JPH0594957A - 半導体用拡散炉部材 - Google Patents
半導体用拡散炉部材Info
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- JPH0594957A JPH0594957A JP3253501A JP25350191A JPH0594957A JP H0594957 A JPH0594957 A JP H0594957A JP 3253501 A JP3253501 A JP 3253501A JP 25350191 A JP25350191 A JP 25350191A JP H0594957 A JPH0594957 A JP H0594957A
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- diffusion furnace
- furnace member
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱衝撃性、耐汚染性に優れ、軽量で熱容量
の小さい高特性半導体用拡散炉部材を提供する。 【構成】 平均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜
７０％の多孔質ＳｉＣ基体２の表面層に、厚さ１０〜２
００μｍの化学蒸着法によるＳｉＣ浸透層３が形成さ
れ、該浸透層３上に厚さ１０μｍ以上の化学蒸着法によ
る緻密ＳｉＣ被覆層４が形成されている。 【効果】 内部多孔質、表面緻密質のＳｉＣよりなり、
しかも、表面の緻密ＳｉＣ被覆層と内部の多孔質ＳｉＣ
基体とは、ＳｉＣ含浸層を介して強固に一体化されるた
め、 昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久性に著しく優
れる。 高温における使用に際して、不純物を外部に放出す
ることがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れる。 軽量でハンドリング性に優れる。 熱容量が小さく、加熱し易い。
の小さい高特性半導体用拡散炉部材を提供する。 【構成】 平均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜
７０％の多孔質ＳｉＣ基体２の表面層に、厚さ１０〜２
００μｍの化学蒸着法によるＳｉＣ浸透層３が形成さ
れ、該浸透層３上に厚さ１０μｍ以上の化学蒸着法によ
る緻密ＳｉＣ被覆層４が形成されている。 【効果】 内部多孔質、表面緻密質のＳｉＣよりなり、
しかも、表面の緻密ＳｉＣ被覆層と内部の多孔質ＳｉＣ
基体とは、ＳｉＣ含浸層を介して強固に一体化されるた
め、 昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久性に著しく優
れる。 高温における使用に際して、不純物を外部に放出す
ることがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れる。 軽量でハンドリング性に優れる。 熱容量が小さく、加熱し易い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体用拡散炉部材に係
り、特に、耐熱衝撃性、耐汚染性に優れ、軽量で低熱容
量の炭化珪素（ＳｉＣ）製半導体用拡散炉部材に関す
る。
り、特に、耐熱衝撃性、耐汚染性に優れ、軽量で低熱容
量の炭化珪素（ＳｉＣ）製半導体用拡散炉部材に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】拡散炉は、Ｓｉ単結晶ウェハを高温に加
熱して不純物をドーピングしたり、酸化膜を形成する工
程で用いられるものであり、半導体デバイスの製造工程
のなかでも最も基本的な設備である。
熱して不純物をドーピングしたり、酸化膜を形成する工
程で用いられるものであり、半導体デバイスの製造工程
のなかでも最も基本的な設備である。
【０００３】近年、半導体についても高集積度化が進
み、拡散炉に用いられる部材、例えば、プロセスチュー
ブ、ライナーチューブ、ウェハボート、マザーボート、
