CN115642203A - 背结太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光伏技术领域，提供一种背结太阳能电池及其制备方法，其中方法包括：在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层；利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域；去除所述掺杂非晶硅层；在所述硅片的第一面形成第一钝化层；在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，所述第一金属栅线贯穿所述第一钝化层与所述重掺杂区域接触。解决了现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低，影响背结太阳能电池的光电转换效率的问题，掺杂过程中硅片的局部区域经历激光的高温作用，无需硅片整体经历高温，降低了对硅片的寿命的影响，进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

Description

背结太阳能电池及其制备方法

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种背结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

太阳能电池可以利用太阳光进行发电，目前的太阳能电池种类繁多，其中，背结太阳能电池是一种非常有效率潜力的太阳能电池，例如P型背结太阳能电池可以实现24.7％以上的电池转换效率。

对于背结太阳能电池来说，在正表面的金属化区域形成欧姆接触需要达到一定掺杂浓度，所以需要进行金属化区域的局域扩散掺杂，但是所采用的硅片自身特性受限，当经历高温掺杂过程时就会造成硅片体寿命大幅降低，进而影响背结太阳能电池的电池转换效率。

发明内容

本发明提供一种背结太阳能电池及其制备方法，用以解决现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低，影响背结太阳能电池的光电转换效率的缺陷，实现局部高温的局域掺杂，降低了对硅片的寿命的影响，保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

本发明提供一种背结太阳能电池制备方法，包括：

在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层；

利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域；

去除所述掺杂非晶硅层；

在所述硅片的第一面形成第一钝化层；

在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，所述第一金属栅线贯穿所述第一钝化层与所述重掺杂区域接触。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述去除所述掺杂非晶硅层，包括：

通过氧化退火的方式，将所述掺杂非晶硅层氧化成氧化硅层；

利用氢氟酸去除所述氧化硅层。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述掺杂非晶硅的沉积方式包括CVD、ALD或者PVD。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线的宽度小于所述激光照射的宽度，和/或，所述第一金属栅线的宽度小于所述重掺杂区域的宽度。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线的宽度为5-30微米，和/或，所述重掺杂区域的宽度为7-120微米，和/或，所述激光照射的宽度为6-118微米。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线为银栅线。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线为掺有铝的银栅线，所述第一金属栅线中银和铝的比例大于或等于85:1。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，所述在所述硅片的第一面形成第一钝化层，包括：

至少在所述硅片的第一面沉积氧化铝层，形成所述第一钝化层。

根据本发明提供的一种背结太阳能电池制备方法，还包括：

在所述硅片的第二面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二钝化层以及第二金属栅线。

本发明还提供一种背结太阳能电池，所述背结太阳能电池是采用如上述任一种所述的背结太阳能电池制备方法制备得到的。

本发明提供的背结太阳能电池制备方法，通过在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层，并利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域，实现了局域掺杂，基于此，去除所述掺杂非晶硅层后，在所述硅片的第一面形成第一钝化层，并在所述重掺杂区域进行金属化，从而形成第一金属栅线，其中的掺杂过程中硅片的局部区域经历激光的高温作用，无需硅片整体经历高温，降低了对硅片的寿命的影响，进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的背结太阳能电池制备方法的流程示意图；

图2是本发明提供的背结太阳能电池的结构示意图；

附图标记：

201：硅片；202：第一钝化层；203：第一金属栅线；

204：隧穿氧化层；205：掺杂多晶硅层；206：第二钝化层；

207：第二金属栅线；208：重掺杂区域。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

背结太阳能电池的电池转化效率较好，已得到广泛应用，以基于P型硅片的背结太阳能电池为例，可以实现24.7％以上的光电转换效率，同时由于采用了P型硅片，其制造成本会大幅低于N-隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)电池，在该背结太阳能电池中硅片的背面形成隧穿氧化层(例如二氧化硅层)和N型多晶硅层以得到钝化接触结构，一方面降低复合，一方面起到了光生载流子的分离作用，而硅片的正面可以免去扩散发射极，大幅降低掺杂相关的俄歇复合。

