JPS6385076A - シリコンウエハ−加熱用治具 - Google Patents
シリコンウエハ−加熱用治具Info
- Publication number
- JPS6385076A JPS6385076A JP22585486A JP22585486A JPS6385076A JP S6385076 A JPS6385076 A JP S6385076A JP 22585486 A JP22585486 A JP 22585486A JP 22585486 A JP22585486 A JP 22585486A JP S6385076 A JPS6385076 A JP S6385076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- silicon wafer
- silicon
- base material
- wafer heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000555 poly(dimethylsilanediyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はシリコンウェハーの拡散、シリコンエピタキシ
ャル、酸化処理等の熱処理をする際に使用される加熱用
治具に関するものである。
ャル、酸化処理等の熱処理をする際に使用される加熱用
治具に関するものである。
（従来の技術及びその問題点）
シリコンウェハー加熱用治具は、例えばシリコンウェハ
ーを載せるためのトレイとして使用されるが、従来は石
英ガラスや黒鉛基材の表面に炭化ケイ素被膜を形成させ
たもの、あるいはこれから黒鉛を酸化除去した焼き抜き
の炭化ケイ素質基材等が使用されていた。しかし、石英
ガラス製のものは、シリコンウェハーを熱処理した後、
その都度ＨＦ −ＨＮ Ｏ３混酸で洗浄処理されるため
、表面が浸食されて短 時間で使用不可能となる欠点が
あった。また黒鉛基材の表面に熱的、化学的に安定な炭
化ケイ素被膜を形成したものは、これを急熱急冷等の苛
酷な条件で使用すると、炭化ケイ素被膜が剥離、クラン
クを発生して炭素基材中の種々の成分が揮散してシリコ
ンウェハーに悪影響を与える問題があった。
ーを載せるためのトレイとして使用されるが、従来は石
英ガラスや黒鉛基材の表面に炭化ケイ素被膜を形成させ
たもの、あるいはこれから黒鉛を酸化除去した焼き抜き
の炭化ケイ素質基材等が使用されていた。しかし、石英
ガラス製のものは、シリコンウェハーを熱処理した後、
その都度ＨＦ −ＨＮ Ｏ３混酸で洗浄処理されるため
、表面が浸食されて短 時間で使用不可能となる欠点が
あった。また黒鉛基材の表面に熱的、化学的に安定な炭
化ケイ素被膜を形成したものは、これを急熱急冷等の苛
酷な条件で使用すると、炭化ケイ素被膜が剥離、クラン
クを発生して炭素基材中の種々の成分が揮散してシリコ
ンウェハーに悪影響を与える問題があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、前記欠点を解決し、高強度で高温材料
特性に優れたシリコンウェハー加熱用治具を提供するこ
とにある。
特性に優れたシリコンウェハー加熱用治具を提供するこ
とにある。
（問題点を解決するための技術的手段）本発明は、炭化
ケイ素粉末が有機ケイ素化合物の熱分解により生成する
主としてＳｉとＣからなる無機物により結合された炭化
ケイ素材質基材、あるいはこれにＳｉを含浸した基材に
通気性のない緻密質炭化ケイ素から成るＣＶＤコート膜
を被覆したシリコンウェハー加熱用治具に関する。
ケイ素粉末が有機ケイ素化合物の熱分解により生成する
主としてＳｉとＣからなる無機物により結合された炭化
ケイ素材質基材、あるいはこれにＳｉを含浸した基材に
通気性のない緻密質炭化ケイ素から成るＣＶＤコート膜
を被覆したシリコンウェハー加熱用治具に関する。
本発明によるシリコンウェハー加熱用治具は、被膜が剥
離、クランクを発生することがなく、しかも酸による短
時間の清浄化処理で表面に付着した不純物を除去できる
ため、不純物の混入による半導体製品の不良を少なくで
きるという優位性を有している。
離、クランクを発生することがなく、しかも酸による短
時間の清浄化処理で表面に付着した不純物を除去できる
