JP2012074443A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、最上層配線と、前記最上層配線を覆う絶縁層とを含む配線基板であって、前記最上層配線は、平面形状が認識マークの所望の形状となるように形成され、上面の全てが前記絶縁層から露出されることで前記認識マークとなる第１の配線層を有し、前記絶縁層は、前記第１の配線層の上面を全て露出させるための凹部を有し、前記認識マークの周囲が前記絶縁層によって覆われており、前記凹部の底面には、前記認識マークの端部から前記凹部の側壁部に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されている。

本発明の一観点によれば、絶縁層から露出される認識マークを有する配線基板の製造方法であって、平面形状が前記認識マークの所望の形状となるように第１の配線層を形成する配線層形成工程と、前記第１の配線層を覆う前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記第１の配線層に対向する領域であって、前記第１の配線層の平面形状よりも大きい領域の前記絶縁層を薄化することにより、前記絶縁層に凹部を形成するとともに、前記第１の配線層の上面の全てを前記絶縁層から露出して前記認識マークを形成する薄化工程とを含み、前記薄化工程では、前記凹部の底面に、前記認識マークの端部から前記凹部の側壁部に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されるように、前記絶縁層を薄化する。

Claims (9)

1. 最上層配線と、前記最上層配線を覆う絶縁層とを含む配線基板であって、
   前記最上層配線は、平面形状が認識マークの所望の形状となるように形成され、上面の全てが前記絶縁層から露出されることで前記認識マークとなる第１の配線層を有し、
   前記絶縁層は、前記第１の配線層の上面を全て露出させるための凹部を有し、
   前記認識マークの周囲が前記絶縁層によって覆われており、
   前記凹部の底面には、前記認識マークの端部から前記凹部の側壁部に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記凹部の底面の表面粗度は、前記認識マークの表面粗度よりも高く、前記凹部の縁部の表面粗度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記最上層配線は、少なくとも一部がパッドとして前記第１の絶縁層から露出される第２の配線層を含み、
   前記第１の配線層と前記第２の配線層とは同じ厚さで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記凹部は、その側壁部が傾斜面となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の配線基板を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 絶縁層から露出される認識マークを有する配線基板の製造方法であって、
   平面形状が前記認識マークの所望の形状となるように第１の配線層を形成する配線層形成工程と、
   前記第１の配線層を覆う前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記第１の配線層に対向する領域であって、前記第１の配線層の平面形状よりも大きい領域の前記絶縁層を薄化することにより、前記絶縁層に凹部を形成するとともに、前記第１の配線層の上面の全てを前記絶縁層から露出して前記認識マークを形成する薄化工程とを含み、
   前記薄化工程では、前記凹部の底面に、前記認識マークの端部から前記凹部の側壁部に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されるように、前記絶縁層を薄化することを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記認識マークをエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記薄化工程は、
   前記絶縁層の上に、前記凹部に対応する領域を開口する開口部を有するマスクを形成する工程と、
   前記マスクの開口部を通じて前記絶縁層にサンドブラスト処理を施すブラスト工程と、を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記配線層形成工程では、前記第１の配線層と同じ厚さの第２の配線層を形成し、
   前記絶縁層形成工程では、前記第１の配線層と前記第２の配線層とを覆うように前記絶縁層を形成し、
   前記薄化工程では、前記認識マークを形成するとともに、前記第２の配線層に対向する領域の前記絶縁層を薄化することにより、前記第２の絶縁層の少なくとも一部を前記絶縁層から露出してパッドを形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。