CN115911186A - 一种太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。太阳电池的制备方法包括先在硅片表面形成第一氧化硅层，再在第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层，然后采用激光处理栅线区域进行区域掺杂形成硼扩散层，接着将完成激光处理的硅片进行高温氧化处理形成第二氧化硅层。本申请的太阳电池的制备方法通过轻扩散形成硼前驱体，通过叠加激光选择性扩散可有效在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行硼扩重掺杂，在电极之间位置进行硼扩轻掺杂，并能平衡硅片表面的损伤。从而降低扩散层复合，提高光线的短波响应，减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、填充因子都得到较好的改善，提高太阳电池的光电转换效率，并降低发电成本。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池技术领域，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法。
背景技术
光伏发电的核心部件是太阳能电池，其目标是不断提升光电转换效率、降低发电成本。Topcon太阳能电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(tunneloxide passivated contact)太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。
Topcon电池正面金属诱导复合是太阳能电池中总复合损失的重要组成部分，通过缩小电池背面的金属接触面积，可有效降低金属化造成的复合损失，但这将导致金属与硅片间的接触电阻变大，影响电池片光电转换效率提升。
发明内容
本申请实施例提供了一种太阳电池及其制备方法，其能够提高太阳电池的光电转换效率。
第一方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，其包括：先在硅片表面形成第一氧化硅层，再在第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层，然后采用激光处理栅线区域进行区域掺杂形成硼扩散层，接着将完成激光处理的硅片进行高温氧化处理形成第二氧化硅层。
在上述技术方案中，本申请的太阳电池的制备方法通过轻扩散形成硼前驱体，通过叠加激光选择性扩散可有效在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行硼扩重掺杂，在电极之间位置进行硼扩轻掺杂，并能平衡硅片表面的损伤。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、填充因子都得到较好的改善，从而提高太阳电池的光电转换效率，并降低发电成本。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，在硅片形成第一氧化硅层的步骤包括：
向放置有硅片的容器中通入氮气和氧气，并在830℃～840℃下使硅片形成第一氧化硅层。
可选地，氮气的流量为1000sccm～1500sccm。
可选地，氧气的流量为800sccm～1200sccm。
可选地，第一氧化硅层的厚度为0.3nm～0.5nm。
在上述示例中，第一氧化硅层有利于在进行硼的沉积时能够沉积均匀并形成均匀的硼前驱层。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，在第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层的步骤包括：
向放置有硅片的容器中通入三氯化硼、氮气和氧气，并在840℃～890℃下进行硼的沉积形成硼前驱层。
可选地，三氯化硼的流量为70sccm～100sccm。
可选地，氮气的流量为1800sccm～2200sccm。
