CN108588818A - 一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，由石墨制备而成；其结构包括有环状的上盖以及位于上盖下方且与上盖配合安装的环状的下盖，上盖下表面位于环状上盖的内环和外环处均设置有环状的第一凸台，下盖的上表面与第一凸台对应处设置有环状的第二凸台，第一凸台分别和对应的第二凸台配合，第一凸台、第二凸台、上盖及下盖之间形成一环状的腔体，位于下盖内环处的第二凸台上均匀开设有多个气孔，下盖上还开设有排气孔。解决了现有技术中存在的钼金属材质的尾气收集环在高温下容易变形进而导致产品稳定性差以及使用寿命短的问题。

Description

一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环
技术领域
本发明属于气相沉积设备技术领域，涉及一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环。
背景技术
众所周知，AIXTRON公司G系列气相沉积机台在材料磊晶生长时，材料的均匀性很大程度取决于Mo气流的均匀性，而尾气收集环(Exhaust collector)的高度以及变形量主要影响着Mo源气流的均匀性。
目前普遍使用的尾气收集环(Exhaust collector)为钼金属材质，尾气收集环(Exhaust collector)与Mo气体流量系统占有重要位置，在磊晶生长过程中，MO源气流的均匀性取决于尾气收集环(Exhaust collector)的高度以及变形量，而钼金属材质因高温下容易变形进而导致产品稳定性差以及使用寿命短。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，解决了现有技术中存在的钼金属材质的尾气收集环在高温下容易变形进而导致产品稳定性差以及使用寿命短的问题。
本发明所采用的技术方案是，一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，由石墨制备而成。
一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，包括有环状的上盖以及位于上盖下方且与上盖配合安装的环状的下盖，上盖下表面位于环状上盖的内环和外环处均设置有环状的第一凸台，下盖的上表面与第一凸台对应处设置有环状的第二凸台，第一凸台分别和对应的第二凸台配合，第一凸台、第二凸台、上盖及下盖之间形成一环状的腔体，位于下盖内环处的第二凸台上均匀开设有多个气孔，下盖上还开设有排气孔。
本发明的特征还在于，
上盖包括一个半环状的左上盖和一个半环状的右上盖，左上盖和右上盖拼接形成一个完整的上盖，左上盖和右上盖与彼此拼接的端面均设置为第一台阶面，左上盖上的第一台阶面和右上盖上的第一台阶面相互配合设置，左上盖和右上盖下表面位于的内环和外环处均设置有环状的第一凸台。
左上盖和右上盖的内环直径为529.2mm，左上盖和右上盖的外环直径为645mm，下盖的内环和外环直径分别为529.2mm和645mm。
位于上盖内环处的第一凸台的下端面和与之配合的位于下盖内环处的第二凸台的上端面均设置为第二台阶面，位于上盖内环处第一凸台12的第二台阶面与位于下盖内环处第二凸台的第二台阶面相互配合设置。
下盖上表面位于两个第二凸台之间固定设置有多个安装耳，安装耳上开设置有第一通孔，上盖和下盖上与第一通孔对应处分别开设有第二通孔和第三通孔。
第一通孔、第二通孔和第三通孔同轴且等直径。
气孔的直径为6mm。
气孔中心轴线到下盖下端面的直线距离为14mm。
排气孔的直径为28mm，排气孔在下盖上均匀开设有两个。
本发明的有益效果是：本发明在原有的设备尾气收集环结构基础上通过更改了材质和结构以及部分尺寸，提高尾气收集环的寿命，由原先220RUN/组提高到1000RUN/组，提高外延产品的稳定性，有利于提高尾气收集环的寿命进而降低成本，在生产上还能保证生产产品的稳定性。
附图说明
图1是本发明一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环的结构示意图；
图2是图1的仰视图；
图3是本发明一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环中左上盖的结构示意图；
图4是本发明一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环中右上盖的结构示意图；
图5是现有尾气收集环的结构示意图；
图6是图5的局部剖视图；
