JP2012146695A - 炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 212
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 255
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 237
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 107
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100460147 Sarcophaga bullata NEMS gene Proteins 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】支持基板1として、単結晶SiCと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層3を形成する工程および半導体素子の構成要素4〜10、14〜17を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、接合工程では、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合する。このような製造方法では、支持基板1と単結晶SiC基板11とを半導体素子の動作温度以下の温度で接合しているため、支持基板1と単結晶SiC基板11との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、SiC半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、SiC半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態におけるSiC半導体装置の断面構成を示す図である。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、第1実施形態に対して縦型電流駆動用の半導体素子が形成されたものでり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図4は、本実施形態におけるSiC半導体装置の断面構成を示す図であり、(a)はゲートがOFFの状態を示す図、(b)はゲートがONの状態を示す図である。
上記第2実施形態では、n+型SiC層2の上にn−型ドリフト層3を形成したSiC半導体装置について説明したが、p+型SiC層の上にn−型ドリフト層を形成したSiC半導体装置を上記のような製造方法によって製造することもできる。また、上記第1実施形態ではpチャネルタイプのSiC半導体装置を例に挙げて説明し、上記第2実施形態ではnチャネルタイプのSiC半導体装置を例に挙げて説明したが、各部の導電型を逆にしたチャネルタイプのSiC半導体装置とすることもできる。
2 n+型SiC層
3 n−型ドリフト層
4 P+型ソース領域
5 P+型ドレイン領域
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 層間絶縁膜
9 ソース電極
10 ドレイン電極
14 p+型ベース領域
15 n+型ソース領域
16 n型表面層
17 表面チャネル層
Claims (10)
- 単結晶炭化珪素基板(11)を用意し、前記単結晶炭化珪素基板(11)の主表面から水素イオンを注入して水素イオン注入層(13)を形成する水素イオン注入層形成工程と、
前記単結晶炭化珪素基板(11)の主表面に支持基板(1)を接合する接合工程と、
熱処理することにより、前記水素イオン注入層(13)で前記単結晶炭化珪素基板(11)を剥離し、前記単結晶炭化珪素基板(11)の一部によって構成される単結晶炭化珪素層(2)を前記支持基板(1)上に備えた構造とする剥離工程と、
前記単結晶炭化珪素層(2)上に、炭化珪素をエピタキシャル成長させて活性層(3)を形成する工程と、
半導体素子の構成要素(4〜10、14〜17)を形成する工程と、を含み、
前記支持基板(1)として、単結晶炭化珪素と異なる材料を用いて構成され、かつ前記活性層(3)を形成する工程および前記半導体素子の構成要素(4〜10、14〜17)を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、
前記接合工程では、前記半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記剥離工程は、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記接合工程は、200℃以下の温度で行い、
前記剥離工程は、750℃以上の温度で行うことを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記支持基板(1)として、多結晶または非晶質炭化珪素、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて構成されたものを用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記支持基板(1)として、炭化珪素からなる粉末を焼結することにより構成された多結晶炭化珪素を用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子の構成要素(4〜10、14〜17)を形成する工程では、縦型電流駆動用の構成要素(6〜10、14〜17)を形成し、
前記支持基板(1)として、単結晶炭化珪素よりも比抵抗の低いものを用いることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法に使用される炭化珪素半導体基板の製造方法であって、
前記水素イオン注入層形成工程と、前記接合工程と、前記剥離工程と、前記活性層(3)を形成する工程と、を行うことを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 支持基板(1)と、
前記支持基板(1)の表面に接合されることにより前記支持基板(1)と一体化された単結晶炭化珪素層(2)と、
前記単結晶炭化珪素層(2)を挟んで前記支持基板(1)と反対側に炭化珪素がエピタキシャル成長されて形成された活性層(3)と、
熱処理を含む工程を行うことにより形成された半導体素子の構成要素(4〜10、14〜17)と、を有し、
前記支持基板(1)は、単結晶炭化珪素と異なる材料を用いて構成され、かつ前記活性層(3)が形成されるときの温度および前記半導体素子の構成要素(4〜10、14〜17)が形成されるときの温度以上の耐熱性を有しており、
前記支持基板(1)と前記単結晶炭化珪素層(2)とは前記半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記半導体素子の構成要素(4〜10、14〜17)は、縦型電流駆動用の構成要素(6〜10、14〜17)であり、
前記支持基板(1)は、単結晶炭化珪素よりも比抵抗の低い材料で構成されていると共に電流経路となっていることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置。 - 請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置に使用される炭化珪素半導体基板であって、
前記支持基板(1)と、前記単結晶炭化珪素層(2)と、前記活性層(3)とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011001363A JP5840366B2 (ja) | 2011-01-06 | 2011-01-06 | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012146695A true JP2012146695A (ja) | 2012-08-02 |
JP5840366B2 JP5840366B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011001363A Active JP5840366B2 (ja) | 2011-01-06 | 2011-01-06 | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5840366B2 (ja) |
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JP2019201205A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフトInfineon Technologies AG | ワイドバンドギャップ半導体ウェハを処理する方法、複数の薄膜ワイドバンドギャップ半導体ウェハを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体ウェハ |
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JP7292573B2 (ja) | 2018-12-07 | 2023-06-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化珪素多結晶基板およびその製造方法 |
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JP5840366B2 (ja) | 2016-01-06 |
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