JPH03185820A - 半導体用処理部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は炉芯管やサセプターなどの半導体用処理部材に
関する。

従来の技術 従来、この種の半導体用処理部材は、一般に炭素基材の
表面に可能なかぎり緻密なＳｉＣコーティングを形成し
ようとしてきた。ＳｉＣコーティングがポーラスである
と、ピンホール等が発生しやすいからである。

発明が解決しようとする問題点 炭素基材の表面に直接緻密なＳｉＣコーティングを形成
すると、熱衝撃抵抗が小さく、半導体用処理部材を高温
（たとえば１０００℃）から常温へ急冷することをくり
返したとき、炭素基材とＳｉＣコーティングとの熱膨脹
差が影響し、ＳｉＣコーティングにクラックが発生しや
すい欠点があった。

発明の要旨 本発明の目的は、熱衝撃抵抗の大きいＳｉＣコーティン
グ付きの半導体用処理部材を提供することである。

発明の要旨 発明は、前述の目的を達成するために請求項１に記載の
半導体用処理部材を要旨としている。

問題点を解決するための手段 本発明による半導体用処理部材の典型例はＳｉエピキシ
ャル成長用サセプターである。

もちろん、本発明は、炉芯管その他の半導体用処理部材
にも適用できる。

本発明においては、炭素基材の表面に直接緻密なＳｉＣ
コーティングを形成せず、まずポーラスＳｉＣコーティ
ング層を形成し、その上に緻密ＳｉＣコニティング層を
形成する。

換言すれば、炭素基材の表面と緻密ＳｉＣコーティング
層との間にポーラスＳｉＣコーティング層を介在させる
のである。

このポーラスＳｉＣコーティング層の厚みは５〜３０μ
ｍにする。５μｍよりも小さい厚みであると、熱衝撃に
よる応力が十分吸収しきれない。逆に厚みが３０μｍを
超えると、サセプターの場合伝熱性が変化する。

ポーラスＳｉＣコーティング層の気孔率は、０．５〜１
０％にする。気孔率が０．５％よりも小さいと、耐熱衝
撃性が劣る。逆に気孔率が１０％を超えると基材と緻密
なＳｉＣ層との接着強度が低下する。

実施例１ サセプターの形状をした炭素基材の表面に次のようにし
て２層のＳｉＣコーティングを形成した。すなわち、Ｃ
Ｈ３５ＥＣＱ３（メチルトリクロルシラン）を原料とし
て使用してＣＶＤ　（化学蒸着）法によってＳｉＣコー
ティングを炭素基材の表面に形成した。その際、キャリ
アガスとして用いたＨ２とＣＨ３５ｉＣＱ３との比（Ｈ
２／ＣＨ３Ｓ　ｉ　ＣＱ　３　）を２０以上とし、まず
Ｓｉリッチ層を合成し、そのＳｉリッチ層をＨＣＱガス
によりエツチングした後、通常のＣＶＤ法でＣＶＤコー
ティングを形成した。その結果、炭素基材の表面に厚み
２０μｍのポーラスＳｉＣコーティング層が形成され、
その上に厚み８０μｍの緻密ＳｉＣコーティング層が形
成された。

実施例２ 実施例１で使用した炭素基材と同じ材質及び形状の炭素
基材の表面に次のようにして２層からなるＳｉＣコーテ
ィングを形成した。

すなわち、Ｓ　ｉ　ＣＱ　４とｃ３　Ｈ６を原料として
使用し、ＣＶＤ法によってＳｉＣコーティングを形成し
た。コーティング形成の初期には過飽和に近いガス濃度
とし、その後、通常のＣＶＤ条件でＣＶＤコーティング
を行った。

この結果、ポーラスＳｉＣコーティング層の厚みが２０
μｍで、全体のＳｉＣコーティング層の厚みが１００μ
ｍであった。

前述のサセプターについて、１０００℃への急熱→急速
空冷をくり返すサーマル・スポーリング・テストを行っ
た結果、両実施例１及び２のサセプターでは、３００回
急熱急冷をくり返しも異常が認められなかった。

これに対し、従来の同形のサセプター（つまり炭素基材
表面に直接緻密なＳｉＣコーティングを形成したもの）
は、同じサーマル・スポーリング・テストを実施した結
果、５０回急熱急冷をくり返したとき緻密ＳｉＣコーテ
ィングの表面にクラックが確認された。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　炭素基材の表面にＳｉＣコーティングを形成した半導
   体用処理部材において、前記ＳｉＣコーティングが、前
   記炭素基材の表面に形成されたポーラスＳｉＣコーティ
   ング層と、前記ポーラスＳｉＣコーティング層の表面に
   形成された緻密ＳｉＣコーティング層からなり、前記ポ
   ーラスＳｉＣコーティング層が０．５〜１０％の気孔率
   と５〜３０μｍの厚みを有することを特徴とする半導体
   用処理部材。