图7是本发明一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环的局部剖视图；
图8是现有尾气收集环的荧光光谱仪测试图；
图9是本发明一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环的荧光光谱仪测试图。
图中，1.上盖，2.下盖，3.左上盖，4.右上盖，5.第一台阶面，6.气孔，7.第二台阶面，8.安装耳，9.第一通孔，10.第二通孔，11.第三通孔，12.第一凸台，13.第二凸台，14.腔体，15.排气孔。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，由石墨制备而成。
本发明是一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，结构如图1所示，包括有环状的上盖1以及位于上盖下方且与上盖配合安装的环状的下盖2，上盖1下表面位于环状上盖1的内环和外环处均设置有环状的第一凸台12，下盖2的上表面与第一凸台12对应处设置有环状的第二凸台13，第一凸台12分别和对应的第二凸台13配合，第一凸台12、第二凸台13、上盖1及下盖2之间形成一环状的腔体14，位于下盖2内环处的第二凸台13上均匀开设有多个气孔6，如图2所示，下盖2上还开设有排气孔15。
如图3、图4所示，上盖1包括一个半环状的左上盖3和一个半环状的右上盖4，左上盖3和右上盖4拼接形成一个完整的上盖1，左上盖3和右上盖4与彼此拼接的端面均设置为第一台阶面5，左上盖3上的第一台阶面5和右上盖4上的第一台阶面5相互配合设置，左上盖3和右上盖4下表面位于的内环和外环处均设置有环状的第一凸台12。
左上盖3和右上盖4的内环直径为529.2mm，左上盖3和右上盖4的外环直径为645mm，下盖2的内环和外环直径分别为529.2mm和645mm。
位于上盖1内环处的第一凸台12的下端面和与之配合的位于下盖2内环处的第二凸台13的上端面均设置为第二台阶面7，位于上盖1内环处第一凸台12的第二台阶面7与位于下盖2内环处第二凸台13的第二台阶面7相互配合设置。
下盖2上表面位于两个第二凸台13之间固定设置有多个安装耳8，安装耳8上开设置有第一通孔9，上盖1和下盖2上与第一通孔9对应处分别开设有第二通孔10和第三通孔11。
第一通孔9、第二通孔10和第三通孔11同轴且等直径。
气孔6的直径为6mm。
气孔6中心轴线到下盖2下端面的直线距离为14mm。
排气孔15的直径为28mm，排气孔15在下盖2上均匀开设有两个。
本发明的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环的工作原理是：在磊晶生长时，通过气孔6将生成的废气均匀的吸附后通过尾气收集环(Exhaust collector)下盖2上的排气孔15被泵抽走。
本发明的尾气收集环(Exhaust collector)在安装时和原设备中尾气收集环(Exhaust collector)安装方式相同，将其平放在支撑环(support ring，在设备说明书中的零件编号为：40.02.1521)上，两个排气连接管(Exhaust connection，40.02.1514)穿过其排气孔15。
本发明的第一通孔9、第二通孔10和第三通孔11的开设便于螺丝刀能探下去通过调节螺丝的螺纹来调节支撑环(support ring)的高度，从而达到调整尾气收集环(Exhaustcollector)的高度以及平整度的目的。
如图5和图6所示，现有的用于AIXTRON公司G系列气相沉积机台中的尾气收集环(Exhaust collector)，在设备说明书中的零件编号为：40.07.0142，目前，该设备自带的尾气收集环分左右两部分组成，分别为两个壳状的左半环和右半环，其中一半的端口壳体尺寸小于另一半，较小尺寸的半环端口插接在较大的尺寸的半环端口内，形成尾气收集环(Exhaust collector)整体，内侧侧壁上开设的气孔直径为4.5mm，壳体壁厚为2.5，内环和外环直径分别为529.2mm和645mm。
如图7所示，本发明改进后的尾气收集环中上盖1和下盖2的壁厚均为5mm，第二凸台13和第一凸台12的厚度也为5mm，将本发明的尾气收集环与设备自带的尾气收集环经过多次PL(荧光光谱仪)测试，测试结果如图8、图9所示，图8为原有钼材质的尾气收集环的测试图，图9为本发明的石墨材质的尾气收集环，从图8和图9能看出使用设计的尾气收集环(Exhaust collector)后，厚度标准差(std)从原先的3.362％下降到2.390％，片内的厚度均匀性有了大幅的提高。

