JP2011529276A - 低温精密エッチ・バック及び不動態化プロセスで製造された選択エミッタを有する結晶シリコンpv電池 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一つの態様によれば、前側表面及び後側表面を有する光起電性結晶シリコン半導体ウェハーにおける選択エミッタ、前側表面と後側表面との間の接合部、及び接合部と前側表面との間のエミッタを形成する方法が提供される。エミッタは、拡散されたドーパントの濃度が比較的一定である前側表面のすぐ下のデッド・ゾーンと、拡散されたドーパントの濃度が減少するデッド・ゾーンに隣接した減少ドーパント濃度ゾーンとを有するような拡散ドーパント濃度プロファイルを有する。この方法は、前側表面にマスクされた領域及びマスクされない領域を形成するために前側表面にマスクを形成することを必要とする。この方法は、少なくともデッド・ゾーンの範囲まではエミッタ内へ伸長するように、前側表面のマスクされない領域に第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成することをさらに必要とする。この方法は、さらに、そのマスクを除去し、第1のシリコン酸化物層のほぼ全部が除去されるまで第1のシリコン酸化物層をエッチ・バックし、そして前側表面に前記第2のシリコン酸化物層を、この第2シリコン酸化物層が前側表面を不動態化するに十分な厚さを有するように、エッチ・バック後、電気化学的に形成することを必要とする。
Claims (26)
- 前側表面及び後側表面を有する光起電性結晶シリコン半導体ウェハーにおける選択エミッタ、前記前側表面と前記後側表面との間の接合部、及び前記接合部と前記前側表面との間のエミッタを形成する方法であって、前記エミッタが、拡散されたドーパントの濃度が比較的一定である前記前側表面のすぐ下のデッド・ゾーンと、拡散されたドーパントの濃度が減少する前記デッド・ゾーンに隣接した減少ドーパント濃度ゾーンとを有するような拡散ドーパント濃度プロファイルを有する前記方法において、
前記前側表面にマスクされた領域及びマスクされない領域を形成するために前記前側表面にマスクを形成し、
前記エミッタ内へ少なくとも前記デッド・ゾーンの範囲までは伸長するように前記前側表面の前記マスクされない領域に第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成し、
前記マスクを除去し、
前記第1のシリコン酸化物層のほぼ全部が除去されるまで前記第1のシリコン酸化物層をエッチ・バックし、そして、
前記エッチ・バック後、前記前側表面に第2のシリコン酸化物層を電気化学的に形成し、前記第2シリコン酸化物層は、前記前側表面を不動態化するに十分な厚さを有する前記方法。 - 前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の少なくとも一方を電気化学的に形成する段階は、前記前側表面を電解質の表面と電気接触させながら前記ウェハーを通る電流が基準値に達するまで前記電解質と前記ウェハーの前記後側表面との間に電圧を加えることを含む請求項1記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の少なくとも一方を電気化学的に形成する段階は、前記ウェハーを流れる電流が参照値よりも小さくなるまで前記電圧を加えることを含む請求項2記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する段階は、少なくともほぼ前記デッド・ゾーンの厚さに対応する前記シリコン酸化物層の厚さに相当する値に前記参照値を設定することを含む請求項3記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の少なくとも一方を電気化学的に形成する段階は、前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の前記少なくとも一方が成長するに従って前記電圧を変化させることを含む請求項2記載の前記方法。
- 前記電圧を変化させる段階は、約20ボルトと約500ボルトの間で前記電圧を変化させることを含む請求項5記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する段階は、前記第1のシリコン酸化物層が約1nmと約500nmとの間の厚さを有するまで前記第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成することを含み、前記第2のシリコン酸化物層を形成する段階は、前記第2のシリコン酸化物層が約1nmと約30nmとの間の厚さを有するまで前記第2のシリコン酸化物層を電気化学的に形成することを含む請求項1の前記方法。
- 光起電性電池として使用される光起電性結晶シリコン半導体ウェハーを作る方法であって、請求項1ないし7のいずれか一つの前記方法を実施することを含み、さらに、前記前側表面に反射防止コーティングを与えることを含む方法。
- 前記前側表面及び後側表面に電気接点を形成する段階をさらに含み、前記前側表面に形成された前記電気接点は、前記マスクにより覆われた前記半導体ウェハーの領域に形成され、前記後側表面に形成された前記電気接点は、前記後側表面に亘り一様に形成されている請求項8記載の前記方法。
