JPS5884427A - 半導体拡散層形成用炉管 - Google Patents
半導体拡散層形成用炉管Info
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- JPS5884427A JPS5884427A JP18198081A JP18198081A JPS5884427A JP S5884427 A JPS5884427 A JP S5884427A JP 18198081 A JP18198081 A JP 18198081A JP 18198081 A JP18198081 A JP 18198081A JP S5884427 A JPS5884427 A JP S5884427A
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- JP
- Japan
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- furnace tube
- sic
- silicon carbide
- furnace
- tube
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は炉管内への不純物汚染を完全に阻止すること
ができる半導体拡散層形成用炉管に関する。
ができる半導体拡散層形成用炉管に関する。
半導体装置、特に集積四路の製造に於いて安定かつ高純
度な深い拡散層を形成する工程がある。この拡散層の形
成には炉管の外周にコイル状のヒータを備えた装置内に
拡散炉管を挿入し、さらにこの拡散炉管内に半導体装置
を置き洗浄された不活性ガスあるいは酸素を導入しなが
ら約１２００℃の高温かつ長時間にて処理することによ
）形成される。
度な深い拡散層を形成する工程がある。この拡散層の形
成には炉管の外周にコイル状のヒータを備えた装置内に
拡散炉管を挿入し、さらにこの拡散炉管内に半導体装置
を置き洗浄された不活性ガスあるいは酸素を導入しなが
ら約１２００℃の高温かつ長時間にて処理することによ
）形成される。
従来、この拡散層の形成方法として石英製炉管をアルｉ
す管及び炭化ケイ素管等Ｏ均熱管に内挿した二重管炉体
構造の拡散炉構造を用いていた。しかしながら、ζＯ二
重管構造に於いて高温かつ長時間の熱□処理を行うため
石英管の寿命の低減及び上記均熱管に含有される重金属
及びアルカリ（例えば、Ｆ・１組ｇ Ｋ ｐ Ｃｍ ｅ
Ｍｇ＋Ｍｎ 、 Ｎａ等）め有害不純物によ〉半導体
装置への影響はさけられない、★え、これら有害不純物
によつてたまたま半導体装置内に結晶欠品欠陥の発生す
石原因と１に−）ていた。
す管及び炭化ケイ素管等Ｏ均熱管に内挿した二重管炉体
構造の拡散炉構造を用いていた。しかしながら、ζＯ二
重管構造に於いて高温かつ長時間の熱□処理を行うため
石英管の寿命の低減及び上記均熱管に含有される重金属
及びアルカリ（例えば、Ｆ・１組ｇ Ｋ ｐ Ｃｍ ｅ
Ｍｇ＋Ｍｎ 、 Ｎａ等）め有害不純物によ〉半導体
装置への影響はさけられない、★え、これら有害不純物
によつてたまたま半導体装置内に結晶欠品欠陥の発生す
石原因と１に−）ていた。
この発明は上記の点に―みてなされたもので、その目的
は炉管内への不純物汚染を完全に阻止することができる
半導体拡散層形成用炉管を提供するととＫある。
は炉管内への不純物汚染を完全に阻止することができる
半導体拡散層形成用炉管を提供するととＫある。
以下、図面を参照して仁の発明の一実施例を説明する。
第１図はこＯ発明に係る炉管の断面図である。図におい
て、１１は炭化ケイ素基材、１２は気相反応法によ〉形
成された一層目の炭化ケイ素被覆膜、１ｊは気相反応法
によシ形成された二層目の炭化ケイ素被覆膜である。つ
ｔシ、本発明においては従来の石英製炉管のかわＤＫ炭
化ケイ素炉管を用いている。しかして、炭化ケイ素炉管
製造において４リシリコンを含浸する工程があるが、こ
の発明ではこのポリシリコン含浸工程を除き、製造０Ｉ
ｌｋ終工Ｓに基材内表面部に高純度な気相反応法で得ら
れた炭化ケイ素膜層を数回繰シ返し被覆することによシ
炉管内への不純物汚染を完全に阻止し純度的に十分に満
足した拡散炉管を得ることができる。
て、１１は炭化ケイ素基材、１２は気相反応法によ〉形
成された一層目の炭化ケイ素被覆膜、１ｊは気相反応法
によシ形成された二層目の炭化ケイ素被覆膜である。つ
ｔシ、本発明においては従来の石英製炉管のかわＤＫ炭
化ケイ素炉管を用いている。しかして、炭化ケイ素炉管
製造において４リシリコンを含浸する工程があるが、こ
の発明ではこのポリシリコン含浸工程を除き、製造０Ｉ
ｌｋ終工Ｓに基材内表面部に高純度な気相反応法で得ら
れた炭化ケイ素膜層を数回繰シ返し被覆することによシ
炉管内への不純物汚染を完全に阻止し純度的に十分に満
足した拡散炉管を得ることができる。
つｔシ、この発明による拡散炉管の製造方法は高純度化
され九炭化ケイ素粉を重金属の除去及びウェット処理に
よシさらに純度を上げた後バインダーを用いて混合した
後ラバー・プレスで炉管の型を形成している。そして、
形成された炭化ケイ素体をケイ石粉とカー−／を用いて
約２０００℃で焼結して珪化体を形成する。こζで１１
ゝ【。
され九炭化ケイ素粉を重金属の除去及びウェット処理に
よシさらに純度を上げた後バインダーを用いて混合した
後ラバー・プレスで炉管の型を形成している。そして、
形成された炭化ケイ素体をケイ石粉とカー−／を用いて
