縁膜をエッチングせずに不純物のドーピングを行って
も良いし、ゲート絶縁膜をエッチングする前に不純物のドーピングを行っても良い。
1の層間絶縁膜376を形成する。この第1の層間絶縁膜376としては、プラズマCV
D法またはスパッタ法を用い、厚さを100〜200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成
する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚150nmの酸化窒化珪素膜を形成し
た。勿論、第1の層間絶縁膜376は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素
を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
の活性化工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。熱アニール法として
は、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜7
00℃、代表的には500〜550℃で行えばよく、本実施例では550℃、4時間の熱
処理で活性化処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。
ケルが高濃度のリンを含む不純物領域(345、348、370、372、374)にゲ
ッタリングされ、主にチャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。
このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性
が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
線材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため層間絶縁膜(シリコ
ンを主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜)を形成した後で活性化処理を行うことが好
ましい。
ても良い。
処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では水素を約3%の含む窒素雰
囲気中で410℃、1時間の熱処理を行った。この工程は層間絶縁膜に含まれる水素によ
り半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラ
ズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。
、エキシマレーザーやYAGレーザー等のレーザー光を照射することが望ましい。
第2の層間絶縁膜380を形成する。本実施例では膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形
成した。次いで、各不純物領域345、348、370、372、374に達するコンタ
クトホールを形成するためのパターニングを行う。
。珪素を含む絶縁材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素を用いることができ
、また有機樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロブ
テン)などを用いることができる。
酸化窒化珪素膜の膜厚として好ましくは1〜5μm(さらに好ましくは2〜4μm)とす
ればよい。酸化窒化珪素膜は、膜自身に含まれる水分が少ないためにEL素子の劣化を抑
える上で有効である。また、コンタクトホールの形成には、ドライエッチングまたはウエ
ットエッチングを用いることができるが、エッチング時における静電破壊の問題を考える
と、ウエットエッチング法を用いるのが望ましい。
間絶縁膜380を同時にエッチングするため、コンタクトホールの形状を考えると第2層
間絶縁膜380を形成する材料は、第1層間絶縁膜376を形成する材料よりもエッチン
グ速度の速いものを用いるのが好ましい。
続する配線381〜388を形成する。そして、膜厚50nmのTi膜と、膜厚500n
mの合金膜(AlとTiとの合金膜)との積層膜をパターニングして形成するが、他の導
電膜を用いても良い。
によって画素電極389を形成する(図6(B))。なお、本実施例では、画素電極とし
て酸化インジウム・スズ(ITO)膜や酸化インジウムに2〜20[%]の酸化亜鉛(Zn
O)を混合した透明導電膜を用いる。
流制御用TFTのドレイン領域と電気的な接続が形成される。
の厚さに形成し、画素電極389に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能
する第3の層間絶縁膜390を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を
用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることができる。開口部の側壁が十分になだ
らかでないと側壁の段差に起因するEL層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意
が必要である。
ているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロ
ブテン)といった有機樹脂膜を用いることもできる。
いて形成されるEL層391の一例について示す。
−Pc」と示す)を20nmの膜厚に形成した後、正孔輸送層としてMTDATAを20
nm、α−NPDを10nmnm形成し、その後、発光層としてAlq3を50nmの膜
厚に形成し、さらにバッファー層としてLiacacを2nmの膜厚に形成したものを用
いた。以上により、EL層391が形成される。
施例では正孔注入層、正孔輸送層(Hole transporting layer)、発光層(Emitting laye
r)および電子輸送層からなる4層構造をEL層391とするが、さらに電子注入層を設
けることもできるし、発光層以外のいずれかが欠ける構造も可能である。このように組み
合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。
のときEL層391及び陰極392を形成するに先立って画素電極389に対して熱処理
を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例ではEL素子の陰極