- 前記マスクを形成する段階は、前記前側表面にペーストを印刷することを含む、請求項1記載の前記方法。
- 前記ペーストを印刷する段階は、前記ペーストをライン状に印刷することを含む、請求項10記載の前記方法。
- 請求項1、10または11のいずれか一つの方法を実施する段階を含み、前記前側表面に反射防止コーティングを与えることをさらに含む、光起電性電池を製造する方法。
- 請求項8または12の方法を実施する段階を含み、さらに、前記前側表面及び前記後側表面に電気接点を形成する段階を含み、前記前側表面の形成された前記電気接点は、前記マスクにより覆われた前記エミッタの領域に形成され、前記後側表面に形成された前記電気接点は前記後側表面に亘り一様に形成されている、光起電性電池を製造する方法。
- 前側表面及び後側表面を有する結晶シリコン半導体ウェハーに選択エミッタを形成する方法であって、
前記前側表面にマスクされた領域及びマスクされない領域を形成するために前記前側表面にマスクを形成する段階と、
前記前側表面の前記マスクされない領域に第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する段階と、
前記マスクを除去する段階と、
前記前側表面の以前マスクされた領域と前記第1のシリコン酸化物層が、拡散されたドーパントの濃度が比較的一定であるデッド・ゾーンと、拡散されたドーパントの濃度が減少する前記デッド・ゾーンに隣接するドーパント濃度減少ゾーンとを有するように、前記前側表面の前にマスクされた領域と前記第1のシリコン酸化物層を介してドーパントを拡散する段階と、
前記第1のシリコン酸化物層のほぼ全部が除去されるまで前記第1のシリコン酸化物層をエッチ・バックする段階と、そして、
前記エッチ・バック後、前記前側表面に第2のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する段階であって、この前記第2シリコン酸化物層は、前記前側表面を不動態化するに十分な厚さを有している段階とを含む前記方法。 - 前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の少なくとも一方を電気化学的に形成する段階は、前記前側表面を電解質の表面と電気接触させながら前記ウェハーを流れる電流が基準値に達するまで前記電解質と前記後側表面との間に電圧を加えることを特徴とする請求項14記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の少なくとも一方を電気化学的に形成する段階は、前記ウェハーを流れる電流が参照値よりも小さくなるまで前記電圧を加えることを含む請求項15記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する段階は、少なくともほぼ前記デッド・ゾーンの厚さに対応する前記シリコン酸化物層の厚さに相当する値に前記参照値を設定することを含む請求項16記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の少なくとも一方を電気化学的に形成する段階は、前記第1のシリコン酸化物層と前記第2のシリコン酸化物層の前記少なくとも一方が成長するに従って前記電圧を変化させることを特徴とする請求項15記載の前記方法。
- 前記電圧を変化させる段階は、約20ボルトと約500ボルトの間で前記電圧を変化させることを含む請求項14記載の前記方法。
- 前記第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する段階は、前記第1のシリコン酸化物層が約1nmと約500nmとの間の厚さを有するまで前記第1のシリコン酸化物層を電気化学的に形成することを含み、前記第2のシリコン酸化物層を形成する段階は、前記第2のシリコン酸化物層が約1nmと約30nmとの間の厚さを有するまで前記第2のシリコン酸化物層を電気化学的に形成することを含む請求項14の前記方法。
- 光起電性電池として使用される光起電性結晶シリコン半導体ウェハーを作る方法であって、請求項14ないし20のいずれか一つの前記方法を実施する段階を含み、さらに、前記前側表面に反射防止コーティングを与えることを含む方法。
- 前記前側表面及び後側表面に電気接点を形成することをさらに含み、前記前側表面に形成された前記電気接点は、前記マスクにより覆われた前記半導体ウェハーの領域に形成され、前記後側表面に形成された前記電気接点は前記後側表面に亘り一様に形成されている請求項21記載の前記方法。
- 前記マスクを形成する段階は、前記前側表面にペーストを印刷することを含む、請求項14記載の前記方法。
- 前記ペーストを印刷する段階は、前記ペーストをライン状に印刷することを含む請求項23記載の前記方法。
- 起電性電力発生に使用される半導体ウェハーに適応させる方法であって、請求項14、23または24のいずれかの方法を含み、さらに、前記前側表面に反射防止コーティングを形成することを含む方法。
- 前記前側表面及び後側表面に電気接点を形成することをさらに含み、前記前側表面に形成された前記電気接点は、前記マスクにより覆われた前記半導体ウェハーの領域に形成され、前記後側表面に形成された前記電気接点は、前記後側表面に亘り一様に形成されている請求項25記載の前記方法。
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