JP2011249470A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。
【選択図】 図３

Description

本発明は，処理室内において昇降自在な上部電極を備えるプラズマ処理装置に関する。
半導体デバイスを製造するプラズマ処理装置としては，その処理室内に例えば半導体ウエハや液晶基板などの基板を載置する下部電極とこれに対向して配置した上部電極を備える，所謂平行平板型のものが多く用いられている。このようなプラズマ処理装置では，下部電極上に基板を載置し，上部電極に形成した複数の吹出孔から下部電極に向けて所定の処理ガスを導入して電極間に高周波電力を印加することによって処理ガスのプラズマを発生させる。これにより基板に対してエッチングや成膜などのプラズマ処理を施すようになっている。
このような平行平板型のプラズマ処理装置において，上部電極と下部電極の電極間距離は基板のプラズマ処理特性に影響を与えるため，プラズマ処理の種類や処理条件ごとに正確に調整することが好ましい。特に，処理条件や種類の異なるプラズマ処理を同一の処理室内で連続して実行する場合には，それぞれのプラズマ処理に最適な電極間距離になるように調整することが好ましい。このため，従来は上部電極を昇降自在に構成することで，電極間距離が最適になるように調整することができるプラズマ処理装置が開発されている（例えば下記特許文献１参照）。
特許文献１に記載のプラズマ処理装置は，処理室の天井壁にベローズを介して上部電極を昇降自在に取り付け，天井壁と下部電極との間で上部電極を昇降させるように構成したものである。これによれば，上部電極を昇降させることによってその上部電極と下部電極との距離（電極間距離）を調整することができる。
特開２００５−９３８４３号公報
しかしながら，上述したような従来のプラズマ処理装置では，上部電極の上側にベローズを設けるため，そのベローズを縮めてもある程度の高さが残るため，処理室内に天井壁と上部電極に挟まれる空間（上部電極の上部空間）が形成されてしまう。このため，この上部空間には，処理室内に供給された処理ガスが上部電極の側面と処理室の内壁との間の隙間から回り込んで残留してしまう虞がある。
この空間に処理ガスが入り込んでしまうと，真空ポンプを駆動してもなかなか排気されない。これでは例えば次のプラズマ処理を実行する際に処理室内の圧力調整を行う際や，上部電極を昇降させる際に上部空間に残留する処理ガスが上部電極の下方の処理空間に降りてくるので，それによってプラズマ処理特性に影響を与える虞がある。また，上部電極の上部空間に処理ガスが回り込むと圧力も高くなり，電極間に高周波電力を印加したときに，その上部空間に異常放電が発生する虞もある。
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出でき，上部空間に異常放電が発生することを防止できるプラズマ処理装置を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，処理室内の基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，前記処理室の底壁に設けられ，前記基板を載置する下部電極と，前記下部電極に対向して設けられ，載置された前記基板に向けて処理ガスを導入する多数の吹出孔を設けた上部電極と，前記電極間に前記処理ガスのプラズマを形成する高周波電力を印加する電極供給部と，前記処理室の天井壁に設けられ，前記天井壁と前記下部電極との間で前記上部電極を昇降させる昇降機構と，前記各電極とその間の処理空間の周囲を囲む筒状壁と，前記筒状壁の内側に設けられ，前記処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路と，前記筒状壁の外側に設けられ，前記上部電極と前記天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路と，を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
