JP2011119502A - 半導体パッケージとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体パッケージの製造方法は、半導体チップが埋設された封止樹脂層を有する半導体パッケージの製造方法であって、支持基板2上に、パッド形成面4aを上向きにして半導体チップ4を配置する工程と、前記半導体チップ4が覆われるように、前記支持基板2上に封止樹脂層6を形成する工程と、前記半導体チップ4のパッド5の上面5aが表出するまで、前記封止樹脂層6の上部を研磨する工程と、を備える。
【選択図】図10
Description
当該半導体パッケージの製造方法は、先ず、図11に示すように、厚さ0.2〜0.5[mm]程度の銅(Cu)板を用いて形成された支持基板102上に、ロールラミネート法等により樹脂材料(例えば、エポキシ樹脂等)からなるシート状の固定用材料103を設ける工程を実施する。
また、配線層および絶縁層の形成工程後まで支持基板が除去されないため、製造過程における半導体パッケージに反り、うねりが発生することを防止もしくは低減できる。
また、非常に薄い半導体パッケージの製造が可能となる。
その他にも、固定用材料3として、熱剥離性接着剤(例えば、接着剤中に所定温度の加熱により膨張する発泡剤が含有されたもの)を使用しても良い(効果については後述)。
電子部品(半導体チップ)4は、アクティブ面(パッド形成面)4aに、ビア等(詳細は後述)と電気的な接続を行うためのパッド5が設けられている。また、一例として、パッド5は、半導体チップ4の回路に接続された平坦なアルミパッド上に、銅(Cu)を用いて形成される。
一例として、半導体チップ4の形状は、例えば、厚さ75〜500[μm]程度(本実施形態では、375[μm]程度)、外形12[mm]×12[mm]程度である。また、パッド5の形状は、直径110[μm]程度、高さ10〜30[μm]程度(本実施形態では、25[μm]程度)の円柱形状である。
また、本実施形態においては、モールド樹脂には、フィラー(例えば、二酸化ケイ素)が含有された樹脂材料(本実施形態では、エポキシ樹脂)が用いられる。例えば、フィラー含有率は、50〜80[wt%]程度である。また、キュアを行う際の例として、大気中において、温度200[℃]程度、時間60[分]程度の条件下で行われる。
なお、絶縁層(封止樹脂層)6を形成する方法としては、トランスファーモールドや、インジェクションモールド、ポッティング等の各種方法を用いることができる。
このとき、絶縁層6の上面(研磨面)とパッド5の上面5aとが、略同一の平坦面(面一)に形成されると、後工程において、精度良く配線層11および絶縁層12を積層できるため好適である。
なお、上記研磨工程の後に、さらに、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法もしくはエッチング法によって、パッド5の上面5aを平滑にする工程を追加しても良い。
先ず、図5に示すように、絶縁層6の上に、スクリーン印刷法、樹脂フィルムのラミネート、もしくは塗布法等により、エポキシやポリイミド等の感光性樹脂材料よりなる絶縁層12を形成する。次に、この絶縁層12に対してマスクパターン(不図示)を介して光線を照射し露光・現像させることでパターニングを行い、当該絶縁層12におけるビア11aの形成予定位置(ここでは、図5に示すように、パッド5の上方位置等)に、パッド5の上面5aが底面に露出するように開口部11cを形成する。次に、キュアを行い、絶縁層12を硬化させる。
なお、他の方法として、非感光性のエポキシやポリイミド等の絶縁樹脂により絶縁層12を形成し、レーザ加工によりビア11a用の開口部11cを形成しても良い(後述の絶縁層14およびビア13aに関しても同様)。
次いで、シード層からの給電により電解銅めっきを施し、めっきレジストパターンから露出するシード層上に銅めっきを析出させる。この際、ビア用の開口部内を銅めっきで充填する。
次いで、めっきレジストの除去と、めっきレジスト除去により露出した部分のシード層の除去を行い、ビア11aと配線パターン11bからなる配線層11を形成する。
なお、上記の方法(セミアディティブ法)に代えて、サブトラクティブ法等、他の方法で配線層11を形成しても良い。
ここで、一例として、配線層13以降を形成する工程は、配線層11を形成する工程と同様であり、絶縁層14以降を形成する工程は、絶縁層12を形成する工程と同様である。なお、本実施形態では、配線パターン13bは、厚さ10[μm]程度であり、絶縁層14は、厚さ10[μm]程度である。