約２０００℃で焼結して珪化体を形成する。こζで１１
ゝ【。
形成された珪化体はｆ−ラスであるためその後に従来は
珪化体後に／リシリコンの含浸を行ってい九。しかしな
がら、Ｉリシリプンの含浸工程において有害不純物の再
汚染が発生して炉管の純度を低減していた。この発明は
珪化体形成後にぼりシリコンの含浸を行わずにドライ及
びウニ、ト処理を行い最終工程に有機シラｙ系とＨｌと
の反応よ多発生する炭化ケイ素ガスを用いてＩ−ラスな
珪化体管の内表面に被覆し九後に炭化ケイ素膜表面をド
ライ処理によ〕洗浄する。
珪化体後に／リシリコンの含浸を行ってい九。しかしな
がら、Ｉリシリプンの含浸工程において有害不純物の再
汚染が発生して炉管の純度を低減していた。この発明は
珪化体形成後にぼりシリコンの含浸を行わずにドライ及
びウニ、ト処理を行い最終工程に有機シラｙ系とＨｌと
の反応よ多発生する炭化ケイ素ガスを用いてＩ−ラスな
珪化体管の内表面に被覆し九後に炭化ケイ素膜表面をド
ライ処理によ〕洗浄する。
次に、炭化ケイ素膜１２のピンホールを防ぐために再度
炭化ケイ素膜１３を被覆する。これは、炭化ケイ素を一
度に厚く形成すると炭化ケイ素は緻密であるため膜中に
導入された不純物が後のドライ処理で完全に除去できな
いためである。
炭化ケイ素膜１３を被覆する。これは、炭化ケイ素を一
度に厚く形成すると炭化ケイ素は緻密であるため膜中に
導入された不純物が後のドライ処理で完全に除去できな
いためである。
第２図はＭＯＳ Ｖａｒａｅｔｅｒ Ｋよル半導体装置
のバルク中少数キャリアのライフタイム回復特性をＨＣ
Ｌ Ａ−ジ経時変化で示している。図において、曲線１
は従来の炭化ケイ素炉管の特性、曲線すは炉管内表面部
に気相反応法による炭化ケイ素１１トド 被覆膜を一層形成した場合の特性図、曲線Ｃはこの発明
に係る炉管の特性図である。第２図から明らかな様にｍ
ｔｔｓｅで示されるこの発明に係る炉管はＨＣｔノ々−
ジ時間が短時間内にライフタイムが回復してお）、その
後も安定したライフタイムが保持できる。一方、曲ｌｌ
ｂの炉管はライフタイムの回復が非常に遅い。
のバルク中少数キャリアのライフタイム回復特性をＨＣ
Ｌ Ａ−ジ経時変化で示している。図において、曲線１
は従来の炭化ケイ素炉管の特性、曲線すは炉管内表面部
に気相反応法による炭化ケイ素１１トド 被覆膜を一層形成した場合の特性図、曲線Ｃはこの発明
に係る炉管の特性図である。第２図から明らかな様にｍ
ｔｔｓｅで示されるこの発明に係る炉管はＨＣｔノ々−
ジ時間が短時間内にライフタイムが回復してお）、その
後も安定したライフタイムが保持できる。一方、曲ｌｌ
ｂの炉管はライフタイムの回復が非常に遅い。
上記実施例によれば、拡散炉管は石英管との併用を必要
とせず、単一管として使用できる利点がある。また、炉
管の基材は高温に耐え長時間安定した使用が可能である
炭−化ケイ素を用いているため耐熱耐久性に優れている
。
とせず、単一管として使用できる利点がある。また、炉
管の基材は高温に耐え長時間安定した使用が可能である
炭−化ケイ素を用いているため耐熱耐久性に優れている
。
次に、この発明が半導体製造装置に応用された場合につ
いて説明する。従来の炉管への半導体装置の出し入れに
石英製の引き出し棒を用いている。しかしながら、石英
棒は純度的には十分満足したが、耐熱耐久性の点で不十
分で長時間の使用が不可能である。
いて説明する。従来の炉管への半導体装置の出し入れに
石英製の引き出し棒を用いている。しかしながら、石英
棒は純度的には十分満足したが、耐熱耐久性の点で不十
分で長時間の使用が不可能である。
しかして、第３図において２１は炭化ケイ素棒、２２は
気相反応法によって多重に形成され九炭化ケイ素被覆膜
である。このような構造を有する炭化ケイ素棒は高温か
つ長時間拡散での半導体装置の炉管内への出し入れに大
きな効果を上げる。
気相反応法によって多重に形成され九炭化ケイ素被覆膜
である。このような構造を有する炭化ケイ素棒は高温か
つ長時間拡散での半導体装置の炉管内への出し入れに大
きな効果を上げる。
つまシ、上記した応用例においては炭化ケイ素棒基材自
体からの汚染を完全に阻止し、かつ耐熱耐久性の高い引
き出し棒を提供することができる。
体からの汚染を完全に阻止し、かつ耐熱耐久性の高い引
き出し棒を提供することができる。
以上詳述したようにこの発明によれば、炉管内への不純
物汚染を完全に阻止することができる半導体拡散層形成
用炉管を提供することができる。。
物汚染を完全に阻止することができる半導体拡散層形成
用炉管を提供することができる。。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体拡散層形成用
炉管の断面図、第２図は同実施例の特性を示す図、第３
図はこの発明の応用例を示す半導体拡散層形成用炉管の
断面図である。 １１・・・炭化ケイ素基材、１２・−炭化ケイ素被覆膜
、Ｊｊ−・・炭化ケイ素被覆膜。
炉管の断面図、第２図は同実施例の特性を示す図、第３
図はこの発明の応用例を示す半導体拡散層形成用炉管の
断面図である。 １１・・・炭化ケイ素基材、１２・−炭化ケイ素被覆膜
、Ｊｊ−・・炭化ケイ素被覆膜。
Claims (1)
- 炭化ケイ素からなる炉管製造において、珪化後炉管基材
の内表面部に気相反応法によシ多層の炭化ケイ素層を２
５０Ｚクロ／以上被覆構成したことを特徴とする半導体