このような本発明によれば，筒状壁内の処理空間に向けて供給された処理ガスが上部電極と筒状壁の隙間から，天井壁と上部電極との間の空間（上部電極の上部空間）に回り込んだとしても，その処理ガスを外側排気流路を通じて排気口から容易に排出することができる。また，上部電極の上部空間の圧力を低圧に保つことができるので，電極間に高周波電力を印加してもその上部空間に異常放電が発生することを防止できる。
この場合，上記筒状壁は例えば前記処理室の側壁の内側に設けられるシールド側壁であり，前記外側排気流路は例えば前記処理室の側壁と前記シールド側壁との間に形成した排気空間である。これによれば，このようなシールド側壁を設けて外側排気流路を形成するという容易な構成で，上部電極の上部空間に回り込んだ処理ガスを効率よく排気できる。
また，上記シールド側壁の上部には，前記外側排気流路を塞ぐように張り出したフランジ部が設けられ，前記フランジ部には，前記外側排気流路を前記上部電極と前記天井壁との間の空間に連通する多数の連通孔が形成され，この連通孔の数又は形状を変えることで前記外側排気流路のコンダクタンスを調整するように構成してもよい。これによれば，外側排気流路のコンダクタンスと上部電極と筒状壁の隙間のコンダクタンスとの差を大きくすることができる。これにより，天井壁と上部電極との間の空間に回り込んだ処理ガスの排出効率をより高めることができる。
また，上記フランジ部はその上側に前記シールド側壁の外周に沿って溝部を設け，前記溝部の底部に前記連通孔を設けるとともに，前記溝部の側部に前記上部電極と前記シールド側壁との隙間に連通する連通孔を形成するようにしてもよい。これによれば，上部電極とシールド側壁との隙間から入り込む処理ガスを連通孔を介して外側排気流路から排気口に導くことができる。これにより，処理ガスが上部電極の上部空間に入り込むことを防止できる。
なお，上記筒状壁は前記処理室の側壁とし，上記外側排気流路は前記上部電極と前記天井壁との間の空間を，前記処理室の排気口に接続される排気管に連通するバイパス配管で構成するようにしてもよい。これによれば，シールド側壁を設けないプラズマ処理装置にも本発明を適用できる。
本発明によれば，昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを外側排気流路を介して容易に排出でき，上部空間に異常放電が発生することを防止できる。
本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 図１に示すシールド部材の構成例を示す断面斜視図である。 処理室内の排気の流れを説明するための図であって，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略を示す断面図である。 処理室内の排気の流れを説明するための図であって，比較例にかかるプラズマ処理装置の概略を示す断面図である。 同実施形態におけるシールド部材の変形例を示す断面斜視図である。 図５に示すシールド部材を備えたプラズマ処理装置における処理室内の排気の流れを説明するための断面図である。 同実施形態におけるプラズマ処理装置の変形例を示す断面図である。 同実施形態におけるプラズマ処理装置の他の変形例を示す断面図である。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の一例として，平行平板型のプラズマ処理装置１００の概略構成を図１に示す。プラズマ処理装置１００は，例えば表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムから成る円筒形状に成形された処理室（チャンバ）１０２を有しており，この処理室１０２は接地されている。処理室１０２は例えば筒状の側壁１０３と底壁１０４と天井壁１０５に囲まれた処理容器から構成される。天井壁１０５は着脱自在に側壁１０３の上部に取り付けられている。
処理室１０２内には，ウエハＷを載置する載置台１１０を構成する下部電極（サセプタ）１１１と，この下部電極１１１に対向して配設され，処理ガスやパージガスなどを導入するシャワーヘッドを構成する上部電極１２０とが設けられている。