パドル等の半導体用拡散炉部材についても高純度化が必
要とされると共に、Ｓｉウェハの大口径化に伴う拡散炉
部材の大型化、高強度化が必要とされるようになり、Ｓ
ｉＣ製高特性半導体用拡散炉部材の出現が望まれてい
る。
み、拡散炉に用いられる部材、例えば、プロセスチュー
ブ、ライナーチューブ、ウェハボート、マザーボート、
パドル等の半導体用拡散炉部材についても高純度化が必
要とされると共に、Ｓｉウェハの大口径化に伴う拡散炉
部材の大型化、高強度化が必要とされるようになり、Ｓ
ｉＣ製高特性半導体用拡散炉部材の出現が望まれてい
る。
【０００４】従来、ＳｉＣ系拡散炉部材としては、次の
ようなものが提案されている。
ようなものが提案されている。
【０００５】 再結晶ＳｉＣからなる基材の内外面に
ＳｉＣ被膜を形成するもの（特開昭５９−１８９６２
２）。この構成により、再結晶ＳｉＣ単独のものに比べ
て、内部酸化を防止することができる。また、Ｓｉを含
有しないことから、Ｓｉ−ＳｉＣ質のものに比べて、Ｓ
ｉによる不純物の拡散を抑制することができる。 再結晶ＳｉＣにＳｉを含浸したＳｉ−ＳｉＣ質基材
に、１０〜５００μｍ厚さの緻密なＳｉＣ被膜を形成し
たもの（特公昭６１−２０１２８）。この構成により、
ＳｉＣ被膜がないＳｉ−ＳｉＣ質のものと比べてＨＣｌ
ガスやＨＦ−ＨＮＯ3 溶液による洗浄に対して耐洗浄性
が向上する。
ＳｉＣ被膜を形成するもの（特開昭５９−１８９６２
２）。この構成により、再結晶ＳｉＣ単独のものに比べ
て、内部酸化を防止することができる。また、Ｓｉを含
有しないことから、Ｓｉ−ＳｉＣ質のものに比べて、Ｓ
ｉによる不純物の拡散を抑制することができる。 再結晶ＳｉＣにＳｉを含浸したＳｉ−ＳｉＣ質基材
に、１０〜５００μｍ厚さの緻密なＳｉＣ被膜を形成し
たもの（特公昭６１−２０１２８）。この構成により、
ＳｉＣ被膜がないＳｉ−ＳｉＣ質のものと比べてＨＣｌ
ガスやＨＦ−ＨＮＯ3 溶液による洗浄に対して耐洗浄性
が向上する。
【０００６】 チューブ、パドル等の拡散炉部材をＳ
ｉ−ＳｉＣ質で構成したもの（特公昭５４−１０８２
５）。
ｉ−ＳｉＣ質で構成したもの（特公昭５４−１０８２
５）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、チュー
ブ、ボート等の拡散炉部材として本質的に求められるべ
き特性について検討を重ねた結果、特に、高純度、高強
度、大型拡散炉部材として、次のような特性が必要とさ
れることを知見した。
ブ、ボート等の拡散炉部材として本質的に求められるべ
き特性について検討を重ねた結果、特に、高純度、高強
度、大型拡散炉部材として、次のような特性が必要とさ
れることを知見した。
【０００８】(1) 昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久
性に優れること。 (2) 高温における使用に際して、不純物を外部に放出す
ることがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れること。 (3) 軽量でハンドリング性に優れること。 (4) 熱容量が小さく、加熱し易いこと。
性に優れること。 (2) 高温における使用に際して、不純物を外部に放出す
ることがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れること。 (3) 軽量でハンドリング性に優れること。 (4) 熱容量が小さく、加熱し易いこと。
【０００９】しかしながら、従来において、上記特性を
すべて満足する拡散炉部材は提供されていない。例え
ば、前記の拡散炉部材では、上記(1) 〜(4) の特性の
改善について全く触れられておらず、わずかに不純物の
拡散の面で、Ｓｉの悪作用を述べているが、他の特性を
満足し得ない。また、，の拡散炉部材でも上記特性
を満たすことはできない。
すべて満足する拡散炉部材は提供されていない。例え
ば、前記の拡散炉部材では、上記(1) 〜(4) の特性の
改善について全く触れられておらず、わずかに不純物の
拡散の面で、Ｓｉの悪作用を述べているが、他の特性を
満足し得ない。また、，の拡散炉部材でも上記特性