ため、不純物の混入による半導体製品の不良を少なくで
きるという優位性を有している。
本発明のシリコンウェハー加熱用治具においては、基材
自体が、炭化ケイ素粉末が有機ケイ素化合物の熱分解に
より生成する主としてＳｉとＣからなる無機物により結
合された炭化ケイ素材質からなるため、焼結助剤を使用
することなしに、高強度でかつ高純度の基材が得られる
。
自体が、炭化ケイ素粉末が有機ケイ素化合物の熱分解に
より生成する主としてＳｉとＣからなる無機物により結
合された炭化ケイ素材質からなるため、焼結助剤を使用
することなしに、高強度でかつ高純度の基材が得られる
。
すなわち、有機ケイ素化合物は結合剤として炭化ケイ素
粉末に混和され、１０００℃以上で熱処理することによ
り、熱分解を起こして、主としてＳｉ及びＣからなる無
機物に転換される。しかも該無機物は、炭化ケイ素粒子
と強固な結合を形成するため、基材の強度は２５〜３５
ｋｇ／ｍｍ２という高強度となる。
粉末に混和され、１０００℃以上で熱処理することによ
り、熱分解を起こして、主としてＳｉ及びＣからなる無
機物に転換される。しかも該無機物は、炭化ケイ素粒子
と強固な結合を形成するため、基材の強度は２５〜３５
ｋｇ／ｍｍ２という高強度となる。
本発明で使用される有機ケイ素化合物は１２００℃以上
の加熱により主としてβ−３ｉＣに転換されるものであ
ればよく、特に好ましいものは、ケイ素と炭素との結合
を主な骨格成分とする有機ケイ素重縮合体である。例え
ば、特開昭５１−１２６３００号、特開昭５２−１１２
７００号、特開昭５４−６１２９９号及び特開昭５７−
１６０２９号各公報に記載されている主としてカルボシ
ラン骨格よりなる高分子有機ケイ素化合物が本発明の使
用に通している。
の加熱により主としてβ−３ｉＣに転換されるものであ
ればよく、特に好ましいものは、ケイ素と炭素との結合
を主な骨格成分とする有機ケイ素重縮合体である。例え
ば、特開昭５１−１２６３００号、特開昭５２−１１２
７００号、特開昭５４−６１２９９号及び特開昭５７−
１６０２９号各公報に記載されている主としてカルボシ
ラン骨格よりなる高分子有機ケイ素化合物が本発明の使
用に通している。
本発明に使用される炭化ケイ素粉末は、高純度粉末を用
いることが好ましく、半導体用炭化ケイ素粉末に施され
る通常の純化処理、例えば還元性ハロゲン含有ガスある
いは強酸による処理を行うことが望ましい。
いることが好ましく、半導体用炭化ケイ素粉末に施され
る通常の純化処理、例えば還元性ハロゲン含有ガスある
いは強酸による処理を行うことが望ましい。
これらの原料を基に製造される炭化ケイ素材質基材に含
まれる金属不純物は後から表面に形成されるＣＶＤコー
ト膜に影響を与えるので、金属不純物の総量は３００ｐ
ｐｍ以下であることが望ましい。
まれる金属不純物は後から表面に形成されるＣＶＤコー
ト膜に影響を与えるので、金属不純物の総量は３００ｐ
ｐｍ以下であることが望ましい。
さらに前記基材にＳｉを含浸してもよい。ＳｉＯ含浸方
法には特に制限はないが、例えば高温でケイ素ガスを流
通するかあるいはケイ素粉中に基材を埋めることにより
Ｓｉを含浸する方法がある。
法には特に制限はないが、例えば高温でケイ素ガスを流
通するかあるいはケイ素粉中に基材を埋めることにより
Ｓｉを含浸する方法がある。
ＳｉＯ含浸により基材中の気孔がＳｉで覆われるため、
表面にＣＶＤコートを施す場合に、短時間でしかも均一
に被膜を形成することができる。
表面にＣＶＤコートを施す場合に、短時間でしかも均一
に被膜を形成することができる。
本発明に使用される炭化ケイ素粉末が有機ケイ素化合物
の熱分解により生成する主としてＳｉとＣからなる無機
物により結合された炭化ケイ素材質基材は高強度でかつ
高純度を有するが、有機ケイ素化合物は焼結助剤の効果
をほとんど有しないため、基材の密度は２．０〜２．４
ｇ／ｃｏ！であり、その気孔率は８〜３２％と大きく、
したがって酸化を受けやすい。このため基材の組織内へ
の酸化を防止して、良好な材料特性を保持するために、
基材へ通気性のない緻密質炭化ケイ素ＣＶＤコート膜を
被覆することが必要である。
の熱分解により生成する主としてＳｉとＣからなる無機
物により結合された炭化ケイ素材質基材は高強度でかつ
