JP2011204984A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】FET20は、ドレイン電極22Dが互いに離間する複数のドレイン電極22Da、22Dbに分割されており、かつ、分割された複数のドレイン電極22Da、22Dbの下方に各々形成されたドレインオーミック26Da、26Db間に絶縁領域24Iが形成されたものである。
【選択図】図1
Description
従来、高出力FETとしては、Si−MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)、GaAs−MESFET (Metal-Semiconductor FET)、及びGaAs−HJFET(Hetero-Junction FET)等が用いられている。HJFETはHEMT(High Electron Mobility Transistor)とも称される。
GaNは有用なホモGaN基板がなく、代わりにサファイヤ基板、SiC基板、あるいはSi基板などの基板にGaNをエピタキシャル成長した基板が用いられる。
特にSi基板はサファイヤ基板に比べ熱伝導率が高く、SiC基板に比べ大口径化が容易で安価にGaNエピタキシャルウェハを製造することができる。そのため、民生用デバイスとしての普及には、Si基板を用いたGaN−FETの開発が重要である。
また、本明細書において、「高抵抗」とは抵抗値1.0×102Ωcm以上、「低抵抗」とは抵抗値1.0×10−1Ωcm以下によりそれぞれ定義している。
抵抗値1.0×104Ωcmの高抵抗Si基板を用いたGaN−FETが、非特許文献1,2に報告されている。図7は、非特許文献1,2から推測される従来の高抵抗Si基板を用いたGaN−FETを備えた半導体装置の概略断面図である。
図示する半導体装置101は、抵抗値1.0×104Ωcmの高抵抗Si基板111の上にGaNエピタキシャル膜112を成長し、その上にAlGaN膜113を成長したGaNエピタキシャルウェハ110に、ソース電極121Sとドレイン電極122Dとゲート電極123Gとを備えた複数のFET120が形成されたものである。
GaN膜112とAlGaN膜113とからなる半導体層上において、ソース電極121Sの下方にソースオーミック125Sが形成され、ドレイン電極122Dの下方にドレインオーミック126Dが形成されている。
上記理由により、温度が高くなる程、高抵抗Si基板とGaN−FETのチャネルとの間の寄生容量が大きくなり、図9に示すようにRF特性におけるドレイン効率が低下する傾向にある。図9は、図7に示した高抵抗Si基板を用いた従来のGaN−FETにおけるチャネル温度とドレイン効率との関係を示す本発明者の測定例である。
図8に示したデータから、抵抗値が1.0×10−1Ωcm以下の低抵抗Si基板を使うことで抵抗値の温度変化を抑制することは可能であるが、そうすると室温から寄生容量が発生して効率が低くなってしまう。そのため、現状のSi基板上GaNでは、ワイドバンドギャップ半導体としてのGaN本来の高温動作時のRF特性を引き出すことができていない。
図11、図12は特許文献2の図1、図4に記載のFETの平面構造である。図11に示す構造では、ドレイン電極D幅がソース電極S幅よりも細くなっている。図12に示す構造では、ドレイン電極Dが2つ以上に分割されている。
図10〜図12中、符号Sはソース電極、Dはドレイン電極、Gはゲート電極をそれぞれ示している。
同様な理由で図12に示したように単純にドレイン電極を分割して面積を図10より更に小さくしても寄生容量低減の効果は小さい。
ゲート電極を挟んで、一方にソース電極が形成され、他方にドレイン電極が形成され、前記ソース電極の下方にソースオーミックが形成され、前記ドレイン電極の下方にドレインオーミックが形成された電界効果トランジスタであって、
前記ドレイン電極が互いに離間する複数のドレイン電極に分割されており、かつ、分割された当該複数のドレイン電極の下方に各々形成されたドレインオーミック間に絶縁領域が形成されたものである。
本発明のFETでは、ドレイン電極を複数のドレイン電極に分割し、かつ分割されたドレイン電極の下方に各々形成された複数のドレインオーミック間を絶縁しているので、ドレイン面積及びその下の導電層の面積が小さく、基板との間の寄生容量を効果的に低減できる。そのため、熱抵抗を下げるためゲートピッチを広げた場合でも、ドレイン電極面積及びその下の導電層の面積が小さいため、基板との寄生容量を効果的に低減できる。また、チャネル温度が上昇して基板の抵抗率が変化しても、基板との間の寄生容量の増大が抑制されることでドレイン効率の温度依存性が抑制され、高温にて高効率動作が可能となる。