拡散層形成用炉管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18198081A JPS5884427A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体拡散層形成用炉管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18198081A JPS5884427A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体拡散層形成用炉管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884427A true JPS5884427A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16110214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18198081A Pending JPS5884427A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体拡散層形成用炉管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884427A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112131A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造用ｓｉｃ質セラミックス製品 |
| JPH0594957A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体用拡散炉部材 |
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
| JP2005159014A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 |
| JP2005197534A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114678A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Toshiba Ceramics Co | Diffusion cleaning jig for producing semiconductor |
| JPS5490966A (en) * | 1977-11-30 | 1979-07-19 | Toshiba Ceramics Co | Siliconncontained silicon carbide reactive tube |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP18198081A patent/JPS5884427A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114678A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Toshiba Ceramics Co | Diffusion cleaning jig for producing semiconductor |
| JPS5490966A (en) * | 1977-11-30 | 1979-07-19 | Toshiba Ceramics Co | Siliconncontained silicon carbide reactive tube |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112131A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造用ｓｉｃ質セラミックス製品 |
| JPH0594957A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体用拡散炉部材 |
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
| JP2005159014A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 |
| JP4529424B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2010-08-25 | 信越半導体株式会社 | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 |
| JP2005197534A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 |
| JP4608884B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2011-01-12 | 信越半導体株式会社 | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法 |
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