CN114249897A - 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用 - Google Patents

一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用 Download PDF

Info

Publication number
CN114249897A
CN114249897A CN202011020069.2A CN202011020069A CN114249897A CN 114249897 A CN114249897 A CN 114249897A CN 202011020069 A CN202011020069 A CN 202011020069A CN 114249897 A CN114249897 A CN 114249897A
Authority
CN
China
Prior art keywords
treatment
impregnation
chip component
treatment process
surface treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011020069.2A
Other languages
English (en)
Inventor
徐立阳
王家俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Hongxinshun Electronic Materials Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Hongxinshun Electronic Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Hongxinshun Electronic Materials Co ltd filed Critical Shenzhen Hongxinshun Electronic Materials Co ltd
Priority to CN202011020069.2A priority Critical patent/CN114249897A/zh
Publication of CN114249897A publication Critical patent/CN114249897A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/002—Pretreatement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/007—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0493—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases using vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用。所属含浸液的填充效果和材料性能都得到得到极大提升，所述片式元件表面处理工艺由于采用了所述含浸液，填充更充分可以有效防止镀液渗入，同时改变基体表面材料特性而改善爬镀。采用所述片式元件表面处理工艺在生产中能起到提升良品率的作用，而且仅仅是含浸液变化，因此不涉及很多技术门槛，同时含浸液的制备方式也是常用的手段，因此适合大规模推广应用。