ここで、配線層13に設けた外部接続用のパッドは、当該パッドにはんだボールやリードピンを接続して外部接続端子としても良く、あるいは、当該パッド自体を外部接続端子としても良い。
一例として、エポキシ樹脂を用いて形成された固定用材料3を除去する工程は研磨(研削、研磨、CMP等)によって行われる。ちなみに、固定用材料3は、モールド樹脂と比較すれば、極めて研磨が容易である。
なお、本実施形態においては、実際は、支持基板2上に複数の半導体チップ4を搭載して、上記工程を実施し、支持基板2および固定用材料3を除去後、少なくとも一つの半導体チップ4を含むように絶縁層6、12、14、・・・、およびソルダーレジスト膜16を切断して、一度に複数個の半導体パッケージ1を得ている。
一例として、半導体パッケージ1は、平面形状が矩形の基板状(平板状)であり、その寸法は、幅15[mm]×奥行き15[mm]×厚さ0.44[mm]程度である。
また、半導体パッケージ1は、全ての配線層11、13、・・・、絶縁層12、14、・・・、およびソルダーレジスト膜16を合わせた厚さが、絶縁層(封止樹脂層)6と比較して、非常に薄い形状を有している。
さらに、固定用材料の除去も可能であるため、半導体パッケージのより一層の薄型化が可能となる。
2、102 支持基板
3、103 固定用材料
4、104 電子部品(半導体チップ)
5、105 パッド
6、12、14、106、112、114 絶縁層
11、13、111、113 配線層
11a、13a、111a、113a ビア
11b、13b、111b、113b 配線パターン
16、116 ソルダーレジスト膜
Claims (10)
- 半導体チップが埋設された封止樹脂層を有する半導体パッケージの製造方法であって、
支持基板上に、パッド形成面を上向きにして半導体チップを配置する工程と、
前記半導体チップが覆われるように、前記支持基板上に封止樹脂層を形成する工程と、
前記半導体チップのパッドの上面が表出するまで、前記封止樹脂層の上部を研磨する工程と、を備えること
を特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 前記封止樹脂層の上部を研磨する工程の後に、前記封止樹脂層の上に、層間接続を行うビアと配線パターンとにより構成される配線層と絶縁層とを順次積層形成する工程を備えること
を特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記配線層と絶縁層とを順次積層形成する工程の後に、前記支持基板を除去する工程を備えること
を特徴とする請求項2記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記支持基板は金属を用いて形成され、前記支持基板を除去する工程はエッチングによって行われること
を特徴とする請求項3記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記支持基板上に、固定用材料を介して半導体チップが配置され、
前記支持基板を除去する工程の後に、前記固定用材料を除去する工程を備えること
を特徴とする請求項3または請求項4記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記固定用材料は樹脂を用いて形成され、前記固定用材料を除去する工程は研磨によって行われること
を特徴とする請求項5記載の半導体パッケージの製造方法。 - 半導体チップのパッド形成面と側面周囲が、封止樹脂層で被覆され、
前記封止樹脂層の一方の面に、前記半導体チップのパッドの上面が露出し、
前記封止樹脂層の一方の面上に、絶縁層を介して、前記パッドと接続された配線層が形成されていること
を特徴とする半導体パッケージ。 - 前記封止樹脂層が基板状に形成され、該封止樹脂層上に複数の絶縁層と配線層が膜状に積層されていること
を特徴とする請求項7記載の半導体パッケージ。 - 前記パッドの上面と前記封止樹脂層の一方の面とが同一の平坦面に形成されていること
を特徴とする請求項7または請求項8記載の半導体パッケージ。 - 前記半導体チップの背面が、前記封止樹脂層の他方の面側に露出していること
を特徴とする請求項7〜9のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
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