可选地，氧气的流量为250sccm～300sccm。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，形成硼前驱层后，硅片的方块电阻为75Ω～125Ω，ECV结深为0.3μm～0.4μm，硼掺杂最高浓度为1*1020N/cm-3～2*1020N/cm-3。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，采用激光处理栅线区域进行区域掺杂时，激光区与非激光区反射率差异小于等于1.5％。
在上述示例中，当激光区与非激光区反射率差异小于等于1.5％时，有利于激光在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行硼扩重掺杂。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，高温氧化处理的温度为1000℃～1050℃。
可选地，第二氧化硅层的厚度为80nm～100nm。
在上述示例中，第二氧化硅层能够对硅片进行保护，并利用硼在二氧化硅中的固溶度大于硅的特性对非激光区域进行表面的浓度的一个调整高温推结，钝化表面缺陷及悬挂键，降低复合。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，在形成第一氧化硅层前，先向放置有硅片的容器中通入氮气，并升温至650℃～830℃，保持容器内气压为100mbar～150mbar。
在上述示例中，先向放置有硅片的容器中通入氮气能够提供惰性气体氛围。
结合第一方面，本申请可选的实施方式中，在形成第一氧化硅层后，继续向放置有硅片的容器中通入氮气升温推进至890℃～940℃，然后再形成硼扩散层。
第二方面，本申请实施例提供一种太阳电池，其包括正面栅线、背面栅线和依次层叠布置的正面氧化硅层、氧化铝层、硼扩散层、N型衬底、隧穿氧化层硅层、掺杂磷的非晶硅层和背面氧化硅层，硼扩散层包括轻掺杂区域和重掺杂区域，正面栅线穿过正面氧化硅层和氧化铝层，并与重掺杂区域欧姆接触形成带硼的合金，背面栅线穿过背面氧化硅层和掺杂磷的非晶硅层，并结合于隧穿氧化层硅层。
在上述技术方案中，本申请的太阳电池具有较高的光电转换效率，以及较低的发电成本。
结合第二方面，本申请可选的实施方式中，轻掺杂区域的方块电阻为50Ω～95Ω，ECV结深为1.8μm～2.0μm，硼掺杂最高浓度为1*1019N/cm-3～2*1019N/cm-3。
重掺杂区域的方块电阻为175Ω～225Ω，ECV结深为0.9μm～1.0μm，硼掺杂最高浓度为9*1018N/cm-3～1*1019N/cm-3。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为现有的Topcon太阳能电池的工艺流程图；
图2为磷扩散由于氧化导致的杂质在硅中的分布图；
图3为硼扩散由于氧化导致的杂质在硅中的分布图；
图4为本申请实施例的太阳电池的制备方法的工艺流程图；
图5为本申请实施例的太阳电池的结构示意图。
图标：10-太阳电池；100-正面栅线；200-正面氧化硅层；300-氧化铝层；400-硼扩散层；410-轻掺杂区域；420-重掺杂区域；500-N型衬底；600-隧穿氧化层硅层；700-掺杂磷的非晶硅层；800-背面氧化硅层；900-背面栅线。
具体实施方式
Topcon太阳能电池是德国Fraunhofer研究所的FrankFeldmann博士在2013年于28thEU-PVSEC首次提出的概念，目前行业内已知的企业目前还是沿用原有的设计方案即电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，正面采用硼源整面扩散，导致在进行PN结掺杂的过程中需要进行接触电阻与表面复合的取舍，正面的效率损失较大，现有的Topcon太阳能电池的工艺流程图如图1所示，硼扩流程如下：
硼扩工艺方阻控制在100Ω～150Ω，ECV结深控制在1.0μm～1.4μm,表面浓度控制在1*1019N/cm-3～2*1019N/cm-3。
S1：进舟氮气吹扫升温检漏，温度一般设定为650℃～830℃；
S2：恒温氧化，在硅片表面形成一层薄层氧化硅，温度为830℃～840℃；
S3：通三氯化硼氧气氮气进行硼的沉积，温度一般在840℃～890℃；
S4：通入氮气升温推进，温度为890℃～1050℃；
S5：通入氮气氧气恒温氧化推进，温度为1000℃～1100℃；
S6：通入氮气降温回常压出舟，温度为650℃～830℃。