本発明では、低コストなSi基板を用いたGaNウェハ等を使用できるので、低コスト化が可能である。
図面を参照して、本発明に係る実施例1の電界効果トランジスタ(FET)を備えた半導体装置の構成について説明する。図1は本実施例の半導体装置の概略断面図、図2は要部平面図である。図面上は視認しやすくするため、各部材の縮尺や位置は適宜、実際のものとは異ならせてある。断面図において、ハッチングは適宜省略してある。
ソース電極21Sとドレイン電極22Dとゲート電極23Gとは絶縁膜(保護膜)31によって互いに絶縁されている。
本実施形態において、GaN膜12とAlGaN膜13とからなる半導体層上において、ソース電極21Sの下方にソースオーミック25Sが形成され、ドレイン電極22Da、22Dbの下方にドレインオーミック26Da、26Dbが各々形成されている。
また、分割されたドレイン電極22Daと22Dbの下方に各々形成されたドレインオーミック26Da、26Db間に絶縁領域24Iが形成されている。
ドレイン電極22Dの分割数は2分割に限定されず、3分割以上でも構わない。
絶縁領域24Iの形成方法は制限されず、本実施例では、絶縁領域24Iはイオン源としてNを用いたイオン注入法により形成した。
絶縁領域24Iは、動作領域以外の領域をフォトレジストで覆い、開口部分にイオン注入することで形成した。イオン注入は2回とし、注入エネルギーは1回目50keV、2回目200KeV、ドースはいずれの回も1.0×1014cm−2とした。これにより、AlGaN膜13の表面から300nm付近までの結晶が破壊され、2DEGは完全に消失した。注入エネルギーやドース、絶縁領域24Iの深さなどは、用いるイオン源やエピタキシャル層構造に依存するため、個々のデバイスの設計事項である。
イオン注入に用いるイオン源としては、H、He、Zn、B、及びO等を使用しても構わない。
ゲートピッチが狭い場合は、隣り合うFET20から発生した熱の干渉を均一にするため、ドレイン側とソース側のゲートピッチは均等が望ましい。ただし、熱設計をする上で、FET20の熱抵抗が許容範囲であればドレイン側とソース側のゲートピッチを不均等にすることは構わない。本実施例のゲートピッチはドレイン側とソース側で同じ80μmとした。
一方、同じドレイン側ゲートピッチであるが、ドレイン電極が分割されていない図7の従来のFET(ドレイン電極が分割されていない以外は本実施例と同じ設計)では、Cdsは3.8pFであった。さらに、本実施例と同様にドレイン電極を分割しているが、分割されたドレイン電極の下方に各々形成されたドレインオーミック間に絶縁領域が形成されていない図13のような断面構造を持つ比較例1のFET(絶縁領域が形成されていない以外は本実施例と同じ設計)の場合、Cds=3.6pFと、寄生容量の改善効果は小さい結果であった。
図7、図13、図14中、符号Sはソース電極、Dはドレイン電極、Gはゲート電極をそれぞれ示している。
図7に示した従来のFETでは、チャネル温度150℃以上で寄生容量の増加に伴い効率が大きく低下するが、本実施例のFET20では効率の低下が抑制され、200℃で高効率動作が実現できている。これは温度上昇に伴って基板の抵抗率が変化しても、分割されたドレイン電極幅が細く、且つ分割されたドレイン電極の下方に各々形成されたドレインオーミック間を絶縁しているため、寄生容量の増大が抑制されるからである。このように、本発明を適用することで、低コストなSi基板を用いたGaNウェハにて、高温にて高効率動作が可能となる。
本実施例の半導体装置1では、ドレイン電極22Dを複数に分割し、かつ分割されたドレイン電極22Da、22Dbの下方に各々形成されたドレインオーミック26Da、26Db間を絶縁しているので、ドレイン面積及びその下の導電層の面積が小さく、基板11との間の寄生容量を効果的に低減できる。そのため、熱抵抗を下げるためゲートピッチを広げた場合でも、ドレイン電極面積及びその下の導電層の面積が小さいため、基板との寄生容量を効果的に低減できる。また、チャネル温度が上昇して基板11の抵抗率が変化しても、基板11との間の寄生容量の増大が抑制されることでドレイン効率の温度依存性が抑制され、高温にて高効率動作が可能となる。
本実施例では、低コストなSi基板を用いたGaNウェハを使用できるので、低コスト化が可能である。