下部電極１１１は，例えばアルミニウムからなり，絶縁性の筒状保持部１０６を介して処理室１０２の底壁１０４に設けられる。なお，下部電極１１１は，ウエハＷの外径に合わせて円柱状に形成される。
下部電極１１１の上面には，ウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック１１２が設けられている。静電チャック１１２は例えば導電膜からなる静電チャック電極１１４を絶縁膜内に挟み込んで構成される。静電チャック電極１１４には直流電源１１５が電気的に接続されている。この静電チャック１１２によれば，直流電源１１５からの直流電圧により，クーロン力でウエハＷを静電チャック１１２上に吸着保持することができる。
下部電極１１１の内部には冷却機構が設けられている。この冷却機構は，例えば下部電極１１１内の円周方向に延在する冷媒室１１６に，図示しないチラーユニットからの所定温度の冷媒（例えば冷却水）を配管を介して循環供給するように構成される。冷媒の温度によって静電チャック１１２上のウエハＷの処理温度を制御できる。
下部電極１１１と静電チャック１１２には伝熱ガス供給ライン１１８がウエハＷの裏面に向けて配設されている。伝熱ガス供給ライン１１８には例えばＨｅガスなどの伝熱ガス（バックガス）が導入され，静電チャック１１２の上面とウエハＷの裏面との間に供給される。これにより，下部電極１１１とウエハＷとの間の熱伝達が促進される。静電チャック１１２上に載置されたウエハＷの周囲を囲むようにフォーカスリング１１９に配置されている。フォーカスリング１１９は，例えば石英やシリコンからなり，下部電極１１１の上面に設けられている。
上部電極１２０は，処理室１０２の天井壁１０５に上部電極昇降機構２００によって昇降自在に支持されている。これにより，下部電極１１１と上部電極１２０との間隔は，調節可能となる。なお，上部電極昇降機構２００についての詳細は後述する。
上部電極１２０は，処理室１０２の天井壁１０５にベローズ１２２を介して支持されている。ベローズ１２２は処理室１０２の天井壁１０５に形成された孔１０２ａの縁部下面にフランジ１２２ａを介してボルトなどの固定手段により取付けられるとともに，上部電極１２０の上面にフランジ１２２ｂを介してボルトなどの固定手段により取付けられる。
上部電極１２０は，下部電極１１１との対向面を構成し多数の吐出孔１２３を有する電極板１２４と，この電極板１２４を支持する電極支持体１２５とによって構成されている。電極板１２４は例えば石英から成り，電極支持体１２５は例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの導電性材料から成る。
上部電極１２０における電極支持体１２５には，ガス導入口１２６が設けられている。このガス導入口１２６には，ガス供給管１２７が接続されている。さらにこのガス供給管１２７には，バルブ１２８およびマスフローコントローラ１２９を介して，処理ガス供給部１３０が接続されている。
この処理ガス供給部１３０から，例えばプラズマエッチングのためのエッチングガスが供給されるようになっている。なお，図１には，ガス供給管１２７，バルブ１２８，マスフローコントローラ１２９，および処理ガス供給部１３０等から成る処理ガス供給系を１つのみ示しているが，プラズマ処理装置１００は，複数の処理ガス供給系を備えている。例えば，ＣＨＦ３，Ａｒ，Ｈｅ等の処理ガスが，それぞれ独立に流量制御され，処理室１０２内に供給される。
次に，上部電極昇降機構２００の構成例について図１を参照しながら説明する。なお，上部電極昇降機構２００の構成は図１に示すものに限られるものではない。図１に示す上部電極昇降機構２００は，上部電極１２０を処理室１０２に対して摺動自在に支持する略円筒状の摺動支持部材２０４を有する。摺動支持部材２０４は上部電極１２０の上部略中央にボルトなどで取付けられている。
摺動支持部材２０４は，処理室１０２の上壁の略中央に形成された孔１０２ａを出入自在に配設される。具体的には摺動支持部材２０４の外周面はスライド機構２１０を介して処理室１０２の孔１０２ａの縁部に摺動自在に支持されている。