としてMg:Ag電極を用いるが、公知の他の材料を用いても良い。
けられ、アルミニウムを主成分とする低抵抗な金属膜が代表的である。勿論、他の材料で
も良い。また、この金属膜は、必ずしも設ける必要はなく必要に応じて設ければよい。
素又は水分が陰極及び保護電極と直接接触するのを防ぐためである。なお、本実施例では
、バリア膜として、Cu−Pcからなる絶縁膜を用いた。
392の厚さは80〜200[nm](典型的には100〜150[nm])とすれば良い。
形成される。吸収膜396としては、吸収性を有する仕事関数の低い金属が望ましく本実
施例では、バリウムを用いた。なお、吸収膜396の膜厚は1〜3[μm](典型的には1
.5〜2[μm])とすればよい。
6の形成までを連続的に処理するのが望ましい。
めるために吸収膜396上に窒化膜や酸化膜等の絶縁膜からなるパッシベーション膜39
7を設ける構造とした。しかし、このパッシベーション膜397は、必ずしも設ける必要
はなく、必要に応じて設ければよい。
で作製されたものをEL基板とよぶ。
チング用TFT503にnチャネル型TFT、電流制御用TFT504にpチャネル型T
FTを用いるという構成を示したが、本実施例は、好ましい一形態にすぎず、これに限ら
れる必要はない。また、400〜403は、チャネル領域であり、501はnチャネルT
FT、502はpチャネルTFT、505はコンデンサ、506は駆動回路、507は画
素部である。
は、2.5〜5.5Vである。
いて図8を用いて説明する。
−A’で切断した断面図である。点線で示された801はソース側駆動回路、802は画
素部、803はゲート側駆動回路である。また、804は封止基板、805はシール材で
あり、シール材805で囲まれた内側は、空間807になっている。
るための配線(図示せず)により、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサ
ーキット)809からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではELパネル
にFPCが接続された状態を示しているが、FPCを介してIC(集積回路)が直接実装
されたモジュールを本明細書中では、発光装置とよぶ。
02、ゲート側駆動回路803が形成されており、画素部802は電流制御用TFT81
1とそのドレインに電気的に接続された画素電極812を含む複数の画素により形成され
る。また、ゲート側駆動回路803はnチャネル型TFT813とpチャネル型TFT8
14とを組み合わせたCMOS回路(図7参照)を用いて形成される。
形成された後、画素電極812上にEL層816および陰極817が形成され、EL素子
818が形成される。
C809に電気的に接続されている。
る。なお、ここで形成されるバリア膜819は、吸収膜820により吸収された酸素や水
分が直接陰極817に接触するのを避けるためである。さらに吸収膜820が酸素や水分
を吸収することにより生じる重みでEL素子818に直接圧力が加わるのを防ぐためでも
ある。よって、バリア膜819を形成する材料としては、絶縁性の材料が好ましく、窒化
珪素や酸化珪素といった材料が適している。
さい金属は酸化され易いためである。さらに、ここで用いる金属は、酸化により生じた酸
化物が水分を取り込んで水和物を形成するものを用いる。具体的には、バリウム(Ba)
を用いることができる。
線808上にシール剤805が直接形成されるのを防ぐためである。これによりシール剤
805の密着性を高めることができる。
お、シール剤805としては紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。また
、必要に応じて封止基板804とEL素子818との間隔を確保するために樹脂膜からな
るスペーサを設けても良い。シール剤805の内側の空間807には窒素や希ガス等の不
活性ガスが充填されている。また、シール剤805はできるだけ水分や酸素を透過しない
材料であることが望ましい。
完全に遮断することができ、外部から侵入する水分や酸素によるEL素子の劣化を防ぐこ
とができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
とが可能である。
場合について説明する。説明には図9を用いる。図9において、1001はガラスからな
る基板、1002は透光性の導電膜からなる陽極である。本実施例では、陽極1002と
して酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物をスパッタリング法により形成する。なお、図
9では図示されていないが、複数本の陽極1002が紙面と平行な方向へストライプ状に
配列されている。さらに陽極1002の間を埋めるようにバンク1003を形成する。
形成する。なお、1004aは赤色に発光するEL層、1004bは緑色に発光するEL層
、1004cは青色に発光するEL層である。用いる有機EL材料は実施例1と同様のも
のを用いれば良い。これらのEL層はバンク1003が形成する溝に沿って形成されるた
め、紙面に垂直な方向にストライプ状に形成される。
成する。なお、画素の色は、必ずしも三色である必要はなく、一色または、二色であって
もよい。また、色は、赤、緑、青に限られることはなく、黄色、オレンジ、グレーといっ
た発色することが可能な他の色を用いてもよい。
いて形成し、次にメタルマスクをずらして隣の画素列に移動させた後、緑色に発光するE
L層を形成させる。さらに、メタルマスクを隣の画素列に移動させた後、青色に発光する
EL層を形成させて、赤、緑、青からなるストライプ状のEL層を形成する。
厚(t)の5倍以上(好ましくは10倍以上)とすることが望ましい。これは、D<5t
では画素間でクロストークの問題が発生しうるからである。なお、距離(D)が離れすぎ
ても高精細な画像が得られなくなるので、5t<D<50t(好ましくは10t<D<3
5t)とすることが好ましい。
、緑色に発光するEL層及び青色に発光するEL層をそれぞれ同じ水平方向に形成しても
良い。
)の5倍以上(好ましくは10倍以上)、さらに好ましくは5t<D<50t(好ましく
は10t<D<35t)とすると良い。
なる。
が長手方向となり、且つ、陽極1002と直交するようにストライプ状に配列される。な
お、本実施例では、陰極1005は、MgAgからなり、保護電極1006はアルミニウ
ム合金膜からなり、それぞれ蒸着法により形成する。また、図示されていないが保護電極
1006は所定の電圧が加わるように、後にFPCが取り付けられる部分まで配線が引き
出されている。