を満たすことはできない。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、耐熱
衝撃性、耐汚染性に優れ、軽量で熱容量の小さい高特性
半導体用拡散炉部材を提供することを目的とする。
衝撃性、耐汚染性に優れ、軽量で熱容量の小さい高特性
半導体用拡散炉部材を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体用拡散炉
部材は、平均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜７
０％の多孔質ＳｉＣ基体の表面層に、厚さ１０〜２００
μｍの化学蒸着法によるＳｉＣ浸透層が形成され、か
つ、該浸透層上に厚さ１０μｍ以上の化学蒸着法による
緻密ＳｉＣ被覆層が形成されてなることを特徴とする。
部材は、平均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜７
０％の多孔質ＳｉＣ基体の表面層に、厚さ１０〜２００
μｍの化学蒸着法によるＳｉＣ浸透層が形成され、か
つ、該浸透層上に厚さ１０μｍ以上の化学蒸着法による
緻密ＳｉＣ被覆層が形成されてなることを特徴とする。
【００１２】以下に本発明を図面を参照して詳細に説明
する。第１図は本発明の半導体用拡散炉部材の一実施例
を示す拡大断面図である。
する。第１図は本発明の半導体用拡散炉部材の一実施例
を示す拡大断面図である。
【００１３】図示の如く、本発明の半導体用拡散炉部材
１は、多孔質ＳｉＣ基体２の表面層に、ＳｉＣ浸透層３
が形成され、更に、このＳｉＣ浸透層３の上に緻密Ｓｉ
Ｃ被覆層４が形成されているものである。
１は、多孔質ＳｉＣ基体２の表面層に、ＳｉＣ浸透層３
が形成され、更に、このＳｉＣ浸透層３の上に緻密Ｓｉ
Ｃ被覆層４が形成されているものである。
【００１４】本発明において、多孔質ＳｉＣ基体は、平
均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜７０％のもの
である。平均気孔径が２５０μｍを超えると静的強度が
低下する。得られる部材の強度、耐熱衝撃性等の面か
ら、平均気孔径は２０〜２００μｍであることが好まし
い。また、気孔率が７０％を超えると静的強度が低下
し、１２％未満であると耐熱衝撃性が不足する上に、軽
量性が損なわれ、また、熱容量が大きくなる。従って、
気孔率は１２〜７０％とする。
均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜７０％のもの
である。平均気孔径が２５０μｍを超えると静的強度が
低下する。得られる部材の強度、耐熱衝撃性等の面か
ら、平均気孔径は２０〜２００μｍであることが好まし
い。また、気孔率が７０％を超えると静的強度が低下
し、１２％未満であると耐熱衝撃性が不足する上に、軽
量性が損なわれ、また、熱容量が大きくなる。従って、
気孔率は１２〜７０％とする。
【００１５】また、ＳｉＣ浸透層はその厚さが１０〜２
００μｍとなるように形成する。ＳｉＣ浸透層の厚さが
２００μｍを超えると、基体を多孔質とする効果が低下
し、１０μｍ未満であると基体とＳｉＣ浸透層の密着性
が低下する。従って、ＳｉＣ浸透層の厚さは１０〜２０
０μｍとする。
００μｍとなるように形成する。ＳｉＣ浸透層の厚さが
２００μｍを超えると、基体を多孔質とする効果が低下
し、１０μｍ未満であると基体とＳｉＣ浸透層の密着性
が低下する。従って、ＳｉＣ浸透層の厚さは１０〜２０
０μｍとする。
【００１６】更に、緻密ＳｉＣ被覆膜の厚さが１０μｍ
未満であると基体からの不純物の拡散防止効果が不足す
る。不純物拡散防止効果、コスト等の面から、この緻密
ＳｉＣ被覆膜の厚さは５０〜１００μｍとするのが好ま
しい。
未満であると基体からの不純物の拡散防止効果が不足す
る。不純物拡散防止効果、コスト等の面から、この緻密
ＳｉＣ被覆膜の厚さは５０〜１００μｍとするのが好ま
しい。
【００１７】このような本発明の半導体用拡散炉部材
は、例えば、次のようにして製造される。即ち、まず、
多孔質ＳｉＣ基体を製造する。この多孔質ＳｉＣ基体の
製造には、Ｓｉの無いＳｉＣ単相からなる多孔質ＳｉＣ
を作製する技術であれば良く、再結晶法、発泡剤を使用