スライド機構２１０は例えば処理室１０２の上部に断面Ｌ字状の固定部材２１４を介して固定部材２１４の鉛直部に固定された案内部材２１６と，この案内部材２１６に摺動自在に支持され，摺動支持部材２０４の外周面に一方向（本実施形態では上下方向）に形成されたレール部２１２とを有する。
スライド機構２１０の案内部材２１６を固定する固定部材２１４は，その水平部が環状の水平調整板２１８を介して処理室１０２の上部に固定される。この水平調整板２１８は上部電極１２０を水平位置を調整するためのものである。水平調整板２１８は例えば水平調整板２１８を周方向に等間隔で配置した複数のボルトなどにより処理室１０２に固定し，これらのボルトの突出量により水平調整板２１８の水平方向に対する傾き量を変えられるように構成するようにしてもよい。この水平調整板２１８が水平方向に対する傾きを調整することにより，上記スライド機構２１０の案内部材２１６が鉛直方向に対する傾きが調整されるので，案内部材２１６を介して支持される上部電極１２０の水平方向の傾きを調整することができる。これにより，上部電極１２０を簡単な操作で常に水平位置に保つことができる。
処理室１０２の上側には，上部電極１２０を駆動するための空気圧シリンダ２２０が筒体２０１を介して取付けられている。すなわち，筒体２０１の下端は処理室１０２の孔１０２ａを覆うようにボルトなどで気密に取付けられており，筒体２０１の上端は空気圧シリンダ２２０の下端に気密に取付けられている。
上記空気圧シリンダ２２０は一方向に駆動可能なロッド２０２を有しており，このロッド２０２の下端は，摺動支持部材２０４の上部略中央にボルトなどで連設されている。これにより，空気圧シリンダ２２０のロッド２０２が駆動されることにより，上部電極１２０は摺動支持部材２０４によりスライド機構に沿って一方向に駆動する。ロッド２０２は円筒状に構成し，ロッド２０２の内部空間が摺動支持部材２０４の略中央に形成された中央孔と連通して大気開放されるようになっている。これにより，例えば接地配線などの各配線（図１では省略）は，ロッド２０２の内部空間から摺動支持部材２０４の中央孔を介して上部電極１２０に接続することができる。
また，空気圧シリンダ２２０の側部には上部電極１２０の位置を検出する位置検出手段として例えばリニアエンコーダ２０５が設けられている。一方，空気圧シリンダ２２０のロッド２０２の上端にはロッド２０２から側方に延出する延出部２０７ａを有する上端部材２０７が設けられており，この上端部材２０７の延出部２０７ａにリニアエンコーダ２０５の検出部２０５ａが当接している。上端部材２０７は上部電極１２０の動きに連動するため，リニアエンコーダ２０５により上部電極１２０の位置を検出することができる。
空気圧シリンダ２２０は，筒状のシリンダ本体２２２を上部支持板２２４と下部支持板２２６とで挟んで構成されている。ロッド２０２の外周面には空気圧シリンダ２２０内をシリンダ第１空間２３２とシリンダ第２空間２３４に区画する環状の区画部材２０８が設けられている。
空気圧シリンダ２２０のシリンダ第１空間２３２には図示しない上部ポートから圧縮空気が導入されるようになっている。また空気圧シリンダ２２０のシリンダ第２空間２３４には図示しない下部ポートから圧縮空気が導入されるようになっている。シリンダ第１空間２３２，シリンダ第２空間２３４へそれぞれ導入する空気量を制御することにより，ロッド２０２を一方向（ここでは上下方向）へ駆動制御することができる。この空気圧シリンダ２２０へ導入する空気量は空気圧シリンダ２２０の近傍に設けられた空気圧回路２４０により制御される。なお，ここでは上部電極１２０を昇降させるアクチュエータとして空気圧シリンダ２２０を用いた場合について説明したが，これに限られるものではない。
上述した下部電極１１１には，２周波重畳電力を供給する電力供給装置１４０が接続されている。電力供給装置１４０は，第１周波数の第１高周波電力（プラズマ励起用高周波電力）を供給する第１高周波電力供給機構１４２と，第１周波数よりも低い第２周波数の第２高周波電力（バイアス電圧発生用高周波電力）を供給する第２高周波電力供給機構１５２から構成されている。
第１高周波電力供給機構１４２は，下部電極１１１側から順次接続される第１フィルタ１４４，第１整合器１４６，第１電源１４８を有している。第１フィルタ１４４は，第２周波数の電力成分が第１整合器１４６側に侵入することを防止する。第１整合器１４６は，第１高周波電力成分をマッチングさせる。
