JP2012069231A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. メモリセルアレイと、
   ロウデコーダと、
   カラムデコーダと、
   ロウアドレスラッチと、
   カラムアドレスラッチと、を有し、
   前記ロウデコーダは、ロウアドレス信号に応じて前記メモリセルアレイの特定行を選択する機能を有し、
   前記カラムデコーダは、カラムアドレス信号に応じて前記メモリセルアレイの特定列を選択する機能を有し、
   前記ロウアドレスラッチは、前記ロウアドレス信号を保持する機能を有し、
   前記ロウアドレスラッチは、前記ロウアドレス信号を前記ロウデコーダに出力する機能を有し、
   前記カラムアドレスラッチは、前記カラムアドレス信号を保持する機能を有し、
   前記カラムアドレスラッチは、前記カラムアドレス信号を前記カラムデコーダに出力する機能を有し、
   前記メモリセルアレイは、メモリセルを有し、
   前記メモリセルは、第１のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのチャネル領域は、酸化物半導体を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されたノードを有し、
   前記ノードにおいてデータの保持を行うことができ、
   前記ロウアドレス信号の供給及び前記カラムアドレス信号の供給は、共通の配線を介して行われることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記メモリセルに保持されたデータは、多値化されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記ロウアドレスラッチ及び前記カラムアドレスラッチの少なくとも一方は、第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   前記酸化物半導体は、表面に垂直な方向に沿うようＣ軸配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。