高純度を有するが、有機ケイ素化合物は焼結助剤の効果
をほとんど有しないため、基材の密度は２．０〜２．４
ｇ／ｃｏ！であり、その気孔率は８〜３２％と大きく、
したがって酸化を受けやすい。このため基材の組織内へ
の酸化を防止して、良好な材料特性を保持するために、
基材へ通気性のない緻密質炭化ケイ素ＣＶＤコート膜を
被覆することが必要である。
本明８１ｉ！書において「通気性のない」とは、本発明
のシリコンウェハー加熱用治具を沸騰水中に１０分間浸
漬しても、その表面に気泡の発生が認められないことを
意味する。
のシリコンウェハー加熱用治具を沸騰水中に１０分間浸
漬しても、その表面に気泡の発生が認められないことを
意味する。
このＣＶＤコート膜の厚さは５０〜１０００μｍが好ま
しい。５０μｍより薄い場合は通気性のない膜とはなら
ない。また１０００μｍより厚い場合は経済的に不利と
なる。
しい。５０μｍより薄い場合は通気性のない膜とはなら
ない。また１０００μｍより厚い場合は経済的に不利と
なる。
またＣＶＤコート膜中の金属不純物が多くなると膜の強
度が弱くなり、クランクが発生しやすいので金属不純物
の総量は１１００ｐｐ以下であることが望ましい。
度が弱くなり、クランクが発生しやすいので金属不純物
の総量は１１００ｐｐ以下であることが望ましい。
炭化ケイ素ＣＶＤコート膜の形成は、通常の方法で行わ
れる。すなわち減圧下にｓｉｏ、ｃｏガスを用いる方法
、減圧下にハロゲン化ケイ素及びＨ２を用いる方法など
が有効に使用できる。
れる。すなわち減圧下にｓｉｏ、ｃｏガスを用いる方法
、減圧下にハロゲン化ケイ素及びＨ２を用いる方法など
が有効に使用できる。
（実施例）
以下本発明の実施例を挙げて説明する。
なお、ここでは通気性はコーテイング品を沸騰水中に１
０分間浸漬した場合の気泡の発生の有無で判断した。
０分間浸漬した場合の気泡の発生の有無で判断した。
実施例１
トルエン中にＨＦ −ＨＮ Ｏ３混酸で５０℃で５回洗
浄して純化処理した金属不純物総量が１９０ｐｐｍの炭
化ケイ素粉末８５重量部と、有機ケイ素化合物としてポ
リジメチルシランを４５０℃で熱分解重縮合して合成し
たポリカルボシラン１５重量部を加えて、混練しながら
トルエンを揮散させて細かい混和粉末を得た。この粉末
を１００×５５０Ｘ１０＋ｎに成形し、次いでこの成形
体を窒素ガス中６００℃に加熱してポリカルボシランの
無機化を行った後、アルゴン中１９００℃で加熱処理し
て炭化ケイ素材質基材（気孔率１８％、密度２．１４
ｇ ／ｃｆｆｌ）を得た。 次にこの炭化ケイ素材質基
材を加熱炉に入れて１６００℃に加熱して炉内にＨＣｊ
！ガスを窒素ガスをキャリアーガスとして供給して５時
間純化処理を行った。
浄して純化処理した金属不純物総量が１９０ｐｐｍの炭
化ケイ素粉末８５重量部と、有機ケイ素化合物としてポ
リジメチルシランを４５０℃で熱分解重縮合して合成し
たポリカルボシラン１５重量部を加えて、混練しながら
トルエンを揮散させて細かい混和粉末を得た。この粉末
を１００×５５０Ｘ１０＋ｎに成形し、次いでこの成形
体を窒素ガス中６００℃に加熱してポリカルボシランの
無機化を行った後、アルゴン中１９００℃で加熱処理し
て炭化ケイ素材質基材（気孔率１８％、密度２．１４
ｇ ／ｃｆｆｌ）を得た。 次にこの炭化ケイ素材質基
材を加熱炉に入れて１６００℃に加熱して炉内にＨＣｊ
！ガスを窒素ガスをキャリアーガスとして供給して５時
間純化処理を行った。
次いで、純化処理された炭化ケイ素材質基材を１４５０
℃、５０謹禽Ｈｇの条件でＣＨ３５ｉＣ６３及びＨ２を
用いて炭化ケイ素ＣＶＤコート膜を３００μｍの厚さで
形成させることによりシリコンウェハー加熱用治具を得
た。
℃、５０謹禽Ｈｇの条件でＣＨ３５ｉＣ６３及びＨ２を
用いて炭化ケイ素ＣＶＤコート膜を３００μｍの厚さで
形成させることによりシリコンウェハー加熱用治具を得
た。
得られたシリコンウェハー加熱用治具の不純物を調べた
ところ第１表の結果となった。
ところ第１表の結果となった。
第１表
また得られたシリコンウェハー加熱用治具を使用してシ
リコン半導体を製造したところ、得られたシリコン半導
体は不純物の混入によるエッチビットの発生が全くなく
、ライフタイムの極めて長いものが得られた。
リコン半導体を製造したところ、得られたシリコン半導
