JP2012222157A - 基板処理装置、及び、太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、を具備し、反応管の基材は、ステンレス等の金属材料で形成される基板処理装置。
【選択図】図1
Description
基板をセレン化、又は、硫化する処理工程と、前記処理室内のセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを排気した後、前記複数の基板を搬出する搬出工程とを有する基板の製造方法、又は、CIS系太陽電池の製造方法が提供される。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明に係るセレン化処理を行う基板処理装置に組み込まれる処理炉10の側面断面図を示している。また、図2は、図1の紙面左側から見た処理炉の断面図を示している。
も良い。
次に、図1及び図2に示される処理炉10の他の実施形態を図6を用いて説明する。図6では、図1及び図2と同一の機能を有する部材には同一番号を付してある。また、ここ
では、第1の実施形態と相違する点について主に説明する。
(1)反応管100の基材101にステンレス等の金属材料を用いることにより、反応管100の大型化が容易となり、一度に処理できる基板の数を多くすることができる。
(2)上記(1)において、反応管100の基材101の上に、セレン化耐性の高いコーティング膜102を形成することにより、腐食性の高いセレン源を用いる処理を行うことができ、CIS系太陽電池の製造コストを下げることができる。
(3)上記(2)において、コーティング膜102をポーラス状に形成することにより、基材101とコーティング膜102の線膨張係数の違いに起因するコーティング膜の剥がれを抑制できる。
(4)上記(2)において、コーティング膜102と基材101との線膨張係数の偏差を20%以下、望ましくは、5%以下にすることにより、メンテナンス周期を大きくすることが可能となる。
(5)上記(1)から(4)のいずれかひとつにおいて、反応管100内には、複数のガラス基板20を保持するカセット410をガラス基板20の表面と平行な方向に並んで複数は位置することにより、一度に処理できるガラス基板の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを小さくすることができる。
(2)上記(1)において、前記反応管の前記処理室側の表面のうち、少なくとも前記セレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスに曝される表面は、前記金属材料よりも前記セレン元素含ガスに対する腐食耐性、又は、前記硫黄元素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料により形成されるコーティング膜を有する基板処理装置。
(3)上記(2)において、前記コーティング膜は、セラミックスを主成分とするコーティング膜、或いは、炭素を主成分とするコーティング膜である基板処理装置。
(5)上記(2)乃至(4)の何れか一つにおいて、前記コーティング膜は、ポーラス状の膜である基板処理装置。
(6)上記(2)乃至(5)の何れか一つにおいて、前記コーティング膜は、前記反応管の基材の金属材料との線膨張係数の偏差が20%以下である基板処理装置。
(7)上記(6)において、前記コーティング膜は、前記反応管の基材の金属材料との線膨張係数の偏差が5%以下である基板処理装置。
(8)上記(1)から(7)の何れか一つにおいて、前記反応管の基材の金属材料は、ステンレスである基板処理装置。
(9)上記(1)から(8)の何れか一つにおいて、前記カセットは、前記複数の基板の表面と平行方向に複数配置される基板処理装置。
(10)銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を金属材料でその基材が構成された反応管の内部に構成される処理室に収納する搬入工程と、前記処理室を加熱すると共に前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入し、前記複数の基板をセレン化、又は、硫化する処理工程と、前記処理室内のセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを排気した後、前記複数の基板を搬出する搬出工程とを有する基板の製造方法、又は、CIS系太陽電池の製造方法。
Claims (5)
- 銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、
前記処理室を構成するように形成される反応管と、
前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、を具備し、
前記反応管の基材は、金属材料で形成される基板処理装置。 - 請求項1において、
前記反応管の前記処理室側の表面のうち、少なくとも前記セレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスに曝される表面は、前記金属材料よりも前記セレン元素含ガスに対する腐食耐性、又は、前記硫黄元素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料により形成されるコーティング膜を有する基板処理装置。 - 請求項2において、
前記コーティング膜は、セラミックスを主成分とするコーティング膜、或いは、炭素を主成分とするコーティング膜である基板処理装置。 - 請求項2において、
前記コーティング膜は、ポーラス状の膜である基板処理装置。 - 銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を金属材料でその基材が構成された反応管の内部に構成される処理室に収納する搬入工程と、
前記処理室を加熱すると共に前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入し、前記複数の基板をセレン化、又は、硫化する処理工程と、
前記処理室内のセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを排気した後、前記複数の基板を搬出する搬出工程と、を有する太陽電池の製造方法。
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