Description

一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用
技术领域
本发明属于电子元件表面处理领域，具体涉及一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用。
背景技术
片式元件生产过程中，对成本追求或者材料特性需要或者工艺不足，片式元件基体或者端电极存在孔隙和孔洞，经过电镀金属化后，孔隙和孔洞中充含气体或者液体，在实际应用焊接时有喷锡及鼓泡现象发生，或者耐压耐湿热等电性能下降；又有些片式元件基体本身容易镀覆，通过该含浸工艺处理，改变基体表面特性——不易镀覆，能有效改善爬镀不良，提升良品率及提高电镀加工效率。因此，含浸工艺处理成为片式元件表面处理前的一个选择。
含浸又称浸渍、浸透、渗透、浸渗、浸注、封孔等，含浸处理就是为了达到这种目的而产生的一种新工艺，其使用的密封和补强介质就是起初处于液体状态、经过处理而固化的含浸液。含浸技术是利用含浸液在外加压力的作用下，渗入到多孔或者缝隙中，经过固化反应而达到填补缺陷和改善基体表面特性的目的，是随着现代科技发展而诞生的一项新技术。
在片式元件领域，含浸液分无机和有机两大类。无机含浸剂在提升元件耐压耐湿热电性能和改善爬镀方面欠缺，应用较少。现有的有机含浸液填充效果不充分，在表面性能和可靠性稳定性要求高的电子元件应用上存在局限性。
因此发明一种填充效果更好的含浸液是十分有必要的。为了实现所述含浸液，发明一种填充效果更好的含浸液的制备工艺也是十分有必要的。
发明内容
本发明一方面提供了一种含浸液以解决现有的含浸液填充效果不足的技术问题。
本发明另一方面提供了一种片式元件的表面处理工艺已解决现有的片式元件的表面处理效果得到的片式元件孔隙率较大，电性能不稳定的问题。
本发明一方面提供了一种含浸液，由聚硅氧烷和水组成，其中所述聚硅氧烷的质量比例分数不小于15％。
优选地，所述聚硅氧烷包括二甲基羟基硅油，聚二甲基硅氧烷和二氯二甲基硅烷中的至少一种。
本发明另一方面提供了一种片式元件的表面处理工艺，包括如下步骤：
将所述片式元件真空处理；
将所述经过真空处理的片式元件用所述含浸液加压含浸处理；
将所述经过加压含浸处理的片式元件干燥处理；
将所述经过干燥处理的片式元件清洗处理；
将所述经过酒精清洗处理片的式元件热固化处理。
优选地，所述真空处理的压力小于-0.090Mpa，所述真空处理时间为大于10min。
优选地，所述加压含浸处理的压力大于0.3Mpa，所述加压含浸处理的时间为大于30min。
优选地，所述干燥处理为离心甩干。
优选地，所述清洗处理采用的溶剂为酒精。
优选地，所述热固化处理的时间为50-70min，温度为90-120℃。
优选地，所述的片式元件的表面处理工艺还包括：将所述经过热固化处理的片式元件抛光处理。
进一步优选地，所述抛光处理时间为大于30min。
与现有技术相比，由于本发明的含浸液中的乳液颗粒具备较小的粒径，因此稳定性更好，性质更稳定，且较小的粒径能获得低孔隙率充分填充，又因为采用高质量比例聚硅氧烷并且抽真空加压处理，能充分填充大孔隙孔洞，并能改变元件基体表面材料性能。另外由于本发明的含浸液采用水替代有机溶剂因此更加绿色安全环保。
所述片式元件表面处理工艺由于采用了所述含浸液，填充更充分可以有效防止镀液渗入，改善爬镀，因此所得到的片式元件电性能更优秀。采用所述片式元件表面处理工艺在生产中能起到提升良品率的作用，而且仅仅是含浸液变化，因此不涉及很多技术门槛，同时绿色环保，可操作性强和高质量的优势，适合大规模推广和工业化应用。
附图说明
图1为无填充(左侧)有填充(右侧)的镀液渗入效果对比图；
图2为无填充(左侧)有填充(右侧)的爬镀效果对比图。
具体实施方式
本发明实施例中揭露的数值是近似值，而并非确定值。在误差或者实验条件允许的情况下，可以包括在误差范围内的所有值而不限于本发明实施例中公开的具体数值。
本发明实施例中揭露的数值范围用于表示在混合物中的组分的相对量以及其他方法实施例中列举的温度或者其他参数的范围。
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明一方面提供了一种含浸液，由聚硅氧烷和水组成，其中所述聚硅氧烷的体积分数不小于15％，所述含浸液的水包油颗粒大小为25nm-115nm。此粒径大小已经形成微乳液，能渗入一般乳液无法渗入的小缝隙，使填充更充分，且微乳液粒径更小，稳定性也更好。采用合适的工艺可以进一步缩小粒径范围控制粒径范围在10-20nm之内波动，这里所描述的范围是不同工艺带来的整体粒径范围，并不代表一种工艺的粒径范围。
优选地，所述聚硅氧烷包括二甲基羟基硅油，聚二甲基硅氧烷和二氯二甲基硅烷中的至少一种。结合工艺可以让含浸液质地更均一，且所述几种聚硅氧烷的化学性质，材料性能都具备良好的机械性能，耐湿热性能和低介电性能，可以有效改善处理过的元件的电学性能和材料性能。
本发明实施例所述的含浸液通过控制水和聚硅氧烷配比，加上乳化工艺，达成一定的水包油颗粒半径，在填充时不会因为颗粒过大影响渗透。所述含浸液的填充性能优异，性质稳定。结合优选的聚硅氧烷成分，最终使得所述含浸液具备优异的填充性能和材料性能，能满足片式元件的各种需求，提升产品的性能，同时保证良品率。采用水替换传统的有机溶剂在保证填充效果的同时也符合绿色安全环保理念。
本发明另一方面提供了一种片式元件的表面处理工艺，包括如下步骤：
S01：将所述片式元件真空处理；
S02：将所述经过真空处理的片式元件用所述含浸液加压含浸处理；
S03：将所述经过加压含浸处理的片式元件干燥处理；
S04：将所述经过干燥处理的片式元件清洗处理；
S05：将所述经过酒精清洗处理片的式元件热固化处理。
所述步骤S01中，所述真空处理的压力小于-0.090Mpa，所述真空处理时间为大于10min。在此工艺条件下可以将孔隙内的空气排除的较为彻底。
所述步骤S02中，所述加压含浸处理的压力大于0.3Mpa，所述加压含浸处理的时间为大于30min。结合步骤S01的真空，先将填充剂也就是含浸液吸入，然后加压，让含浸液填充更致密。
所述步骤S03中，所述干燥处理为离心甩干。离心甩干的优势在于不会对含浸液的性质产生影响，是单纯的物理手段。
所述步骤S04中，所述清洗处理采用的溶剂为酒精。酒精是较为绿色环保的溶剂，且所述聚硅氧烷在酒精中的溶解度很小，因此可以用酒精来清洗。
所述步骤S05中，所述热固化处理的时间为50-70min，温度为90-120℃。在此温度范围下，所述聚硅氧烷固化的比较彻底，时间太短固化未完成，太长则浪费能量，增加成本。所以选取此温度范围和固化时间。
在一优选实施例中，所述的片式元件的表面处理工艺还包括：将所述经过热固化处理的片式元件抛光处理。经过表面抛光处理可以使表面更光滑，也可以使所述元件具备统一标准化的品质。
进一步优选地，所述抛光处理时间为50-70min。经过实践筛选发现这个时间范围可以很好的完成抛光又不至于时间过长造成能源浪费。
本发明实施例所述的片式元件的表面处理工艺一方面由于使用了所述含浸液，因此所得的片式元件物理缺陷明显减少，致密性提升，同时带动材料性能，机械性能，电学性能提升，加上工艺本身无门槛且高效，因此在控制成本的同时大大提升了产品质量。因此在实际生产中可以在提升产品质量的同时增加良品率，等于所降低了生产成本。除了含浸液的制备是绿色环保工艺，其他环节未引入污染和有害化学物质，因此本工艺是十分完全的绿色工艺，符合国家提倡的绿色环保理念，污水废料处理成本也降低了，进一步的降低了生产成本。因此是一项适合大规模推广和应用的成本低质量高的工艺。