体は不純物の混入によるエッチビットの発生が全くなく
、ライフタイムの極めて長いものが得られた。
比較例１
炭化ケイ素ＣＶＤコート膜を形成させなかった他は、実
施例１と全く同様にしてシリコンウェハー加熱用治具を
得た。
施例１と全く同様にしてシリコンウェハー加熱用治具を
得た。
実施例１及び比較例１で得られたシリコンウェハー加熱
用治具の１２００℃における酸化増加率の経時変化の測
定結果を第１図に示した。図中（Ａ）は実施例１、（Ｂ
）は比較例１のシリコンウェハー加熱用治具を表す。第
１図から明らかなように、１２００℃、４８０時間の酸
化増加率は比較例のシリコンウェハー加熱用治具ではす
でに５％であり、ＳＥＭ観察の結果、組織内酸化が進ん
でいた。これに対し、本発明のシリコンウェハー加熱用
治具では酸化は全く認められなかった。
用治具の１２００℃における酸化増加率の経時変化の測
定結果を第１図に示した。図中（Ａ）は実施例１、（Ｂ
）は比較例１のシリコンウェハー加熱用治具を表す。第
１図から明らかなように、１２００℃、４８０時間の酸
化増加率は比較例のシリコンウェハー加熱用治具ではす
でに５％であり、ＳＥＭ観察の結果、組織内酸化が進ん
でいた。これに対し、本発明のシリコンウェハー加熱用
治具では酸化は全く認められなかった。
実施例２
炭化ケイ素材質をケイ素粉中に埋めて２０００℃に加熱
することにより気孔中にＳｉを含浸させた以外は実施例
１と全く同様の製造方法でシリコンウェハー加熱用治具
を得た。
することにより気孔中にＳｉを含浸させた以外は実施例
１と全く同様の製造方法でシリコンウェハー加熱用治具
を得た。
このシリコンウェハー加熱用治具の不純物、酸化増加率
を測定したところ、ともに実施例１のものと変わらなか
った。
を測定したところ、ともに実施例１のものと変わらなか
った。
実施例１及び実施例２で得られたシリコンウェハー加熱
用治具を高周波炉で常温から１２００ ’ｃまで５分間
で昇温し、５分間保持後常温下にさらす急熱急冷試験を
５回繰り返し行い、治具の被膜の状態を調べたところ、
炭化ケイ素被膜のクランク、剥離は認められず、通気性
も認められなかった。
用治具を高周波炉で常温から１２００ ’ｃまで５分間
で昇温し、５分間保持後常温下にさらす急熱急冷試験を
５回繰り返し行い、治具の被膜の状態を調べたところ、
炭化ケイ素被膜のクランク、剥離は認められず、通気性
も認められなかった。
第１図は実施例１及び比較例１で得られたシリコンウェ
ハー加熱用治具の１２００℃における酸化増加率の経時
変化を表した図である。
ハー加熱用治具の１２００℃における酸化増加率の経時
変化を表した図である。
Claims (2)
- （１）炭化ケイ素粉末が有機ケイ素化合物の熱分解によ
り生成する主としてＳｉとＣからなる無機物により結合
された炭化ケイ素材質基材に、通気性のない緻密質炭化
ケイ素から成るＣＶＤコート膜が被覆されていることを
特徴とするシリコンウェハー加熱用治具 - （２）炭化ケイ素粉末が有機ケイ素化合物の熱分解によ
り生成する主としてＳｉとＣからなる無機物により結合
された炭化ケイ素材質にＳｉを含浸した基材に、通気性
のない緻密質炭化ケイ素から成るＣＶＤコート膜が被覆
されていることを特徴とするシリコンウェハー加熱用治
具
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22585486A JPS6385076A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | シリコンウエハ−加熱用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22585486A JPS6385076A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | シリコンウエハ−加熱用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385076A true JPS6385076A (ja) | 1988-04-15 |
Family