对于背结太阳能电池来说，在硅片的正面的金属化区域(即形成金属栅线的区域)形成欧姆接触需要达到较高的掺杂浓度，所以需要进行金属化区域的局域扩散掺杂，例如进行硼掺杂，硼掺杂的高温过程会大幅降低P型硅片的少子寿命，造成电池体复合大幅上升，需要采取区熔硅等更高质量和成本的p型硅片，引起成本大幅上升，同时为了仅在金属化区域实现局域掺杂，还需要引入掩膜、清洗等附加工艺，导致工艺难度增加。相关技术中提供的各种解决方案仍面临量产难度大的问题，大多数的解决方案都是利用铝浆的特性来解决问题，但是，当采用铝浆实现欧姆接触时，一方面，由于铝栅线线性差遮光损失大，另一方面，铝自身传输电阻大导致光电转换效率低。

例如，在一种实现方案中，硅片的正面采用了烧穿型铝浆，同时利用铝浆的自掺杂作用在金属化区域形成P+层，并且为了降低铝栅线的串阻大的问题，采用了套印银栅线在铝栅线上的方式以降低正面传输电阻，但是烧穿型铝浆的烧穿效果不易控制，欧姆接触性能差，不能使用氧化铝钝化，无法实现包含氧化铝的钝化层，另外，铝浆的塑形差，铝栅线线宽比较宽导致正面的遮光损失大，铝上叠银造成银-铝合金形成，金属化区域的复合极大，光电转换效率降低。

再例如，在另一种实现方案中，硅片的正面激光开槽避免烧结，铝浆印刷烧结，同时为了降低铝栅线的串阻大的问题，在铝浆烧结后在印刷一层低温银浆并烘干，来解决铝浆烧穿不佳、铝浆传输电阻大的问题，但是需要两次浆印刷和烧结/烘干，工艺复杂，铝栅线线性仍旧难控制，遮光损失大，并且低温银浆成本高，银铝浆接触电阻大。

又例如，在又一种实现方案中，硅片的正面激光开槽避免烧结，铝浆印刷烧结，同时为了降低铝栅线串阻大的问题，在铝浆烧结后沉积透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide，TCO)层，在TCO层上再制备银浆，来解决铝浆烧穿不佳、铝浆传输电阻大的问题，但是需要两次浆印刷和烧结/烘干，工艺复杂，TCO层工艺复杂，成本高，并且存在低温银浆成本高，铝浆和银浆位置不重合，光学遮挡面积增加，光学损失大等问题。

为此，本发明提供一种背结太阳能电池制备方法，能够优化背结太阳能电池的制备工艺，下面结合图1至图2描述本发明提供的背结太阳能电池制备方法。

本实施例提供一种背结太阳能电池制备方法，如图1所示，至少包括如下步骤：

步骤101、在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层。

步骤102、利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域。

步骤103、去除所述掺杂非晶硅层。

步骤104、在所述硅片的第一面形成第一钝化层。

步骤105、在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，所述第一金属栅线贯穿所述第一钝化层与所述重掺杂区域接触。

这里的硅片作为衬底，硅片的掺杂类型可以为P型掺杂，也可以为N型掺杂，即本实施例的硅片可以为P型硅片，当然也可以为N型硅片。硅片包括正面和背面。其中，正面是指接受光照的一面，相应的，背面则是背光的一面。这里的第一面可以是正面，相应的，背面为第二面。如图2所示，背结太阳能电池的结构可以包括硅片201，位于硅片201的正面的第一钝化层202，贯穿第一钝化层202与硅片201的正面接触的第一金属栅线203，还包括位于硅片201的背面的隧穿氧化层204、掺杂多晶硅层205、第二钝化层206以及贯穿第二钝化层206与掺杂多晶硅层205接触的第二金属栅线207。

其中，第一金属栅线与硅片的正面接触形成欧姆接触，与第一金属栅线对应的区域为金属化区域，要形成欧姆接触则金属化区域需要进行重掺杂，由于现有技术中的掺杂方式效果不佳，为此，本实施例提供一种新的局域掺杂方式，首先，对硅片进行清洗抛光、制绒等预处理，随之，在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层，然后，利用激光对掺杂非晶硅层与金属化区域对应的局部区域进行推进，由于局部区域在激光作用下温度较高，可以将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域208，参见图2，如此，实现了局域掺杂，该重掺杂区域的图形与第一金属栅线的图形对应。由于掺杂非晶硅层只是为了形成重掺杂区域而设置的中间结构，并非要制备的背结太阳能电池中的结构，因此，需要在形成重掺杂区域之后，将掺杂非晶硅层去除，随后，在形成重掺杂区域的第一表面上形成第一钝化层，然后，在重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，第一金属栅线贯穿所述第一钝化层与所述重掺杂区域接触形成欧姆接触。

