JP2012222158A - 基板処理装置、及び、基板処理装置に用いられる反応管の表面へのコーティング膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、を具備し、反応管の基材は、ステンレス等の金属材料で形成され、反応管の表面は、酸化クロム及びシリカの混合物を主成分とする5%から15%の空間率を有するポーラス状のコーティング膜が形成される基板処理装置。
【選択図】図1
Description
以上の任意の整数)の混合物を主成分とする5%から15%の空間率を有するポーラス状のコーティング膜を有する基板処理装置が提供される。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明に係るセレン化処理を行う基板処理装置に組み込まれる処理炉10の側面断面図を示している。また、図2は、図1の紙面左側から見た処理炉の断面図を示している。
は、図3に示されるように、その一端が反応管100の内周面に固定されると共に、反応管100の中心部にカセット410が設置台420を介して載置されるように構成される。インナーウォール400は、カセット410を挟むように一対の部材がその両端で繋がるように構成され、その強度を高くしている。カセット410は、図1に示されるように、ガラス基板20の両端に、複数のガラス基板20を立てた状態で横方向に並んで保持可能な保持部材を有する。また、両端の保持部材をその下面側に設けられた一対の固定棒にて固定するようにし、複数のガラス基板の下端の側面部は反応室内に露出するようになっている。なお、カセット410の両端を固定する固定棒を、両端の保持部材の上端側にも設け、カセット410の強度を高めても良い。
1回当たりの時間は1時間とした。その結果を表1に示す。
的には何倍も寿命があると推定できる。
まず、反応管の基材101となるステンレス等の金属材料の表面の汚れ等を除去するために、基材の表面の脱脂・洗浄を行った後、基材表面をブラスティングし、基材表面を粗面化する。その後、シリカ(SixOy)と酸化クロム(CrxOy)を主成分とする混合物のスラリーを塗布し(塗布工程)、500℃から650℃で焼成する(焼成工程)。更に、前記焼成工程時に発生する微小亀裂に化学緻密化処理剤を含侵させる(含侵工程)。この塗布工程、焼成工程、含侵工程を繰り返すことによりコーティング膜を形成する。
このように塗布工程、焼成工程、含侵工程を繰り返すと、ステンレス基材とコーティング膜との界面の近傍にFeCr系の酸化物層を形成することができる。この酸化物層は、基材境界界面の腐食を抑止する効果を有しており、よりセレン化源によるステンレス基材の腐食を抑制することができる。
また、所定温度まで降温する(降温工程)。所定温度まで降温した後、シールキャップ110を移動させることにより、処理室30を開口し、図示しない搬入出装置のアームにてカセット410を搬出する(搬出工程)ことにより一連の処理が終了する。
次に、図1及び図2に示される処理炉10の他の実施形態を図5を用いて説明する。図5では、図1及び図2と同一の機能を有する部材には同一番号を付してある。また、ここでは、第1の実施形態と相違する点について主に説明する。
(1)酸化クロム及びSiO2を主成分とする空間率が5%から15%のポーラス状のコーティング膜102を反応管100の基材101の上に形成することにより、セレン化耐性に優れた反応管100を形成でき、また、反応管100を金属材料で形成できるため大型の反応管100を実現することができる。
(2)上記(1)において、反応管100内には、複数のガラス基板20を保持するカセット410をガラス基板20の表面と平行な方向に並んで複数は位置することにより、一度に処理できるガラス基板の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを小さくすることができる。
レン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスに曝される表面は、酸化クロム(CrxOy:x,yは1以上の任意の整数)及びシリカ(SixOy:x,yは1以上の任意の整数)の混合物を主成分とする5%から15%の空間率を有するポーラス状のコーティング膜を有する基板処理装置。
(2)上記(1)において、前記反応管の基材の金属材料は、ステンレスである基板処理装置。
(3)上記(2)において、前記コーティング膜は、前記反応管の基材との境界近傍に、FeCr系の酸化物層を有する基板処理装置。
(4)上記(1)乃至(3)のいずれか一つにおいて、前記カセットは、前記複数の基板の表面と平行方向に複数配置される基板処理装置。
(5)銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムの何れか一つからなる積層膜が形成された複数の基板をセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスの雰囲気に曝すための処理室を形成する反応管の表面へのコーティング膜の形成方法であって、
前記反応管の基材の表面を脱脂、及び、洗浄する洗浄工程と、
前記反応管の基材の表面をブラスティングし、基材表面を粗面化する粗面化工程と、
前記粗面化された基材の表面に酸化クロム(CrxOy:x,yは1以上の任意の整数)及びシリカ(SixOy:x,yは1以上の任意の整数)の混合物のスラリーを塗布する塗布工程と、
前記スラリーを塗布した基材を所定の温度で焼成する焼成工程と、
前記焼成工程後の基材を化学緻密化処理剤を含侵させる含侵工程とを具備し、
前記塗布工程、前記焼成工程、及び、前記含侵工程を所定回数繰り返す前記反応管の表面へのコーティング膜の形成方法。
Claims (5)
- 銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、
前記処理室を構成するように形成される反応管と、
前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
前記反応管を囲うように設けられた加熱部とを具備し、
前記反応管の前記処理室側の表面のうち、少なくとも前記セレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスに曝される表面は、酸化クロム(CrxOy:x,yは1以上の任意の整数)及びシリカ(SixOy:x,yは1以上の任意の整数)の混合物を主成分とする5%から15%の空間率を有するポーラス状のコーティング膜を有する基板処理装置。 - 請求項1において、
前記反応管の基材の金属材料は、ステンレスである基板処理装置。 - 請求項2において、
前記コーティング膜は、前記反応管の基材との境界近傍に、FeCr系の酸化物層を有する基板処理装置。 - 請求項1において、
前記カセットは、前記複数の基板の表面と平行方向に複数配置される基板処理装置。 - 銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムの何れか一つからなる積層膜が形成された複数の基板をセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスの雰囲気に曝すための処理室を形成する反応管の表面へのコーティング膜の形成方法であって、
前記反応管の基材の表面を脱脂、及び、洗浄する洗浄工程と、
前記反応管の基材の表面をブラスティングし、基材表面を粗面化する粗面化工程と、
前記粗面化された基材の表面に酸化クロム(CrxOy:x,yは1以上の任意の整数)及びシリカ(SixOy:x,yは1以上の任意の整数)の混合物のスラリーを塗布する塗布工程と、
前記スラリーを塗布した基材を所定の温度で焼成する焼成工程と、
前記焼成工程後の基材を化学緻密化処理剤を含侵させる含侵工程とを具備し、
前記塗布工程、前記焼成工程、及び、前記含侵工程を所定回数繰り返す前記反応管の表面へのコーティング膜の形成方法。
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