对于P型电池PN结的掺杂一般为磷，磷在硅片中的固溶度大于二氧化硅，Perc电池常规磷扩散工艺后硅片表面的磷掺杂量大于内部的掺杂量，如图2，用激光选择性扩散方法进行选择性发射极的制作只需要极低的能量密度即可完成栅线区域区熔重掺杂，激光功率一般为20％，打标速度为25m/s。N型电池PN结的掺杂为硼，硼在硅中的固溶度小于二氧化硅，常规硼扩散工艺后表面的硼掺杂量小于内部的掺杂量，如图3，如果参照Perc电池使用常规激光选择性扩散方法即硼扩散后直接使用激光进行选择性掺杂，需要超高的能量才可完成栅线区域区熔重掺杂，会造成表面的损伤加大，无法进行效率提升(C/CB为掺杂施主在硅与二氧化硅中的固溶度占比)。
因此，本申请提供了一种太阳电池及其制备方法，其能够提高太阳电池的光电转换效率。
本申请提供一种太阳电池的制备方法，其工艺流程图如图4所示，其包括以下步骤：
S1、制绒
S2、硼轻扩
S21、升温
将完成制绒的硅片置于石英舟中，并向舟内通入氮气吹扫，升温检漏，升温至650℃～830℃，保持石英舟内气压为100mbar～150mbar。
作为示例，可以升温至650℃、660℃、670℃、680℃、690℃、700℃、710℃、720℃、730℃、740℃、750℃、760℃、770℃、780℃、790℃、800℃、810℃、820℃或830℃。
石英舟内气压可以为100mbar、110mbar、120mbar、130mbar、140mbar或150mbar。
S22、形成第一氧化硅层
向石英舟中通入氮气和氧气，并在830℃～840℃下恒温氧化，使得硅片表面形成第一氧化硅层。
作为示例，氧化温度可以为830℃、831℃、832℃、833℃、834℃、835℃、836℃、837℃、838℃、839℃或840℃。
可选地，氮气的流量为1000sccm～1500sccm。
作为示例，氮气的流量可以为1000sccm、1100sccm、1200sccm、1300sccm、1400sccm或1500sccm。
可选地，氧气的流量为800sccm～1200sccm。
作为示例，氧气的流量可以为800sccm、900sccm、1000sccm、1100sccm或1200sccm。
可选地，第一氧化硅层的厚度为0.3nm～0.5nm。
作为示例，第一氧化硅层的厚度可以为0.3nm、0.35nm、0.4nm、0.45nm或0.5nm。
S23、形成硼前驱层
向石英舟中通入三氯化硼、氧气和氮气，并在840℃～890℃下进行硼的沉积形成硼前驱层。
作为示例，沉积形成硼前驱层的温度可以为840℃、845℃、850℃、855℃、860℃、865℃、870℃、875℃、880℃、885℃或890℃。
可选地，三氯化硼的流量为70sccm～100sccm。
作为示例，三氯化硼的流量可以为70sccm、75sccm、80sccm、85sccm、90sccm、95sccm或100sccm。
可选地，氧气的流量为250sccm～300sccm。
作为示例，氧气的流量可以为250sccm、260sccm、270sccm、280sccm、290sccm或300sccm。
可选地，氮气的流量为1800sccm～2200sccm。
作为示例，氮气的流量可以为1800sccm、1900sccm、2000sccm、2100sccm或2200sccm。
S24、升温推进
向石英舟中通入氮气升温推进至890℃～940℃。
作为示例，可以升温推进至890℃、900℃、910℃、920℃、930℃或940℃。
S25、降温
向石英舟中通入氮气降温至650℃～830℃，使得石英舟内气压回常压，出舟。
作为示例，可以降温至650℃、660℃、670℃、680℃、690℃、700℃、710℃、720℃、730℃、740℃、750℃、760℃、770℃、780℃、790℃、800℃、810℃、820℃或830℃。
硼轻扩后硅片的方块电阻为75Ω～125Ω，ECV结深为0.3μm～0.4μm，硼掺杂最高浓度为1*1020N/cm-3～2*1020N/cm-3。
S3、激光掺杂
采用激光处理栅线区域进行区域掺杂，将表层的硼进一步向硅片内部推进形成硼扩散层，与栅线非接触区域不进行激光处理。
栅线区域即为后续丝网印刷栅线对应的区域。
可选地，激光区与非激光区反射率差异小于等于1.5％。
激光掺杂后经激光处理后的区域的方块电阻为35Ω～85Ω，ECV结深为1.0μm～1.0μm，硼掺杂最高浓度为1*1019N/cm-3～2*1019N/cm-3。