極が透光性の陽極となっているため、EL層1004a〜1004cで発生した光は下面(
基板1001)に放射される。しかしながら、EL素子の構造を反対にし、下側の電極を
遮光性の陰極とすることもできる。その場合、EL層1004a〜1004cで発生した光
は上面(基板1001とは反対側)に放射されることになる。
こでは、窒化珪素、酸化珪素、炭素(具体的にはDLC膜)といった無機材料を用いると
良く、プラズマCVD法、スパッタリング法または蒸着法により形成することができるが
、本実施例では、窒化珪素膜を蒸着法により形成する。なお、このときバリア膜1007
の膜厚は、10nm〜100nmが好ましい。
いる吸収膜としては、バリウムなどの仕事関数が小さく、酸化されやすい材料を用いると
良い。
。なお、EL素子は、酸素や水分等に弱いのでEL層の形成からパッシベーションの形成
までは、連続的に行うのが望ましい。
実施することが可能である。
侵入を防ぐための方法について説明する。
内の断面図を簡単にしめす。なお、成膜室1109は、不活性ガスが充填された、大気圧
状態になっている。
、吸収膜1104がEL素子1102を覆うように形成されている。又、EL素子110
2からの接続配線1103及び吸収膜上には、パッシベーション膜1105が形成され、
これらは、封止基板1108とシール剤1106により封止されている。なお、パッシベ
ーション膜1105と封止基板1108によって封止された領域を空間1107という。
また、ここまで形成された状態を本明細書中では、ELパネルと呼ぶ。
にEL素子が形成されている側を下側にして、マスク1118を介して補助台1111上
に備える。
れている。これは、封止の際に用いたシール剤1106に対して成膜時の熱によるダメー
ジを考慮しているためである。なお、具体的には、アルミニウムやマグネシウムといった
材料が望ましい。
て、パッシベーション膜1105で覆われている接続配線1103や、必要以上の範囲に
金属膜を成膜することがないようにする。また、蒸着位置を調節するために蒸着源111
2の位置を移動させたり、ELパネルの位置や角度を変えたりしても良い。
を金属膜1116で覆うように形成することができる。また、1113は陽極、1114
はEL層、1115は陰極、1117は絶縁体である。また、本実施例においては、大気
圧下で金属膜を形成することができるので、成膜後にELパネルを大気中に取り出した際
に封止構造内の圧力変化に伴う問題を防ぐことができる。
実施することが可能である。
び封止処理等を行う際に使用する成膜装置の例を示す。
基板の搬入または搬出を行うロード室であり、ロードロック室とも呼ばれる。ここに基板
をセットしたキャリア1402が配置される。なお、ロード室1401は基板搬入用と基
板搬出用と区別されていても良い。本実施例においては、基板上にEL素子の陽極まで形
成させた状態の基板をセットしておく。
5を含む搬送室(A)である。基板のハンドリングを行うロボットアームなどは搬送機構
(A)1405の一種である。
れており、各成膜室、搬送室及び処理室は、ゲートによって、それぞれ完全に遮断される
ため、それぞれ気密された密閉空間を得られるようになっている。なお、搬送室(A)1
403は、減圧雰囲気となるので搬送室(A)1403に直接連結された処理室には、す
べて排気ポンプ(図示せず)が備えられている。
ポンプもしくはクライオポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクラ
イオポンプが好ましい。
搬送室(A)1403とゲート1406bにより連結されており、蒸着法により成膜を行
う成膜室である。なお、蒸着法としては、抵抗加熱による方法(RE法:Resistivity Evap
oration法)と電子ビームによる方法(EB法:Electron Beam法)を用いることができるが、
本実施例では、RE法により蒸着を行う場合について説明する。
輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層である。
、この試料ボートに電圧を印加することにより生じる熱により蒸着がなされる。なお、E
L材料は水分に極めて弱いため、EL層成膜中は、成膜室(A)1407の圧力を常に真
空状態に保持しておく必要がある。成膜室(A)1407への基板の出し入れ以外は、通
常、ゲート1406bを用いて搬送室(A)1405と完全に遮断して、成膜室内の真空
状態を制御すると良い。なお、この時の成膜圧力は、1×10-6〜1×10-5Torrに
しておく必要がある。
段として、成膜室の側面にそれぞれ窓が取り付けられていてもよい。これにより、正常に
成膜が行われていることを確認することができるからである。又、成膜室(A)1407
は、EL材料が備えられた複数の試料ボート(図示せず)が設けられており、EL層を形
成する複数の層を形成することができるようになっている。なお、具体的には、1〜8種
類設けるのが好ましい。
成膜室(B)1410でEL材料を含むEL溶液を基板上に塗布することでEL材料を含
む膜を形成する。なお、本実施例では、高分子系のEL材料を成膜する際に成膜室(B)
1410で成膜を行う。しかし、場合によっては、低分子系のEL材料を溶媒に溶解させ
て成膜する場合に、成膜室(B)1410において成膜を行っても良い。
送室(B)1414と接続されている。なお、成膜室(B)1410において成膜処理さ
れた基板は、搬送室(B)1414によりゲート1406hを介して焼成室1411に搬
送され、焼成される。
ている圧力調整室1408に搬送される。
基板が圧力調整室1408に搬送された後でゲート1406fが閉じ、圧力調整室140
8内は減圧状態になる。
開き搬送機構(A)1405により基板が取り出される。
膜室(C)1412に基板が搬送される。成膜室(C)は、蒸着法により成膜を行う成膜
室である。なお、本実施例では、EL層を成膜する成膜室(A)1407と同様にRE法
による蒸着を行う。そして、成膜室(C)1412において、EL層上に形成するバリア
膜、吸収膜及びパッシベーション膜といった絶縁性の膜が蒸着法により形成される。
。具体的には、バリア膜及びパッシベーション膜を形成する材料である、窒化珪素や酸化
珪素といった絶縁材料や吸収膜を形成するバリウムといった成膜材料が備えられている。
eを介して連結される封止室1413に基板が搬送される。なお、封止室1413では、
最終的にEL素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。具体的には基板上に形成
されたEL素子を封止基板とシール剤で封入するといった処理を行う。