する方法等、いずれの方法を採用しても良い。いずれの
場合も、ＳｉＣ原料粉末の大きさ、発泡剤の種類、量、
その他各種条件を、前記平均気孔径及び気孔率となるよ
うに適宜調整する。
は、例えば、次のようにして製造される。即ち、まず、
多孔質ＳｉＣ基体を製造する。この多孔質ＳｉＣ基体の
製造には、Ｓｉの無いＳｉＣ単相からなる多孔質ＳｉＣ
を作製する技術であれば良く、再結晶法、発泡剤を使用
する方法等、いずれの方法を採用しても良い。いずれの
場合も、ＳｉＣ原料粉末の大きさ、発泡剤の種類、量、
その他各種条件を、前記平均気孔径及び気孔率となるよ
うに適宜調整する。
【００１８】次いで、得られた多孔質ＳｉＣ基体の表層
部分の所定厚さ部分に、化学蒸着法によりＳｉＣを浸透
させてＳｉＣ浸透層を形成する。この場合、化学蒸着条
件を適宜調整することにより、所望の深さ方向にＳｉＣ
を浸透させることができる。
部分の所定厚さ部分に、化学蒸着法によりＳｉＣを浸透
させてＳｉＣ浸透層を形成する。この場合、化学蒸着条
件を適宜調整することにより、所望の深さ方向にＳｉＣ
を浸透させることができる。
【００１９】更に、上記ＳｉＣ浸透層の形成に引き続い
て、化学蒸着の条件を適宜調整することにより、表面に
所定厚さの緻密質ＳｉＣ被覆層を形成する。
て、化学蒸着の条件を適宜調整することにより、表面に
所定厚さの緻密質ＳｉＣ被覆層を形成する。
【００２０】
【作用】本発明の半導体用拡散炉部材の基体は、多孔質
ＳｉＣ基体であるため、熱歪に対する吸収効果が良好
で、耐熱衝撃性に優れる。しかも、軽量で熱容量も小さ
い。
ＳｉＣ基体であるため、熱歪に対する吸収効果が良好
で、耐熱衝撃性に優れる。しかも、軽量で熱容量も小さ
い。
【００２１】また、その表層部には化学蒸着法によるＳ
ｉＣ浸透層が形成され、更に緻密ＳｉＣ被覆層が形成さ
れ、表面は緻密質とされているため、 静的強度が著しく高い。 熱衝撃時における蒸着膜の耐剥離性に優れる。 基体からの不純物の拡散が確実に防止される。 といった効果が奏される。
ｉＣ浸透層が形成され、更に緻密ＳｉＣ被覆層が形成さ
れ、表面は緻密質とされているため、 静的強度が著しく高い。 熱衝撃時における蒸着膜の耐剥離性に優れる。 基体からの不純物の拡散が確実に防止される。 といった効果が奏される。
【００２２】因みに、従来のＳｉ−ＳｉＣ質拡散炉部材
では、後掲の実施例１で測定した耐熱衝撃の限度がΔＴ
＝３５０℃であるのに対し、本発明の拡散炉部材はΔＴ
＝８５０℃に向上する。また、嵩密度も従来のＳｉ−Ｓ
ｉＣ質拡散炉部材はρ＝２．８程度であるのに対し、本
発明の拡散炉部材はρ＝１．８程度と、約３６％の重量
減となる。
では、後掲の実施例１で測定した耐熱衝撃の限度がΔＴ
＝３５０℃であるのに対し、本発明の拡散炉部材はΔＴ
＝８５０℃に向上する。また、嵩密度も従来のＳｉ−Ｓ
ｉＣ質拡散炉部材はρ＝２．８程度であるのに対し、本
発明の拡散炉部材はρ＝１．８程度と、約３６％の重量
減となる。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明をより具体的
に説明する。
に説明する。
【００２４】実施例１ 嵩密度１．８、気孔率４５％、平均気孔径５０μｍの多
孔質ＳｉＣ基体に、ＳｉＣｌ4 ／Ｃ3 Ｈ8 ／Ｈ2 の混合
ガスを用い、ガス条件、温度を調整することにより、２
０μｍ厚さのＳｉＣ浸透層及び１０μｍ厚さの緻密Ｓｉ
Ｃ被覆層を形成してサンプルを作製した。
孔質ＳｉＣ基体に、ＳｉＣｌ4 ／Ｃ3 Ｈ8 ／Ｈ2 の混合
ガスを用い、ガス条件、温度を調整することにより、２
０μｍ厚さのＳｉＣ浸透層及び１０μｍ厚さの緻密Ｓｉ
Ｃ被覆層を形成してサンプルを作製した。
【００２５】得られたサンプルを用い、常温において４
点曲げ試験を行なった。また、熱衝撃（各温度に保持し
た後に水中急冷した時の温度差ΔＴによる熱衝撃。従っ
て、常温における測定はΔＴ＝０である。）を与えた後
に４点曲げ試験を行ない、結果を第２図に示した（No.
１）。なお、４点曲げ試験は、ＪＩＳ Ｒ１６０１に基
き、３×４×４０ｍｍの曲げ試験片について行なった。
点曲げ試験を行なった。また、熱衝撃（各温度に保持し