S4、高温氧化
将激光处理后的硅片送入炉管内，并向炉管内通入氧气进行高温氧化推结形成第二氧化硅层，氧化温度为1000℃～1050℃。
作为示例，氧化温度可以为1000℃、1010℃、1020℃、1030℃、1040℃或1050℃。
可选地，第二氧化硅层的为80nm～100nm。
作为示例，第二氧化硅层的厚度可以为80nm、82nm、84nm、86nm、88nm、90nm、92nm、94nm、96nm、98nm或100nm。
第二氧化硅层能够对硅片进行保护，并利用硼在二氧化硅中的固溶度大于硅的特性对非激光区域进行表面的浓度的一个调整高温推结，钝化表面缺陷及悬挂键，降低复合。
经激光处理的激光区域的方块电阻为50Ω～95Ω，ECV结深为1.8μm～2.0μm，硼掺杂最高浓度为1*1019N/cm-3～2*1019N/cm-3。
未经激光处理的非激光区域的方块电阻为175Ω～225Ω，ECV结深为0.9μm～1.0μm，硼掺杂最高浓度为9*1018N/cm-3～1*1019N/cm-3。
S5、碱抛
S6、形成背面隧穿层、沉积背面磷掺杂非晶硅层
S7、退火
S8、沉积正面氧化铝层
S9、沉积正背面氧化硅层
S10、丝网印刷
S11、测试分选
制得太阳电池。
本申请的太阳电池的制备方法通过轻扩散形成硼前驱体，通过叠加激光选择性扩散可有效在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行硼扩重掺杂，在电极之间位置进行硼扩轻掺杂，并能平衡硅片表面的损伤。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、填充因子都得到较好的改善，从而提高太阳电池的光电转换效率，并降低发电成本。
请参阅图5，本申请还提供一种太阳电池10，其包括正面栅线100、背面栅线900和依次层叠布置的正面氧化硅层200、氧化铝层300、硼扩散层400、N型衬底500、隧穿氧化层硅层600、掺杂磷的非晶硅层700和背面氧化硅层800，硼扩散层400包括轻掺杂区域410和重掺杂区域420，正面栅线100穿过正面氧化硅层200和氧化铝层300，并与重掺杂区域420欧姆接触形成带硼的合金，背面栅线900穿过背面氧化硅层800和掺杂磷的非晶硅层700，并结合于隧穿氧化层硅层600。
重掺杂区域420位于正面栅线100的下侧，轻掺杂区域410位于正面栅线100之间的区域的下侧。
轻掺杂区域410的方块电阻为50Ω～95Ω，ECV结深为1.8μm～2.0μm，硼掺杂最高浓度为1*1019N/cm-3～2*1019N/cm-3。
重掺杂区域420的方块电阻为175Ω～225Ω，ECV结深为0.9μm～1.0μm，硼掺杂最高浓度为9*1018N/cm-3～1*1019N/cm-3。
本申请的太阳电池10具有较高的光电转换效率，以及较低的发电成本。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
实施例1
本申请实施例提供一种太阳电池及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒
S2、硼轻扩
S21、升温
将完成制绒的硅片置于石英舟中，并向舟内通入氮气吹扫，升温检漏，升温至750℃，保持石英舟内气压为120mbar。
S22、形成第一氧化硅层
向石英舟中通入氮气和氧气，并在835℃下恒温氧化，使得硅片表面形成第一氧化硅层。
氮气的流量为1200sccm，氧气的流量为1000sccm，第一氧化硅层的厚度为0.4nm。
S23、形成硼前驱层
向石英舟中通入三氯化硼、氧气和氮气，并在860℃下进行硼的沉积形成硼前驱层。
三氯化硼的流量为90sccm，氧气的流量为280sccm，氮气的流量为2000sccm。
S24、升温推进
向石英舟中通入氮气升温推进至920℃。
S25、降温
向石英舟中通入氮气降温至750℃，使得石英舟内气压回常压，出舟。
硼轻扩后硅片的方块电阻为105Ω，ECV结深为0.2μm，硼掺杂最高浓度为2*1020N/cm-3。
S3、激光掺杂
采用激光处理栅线区域进行区域掺杂，将表层的硼进一步向硅片内部推进形成硼扩散层，与栅线非接触区域不进行激光处理。
激光区与非激光区反射率差异小于等于1.5％。
激光掺杂后经激光处理后的区域的方块电阻为55Ω，ECV结深为2.0μm，硼掺杂最高浓度为1.7*1019N/cm-3。