第２高周波電力供給機構１５２は，下部電極１１１側から順次接続される第２フィルタ１５４，第２整合器１５６，第２電源１５８を有している。第２フィルタ１５４は，第１周波数の電力成分が第２整合器１５６側に侵入することを防止する。第２整合器１５６は，第２高周波電力成分をマッチングさせる。
プラズマ処理装置１００には，制御部（全体制御装置）１６０が接続されており，この制御部１６０によってプラズマ処理装置１００の各部が制御されるようになっている。また，制御部１６０には，オペレータがプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや，プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部１６２が接続されている。
さらに，制御部１６０には，プラズマ処理装置１００で実行される各種処理（エッチング，アッシング，成膜など）を制御部１６０の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要な処理条件（レシピ）などが記憶された記憶部１６４が接続されている。
記憶部１６４には，例えば複数の処理条件（レシピ）が記憶されている。各処理条件は，プラズマ処理装置１００の各部を制御する制御パラメータ，設定パラメータなどの複数のパラメータ値をまとめたものである。各処理条件は例えば処理ガスの流量比，処理室内圧力，高周波電力などのパラメータ値を有する。
なお，これらのプログラムや処理条件はハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく，またＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部１６４の所定位置にセットするようになっていてもよい。
制御部１６０は，操作部１６２からの指示等に基づいて所望のプログラム，処理条件を記憶部１６４から読み出して各部を制御することで，プラズマ処理装置１００での所望の処理を実行する。また，操作部１６２からの操作により処理条件を編集できるようになっている。
処理室１０２の底壁１０４には，排気口１３２が設けられている。排気口１３２には排気管１３４を介して排気部１３６が接続されている。排気部１３６は，例えば真空ポンプを備え，処理室１０２内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。また，処理室１０２の側壁１０３には，図示はしないが，ウエハＷの搬入出口とこれを開閉するゲートバルブが取り付けられている。
このようなプラズマ処理装置１００では，上部電極１２０を昇降させて電極間距離を調整する。そして，処理ガス供給部１３０からの処理ガスを上部電極１２０を介して下部電極上の処理空間１０７に向けて導入し，下部電極１１１に第１，第２高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを形成することで，載置台１１０上のウエハＷに対してエッチングや成膜のプラズマ処理を行う。
ところが，このように昇降自在な上部電極１２０を備えるプラズマ処理装置１００では，上部電極１２０の上側（電極支持体１２５の上側）にベローズ１２２を設けるため，そのベローズ１２２を縮めてもある程度の高さが残るので，そのベローズ１２２の外側に天井壁１０５と上部電極１２０に挟まれる上部空間（天井壁１０５と電極支持体１２５に挟まれる上部空間）１０８が形成されてしまう。このため，この上部空間１０８に上部電極１２０の側面の外側に形成される隙間から回り込んだ処理ガスが残留してしまう虞がある。この場合，もし上部電極１２０の外側の隙間が狭いと，真空ポンプを駆動しても，残留した処理ガスはなかなか排気口１３２から排気されない。