た後に水中急冷した時の温度差ΔＴによる熱衝撃。従っ
て、常温における測定はΔＴ＝０である。）を与えた後
に４点曲げ試験を行ない、結果を第２図に示した（No.
１）。なお、４点曲げ試験は、ＪＩＳ Ｒ１６０１に基
き、３×４×４０ｍｍの曲げ試験片について行なった。
【００２６】同様に、ＳｉＣ浸透層及びＳｉＣ被覆層を
全く形成していない多孔質ＳｉＣ基体（No. ２）、Ｓｉ
Ｃ浸透層（厚さ２０μｍ）及びＳｉＣ被覆層（厚さ１０
０μｍ）を形成したもの（No. ３）及び従来のＳｉ−Ｓ
ｉＣ質基材（No. ４）について４点曲げ試験を行ない、
結果を第２図に示した。
全く形成していない多孔質ＳｉＣ基体（No. ２）、Ｓｉ
Ｃ浸透層（厚さ２０μｍ）及びＳｉＣ被覆層（厚さ１０
０μｍ）を形成したもの（No. ３）及び従来のＳｉ−Ｓ
ｉＣ質基材（No. ４）について４点曲げ試験を行ない、
結果を第２図に示した。
【００２７】第２図より、本発明の拡散炉部材により、
静的強度が大幅に向上されると共に、耐熱衝撃性も著し
く改善されたことが明らかである。
静的強度が大幅に向上されると共に、耐熱衝撃性も著し
く改善されたことが明らかである。
【００２８】実施例２ 外径２８０ｍｍ、肉厚６ｍｍ、長さ１２００ｍｍの縦型
プロセスチューブを、従来のＳｉ−ＳｉＣ質基材、本発
明に係る部材（平均気孔径５０μｍ、気孔率４０％の多
孔質ＳｉＣ基体に、厚さ２０μｍのＳｉＣ浸透層及び厚
さ５０μｍのＳｉＣ被覆層を形成したもの）を用いてそ
れぞれ作製した。
プロセスチューブを、従来のＳｉ−ＳｉＣ質基材、本発
明に係る部材（平均気孔径５０μｍ、気孔率４０％の多
孔質ＳｉＣ基体に、厚さ２０μｍのＳｉＣ浸透層及び厚
さ５０μｍのＳｉＣ被覆層を形成したもの）を用いてそ
れぞれ作製した。
【００２９】次に、予め９００℃に設定された加熱炉の
中に、各チューブを入れ、３００ｍｍ／分の速度で加熱
した。
中に、各チューブを入れ、３００ｍｍ／分の速度で加熱
した。
【００３０】その結果、従来のものは天井エッジ部にク
ラックが発生したが、本発明によるものはクラックは全
く発生しなかった。
ラックが発生したが、本発明によるものはクラックは全
く発生しなかった。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の半導体用拡
散炉部材は、内部多孔質、表面緻密質のＳｉＣよりな
り、しかも、表面の緻密ＳｉＣ被覆層と内部の多孔質Ｓ
ｉＣ基体とは、ＳｉＣ含浸層を介して強固に一体化され
るため、 (1) 昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久性に著しく優
れる。 (2) 高温における使用に際して、不純物を外部に放出す
ることがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れる。 (3) 軽量でハンドリング性に優れる。 (4) 熱容量が小さく、加熱し易い。 という要求特性をすべて満足する高特性拡散炉部材であ
る。
散炉部材は、内部多孔質、表面緻密質のＳｉＣよりな
り、しかも、表面の緻密ＳｉＣ被覆層と内部の多孔質Ｓ
ｉＣ基体とは、ＳｉＣ含浸層を介して強固に一体化され
るため、 (1) 昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久性に著しく優
れる。 (2) 高温における使用に際して、不純物を外部に放出す
ることがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れる。 (3) 軽量でハンドリング性に優れる。 (4) 熱容量が小さく、加熱し易い。 という要求特性をすべて満足する高特性拡散炉部材であ
る。
【００３２】本発明の半導体用拡散炉部材は、耐熱衝撃
性、耐汚染性に優れ、軽量で低熱容量であることから、
プロセスチューブ、ライナーチューブ、ウェハボート、
マザーボート、パドル、その他の各種半導体用拡散炉部
材として、特に、高純度、大型、高強度拡散炉部材とし
て工業的に極めて有用である。
性、耐汚染性に優れ、軽量で低熱容量であることから、
プロセスチューブ、ライナーチューブ、ウェハボート、
マザーボート、パドル、その他の各種半導体用拡散炉部
