JP2012004544A - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】空隙部への水分の侵入を防止するため、セラミック電子部品1の少なくとも部品本体2に、撥水処理剤を用いて撥水性を付与する。このとき、超臨界CO2流体のような超臨界流体を溶媒として溶解した撥水処理剤を用いて、少なくとも部品本体2に撥水性を付与する。好ましくは、撥水性を付与した後、部品本体2の外表面上にある撥水処理剤を除去する。撥水処理剤としては、シランカップリング剤、シリコーン系化合物またはフッ素系化合物が好適に用いられる。
【選択図】図1
Description
実験例1では、簡単に言えば、外部端子電極の形成の途中、すなわち、導電性ペーストの焼付けによる厚膜を形成した後、めっき処理を施す前に撥水性付与工程を実施した。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料7〜9間で比較すると、撥水能の高いシランカップリング剤を用いると、めっき膜形成状態不良が発生し、撥水能の低いシランカップリング剤を用いると、耐湿負荷試験不良が発生した。このことから、撥水処理において通常浸漬を採用した試料7〜9では、めっき膜形成状態と耐湿負荷試験との両立が難しいことがわかった。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料10〜12では、撥水処理剤の除去処理によって、表面の撥水能が低下し、耐湿負荷試験不良が発生した。
実験例2では、簡単に言えば、外部端子電極の形成後、すなわち、めっき処理を施した後に撥水性付与工程を実施した。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料27〜29間で比較すると、撥水能の高いシランカップリング剤を用いると、はんだ付け性不良が発生し、撥水能の低いシランカップリング剤を用いると、耐湿負荷試験不良が発生した。このことから、撥水処理において通常浸漬を採用した試料27〜29では、はんだ付け性と耐湿負荷試験との両立が難しいことがわかった。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料30〜32では、撥水処理剤の除去処理によって、表面の撥水能が低下し、耐湿負荷試験不良が発生した。
実験例3では、簡単に言えば、外部端子電極の形成前に撥水性付与工程を実施した。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料47〜49間で比較すると、撥水能の高いシランカップリング剤を用いると、外部端子電極形成状態不良が発生した。また、試料47〜49のすべてで、耐湿負荷試験不良が発生した。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料50〜52では、撥水処理剤の除去処理によって、表面の撥水能が低下し、耐湿負荷試験不良が発生した。
実験例4では、簡単に言えば、実験例3の場合と同様、外部端子電極の形成前に撥水性付与工程を実施したが、実験例3における、外部端子電極の第1の電極層として導電性樹脂電極層を形成する工程に代えて、Cu電解めっき工程を実施した。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料67〜69間で比較すると、撥水能の高いシランカップリング剤を用いると、外部端子電極形成状態不良が発生した。また、試料67〜69のすべてで、耐湿負荷試験不良が発生した。
撥水処理において通常浸漬を採用した試料70〜72では、撥水処理剤の除去処理によって、表面の撥水能が低下し、耐湿負荷試験不良が発生した。
実験例5では、簡単に言えば、実験例1の場合と同様、外部端子電極の形成の途中、すなわち、導電性ペーストの焼付けによる厚膜を形成した後、めっき処理を施す前に撥水性付与工程を実施したが、撥水処理剤として、実験例1の場合とは異なり、シリコーン系化合物を用いた。
撥水処理において超臨界状態を採用した試料81と通常浸漬を採用した試料83とに注目すると、両者とも耐湿負荷試験不良が発生しなかった。
撥水処理において超臨界状態を採用した試料82と通常浸漬を採用した試料84とに注目すると、両者ともめっき膜形成状態不良が発生しなかった。
実験例6では、簡単に言えば、実験例1および5の場合と同様、外部端子電極の形成の途中、すなわち、導電性ペーストの焼付けによる厚膜を形成した後、めっき処理を施す前に撥水性付与工程を実施したが、撥水処理剤として、実験例1および5の場合とは異なり、フッ素系化合物を用いた。
撥水処理において超臨界状態を採用した試料91と通常浸漬を採用した試料93とに注目すると、両者とも耐湿負荷試験不良が発生しなかった。
撥水処理において超臨界状態を採用した試料92と通常浸漬を採用した試料94とに注目すると、両者ともめっき膜形成状態不良が発生しなかった。
2 部品本体
3,4 内部電極
5 セラミック層
6,7 端面
8,9 外部端子電極
10 第1の電極層
11 第2の電極層
12 第3の電極層
Claims (9)
- セラミックをもって構成される部品本体を用意する工程と、
前記部品本体の外表面上に外部端子電極を形成する工程と、
撥水処理剤を用いて少なくとも前記部品本体に撥水性を付与する工程と
を備える、セラミック電子部品の製造方法であって、
前記撥水性を付与する工程は、超臨界流体を溶媒として溶解した撥水処理剤を用いて少なくとも前記部品本体に撥水性を付与する工程を含むことを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。 - 前記撥水性を付与する工程の後、少なくとも前記部品本体の外表面上にある前記撥水処理剤を除去する工程をさらに備える、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記外部端子電極を形成する工程は、めっき膜を形成する工程を含み、前記めっき膜を形成する工程は、前記撥水性を付与する工程の後に実施される、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記撥水性を付与する工程の後であって、前記めっき膜を形成する工程の前に、少なくとも前記めっき膜を形成すべき面上にある前記撥水処理剤を除去する工程をさらに備える、請求項3に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記撥水性を付与する工程は、前記外部端子電極を形成する工程の前に実施される、請求項1ないし4のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記部品本体は、積層された複数のセラミック層と前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極とを備えるとともに、前記内部電極の各一部が露出している、積層構造を有し、
前記外部端子電極を形成する工程は、前記内部電極と電気的に接続されるように前記外部端子電極を前記部品本体の外表面上に形成する工程を含む、
請求項1ないし5のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記撥水処理剤はシランカップリング剤を含む、請求項1ないし6のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記撥水処理剤はシリコーン系化合物を含む、請求項1ないし6のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記撥水処理剤はフッ素系化合物を含む、請求項1ないし6のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
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