本实施例提供的局域掺杂方式中，掺杂非晶硅层的沉积工艺温度不高，仅在局部区域经历激光的高温作用且该局部区域本身就是金属化区域本身就会存在损伤，与现有技术中的掺杂方式相比，无需硅片整体经历高温，从而大大降低了对硅片的寿命的影响，进而降低了对背结太阳能电池的光电转换效率的影响。并且本实施例的掺杂方式无需引入掩膜、清洗等附加工艺，工艺更加简单，降低了工艺复杂度，整体上利于提升背结太阳能电池的制备效率。

对于P型硅片来说，掺杂非晶硅层中的掺杂元素可以包括Ⅲ族掺杂元素，例如硼元素、镓元素等。对于N型硅片来说，掺杂非晶硅层中的掺杂元素可以包括ⅤA族掺杂元素，例如磷元素等。

本实施例中，通过在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层，并利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域，实现了局域掺杂，基于此，去除所述掺杂非晶硅层后，在所述硅片的第一面形成第一钝化层，并在所述重掺杂区域进行金属化，从而形成第一金属栅线，其中的掺杂过程中硅片的局部区域经历激光的高温作用，无需硅片整体经历高温，降低了对硅片的寿命的影响，进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

其中，第一钝化层、第二钝化层的材质可以根据实际需要设置。

示例性的，第一钝化层可以包括氧化铝层、氮化硅层和氧化硅层中的一种或者多种膜层，膜层的总数量也可以根据实际需要设置，示例性的，膜层的总数量大于或者等于2，钝化效果更好。考虑到对正面来说，氧化铝的钝化效果更好，更加稳定，在一种实现方式中，第一钝化层至少包括氧化铝层。

同样，第二钝化层可以包括氧化铝层、氮化硅层和氧化硅层中的一种或者多种膜层，膜层的总数量也可以根据实际需要设置，示例性的，膜层的总数量大于或者等于1，可以是单膜层，也可以是多膜层，以满足钝化需求。考虑到对背面来说，氮化硅的钝化效果更好，在一种实现方式中，第二钝化层至少包括氮化硅层。

去除掺杂非晶硅层的方式有多种，例如干法刻蚀或者湿法腐蚀等等。在示例性实施例中，所述去除所述掺杂非晶硅层，其具体实现方式可以包括：通过氧化退火的方式，将所述掺杂非晶硅层氧化成氧化硅层；利用氢氟酸去除所述氧化硅层。

考虑碱性溶液可以与硅发生反应，若采用碱性溶液去除掺杂非晶硅层，去除掺杂非晶硅层的同时也会对硅片有损伤，而酸性溶液则不会对硅片有损伤，因此，需要采用酸性溶液去除掺杂非晶硅层，而掺杂非晶硅层本身不与酸性溶液发生反应，为此，发明人提供的解决思路是，通过退火氧化的方式，将所述掺杂非晶硅层氧化成氧化硅层，而氧化硅可以与氢氟酸(HF)发生反应，因此，可以采用氢氟酸清洗去除氧化硅层，从而实现掺杂非晶硅层的去除，该掺杂非晶硅层的去除方式工艺简单，不会增加工艺复杂度。其中，氧化退火的温度和时长可以根据实际需求设置。

在示例性实施例中，所述掺杂非晶硅的沉积方式包括化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)或者物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)，这些沉积工艺的温度都不高，不会使硅片产生损伤。其中，CVD可以包括等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)，采用PECVD沉积掺杂非晶硅层时，采用的温度不超过500摄氏度(℃)，温度较低，避免了硅片整体经历高温的情况。

在示例性实施例中，在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，其具体实现方式可以包括：在第一钝化层上与重掺杂区域对应的区域印刷金属化浆料，并进行烧结，形成与重掺杂区域接触的第一金属栅线。其中，烧结的作用是燃尽金属化浆料(例如银浆)的有机部分，从而使银和硅片形成良好的欧姆接触，从而形成第一金属栅线。