材として、特に、高純度、大型、高強度拡散炉部材とし
て工業的に極めて有用である。
【図１】第１図は本発明の半導体用拡散炉部材の一実施
例を示す拡大断面図である。
例を示す拡大断面図である。
【図２】第２図は実施例１の結果を示すグラフである。
１ 半導体用拡散炉部材 ２ 多孔質ＳｉＣ基体 ３ ＳｉＣ浸透層 ４ 緻密ＳｉＣ被覆層
Claims (1)
- 【請求項１】 平均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１
２〜７０％の多孔質炭化珪素基体の表面層に、厚さ１０
〜２００μｍの化学蒸着法による炭化珪素浸透層が形成
され、かつ、該浸透層上に厚さ１０μｍ以上の化学蒸着
法による緻密炭化珪素被覆層が形成されてなることを特
徴とする半導体用拡散炉部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253501A JP2933148B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体用拡散炉部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253501A JP2933148B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体用拡散炉部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594957A true JPH0594957A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2933148B2 JP2933148B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=17252262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253501A Expired - Fee Related JP2933148B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体用拡散炉部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933148B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011043427A1 (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | 信越化学工業株式会社 | 多孔質炭化ケイ素基材の緻密化方法 |
| KR101138440B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2012-04-26 | 투비엠테크 주식회사 | 실리콘카바이드 강화 다공성 모재 및 그 형성방법 |
| JP2016204736A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101593922B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2016-02-15 | 하나머티리얼즈(주) | 화학기상증착법에 의한 반도체 공정용 다결정 탄화규소 벌크 부재 및 그 제조방법 |
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| JPS6385076A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-15 | 宇部興産株式会社 | シリコンウエハ−加熱用治具 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3253501A patent/JP2933148B2/ja not_active Expired - Fee Related
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