具体实施例
实施例1
含浸液成分：
30％体积分数的聚硅氧烷，70％体积分数的水，处理成粒径范围为25nm-115nm的乳液颗粒。
片式元件处理工艺：
S01：将所述片式元件在压力-0.090Mpa下真空处理15分钟；
S02：将所述经过真空处理的片式元件用所述含浸液在压力0.30Mpa下加压含浸处理60分钟；
S03：将所述经过加压含浸处理的片式元件离心甩干处理5分钟；
S04：将所述经过干燥处理的片式元件用酒精清洗1分钟；
S05：将所述经过酒精清洗处理片的式元件在110℃下热固化处理60分钟。
S06：将所述经过热固化处理的片式元件用抛光机抛光处理60分钟。
实施例1技术效果
表1.消除镀液渗入
Figure BDA0002700341960000051
Figure BDA0002700341960000061
表2.改善爬镀，提升效率
序号 产品规格 含浸处理工艺 镀镍电流(A) 外观
1 0201铁氧体 无 5.2 轻微爬镀
2 0201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
3 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
4 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
5 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
6 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
7 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
8 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
9 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
10 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
11 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
12 201铁氧体 新型含浸处理工艺 12 无爬镀
从所述表格1，2和图1图2可以看出，在消除镀液渗入和改善爬镀方面本发明实施例所述的工艺具备明显优势，且能够明显看出，本发明实施例所述的工艺填充更为充分，空隙明显减少。
实施例2
含浸液成分：
40％体积分数的聚硅氧烷，60％体积分数的水，处理成粒径范围为25nm-115nm的乳液颗粒。
片式元件处理工艺：
S01：将所述片式元件在压力-0.10Mpa下真空处理15分钟；
S02：将所述经过真空处理的片式元件用所述含浸液在压力0.40Mpa下加压含浸处理60分钟；
S03：将所述经过加压含浸处理的片式元件离心甩干处理5分钟；
S04：将所述经过干燥处理的片式元件用酒精清洗1分钟；
S05：将所述经过酒精清洗处理片的式元件在100℃下热固化处理70分钟。
S06：将所述经过热固化处理的片式元件用抛光机抛光处理60分钟。
实施例3
含浸液成分：
50％体积分数的聚硅氧烷，50％体积分数的水，处理成粒径范围为25nm-115nm的乳液颗粒。
片式元件处理工艺：
S01：将所述片式元件在压力-0.12Mpa下真空处理15分钟；
S02：将所述经过真空处理的片式元件用所述含浸液在压力0.35Mpa下加压含浸处理60分钟；
S03：将所述经过加压含浸处理的片式元件离心甩干处理5分钟；
S04：将所述经过干燥处理的片式元件用酒精清洗1分钟；
S05：将所述经过酒精清洗处理片的式元件在105℃下热固化处理70分钟。
S06：将所述经过热固化处理的片式元件用抛光机抛光处理60分钟。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种含浸液，由聚硅氧烷和水组成，其中所述聚硅氧烷的质量比例不小于15％，其特征在于：所述含浸液的水包油颗粒大小为25nm-115nm。
2.如权利要求1所述的含浸液，其特征在于：所述聚硅氧烷包括二甲基羟基硅油，聚二甲基硅氧烷和二氯二甲基硅烷中的至少一种。
3.一种片式元件的表面处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：
将所述片式元件真空处理；
将所述经过真空处理的片式元件加压含浸处理，所述含浸处理的含浸液为权利要求1-2任一所述的含浸液；
将所述经过加压含浸处理的片式元件干燥处理；
将所述经过干燥处理的片式元件清洗处理；
将所述经过酒精清洗处理片的式元件热固化处理。
4.如权利要求3所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于：所述真空处理的压力小于-0.090Mpa，所述真空处理时间为大于10min。
5.如权利要求3所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于：所述加压含浸处理的压力大于0.3Mpa，所述加压含浸处理的时间为大于30min。
6.如权利要求3所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于：所述干燥处理为离心甩干。
7.如权利要求3所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于：所述清洗处理采用的溶剂为酒精。
8.如权利要求3所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于：所述热固化处理的时间为大于30min，温度为90-120℃。
9.如权利要求3-8任一所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于，还包括：将所述经过热固化处理的片式元件抛光处理。
10.如权利要求9所述的片式元件的表面处理工艺，其特征在于：所述抛光处理时间为大于20min。
CN202011020069.2A 2020-09-24 2020-09-24 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用 Pending CN114249897A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011020069.2A CN114249897A (zh) 2020-09-24 2020-09-24 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011020069.2A CN114249897A (zh) 2020-09-24 2020-09-24 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114249897A true CN114249897A (zh) 2022-03-29

