JP2012204655A - NiSi膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Siを主組成とする基板上にNi膜を形成し、このNi膜を加熱処理することにより基板の上層にNiSi膜を形成する方法であって、NiSi膜を形成する加熱処理の前に、その加熱処理温度よりも低く、NiSi膜が形成されない温度で、H2ガスを用いてNi膜をプレアニールしてNi膜中の不純物を除去し、次いで得られたNi膜をシリサイドアニールする。シリサイド膜を形成する前にプレアニールするためのプレアニール用のH2ガスを導入する手段を備えた装置。
【選択図】図4
Description
12 原料容器 12a 液体原料
13、14、15、16 ガス導入径路
16a 径路 17 基板支持ステージ
18 シャワープレート 19 排気系
81 搬送室 82 ゲートバルブ
83 真空処理装置 84 プレアニール室
85 シリサイドアニール室 86 ロード/アンロード室
S 基板
Claims (14)
- Siを主組成とする基板上にNi膜を形成し、このNi膜を加熱処理することにより該基板の上層にNiSi膜を形成する方法であって、NiSi膜を形成する加熱処理の前に、その加熱処理温度よりも低く、NiSi膜が形成されない温度で、H2ガスを用いて前記Ni膜をプレアニールし、Ni膜中の不純物を除去し、次いで得られたNi膜をシリサイドアニールしてNiSi膜を形成することを特徴とするNiSi膜の形成方法。
- 請求項1において、Ni膜の形成原料として、ニッケルアルキルアミジネイトを用い、熱CVD法によりNi膜を形成することを特徴とするNiSi膜の形成方法。
- Siを主組成とする基板上に金属膜を形成し、この金属膜を加熱処理することにより該基板の上層にシリサイド膜を形成する方法であって、シリサイド膜を形成する加熱処理の前に、その加熱処理温度よりも低く、低抵抗のシリサイド膜が形成されない温度で、H2ガスを用いて前記金属膜をプレアニールし、金属膜中の不純物を除去し、次いで得られた金属膜をシリサイドアニールして低抵抗のシリサイド膜を形成することを特徴とするシリサイド膜の形成方法。
- 請求項3において、金属膜の形成原料として、ニッケルアルキルアミジネイト又はコバルトアルキルアミジネイトを用い、熱CVD法により金属膜を形成することを特徴とするシリサイド膜の形成方法。
- Siを主組成とする基板上に熱CVD法により金属膜を形成し、この金属膜に対してH2ガスを用いてプレアニールすることにより該金属膜中の金属膜形成用原料由来の不純物である窒素を除去することを特徴とするシリサイドアニール用金属膜の形成方法。
- 請求項5において、金属膜がNi膜又はCo膜であることを特徴とするシリサイドアニール用金属膜の形成方法。
- 請求項5又は6において、金属膜形成原料として、ニッケルアルキルアミジネイト又はコバルトアルキルアミジネイトを用いることを特徴とするシリサイドアニール用金属膜の形成方法。
- 請求項5〜7のいずれか1項において、H2ガスを用いるプレアニールを300〜400℃で行うことを特徴とするシリサイドアニール用金属膜の形成方法。
- 真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージとその上部に設けたシャワープレートとを備え、該成膜室に還元ガスを導入するためのガス導入径路とニッケルアルキルアミジネイトガスからなるNi膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路とが接続され、該Ni膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路には原料容器が設けられ、この原料容器には液体化した原料をバブリングによりガス化して該成膜室内へ導入するための不活性ガス導入径路が接続されてなる、Siを主組成とする基板上にシリサイド化を目的としたNi膜を形成するための真空処理装置であって、真空下に形成されるNi膜をシリサイドアニールして該基板の上層にNiSi膜を形成する前に行われるNi膜の膜質を改善するプレアニール用のH2ガスを供給するためのガス供給径路が該成膜室に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
- 真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージとその上部に設けたシャワープレートとを備え、該成膜室に還元ガスを導入するためのガス導入径路とニッケルアルキルアミジネイトガス又はコバルトアルキルアミジネイトガスからなる金属膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路とが接続され、該金属膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路には原料容器が設けられ、この原料容器には液体化した原料をバブリングによりガス化して該成膜室内へ導入するための不活性ガス導入径路が接続されてなる、Siを主組成とする基板上にシリサイド化を目的とした金属膜を形成するための真空処理装置であって、真空下に形成された金属膜をシリサイドアニールして該基板の上層にシリサイド膜を形成する前に行われる金属膜の膜質を改善するプレアニール用のH2ガスを供給するためのガス供給径路が該成膜室に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
- 請求項10において、成膜室が、さらに、プレアニールされた金属膜を真空のままシリサイド化を行うための加熱処理機構を備えていることを特徴とする真空処理装置。
- 請求項10又は11において、成膜室が、さらに、プレアニールを行うための加熱処理機構を備えていることを特徴とする真空処理装置。
- 真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージとその上部に設けたシャワープレートとを備え、該成膜室に還元ガスを導入するためのガス導入径路とニッケルアルキルアミジネイトガスからなるNi膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路とが接続され、該Ni膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路には原料容器が設けられ、この原料容器には液体化した原料をバブリングによりガス化して該成膜室内へ導入するための不活性ガス導入径路が接続されてなる、Siを主組成とする基板上にシリサイド化を目的としたNi膜を形成する真空処理装置と、真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージとその上部に設けたシャワープレートとを備え、該成膜室に、該真空処理装置により真空下に形成されたNi膜の膜質を改善するプレアニール用のH2ガスを供給するためのガス供給径路が設けられているプレアニール室と、真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージを備え、該成膜室に、該プレアニール室において真空下に形成されたNi膜の膜質を改善するプレアニールを行ったNi膜を真空下NiSi化するためのシリサイドアニール室と、該基板のロード/アンロード室とを多角形の搬送室の周囲にゲートバルブを介して接続してなり、該ロード/アンロード室から搬送された該基板を処理するために、該搬送室を介して、該真空処理装置内、該プレアニール室内、及びシリサイドアニール室内へ基板を順次搬送・搬出できるように構成されてなることを特徴とする成膜装置。
- 真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージとその上部に設けたシャワープレートとを備え、該成膜室に還元ガスを導入するためのガス導入径路とニッケルアルキルアミジネイトガス又はコバルトアルキルアミジネイトガスからなる金属膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路とが接続され、該金属膜形成用原料ガスを導入するためのガス導入径路には原料容器が設けられ、この原料容器には液体化した原料をバブリングによりガス化して該成膜室内へ導入するための不活性ガス導入径路が接続されてなる、Siを主組成とする基板上にシリサイド化を目的とした金属膜を形成する真空処理装置と、真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージとその上部に設けたシャワープレートとを備え、該成膜室に、該真空処理装置により真空下に形成された金属膜の膜質を改善するプレアニール用のH2ガスを供給するためのガス供給径路が設けられているプレアニール室と、真空排気系を備えた成膜室を有し、該成膜室内の下部に設置した加熱手段を備えた基板支持ステージを備え、該成膜室に、該プレアニール室において真空下に形成された金属膜の膜質を改善するプレアニールを行った金属膜を真空下シリサイド化するためのシリサイドアニール室と、該基板のロード/アンロード室とを多角形の搬送室の周囲にゲートバルブを介して接続してなり、該ロード/アンロード室から搬送された該基板を処理するために、該搬送室を介して、該真空処理装置内、該プレアニール室内、及びシリサイドアニール室内へ基板を順次搬送・搬出できるように構成されてなることを特徴とする成膜装置。
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