由于在形成第一钝化层之前重掺杂区域就已经形成了，在形成第一金属栅线后，第一金属栅线接触的区域若均为重掺杂区域，复合较低，若不全是重掺杂区域则复合较高，因此，第一金属栅线可以窄一点儿，即第一金属栅线的宽度小于重掺杂区域的宽度，而重掺杂区域则是利用激光推进形成的，进一步的，所述第一金属栅线的宽度小于所述激光照射的宽度。另外，考虑到激光边缘辐射散逸能量的影响，可将激光照射的宽度设置略低一些，即激光照射的宽度小于重掺杂区域的宽度。在示例性实施例中，所述第一金属栅线的宽度为5-30微米，和/或，所述重掺杂区域的宽度为7-120微米，和/或，所述激光照射的宽度为6-118微米，如此，形成的第一金属栅线，复合较低。

在示例性实施例中，所述第一金属栅线可以为银栅线。实施中，可以采用银浆在硅片的正面的重掺杂区域印刷银栅线，由于银浆与铝浆相比，其中的银粉颗粒更小，在印刷过程中，可以顺利经过丝网，因此，银浆具有很好的塑形效果，线性更好，可以获得极低的正面遮光损失，并且具有较低的传输电阻，电学损失小。另外，本实施例的方案中，正面无银-铝合金形成，消除了银-铝接触区域极高的复合电流损失，同时消除了两种金属接触时的接触电阻损失。

上述银栅线可以是纯的银栅线，也可以为掺有铝的银栅线，所述第一金属栅线中银和铝的比例大于或等于85:1，也就是说，以银为主，可以提升导电性，还可以掺入少量的铝，由于铝本身可以作为掺杂元素，可以在保证导电性的同时提升欧姆接触效果。

相应的，在示例性实施例中，所述在所述硅片的第一面形成第一钝化层，包括：至少在所述硅片的第一面沉积氧化铝层，形成所述第一钝化层。如前所述，烧穿型铝浆的烧穿效果不易控制，欧姆接触性能差，不能使用氧化铝钝化，无法实现包含氧化铝的钝化层，而本实施例中的第一金属栅线为银栅线，未采用铝浆，而是采用银浆，因而可以沉积包括氧化铝的钝化层，提升了钝化效果。

可以理解的是，在示例性实施例中，背结太阳能电池制备方法，还可以包括：在所述硅片的第二面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二钝化层以及第二金属栅线。

其中，隧穿氧化层可以为氧化硅层，例如二氧化硅(SiO₂)层。隧穿氧化层的厚度可以小于设定阈值，即该隧穿氧化层较薄，例如可以为超薄SiO₂层。

其中，掺杂多晶硅层的掺杂浓度可以为5×10²⁰-2×10²¹原子数量/每立方厘米(atoms/cm³)，以满足掺杂需求。

这里的第二面为硅片的背面。

本实施例中，通过在硅片的背面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二钝化层以及第二金属栅线，可以制备得到背结太阳能电池，其中，硅片、隧穿氧化层、掺杂多晶硅层形成钝化接触结构，一方面利于降低背面复合，另一方面可以起到光生载流子的分离作用。

下面以P型背结太阳能电池为例，对本发明提供的背结太阳能电池制备方法进行更加详细地说明。

第一步、清洗抛光。

具体的，将P型单晶硅片在碱和双氧水的溶液中进行清洗，然后在碱和相应的添加剂溶液中完成双面抛光。

第二步、背面钝化接触制备。

具体的，在硅片的背面依次制备超薄氧化硅层、掺杂多晶硅层以及氧化硅层。其中，掺杂多晶硅层的掺杂浓度为5×10²⁰-2×10²¹atoms/cm³。

第三步、单面制绒。

具体的，在硅片的背面的氧化硅层的保护下，将硅片的正面在碱和相应的添加剂溶液中完成制绒。

第四步、正面非晶硅层沉积。

具体的，PECVD设备在正面沉积一层硼掺杂非晶硅层。

第五步、正面激光处理。

具体的，利用激光对非晶硅层进行处理，将非晶硅层中的硼推进到硅片的金属化区域内部，形成重掺杂区域，激光照射的宽度为6-118μm，激光照射的图形对应第一金属栅线图形。