そこで，本実施形態では，各電極１１１，１２０と処理空間１０７の周囲を囲む筒状壁を設け，この筒状壁の外側に上部電極１２０と天井壁１０５との間の上部空間１０８に回り込んだ処理ガスを直接排気する外側排気流路１３８を形成する。図１は，上述した各電極１１１，１２０と処理空間１０７の周囲を囲む筒状壁をシールド部材３００のシールド側壁３１０で構成した具体例である。この場合における外側排気流路１３８は，シールド側壁３１０と処理室１０２の側壁１０３との間に形成されて，排気口１３２に連通する排気空間によって構成される。
これによれば，排気部１３６の真空ポンプが駆動されることによって，上部電極１２０の上部空間１０８に回り込んだ処理ガスは外側排気流路１３８を通って排気口１３２から直接排気される。また，このようなシールド側壁３１０を設けて外側排気流路１３８を形成するという簡単な構成で，上部電極１２０の上部空間１０８に回り込んだ処理ガスを効率よく排気できる。
シールド部材３００は例えば図２に示すように構成される。シールド部材３００は，シールド側壁３１０と，その上部に設けられたフランジ３２０により構成される。シールド側壁３１０とフランジ３２０とは一体で形成してもよく，また別体で形成してもよい。
シールド部材３００はフランジ３２０によって処理室１０２の側壁１０３上部に支持される。具体的にはフランジ３２０はシールド側壁３１０の外周面から外側に突出するように形成される。このフランジ３２０は図１に示すように側壁１０３と天井壁１０５との間に挟んでボルトなどで取り付けられる。フランジ３２０には，処理室１０２の側壁１０３との間及び天井壁１０５との間で気密を保持するため，図示しないＯリングなどのシール部材が設けられている。
フランジ３２０には，図２に示すようにシールド側壁３１０の外周に沿って溝部３２２が設けられている。溝部３２２の底部３２４には上部電極１２０の上部空間１０８を外側排気流路１３８に連通する複数の連通孔３２６が設けられている。この連通孔３２６の数や形状を変えることによって，外側排気流路１３８のコンダクタンスを調整することができる。なお，外側排気流路１３８を通じた排気効率を高めるためには外側排気流路１３８のコンダクタンスは，少なくとも上部電極１２０とシールド側壁３１０の隙間のコンダクタンスより大きくすることが好ましい。
なお，図２では連通孔３２６の形状を丸孔にした例を挙げているが，これに限られるものではなく，例えばスリット，楕円などでもよい。また，連通孔３２６をスリットで構成する場合は，放射状に延びるスリットでもよく，また円周方向に延びるスリットでもよい。このように，連通孔３２６の数や形状を調整するだけで，外側排気流路１３８のコンダクタンスと上部電極１２０とシールド側壁３１０の隙間のコンダクタンスとの差を大きくすることができる。これにより，上部電極１２０の上部空間１０８に回り込んだ処理ガスの排出効率をより高めることができる。
シールド側壁３１０の内側，すなわちシールド側壁３１０と筒状保持部１０６との間には排気口１３２と連通する内側排気流路３３０が形成される。内側排気流路３３０と排気口１３２との間にはバッフル板３４０が設けられている。具体的にはバッフル板３４０は例えば図１に示すようにシールド側壁３１０の下端に，筒状保持部１０６を囲むように設けられる。バッフル板３４０には多数の貫通孔３４２が形成されている。これにより，排気部１３６の真空ポンプが駆動されることによって，シールド側壁３１０内の雰囲気は内側排気流路３３０を通って，バッフル板３４０の貫通孔３４２を介して排気口１３２から排気される。
シールド側壁３１０の内面は，陽極酸化処理（例えばアルマイト処理）が施されており，パーティクルが付着し難いようになっている。このようなシールド側壁３１０で処理空間１０７を囲むことにより，処理室１０２の側壁１０３をパーティクルなどから保護することができる。
次に，このようなプラズマ処理装置１００の排気の流れを説明する図面を参照しながら説明する。図３は外側排気流路１３８を形成するシールド部材３００を設けた本実施形態にかかるプラズマ処理装置１００の概略を示す断面図であり，図４は外側排気流路１３８を形成しないシールド部材３００’を設けた比較例にかかるプラズマ処理装置１００’の概略を示す断面図である。図３，図４では，上部電極昇降機構２００の構成や下部電極１１１近傍の構成などを簡略化したものである。
