JP6160216B2 - 半導体装置 - Google Patents
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図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の電極配置を示す模式的な平面図である。図2は、図1に示す半導体装置のA−A線断面図である。図3は、図1に示す半導体装置のB−B線断面図である。この半導体装置100は、縦型構造のJFETであり、図1に示すように、上面はほぼソース電極7で覆われており、その周囲にゲート電極5が配置されている。また、図1に示すように、この半導体装置100は、JFETの単位セルが図1の紙面左右方向に複数配置された構成を有する。
図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の模式的な断面図であって、実施の形態1に係る半導体装置100における図2に示す断面図に相当する図である。
図7は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の模式的な断面図であって、実施の形態1に係る半導体装置100における図2に示す断面図に相当する図である。
図9は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の模式的な断面図であって、実施の形態1に係る半導体装置100における図2に示す断面図に相当する図である。
2 ドレイン領域
3 ドリフト領域
3a,3b,3d,3e,16,17,21 GaN層
3c 領域
4 ゲート領域
5 ゲート電極
6 ソース領域
7,7A ソース電極
8,8A,8B,8C P型領域
8a,8Aa 延伸部
11 ドレイン端子
12 ゲート端子
13 ソース端子
100,200,300,400 半導体装置
Ar1,Ar2 矢印
G 溝
I イオン
M1,M2 マスク
S 領域
Claims (4)
- 窒化物系半導体で構成された縦型の半導体装置であって、
第1導電型のドレイン領域と、
前記ドレイン領域に隣接して形成された第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の内部に形成された第2導電型のゲート領域と、
前記ドリフト領域の前記ドレイン領域とは反対側に隣接して形成された第1導電型のソース領域と、
前記ドリフト領域の内部に前記ゲート領域に隣接して形成され、前記ソース領域と電気的に接触するとともに、前記ゲート領域よりも前記ドレイン領域側に延伸している延伸部を有する第2導電型領域と、
を備え、前記ゲート領域は、一部の領域が、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに縦方向で挟まれた位置で前記ドリフト領域に埋め込まれているとともに、他の一部の領域が前記ドリフト領域から露出してゲート電極と直接接触しており、
前記ゲート領域と前記第2導電型領域との間に、前記ドレイン領域と前記ソース領域とを直線的に結ぶようにチャネル領域が形成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記チャネル領域は前記ドレイン領域と前記ソース領域とが広がっている方向に垂直な方向から0度〜30度の角度を成す方向に沿って形成されることを特徴とする請求項1に記載に半導体装置。
- 前記第2導電型領域の延伸部と、前記ドリフト領域とは、前記ドレイン領域と前記ソース領域とが広がっている方向において交互に配列されており、超接合構造を形成していることを特徴とする請求項1または2に記載に半導体装置。
- 前記ソース領域に電気的に接触するソース電極をさらに備え、前記ソース電極は、前記ソース領域側から前記第2導電型領域まで掘込まれた溝を通じて前記第2導電型領域と電気的に接触しているとともに、前記ドリフト領域のうち前記溝の側壁を形成する領域とショットキー接触していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載に半導体装置。
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