第六步、氧化退火。

在管式炉中通入氧气，温度为600-820℃，退火时长为5-30min，将非晶硅层氧化成为氧化硅层。

第七步、清洗。

用HF酸去除正背面的氧化硅层。

第八步、正面钝化层沉积。

正面钝化层(即第一钝化层)的膜层的数量≥2层，其中，必须包含氧化铝层。

具体的，在硅片的正面依次沉积氧化铝(AlOx)层、第一氮化硅(SiNx)层、第二氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层。

第九步、背面钝化层沉积。

背面钝化层(即第二钝化层)的膜层的数量≥1层，其中，必须包含氮化硅层。具体的，在硅片的背面依次沉积AlOx层、第一SiNx层、第二SiNx层和SiOx层。

第十步、背面栅线印刷与烘干。

具体的，在背面钝化层上印刷第二金属栅线图形。

第九步、正面栅线印刷与烘干。

具体的，在正面钝化层上印刷第一金属栅线图形，第一金属栅线的宽度为5-30μm，小于第五步中的重掺杂区域的宽度，且在重掺杂区域的正上方。

第十步、烧结。

具体的，采用峰值温度820℃进行烧结。

第十一步、电注入。

具体的，采用工艺温度200-400℃，注入电流10-20A进行电注入。

通过上述背结太阳能电池的制备方法即可完成背结太阳能电池的制备，并具有以下有益效果：

1、先用PECVD方式沉积掺杂非晶硅层，然后用激光对金属化区域进行推进，再用氧化使掺杂非晶硅层转变为氧化硅层，最后用HF去除该氧化硅层，无需硅片整体经历高温，从而大大降低了对硅片的寿命的影响，进而降低了对背结太阳能电池的光电转换效率的影响。

2、具有理想的正面电极(即第一金属栅线)线性：正面的第一金属栅线完全采用银浆，具有很好的塑形，可以获得极低的正面遮光损失。

3、具有理想的正面电极电阻：正面的第一金属栅线完全采用银浆，具有低的传输电阻，电学损失小。

4、具有低的金属化区域复合：由于正面无相关技术中的银-铝接触，消除了银-铝接触区域极高的复合电流损失，同时消除了两种金属接触时的接触电阻损失。

本发明还提供一种背结太阳能电池，所述背结太阳能电池是采用上述各实施例所提供的背结太阳能电池制备方法制备得到的。

本实施例提供的背结太阳能电池可以为P型背结太阳能电池，P型背结太阳能电池的光电转换效率更高。

本实施例提供的背结太阳能电池的具体实现方式可以参考以上背结太阳能电池制备方法的相关实施例，可以达到类似的效果，此处不再一一赘述。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种背结太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层；

利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域；

去除所述掺杂非晶硅层；

在所述硅片的第一面形成第一钝化层；

在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，所述第一金属栅线贯穿所述第一钝化层与所述重掺杂区域接触。

2.根据权利要求1所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述去除所述掺杂非晶硅层，包括：

通过氧化退火的方式，将所述掺杂非晶硅层氧化成氧化硅层；

利用氢氟酸去除所述氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅的沉积方式包括CVD、ALD或者PVD。

4.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线的宽度小于所述激光照射的宽度，和/或，所述第一金属栅线的宽度小于所述重掺杂区域的宽度。

5.根据权利要求4所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线的宽度为5-30微米，和/或，所述重掺杂区域的宽度为7-120微米，和/或，所述激光照射的宽度为6-118微米。

6.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线为银栅线。

7.根据权利要求6所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线为掺有铝的银栅线，所述第一金属栅线中银和铝的比例大于或等于85:1。

8.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的第一面形成第一钝化层，包括：

至少在所述硅片的第一面沉积氧化铝层，形成所述第一钝化层。

9.根据权利要求8所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，还包括：

在所述硅片的第二面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二钝化层以及第二金属栅线。

10.一种背结太阳能电池，其特征在于，所述背结太阳能电池是采用如权利要求1至9任一项所述的背结太阳能电池制备方法制备得到的。

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