図３，図４のいずれの場合においても，図１に示す排気部１３６の真空ポンプが駆動されながら，上部電極１２０から処理空間１０７に向けて処理ガスが導入される。下部電極１１１に第１及び第２高周波が印加されると，処理空間１０７に処理ガスのプラズマが形成され，ウエハＷのプラズマ処理が行われる。
このとき，シールド側壁３１０，３１０’の内側の雰囲気のほとんどは，内側排気流路３３０を通ってバッフル板３４０の貫通孔３４２を介して排気口１３２から排出される。ところが，シールド側壁３１０，３１０’の内側の雰囲気の一部は，上部電極１２０の側面の外側に形成される隙間から上部電極１２０の上部空間１０８に入り込む。こうして，上部電極１２０の上部空間１０８に処理ガス１０９が回り込んでしまう。
この場合，もし図４のように外側排気流路１３８を有しない場合は，上記のように上部電極１２０の上部空間１０８に入り込んだ処理ガスは極めて排気され難く残留し易いのに対して，図３のように外側排気流路１３８を有する場合は，上部電極１２０の上部空間１０８に入り込んだ処理ガスを外側排気流路１３８を通じて直接排気口１３２から容易に排気させることができる。これにより，上部電極１２０の上部空間１０８に処理ガスが残留することを防止できる。また，上部電極１２０の上部空間１０８を低圧に保持できるので，上部空間１０８での異常放電を防止できる。
さらに，シールド側壁３１０の連通孔３２６の数や形状を調整して，外側排気流路１３８のコンダクタンスを上部電極１２０の外側の隙間（処理ガスが入り込む隙間）よりも大きくすることで，上部電極１２０の上部空間１０８に回り込んだ処理ガスを排気口１３２からより排気させ易くすることができる。
なお，シールド部材３００の構成は，図２に示すものに限られるものではない。例えば図５に示すように，シールド側壁３１０にフランジ３２０の溝部３２２の空間を上部電極１２０とシールド側壁３１０との隙間に連通する連通孔３１２を設けてもよい。これによれば，図６に示すように上部電極１２０の外側の隙間に入り込んだ処理ガスも連通孔３１２，３２６を介して外側排気流路１３８に導くことができる。これにより，シールド側壁３１０内の処理ガスが上部電極１２０の上部空間１０８に回り込むことを防止できる。
この連通孔３１２の数や形状は図５に示すものに限られるものではない。図５では連通孔３２６の形状を丸孔にした例を挙げているが，例えばスリット，楕円などでもよい。また，連通孔３１２をスリットで構成する場合は，放射状に延びるスリットでもよく，また円周方向に延びるスリットでもよい。
また，上記実施形態では，シールド側壁３１０を各電極１２０，１１１と処理空間１０７の周りを囲む筒状壁とし，このシールド側壁３１０と処理室１０２の側壁１０３との間に外側排気流路１３８を設けた場合を例に挙げて説明したが，これに限られるものではない。例えば図７に示すように外側排気流路１３８を，上部電極１２０の上部空間１０８を処理室１０２の排気管１３４に連通するバイパス配管により構成してもよい。
図７は，図４に示すプラズマ処理装置１００’に外側排気流路１３８を構成するバイパス配管３５０を設けた場合の具体例である。これによれば，上部電極１２０の上部空間１０８に入り込んだ処理ガスを外側排気流路１３８であるバイパス配管３５０を通じて直接排気口１３２から容易に排気させることができる。これによっても，上部電極１２０の上部空間１０８には処理ガスが残留することを防止できる。
また，外側排気流路１３８を構成するバイパス配管３５０は図８に示すようにシールド側壁３１０を設けないプラズマ処理装置１００”にも適用できる。この場合，処理室１０２の側壁１０３が各電極１２０，１１１と処理空間１０７の周りを囲む筒状壁に相当する。これによっても，上部電極１２０の上部空間１０８には処理ガスが残留することを防止できる。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば上記実施形態では，本発明を下部電極のみに２種類の高周波電力を重畳して印加してプラズマを生起させるタイプのプラズマ処理装置に適用した場合を例に挙げて説明したが，これに限定されるものではなく，別のタイプ例えば下部電極のみに１種類の高周波電力を印加するタイプや２種類の高周波電力を上部電極と下部電極にそれぞれ印加するタイプのプラズマ処理装置に適用してもよい。