S4、高温氧化
将激光处理后的硅片送入炉管内，并向炉管内通入氧气进行高温氧化推结形成第二氧化硅层，氧化温度为1020℃，时间为60min,流量为2slm。
第二氧化硅层的为70nm。
经激光处理的激光区域的方块电阻为57Ω，ECV结深为2.0μm，硼掺杂最高浓度为5.5*1018N/cm-3。
未经激光处理的非激光区域的方块电阻为210Ω，ECV结深为0.8μm，硼掺杂最高浓度为3.2*1018N/cm-3。
S5、碱抛
S6、形成背面隧穿层、沉积背面磷掺杂非晶硅层
S7、退火
S8、沉积正面氧化铝层
S9、沉积正背面氧化硅层
S10、丝网印刷
S11、测试分选
制得太阳电池。
实施例2
本申请实施例提供一种太阳电池及其制备方法，本申请实施例在实施例1的基础上改变氧化温度，氧化温度为1050℃，时间为60min,流量为2slm。经激光处理的激光区域的方块电阻为58Ω，ECV结深为2.3μm，硼掺杂最高浓度为5.2*1018N/cm-3。
未经激光处理的非激光区域的方块电阻为220Ω，ECV结深为0.9μm，硼掺杂最高浓度为2.9*1018N/cm-3。
实施例3
本申请实施例提供一种太阳电池及其制备方法，本申请实施例在实施例1的基础上改变通氧流量，氧化温度为1020℃，时间为60min,流量为3slm，经激光处理的激光区域的方块电阻为60Ω，ECV结深为2.1μm，硼掺杂最高浓度为5.1*1018N/cm-3。
未经激光处理的非激光区域的方块电阻为230Ω，ECV结深为0.9μm，硼掺杂最高浓度为3.0*1018N/cm-3。
实施例4
本申请实施例提供一种太阳电池及其制备方法，本申请实施例在实施例1的基础上改变氧化时间，氧化温度为1020℃，时间为70min,流量为2slm。经激光处理的激光区域的方块电阻为59Ω，ECV结深为2.2μm，硼掺杂最高浓度为5.2*1018N/cm-3。
未经激光处理的非激光区域的方块电阻为225Ω，ECV结深为1.0μm，硼掺杂最高浓度为3.1*1018N/cm-3。
实施例5
本申请实施例提供一种太阳电池及其制备方法，本申请实施例在实施例1的基础上改变通氧的时间、流量、温度，氧化温度为1050℃，时间为70min,流量为3slm。经激光处理的激光区域的方块电阻为60Ω，ECV结深为2.4μm，硼掺杂最高浓度为5.0*1018N/cm-3。
未经激光处理的非激光区域的方块电阻为240Ω，ECV结深为1.1μm，硼掺杂最高浓度为2.7*1018N/cm-3。
对比例1
本申请对比例提供一种太阳电池及其制备方法，其包括以下步骤：
S1、制绒
S2、硼扩
S21、升温
将完成制绒的硅片置于石英舟中，并向舟内通入氮气吹扫，升温检漏，升温至750℃，保持石英舟内气压为120mbar。
S22、形成第一氧化硅层
向石英舟中通入氮气和氧气，并在835℃下恒温氧化，使得硅片表面形成第一氧化硅层。
氮气的流量为1200sccm，氧气的流量为1000sccm，第一氧化硅层的厚度为0.4nm。
S23、形成硼掺杂硼
向石英舟中通入三氯化硼、氧气和氮气，并在860℃下进行硼的沉积形成硼前驱层。
三氯化硼的流量为90sccm，氧气的流量为280sccm，氮气的流量为2000sccm。
S24、升温推进
向石英舟中通入氮气升温推进至920℃。
S25、恒温升温推进
向石英舟中通入氮气升温推进至1050℃。
S26、降温
向石英舟中通入氮气降温至750℃，使得石英舟内气压回常压，出舟。
S3、碱抛
S4、形成背面隧穿层、沉积背面磷掺杂非晶硅层
S5、退火
S6、沉积正面氧化铝层
S7、沉积正背面氧化硅层
S8、丝网印刷
S9、测试分选
制得太阳电池。
试验例1
分别取实施例1～5和对比例1制得的太阳电池，测得其电性能数据如表1所示。
表1 实施例1～5和对比例1制得的太阳电池性能
| 项目 | Eta(％) | Uoc(V) | Isc(A) | FF(％) | Rs(Ω) |
| 实施例1 | 25.37 | 0.7184 | 13.814 | 84.39 | 0.00052 |
| 实施例2 | 25.37 | 0.7189 | 13.85 | 84.15 | 0.00067 |
| 实施例3 | 25.43 | 0.7188 | 13.85 | 84.32 | 0.00061 |
| 实施例4 | 25.40 | 0.7177 | 13.86 | 84.32 | 0.00056 |