ID=16835886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22585486A Pending JPS6385076A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | シリコンウエハ−加熱用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6385076A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594957A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体用拡散炉部材 |
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
| JPH11354527A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22585486A patent/JPS6385076A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594957A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体用拡散炉部材 |
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
| JPH11354527A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2017082147A1 (ja) | 黒鉛基材上に形成された被膜及びその製造方法 | |
| KR100427118B1 (ko) | 열처리용지그및그제조방법 | |
| JPH1012692A (ja) | ダミーウエハ | |
| JPS6385076A (ja) | シリコンウエハ−加熱用治具 | |
| CN112624797A (zh) | 一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法 | |
| US6881262B1 (en) | Methods for forming high purity components and components formed thereby | |
| JP3642446B2 (ja) | 半導体ウエハ処理具 | |
| JP2721678B2 (ja) | β−炭化珪素成形体及びその製造法 | |
| KR101856145B1 (ko) | 실리콘을 포함하는 그라파이트 폼 상에 실리콘카바이드의 코팅형성방법 | |
| JPH0583517B2 (ja) | ||
| JP3739507B2 (ja) | 熱処理用治具の製造方法 | |
| JP4633449B2 (ja) | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 | |
| JP2009161858A (ja) | 耐食性ＣＶＤ―ＳｉＣ被覆材及びＣＶＤ装置用治具 | |
| JP2855458B2 (ja) | 半導体用処理部材 | |
| JPS6385075A (ja) | 半導体用拡散炉プロセスチユ−ブ | |
| JPH0692761A (ja) | ＣＶＤ−ＳｉＣコートＳｉ含浸ＳｉＣ製品およびその製造方法 | |
| JP3925884B2 (ja) | ＳｉＣ被膜の被覆方法 | |
| JPH09256168A (ja) | グラファイトへのコーティング法 | |
| JPS6155918A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4556090B2 (ja) | 炭化珪素質半導体製造装置用部材およびその製造方法 | |
| JP2000034184A (ja) | Ｓｏｉ基板熱酸化処理炉用部品 | |
| JP2549030B2 (ja) | 半導体用処理部材及びその製造方法 | |
| JP3150545B2 (ja) | 反応焼結Ｓｉ含浸ＳｉＣ質半導体製造用熱処理治具及びその製造方法 | |
| JP2622609B2 (ja) | 半導体製造用ｓｉｃ質セラミックス製品 | |
| JP2002249387A (ja) | 炭化珪素質部材の製造方法 |