本発明は，処理室内において昇降自在な上部電極を備えるプラズマ処理装置に適用可能である。
１００，１００’，１００” プラズマ処理装置
１０２ 処理室
１０２ａ 孔
１０３ 側壁
１０４ 底壁
１０５ 天井壁
１０６ 筒状保持部
１０７ 処理空間
１０８ 上部空間
１０９ 残留した処理ガス
１１０ 載置台
１１１ 下部電極
１１２ 静電チャック
１１４ 静電チャック電極
１１５ 直流電源
１１６ 冷媒室
１１８ 伝熱ガス供給ライン
１１９ フォーカスリング
１２０ 上部電極
１２２ ベローズ
１２２ａ，１２２ｂ フランジ
１２３ 吐出孔
１２４ 電極板
１２５ 電極支持体
１２６ ガス導入口
１２７ ガス供給管
１２８ バルブ
１２９ マスフローコントローラ
１３０ 処理ガス供給部
１３２ 排気口
１３４ 排気管
１３６ 排気部
１３８ 外側排気流路
１４０ 電力供給装置
１４２ 第１高周波電力供給機構
１４４ 第１フィルタ
１４６ 第１整合器
１４８ 第１電源
１５２ 第２高周波電力供給機構
１５４ 第２フィルタ
１５６ 第２整合器
１５８ 第２電源
１６０ 制御部
１６２ 操作部
１６４ 記憶部
２００ 上部電極昇降機構
３００，３００’ シールド部材
３１０，３１０’ シールド側壁
３１２，３２６ 連通孔
３２０ フランジ
３２２ 溝部
３２４ 底部
３３０ 内側排気流路
３４０ バッフル板
３４２ 貫通孔
３５０ バイパス配管
Ｗ ウエハ

Claims (5)

  1. 処理室内の基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
    前記処理室の底壁に設けられ，前記基板を載置する下部電極と，
    前記下部電極に対向して設けられ，載置された前記基板に向けて処理ガスを導入する多数の吹出孔を設けた上部電極と，
    前記電極間に前記処理ガスのプラズマを形成する高周波電力を印加する電極供給部と，
    前記処理室の天井壁に設けられ，前記天井壁と前記下部電極との間で前記上部電極を昇降させる昇降機構と，
    前記各電極とその間の処理空間の周囲を囲む筒状壁と，
    前記筒状壁の内側に設けられ，前記処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路と，
    前記筒状壁の外側に設けられ，前記上部電極と前記天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路と，
    を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記筒状壁は，前記処理室の側壁の内側に設けられるシールド側壁であり，
    前記外側排気流路は，前記処理室の側壁と前記シールド側壁との間に形成した排気空間であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記シールド側壁の上部には，前記外側排気流路を塞ぐように張り出したフランジ部が設けられ，
    前記フランジ部には，前記外側排気流路を前記上部電極と前記天井壁との間の空間に連通する多数の連通孔が形成され，この連通孔の数又は形状を変えることで前記外側排気流路のコンダクタンスを調整することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記フランジ部はその上側に前記シールド側壁の外周に沿って溝部を設け，
    前記溝部の底部に前記連通孔を設けるとともに，前記溝部の側部に前記上部電極と前記シールド側壁との隙間に連通する連通孔を形成したことを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記筒状壁は，前記処理室の側壁であり，
    前記外側排気流路は，前記上部電極と前記天井壁との間の空間を，前記処理室の排気口に接続される排気管に連通するバイパス配管であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
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