JP2012074443A - 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線基板2は、平面形状が認識マーク21aの所望の形状となる配線パターン21と、この配線パターン21を覆うソルダレジスト層30を含む。ソルダレジスト層30には、配線パターン21の上面の全てを露出させるための凹部30bが形成されている。また、ソルダレジスト層30は、凹部30bに対応する領域に形成されたソルダレジスト層31と、凹部30b以外の領域に形成されたソルダレジスト層32とを含む。そして、凹部30bでは、配線パターン21の上面の全てが認識マーク21aとして露出されるとともに、認識マーク21a以外の部分にはソルダレジスト層31が形成されている。
【選択図】図1
Description
(第1実施形態)
以下、第1実施形態を図1〜図6に従って説明する。なお、本実施形態において、先の図12〜図15で示した従来と同様な構成部分については同一符号を付して説明する。
図1(b)に示すように、配線基板2は、基板本体10と、最上層の配線パターン20,21(最上層配線)と、最下層の配線パターン22と、ソルダレジスト層30,33とを有する。なお、この配線基板2に実装される半導体チップ3は、その回路形成面(図1(b)において下面)に、マトリクス状に配設された複数のバンプ3aを備えている。
まず、配線基板2の製造方法について説明する。図3〜図5(b)に示す配線基板2の製造方法では、図3(a)に示すコア基板11を用いる。なお、このコア基板11は、例えば銅張積層板(Copper Clad Laminated:CCL)にスルーホール10aを形成し、スルーホール10aの側面にめっきを施すことで両面を導通させた後、サブトラクティブ法により配線14,15を形成することによって製造される。
次に、図4(c)に示すように、基板本体10の上面側に形成された配線パターン20,21を覆うようにソルダレジスト層30を形成するとともに(絶縁層形成工程)、基板本体の下面側に形成された配線パターン22を覆うようにソルダレジスト層33を形成する。これらソルダレジスト層30,33は、液状レジストを用いる場合には、スクリーン印刷法、スプレーコート法やロールコート法などの方法により形成することができる。また、フィルム状のソルダレジストを基板本体10の上面及び下面にラミネートすることで、上記ソルダレジスト層30,33を形成することもできる。なお、このときのソルダレジスト層30,33の厚さは、例えば25μmとすることができる。また、配線パターン20,21の材料として銅を用いた場合には、配線パターン20,21の厚さは、例えば15μmとすることができる。
(1)ソルダレジスト層30から上面の全てが露出されることで認識マーク21aとなる配線パターン21と、その配線パターン21の上面を全て露出させるための凹部30bを有するソルダレジスト層30とを形成するようにした。これにより、ソルダレジスト層30から露出される配線パターン21の上面の形状(平面形状)が認識マーク21aの形状となる。ここで、配線パターン21は、その所望の平面形状が鋭角や直角な角を有する形状であっても、フォトリソグラフィ法などによってその所望の平面形状に容易に形成することができる。したがって、このような配線パターン21の上面が全て露出されれば、ブラスト法によって凹部30bが所望の形状(四角形状)に形成できない場合、つまり凹部30bの四隅が丸まった形状になった場合であっても、認識マーク21aを所望の形状に形成することができる。この結果、認識マーク21aの認識性が低下することを抑制することができる。
以下、第2実施形態を図7及び図8に従って説明する。なお、先の図1〜図6に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図8(a)〜(c)に示すように、配線基板6は、基板本体50と、最上層の配線パターン60,61(最上層配線)と、最下層の配線パターン62と、ソルダレジスト層70,75とを有する。なお、この配線基板6に実装される半導体チップ7は、その回路形成面(図8において下面)に、ペリフェラル状(チップ外周に沿った環状の形態)に配設された複数のバンプ7aを備えている(破線参照)。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
2,6 配線基板
3,7 半導体チップ
20,60 配線パターン(第2の配線層)
21,61 配線パターン(第1の配線層)
21a,61a 認識マーク
30,70 ソルダレジスト層(絶縁層)
31,72 ソルダレジスト層
32,73 ソルダレジスト層
30b,70b 凹部
A1 凹部の底面
A2 凹部の縁部
A3 凹部の側壁部
Claims (10)
- 最上層配線と、前記最上層配線を覆う絶縁層とを含む配線基板であって、
前記最上層配線は、平面形状が認識マークの所望の形状となるように形成され、上面の全てが前記絶縁層から露出されることで前記認識マークとなる第1の配線層を有し、
前記絶縁層は、前記第1の配線層の上面を全て露出させるための凹部を有し、
前記認識マークの周囲が前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする配線基板。 - 前記凹部の底面の表面粗度は、前記認識マークの表面粗度よりも高く、前記凹部の縁部の表面粗度よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記凹部の底面には、前記認識マークの端部から前記凹部の側壁部に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板。
- 前記最上層配線は、少なくとも一部がパッドとして前記第1の絶縁層から露出される第2の配線層を含み、
前記第1の配線層と前記第2の配線層とは同じ厚さで形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の配線基板。 - 前記凹部は、その側壁部が傾斜面となっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の配線基板。
- 請求項1〜5のいずれか1つに記載の配線基板を含むことを特徴とする半導体装置。
- 絶縁層から露出される認識マークを有する配線基板の製造方法であって、
平面形状が前記認識マークの所望の形状となるように第1の配線層を形成する配線層形成工程と、
前記第1の配線層を覆う前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記第1の配線層に対向する領域であって、前記第1の配線層の平面形状よりも大きい領域の前記絶縁層を薄化することにより、前記絶縁層に凹部を形成するとともに、前記第1の配線層の上面の全てを前記絶縁層から露出して前記認識マークを形成する薄化工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記認識マークをエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の配線基板の製造方法。
- 前記薄化工程は、
前記絶縁層の上に、前記凹部に対応する領域を開口する開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口部を通じて前記絶縁層にサンドブラスト処理を施すブラスト工程と、を含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の配線基板の製造方法。 - 前記配線層形成工程では、前記第1の配線層と同じ厚さの第2の配線層を形成し、
前記絶縁層形成工程では、前記第1の配線層と前記第2の配線層とを覆うように前記絶縁層を形成し、
前記薄化工程では、前記認識マークを形成するとともに、前記第2の配線層に対向する領域の前記絶縁層を薄化することにより、前記第2の絶縁層の少なくとも一部を前記絶縁層から露出してパッドを形成することを特徴とする請求項7〜9のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
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