JP2012204655A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012204655A5
JP2012204655A5 JP2011068514A JP2011068514A JP2012204655A5 JP 2012204655 A5 JP2012204655 A5 JP 2012204655A5 JP 2011068514 A JP2011068514 A JP 2011068514A JP 2011068514 A JP2011068514 A JP 2011068514A JP 2012204655 A5 JP2012204655 A5 JP 2012204655A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
gas
film forming
film
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011068514A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5725454B2 (ja
JP2012204655A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011068514A priority Critical patent/JP5725454B2/ja
Priority claimed from JP2011068514A external-priority patent/JP5725454B2/ja
Priority to US13/423,946 priority patent/US8815737B2/en
Priority to KR1020120029778A priority patent/KR101349993B1/ko
Publication of JP2012204655A publication Critical patent/JP2012204655A/ja
Publication of JP2012204655A5 publication Critical patent/JP2012204655A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5725454B2 publication Critical patent/JP5725454B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2011068514A 2011-03-25 2011-03-25 ＮｉＳｉ膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置 Active JP5725454B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011068514A JP5725454B2 (ja) 2011-03-25 2011-03-25 ＮｉＳｉ膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置
US13/423,946 US8815737B2 (en) 2011-03-25 2012-03-19 Method for forming NiSi film, method for forming silicide film, method for forming metal film for use in silicide-annealing, apparatus for vacuum processing and film-forming apparatus
KR1020120029778A KR101349993B1 (ko) 2011-03-25 2012-03-23 ＮｉＳｉ 막의 형성 방법, 실리사이드막의 형성 방법, 실리사이드 어닐용 금속막의 형성 방법, 진공 처리 장치, 및 성막 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011068514A JP5725454B2 (ja) 2011-03-25 2011-03-25 ＮｉＳｉ膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012204655A JP2012204655A (ja) 2012-10-22
JP2012204655A5 true JP2012204655A5 (enExample) 2014-03-06
JP5725454B2 JP5725454B2 (ja) 2015-05-27

Family

ID=46877695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011068514A Active JP5725454B2 (ja) 2011-03-25 2011-03-25 ＮｉＳｉ膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8815737B2 (enExample)
JP (1) JP5725454B2 (enExample)
KR (1) KR101349993B1 (enExample)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5826698B2 (ja) * 2011-04-13 2015-12-02 株式会社アルバック Ｎｉ膜の形成方法
US20140057399A1 (en) * 2012-08-24 2014-02-27 International Business Machines Corporation Using Fast Anneal to Form Uniform Ni(Pt)Si(Ge) Contacts on SiGe Layer
JP5770806B2 (ja) * 2013-10-02 2015-08-26 田中貴金属工業株式会社 化学蒸着法によるＳｉ基板上へのニッケル薄膜、及び、Ｓｉ基板上へのＮｉシリサイド薄膜の製造方法
JP6039616B2 (ja) * 2014-08-11 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 グラフェンの下地膜の生成方法、グラフェンの生成方法及びグラフェンの下地膜生成装置
US9607842B1 (en) * 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
US11028477B2 (en) 2015-10-23 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Bottom-up gap-fill by surface poisoning treatment
WO2017161236A1 (en) 2016-03-17 2017-09-21 Applied Materials, Inc. Methods for gapfill in high aspect ratio structures
CN107845681B (zh) * 2016-09-21 2020-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制作方法、电子装置
CN109778251B (zh) * 2019-03-29 2019-12-10 中国科学院上海应用物理研究所 一种复合涂层结构的制备方法以及由此得到的复合涂层结构
US11133178B2 (en) 2019-09-20 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Seamless gapfill with dielectric ALD films

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11195619A (ja) * 1998-01-06 1999-07-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2001203211A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 水素アニール処理方法及びその装置
US20090004850A1 (en) * 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
KR100449895B1 (ko) 2002-03-13 2004-09-22 광주과학기술원 수소 이온 주입을 이용한 열적으로 안정한 ＮｉＳｉ의제조방법
JP4437636B2 (ja) 2002-05-16 2010-03-24 株式会社トリケミカル研究所 膜形成方法
JP2007173743A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2007214269A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sony Corp 金属シリサイド形成方法および半導体装置の製造方法
TW200746268A (en) * 2006-04-11 2007-12-16 Applied Materials Inc Process for forming cobalt-containing materials
CN101523593B (zh) * 2006-09-29 2012-05-23 瑞萨电子株式会社 半导体装置制造方法以及半导体装置
JP5207615B2 (ja) * 2006-10-30 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および基板処理装置
JP2008311457A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5513767B2 (ja) 2008-06-25 2014-06-04 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置
US8574731B2 (en) * 2008-10-29 2013-11-05 Motorola Mobility Llc Device and method for augmenting the useful life of an energy storage device
JP2011066060A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Tokyo Electron Ltd 金属シリサイド膜の形成方法
JP5225957B2 (ja) * 2009-09-17 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および記憶媒体
JP4943536B2 (ja) * 2009-10-30 2012-05-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012204655A5 (enExample)
KR101349993B1 (ko) ＮｉＳｉ 막의 형성 방법, 실리사이드막의 형성 방법, 실리사이드 어닐용 금속막의 형성 방법, 진공 처리 장치, 및 성막 장치
JP6706903B2 (ja) タングステン膜の成膜方法
JP2017522718A5 (enExample)
TW202014547A (zh) 選擇性地形成膜之方法及系統
JP2009533879A5 (enExample)
US7699945B2 (en) Substrate treatment method and film forming method, film forming apparatus, and computer program
JP2015183224A (ja) 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20160002855A (ko) 성막 장치
TW200745367A (en) Gas manifold valve cluster
TW201610222A (zh) 半導體製造裝置及半導體的製造方法
KR20100014643A (ko) Ｃｖｄ 성막 장치
JP2015173226A (ja) 真空成膜装置及びこの装置を用いた成膜方法
JP2012184449A (ja) 金属薄膜の製膜方法、金属薄膜、および金属薄膜の製膜装置
TW202121510A (zh) ＲｕＳｉ膜之形成方法及基板處理系統
SG11201804356TA (en) Method For Producing A Semiconductor Wafer With Epitaxial Layer In A Deposition Chamber, Apparatus For Producing A Semiconductor Wafer With Epitaxial Layer, And Semiconductor Wafer With Epitaxial Layer
JP5517372B2 (ja) 真空処理装置
CN106057659B (zh) 气相生长方法
TWI521085B (zh) 氣相成長方法
TW201038765A (en) ALD reactor, method for loading ALD reactor, and production line
TW200729300A (en) Film-forming method and film-forming equipment
JP2012126976A (ja) 真空成膜装置及び成膜方法
CN105543806A (zh) 气相生长装置以及气相生长方法
JP6075611B2 (ja) 成膜装置
JP2009278086A5 (enExample)