Family

ID=80789114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011020069.2A Pending CN114249897A (zh) 2020-09-24 2020-09-24 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114249897A (zh)

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01263259A (ja) * 1988-04-15 1989-10-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd セラミツク溶射材の封孔処理方法
CN1057796A (zh) * 1990-05-01 1992-01-15 富士通株式会社 清洗/干燥的方法及其装置
CN1107087A (zh) * 1993-11-02 1995-08-23 株式会社日立制作所 金属表面处理的方法
WO1997032720A1 (en) * 1996-03-08 1997-09-12 Bill John L Chemically protected electrode system
JPH10214741A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品およびその製造方法
US5969038A (en) * 1998-03-20 1999-10-19 Dow Corning Corporation Salt stable cationic silicone oil-in-water microemulsion
JP2003059754A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Okaya Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサの製造方法及び金属化フィルムコンデンサ用の絶縁剤含浸装置
JP2004111496A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法
CN1986882A (zh) * 2005-12-22 2007-06-27 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 镁合金化学镀镍工艺
CN101013628A (zh) * 2006-12-28 2007-08-08 武汉材料保护研究所 一种粘接钕铁硼磁体有机封孔和阴极电泳复合表面防护技术
CN101353267A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 德古萨有限责任公司 含有机硅化合物的水性乳液、其制备和在表面处理上的应用
CN102290239A (zh) * 2010-05-19 2011-12-21 株式会社村田制作所 陶瓷电子元件的制造方法
CN103073892A (zh) * 2013-02-18 2013-05-01 上海应用技术学院 一种o/w型聚硅氧烷纳米乳液及其制备方法
CN105175729A (zh) * 2015-09-23 2015-12-23 浙江中天氟硅材料有限公司 一种短链羟基硅油的制备方法
CN105754102A (zh) * 2016-04-27 2016-07-13 广州道林合成材料有限公司 一种羟基硅油及其连续化制备方法
CN109594056A (zh) * 2018-12-18 2019-04-09 国家电投集团科学技术研究院有限公司 基板及制备方法、封孔系统、包壳管
CN109957822A (zh) * 2019-05-05 2019-07-02 东莞市康圣精密合金材料有限公司 铜合金电镀工艺
CN110283315A (zh) * 2019-06-25 2019-09-27 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种利用甲基氯硅烷副产物生产羟基硅油的方法
CN111682218A (zh) * 2020-05-14 2020-09-18 超威电源集团有限公司 一种增强型含炭材料的集流体及其制备方法