| 实施例5 | 25.47 | 0.7187 | 13.85 | 84.47 | 0.00052 |
| 对比例1 | 25.12 | 0.7147 | 13.81 | 84.05 | 0.00052 |
由实施例1～5和对比例1对比可知，本申请较常规工艺流程转换效率提升0.10％～0.34％。
以上所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
Claims (10)
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池的制备方法包括：先在硅片表面形成第一氧化硅层，再在所述第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层，然后采用激光处理栅线区域进行区域掺杂形成硼扩散层，接着将完成所述激光处理的硅片进行高温氧化处理形成第二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在硅片形成第一氧化硅层的步骤包括：
向放置有硅片的容器中通入氮气和氧气，并在830℃～840℃下使所述硅片形成所述第一氧化硅层；
可选地，氮气的流量为1000sccm～1500sccm；
可选地，氧气的流量为800sccm～1200sccm；
可选地，所述第一氧化硅层的厚度为0.3nm～0.5nm。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层的步骤包括：
向放置有硅片的容器中通入三氯化硼、氮气和氧气，并在840℃～890℃下进行硼的沉积形成所述硼前驱层；
可选地，三氯化硼的流量为70sccm～100sccm；
可选地，氮气的流量为1800sccm～2200sccm；
可选地，氧气的流量为250sccm～300sccm。
4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述硼前驱层后，所述硅片的方块电阻为75Ω～125Ω，ECV结深为0.3μm～0.4μm，硼掺杂最高浓度为1*1020N/cm-3～2*1020N/cm-3。
5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，采用激光处理栅线区域进行区域掺杂时，激光区与非激光区反射率差异小于等于1.5％。
6.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述高温氧化处理的温度为1000℃～1050℃；
可选地，所述第二氧化硅层的厚度为80nm～100nm。
7.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述第一氧化硅层前，先向放置有硅片的容器中通入氮气，并升温至650℃～830℃，保持容器内气压为100mbar～150mbar。
8.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述第一氧化硅层后，继续向放置有硅片的容器中通入氮气升温推进至890℃～940℃，然后再形成所述硼扩散层。
9.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括正面栅线、背面栅线和依次层叠布置的正面氧化硅层、氧化铝层、硼扩散层、N型衬底、隧穿氧化层硅层、掺杂磷的非晶硅层和背面氧化硅层，所述硼扩散层包括轻掺杂区域和重掺杂区域，所述正面栅线穿过所述正面氧化硅层和所述氧化铝层，并与所述重掺杂区域欧姆接触形成带硼的合金，所述背面栅线穿过所述背面氧化硅层和所述掺杂磷的非晶硅层，并结合于所述隧穿氧化层硅层。
10.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，所述轻掺杂区域的方块电阻为50Ω～95Ω，ECV结深为1.8μm～2.0μm，硼掺杂最高浓度为1*1019N/cm-3～2*1019N/cm-3；
所述重掺杂区域的方块电阻为175Ω～225Ω，ECV结深为0.9μm～1.0μm，硼掺杂最高浓度为9*1018N/cm-3～1*1019N/cm-3。
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