Claims (10)

1.一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，由石墨制备而成。
2.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，包括有环状的上盖(1)以及位于上盖下方且与上盖配合安装的环状的下盖(2)，所述上盖(1)下表面位于环状上盖(1)的内环和外环处均设置有环状的第一凸台(12)，所述下盖(2)的上表面与第一凸台(12)对应处设置有环状的第二凸台(13)，所述第一凸台(12)分别和对应的第二凸台(13)配合，所述第一凸台(12)、第二凸台(13)、上盖(1)及下盖(2)之间形成一环状的腔体(14)，位于所述下盖(2)内环处的第二凸台(13)上均匀开设有多个气孔(6)，所述下盖(2)上还开设有排气孔(15)。
3.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述上盖(1)包括一个半环状的左上盖(3)和一个半环状的右上盖(4)，左上盖(3)和右上盖(4)拼接形成一个完整的上盖(1)，所述左上盖(3)和右上盖(4)与彼此拼接的端面均设置为第一台阶面(5)，所述左上盖(3)上的第一台阶面(5)和右上盖(4)上的第一台阶面(5)相互配合设置，所述左上盖(3)和右上盖(4)下表面位于的内环和外环处均设置有环状的第一凸台(12)。
4.根据权利要求3所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述左上盖(3)和右上盖(4)的内环直径为529.2mm，所述左上盖(3)和右上盖(4)的外环直径为645mm，所述下盖(2)的内环和外环直径分别为529.2mm和645mm。
5.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，位于所述上盖(1)内环处的第一凸台(12)的下端面和与之配合的位于所述下盖(2)内环处的第二凸台(13)的上端面均设置为第二台阶面(7)，位于所述上盖(1)内环处第一凸台(12)的第二台阶面(7)与位于所述下盖(2)内环处第二凸台(13)的第二台阶面(7)相互配合设置。
6.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述下盖(2)上表面位于两个第二凸台(13)之间固定设置有多个安装耳(8)，所述安装耳(8)上开设置有第一通孔(9)，所述上盖(1)和下盖(2)上与第一通孔(9)对应处分别开设有第二通孔(10)和第三通孔(11)。
7.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述第一通孔(9)、第二通孔(10)和第三通孔(11)同轴且等直径。
8.根据权利要求2-7任意一项所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述气孔(6)的直径为6mm。
9.根据权利要求8所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述气孔(6)中心轴线到下盖(2)下端面的直线距离为14mm。
10.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积设备反应室内的尾气收集环，其特征在于，所述排气孔(15)的直径为28mm，所述排气孔(15)在下盖(2)上均匀开设有两个。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4976217A (en) * 1988-10-14 1990-12-11 U.S. Philips Corporation Epitaxy reactor having an improved gas collector
EP0780490A1 (en) * 1995-12-22 1997-06-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing residues in semiconductor processing chambers
US5788777A (en) * 1997-03-06 1998-08-04 Burk, Jr.; Albert A. Susceptor for an epitaxial growth factor
US6050216A (en) * 1998-08-21 2000-04-18 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode for plasma processing
CN2844825Y (zh) * 2005-11-02 2006-12-06 贾会平 石灰窑废气收集器
CN101328579A (zh) * 2007-06-24 2008-12-24 应用材料股份有限公司 Hvpe喷头设计
CN201578974U (zh) * 2009-07-07 2010-09-15 龙岩卓越生物质材料发展有限公司 氯化尾气吸收装置
CN102262999A (zh) * 2010-05-25 2011-11-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN103225072A (zh) * 2012-01-26 2013-07-31 三星电子株式会社 气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置
CN106011789A (zh) * 2015-03-26 2016-10-12 中晟光电设备（上海）股份有限公司 Mocvd系统及其反应气体输送装置
CN106544639A (zh) * 2015-09-21 2017-03-29 中微半导体设备(上海)有限公司 防止堵塞的气体抽取装置及设置该装置的mocvd设备
CN207035874U (zh) * 2017-12-18 2018-02-23 吉林市松江炭素有限责任公司 一种石墨化炉集尘罩

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4976217A (en) * 1988-10-14 1990-12-11 U.S. Philips Corporation Epitaxy reactor having an improved gas collector
EP0780490A1 (en) * 1995-12-22 1997-06-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing residues in semiconductor processing chambers
US5788777A (en) * 1997-03-06 1998-08-04 Burk, Jr.; Albert A. Susceptor for an epitaxial growth factor
US6050216A (en) * 1998-08-21 2000-04-18 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode for plasma processing
CN2844825Y (zh) * 2005-11-02 2006-12-06 贾会平 石灰窑废气收集器
CN101328579A (zh) * 2007-06-24 2008-12-24 应用材料股份有限公司 Hvpe喷头设计
CN201578974U (zh) * 2009-07-07 2010-09-15 龙岩卓越生物质材料发展有限公司 氯化尾气吸收装置
CN102262999A (zh) * 2010-05-25 2011-11-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN103225072A (zh) * 2012-01-26 2013-07-31 三星电子株式会社 气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置
CN106011789A (zh) * 2015-03-26 2016-10-12 中晟光电设备（上海）股份有限公司 Mocvd系统及其反应气体输送装置
CN106544639A (zh) * 2015-09-21 2017-03-29 中微半导体设备(上海)有限公司 防止堵塞的气体抽取装置及设置该装置的mocvd设备
CN207035874U (zh) * 2017-12-18 2018-02-23 吉林市松江炭素有限责任公司 一种石墨化炉集尘罩

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