図面を参照して、本発明に係る実施例2の半導体装置の構成について説明する。図5は本実施例のFETを備えた半導体装置の概略断面図である。図面上は視認しやすくするため、各部材の縮尺や位置は適宜、実際のものとは異ならせてある。実施例1と同じ構成要素には同じ参照符号を付して、説明は省略する。
本実施例の半導体装置2は、基板が異なる以外は実施例1と同様の構成である。
本実施例においても、ドレイン電極22Dが2個のドレイン電極22Daと22Dbに分割されており、分割されたドレイン電極22Daと22Dbの下方に各々形成されたドレインオーミック26Da、26Db間に絶縁領域24Iが形成されている。
ドレイン電極22Dの分割数は2分割に限定されず、3分割以上でも構わない。
これに対して、本実施例の構造では室温での寄生容量が2.0pFまで低減され、効率の低下は抑制されている。ただし、高抵抗基板を用いた実施例1のFETの室温での寄生容量1.3pFに比べると大きいために、実施例1と比較して低温側での効率はやや低くなっている。しかしながら、200℃以上では実施例1では寄生容量が増大して効率が大きく低下するのに対し、実施例2では急激な低下は改善され、GaN−FETとしての理想的な対温度特性が得られている。
本実施例の半導体装置2においても、ドレイン電極22Dを複数に分割し、かつ分割されたドレイン電極22Da、22Dbの下方に各々形成されたドレインオーミック間を絶縁しているので、ドレイン面積及びその下の導電層の面積が小さく、基板との間の寄生容量を効果的に低減できる。そのため、熱抵抗を下げるためゲートピッチを広げた場合でも、ドレイン電極面積及びその下の導電層の面積が小さいため、基板との寄生容量を効果的に低減できる。
本実施例では、抵抗値の温度依存性の小さい低抵抗基板を用いているので、実施例1よりも寄生容量の温度依存性を抑制することができ、高温まで高効率を維持できる。
本実施例においても、低コストなSi基板を用いたGaNウェハ等を使用できるので、低コスト化が可能である。
本発明は上記実施例に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更可能である。
低抵抗Si基板を用いた実施例2で効果が得られたことを鑑みると、低抵抗Si基板以外でも、低抵抗SiC基板や、SOI技術を活用したコンポジット基板(例えば低抵抗ポリSiC基板)を用いても同様な効果が得られると考えられる。これらの基板はSi基板よりは高価であるが、半絶縁性SiC基板よりは安価であるため、低コスト化に有利である。また、SiC基板は低抵抗であっても熱伝導率が良いので、熱設計に有利である。
10 エピタキシャルウェハ
11 高抵抗Si基板
12 GaNエピタキシャル膜
13 AlGaN膜
20 FET(電界効果トランジスタ)
21S ソース電極
22D ドレイン電極
22Da、22Db 分割されたドレイン電極
23G ゲート電極
24I 絶縁領域
25S ソースオーミック
26Da、26Db ドレインオーミック
40 エピタキシャルウェハ
41 低抵抗Si基板
42 GaNエピタキシャル膜
43 AlGaN膜
Claims (5)
- ゲート電極を挟んで、一方にソース電極が形成され、他方にドレイン電極が形成され、前記ソース電極の下方にソースオーミックが形成され、前記ドレイン電極の下方にドレインオーミックが形成された電界効果トランジスタであって、
前記ドレイン電極が互いに離間する複数のドレイン電極に分割されており、かつ、分割された当該複数のドレイン電極の下方に各々形成されたドレインオーミック間に絶縁領域が形成された電界効果トランジスタ。 - 室温での抵抗値が1.0×102Ωcm以上である高抵抗Si基板を用いたエピタキシャルウェハに形成された請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 室温での抵抗値が1.0×10−1Ωcm以下である低抵抗Si基板を用いたエピタキシャルウェハに形成された請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- Si基板上にGaN膜を含む少なくとも1層の半導体層が形成されたエピタキシャルウェハに形成された請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- Si基板上にGaN膜とAlGaN膜とを含む複数の半導体層が形成されたエピタキシャルウェハに形成された請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
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