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01263259A (ja) * 1988-04-15 1989-10-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd セラミツク溶射材の封孔処理方法
CN1057796A (zh) * 1990-05-01 1992-01-15 富士通株式会社 清洗/干燥的方法及其装置
CN1107087A (zh) * 1993-11-02 1995-08-23 株式会社日立制作所 金属表面处理的方法
WO1997032720A1 (en) * 1996-03-08 1997-09-12 Bill John L Chemically protected electrode system
JPH10214741A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品およびその製造方法
US5969038A (en) * 1998-03-20 1999-10-19 Dow Corning Corporation Salt stable cationic silicone oil-in-water microemulsion
JP2003059754A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Okaya Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサの製造方法及び金属化フィルムコンデンサ用の絶縁剤含浸装置
JP2004111496A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法
CN1986882A (zh) * 2005-12-22 2007-06-27 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 镁合金化学镀镍工艺
CN101013628A (zh) * 2006-12-28 2007-08-08 武汉材料保护研究所 一种粘接钕铁硼磁体有机封孔和阴极电泳复合表面防护技术
CN101353267A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 德古萨有限责任公司 含有机硅化合物的水性乳液、其制备和在表面处理上的应用
CN102290239A (zh) * 2010-05-19 2011-12-21 株式会社村田制作所 陶瓷电子元件的制造方法
CN103073892A (zh) * 2013-02-18 2013-05-01 上海应用技术学院 一种o/w型聚硅氧烷纳米乳液及其制备方法
CN105175729A (zh) * 2015-09-23 2015-12-23 浙江中天氟硅材料有限公司 一种短链羟基硅油的制备方法
CN105754102A (zh) * 2016-04-27 2016-07-13 广州道林合成材料有限公司 一种羟基硅油及其连续化制备方法
CN109594056A (zh) * 2018-12-18 2019-04-09 国家电投集团科学技术研究院有限公司 基板及制备方法、封孔系统、包壳管
CN109957822A (zh) * 2019-05-05 2019-07-02 东莞市康圣精密合金材料有限公司 铜合金电镀工艺
CN110283315A (zh) * 2019-06-25 2019-09-27 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种利用甲基氯硅烷副产物生产羟基硅油的方法
CN111682218A (zh) * 2020-05-14 2020-09-18 超威电源集团有限公司 一种增强型含炭材料的集流体及其制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨晓娟等, 辽宁科学技术出版社 *
橡胶工业原材料与装备简明手册委员会编: "《橡胶工业原材料与装备简明手册》", 30 November 2016, 北京理工大学出版社 *
胡洪波等: "《生物工程单元操作实验》", 31 May 2020, 上海交通大学 *
邹广严等: "《能源大辞典》", 31 January 1997, 四川科学技术出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1175060C (zh) 氟树脂涂覆用水性底漆组合物
CN103331108B (zh) 一种成膜后透析法制备的聚合物渗透汽化膜及其方法
CN106582314B (zh) 一种用于膜蒸馏的小孔径疏水复合膜制备方法
CN106188582B (zh) 表面具有褶皱结构的聚二甲基硅氧烷微球的制备方法
CN112759400B (zh) 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN102824860A (zh) 一种高耐腐蚀性聚芳硫醚砜分离膜的制备方法
CN103464012B (zh) 一种无机盐致孔剂用于耐有机溶剂聚酰亚胺纳滤膜的制备方法
CN107081068B (zh) 渗透汽化膜及其制备方法
CN114249897A (zh) 一种含浸液及其在片式元件的表面处理工艺方面的应用
CN106283894A (zh) 一种氧化石墨烯改性滤纸及其制备方法与应用
CN104151827B (zh) 碳纤维/碳纳米管/有机硅树脂多维混杂复合材料的制备方法
CN113863001A (zh) 一种碳纤维表面络合改性方法
CN112869248B (zh) 一种陶瓷雾化芯的制备方法
CN108176260A (zh) 一种压力响应型亲水分离膜的制备方法
CN111041844A (zh) 一种防虹吸鞋革贝斯及其制备方法
JPH02188417A (ja) 炭素及びグラファイト表面をシールする局所処理
CN104437141A (zh) 一种耐溶剂纳滤膜的制备方法
CN111040584A (zh) 一种钢结构反应釜内衬用耐温耐酸防腐涂料
CN114797494A (zh) 金属离子-有机酸络合物原位交联的复合膜及制备和应用
CN115340702A (zh) 一种表面热处理木材纤维骨架/聚二甲基硅氧烷弹性复合凝胶及其制备方法
CN104774025A (zh) 一种水处理用膜的支撑体制备方法
CN107986819B (zh) 一种陶瓷型芯强化剂及其制备方法和使用方法
CN110409171A (zh) 一种在碳纤维表面制备抗氧化涂层的方法
CN114703665A (zh) 一种超亲水-超疏油自愈合织物及其制备方法
CN113152116B (zh) 一种等离子技术制备疏水性pu革的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20220329

RJ01 Rejection of invention patent application after publication