JP2011228424A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層1上にTiを主成分とする密着層2を形成する工程と、密着層2上にWを主成分とする導電層3を形成する工程と、導電層3上にSiONを主成分とするハードマスク層4を形成する工程と、ハードマスク層4上にレジストパターン5を形成する工程と、レジストパターン5を保護膜とするエッチング処理により導電層3の一部3aを露出させる工程と、レジストパターン5及びハードマスク層4の残部4aを保護膜とするエッチング処理により密着層2の一部2aを露出させる工程と、その後、エッチング処理により下地層1の一部1aを露出させると共に、導電層3の残部3bを露出させる工程とを有する。
【選択図】図4
Description
Claims (10)
- 下地層上にチタンを主成分とする密着層を形成する工程と、
前記密着層上にタングステンを主成分とする導電層を形成する工程と、
前記導電層上にSiONを主成分とするハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを保護膜とする第1のエッチング処理により、前記ハードマスク層の一部を除去して前記導電層の一部を露出させる工程と、
前記レジストパターン及び前記ハードマスク層の残部を保護膜とする第2のエッチング処理により、前記導電層の一部を除去して前記密着層の一部を露出させる工程と、
前記第2のエッチング処理の後の第3のエッチング処理により、前記密着層の一部を除去して前記下地層の一部を露出させると共に、前記導電層の残部を露出させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハードマスク層上に形成される前記レジストパターンは、前記第2のエッチング処理後に前記ハードマスク層の残部上に残留する厚さに設定され、
前記第3のエッチング処理は、前記レジストパターンと前記ハードマスク層の残部とを保護膜として実行される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記密着層は、TiN層又はTi層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のエッチング処理は、フッ素系ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチング処理であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のエッチング処理は、フッ素系ガス又は塩素系ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチング処理であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のエッチング処理は、−30℃から−10℃まで範囲内で設定された温度環境で、0.5Paから1.5Paまでの範囲内で設定された圧力で実行されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のエッチング処理は、塩素系ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチング処理であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記密着層の膜厚は、10nmから50nmまでの範囲内の値に設定されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハードマスク層の膜厚は、200nmから350nmまでの範囲内の値に設定されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レジストパターンのピッチは、0.2μmから0.4μmまでの範囲内の値に設定されることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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