シール剤としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。
5によりゲート1406aを介して再びロード室1401に戻る。
実施することが可能である。
ことができる。本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型
ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響機器、ノ
ート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯機器(モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍)、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる
。それら電気器具の具体例を図14、図15に示す。
03を含む。本発明の発光装置をその表示部2003に用いることにより作製される。表
示部2003にEL素子を有した発光装置を用いる場合、EL素子が自発光型であるため
バックライトが必要なく薄い表示部とすることができる。
03、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106を含む。本発明の発
光装置をその表示部2102に用いることにより作製される。
3、操作スイッチ2204を含む。本発明の発光装置をその表示部2202に用いること
により作製される。
本体2301、記録媒体(CD、LDまたはDVD等)2302、操作スイッチ2303
、表示部(a)2304、表示部(b)2305を含む。表示部(a)2305は主とし
て画像情報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置
をこれら表示部(a)、(b)に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた
画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。
2、受像部2403、操作スイッチ2404、メモリスロット2405を含む。本発明の
発光装置をその表示部2402に用いることにより作製される。この携帯型コンピュータ
はフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを
再生したりすることができる。
2503、キーボード2504を含む。本発明の発光装置をその表示部2503に用いる
ことにより作製される。
線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増
してきている。表示部にEL素子を有した発光装置を用いることにより、EL素子の応答
速度が非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。
ように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響機器
のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景とし
て文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
03、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606を含む。本発明の発光
装置をその表示部2604に用いることにより作製される。なお、表示部2604は非発
光部の背景に発光部において文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることがで
きる。
。本体2611、音声出力部2612、音声入力部2613、表示部a2614、表示部
b2615、アンテナ2616を含む。なお、このタイプの携帯電話には、操作スイッチ
が付いていないが、表示部a又は、表示部bのうちの一方の表示部に図15(C)、(D
)、(E)で示すような文字情報を表示をさせてその機能をもたせている。また、もう一
方の表示部には、主として画像情報を表示することになる。なお、本発明の発光装置をそ
の表示部a2614又は、表示部b2615に用いることにより作製される。
回路でセンサ(CMOSセンサ)を内蔵させ、指紋もしくは手相を読みとることで使用者
を認証する認証システム用端末として用いることもできる。また、外部の明るさ(照度)
を読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能となるように発光させることもで
きる。
げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる
。また、着信した時に表示部2604の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによって
も低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない
限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることも
できる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。
示部2622、操作スイッチ2623、2624を含む。本発明の発光装置をその表示部
2622に用いることにより作製される。また、本実施例では車載用オーディオを示すが
、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2622は非発光部の背
景に発光部において白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の
音響再生装置において特に有効である。
て、外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使用する際には、表示部の輝度
を落とすなどの機能を付加するといった方法が挙げられる。
可能である。また、本実施例の電気器具は実施例1〜実施例5に示したいずれの構成を適
用しても良い。
Claims (1)
- 基板上にEL素子を有する発光装置において、前記EL素子上に吸収膜が形成され、前記EL素子は、前記基板と前記吸収膜とに挟まれていることを特徴とする発光装置。
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