JP2011186449A - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】駆動回路によって制御される表示部と、駆動回路を制御するためのタイミングコントローラと、を有し、タイミングコントローラには、静止画を表示するための画像信号が供給されており、タイミングコントローラにより、画像信号の階調数が小さいほど、表示部で画像信号に応じた画像を表示する際のリフレッシュレートを小さくする。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、液晶表示装置について説明するための概念図、液晶表示装置のブロック図、及び液晶素子の特性と階調数の関係図について示し、説明する。
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置、及び低消費電力化を図ることができる液晶表示装置の一形態を、図5乃至図8を用いて説明する。
本実施の形態では、本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。
トランジスタを作製し、該トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、トランジスタを駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で示す液晶表示装置において、タッチパネル機能を付加した液晶表示装置の構成について、図12(A)、(B)を用いて説明する。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
101 タイミングコントローラ
102 駆動回路
103 表示部
104 動画表示期間
105 静止画表示期間
106 期間
107 期間
108 期間
109 期間
110 期間
111 期間
201 1階調
202 2階調
203 3階調
204 4階調
205 M階調
211 1階調
212 2階調
213 N階調
301 (i−2)階調
302 (i−1)階調
303 i階調
304 (i+1)階調
305 (i+2)階調
306 階調
307 矢印
311 (j−1)階調
312 j階調
313 (j+1)階調
314 階調
315 矢印
401 分析部
402 ルックアップテーブル部
403 パネルコントローラ
411 カウンタ回路
412 判定部
800 液晶表示装置
801 画像処理回路
802 タイミングコントローラ
803 表示パネル
804 バックライト部
805 液晶素子
806 駆動回路部
807 画素部
808 ゲート線
809 ソース線
810 画素
811A ゲート線駆動回路
811B ソース線駆動回路
812 トランジスタ
813 容量素子
814 バックライト制御回路
815 バックライト
816 端子部
817 電源
901 期間
902 期間
903 期間
904 期間
1101 期間
1102 期間
1103 期間
1104 期間
1200 基板
1201 ゲート電極層
1202 ゲート絶縁層
1203 半導体層
1205a ソース電極層
1205b ドレイン電極層
1207 絶縁層
1209 保護絶縁層
1210 トランジスタ
1220 トランジスタ
1227 絶縁層
1230 トランジスタ
1240 トランジスタ
1246a 配線層
1246b 配線層
1247 絶縁層
1501 液晶表示パネル
1502 タッチパネルユニット
1503 筐体
1504 液晶表示装置
1505 画素
1506 光センサ
1507 液晶素子
1508 ゲート線駆動回路
1509 信号線駆動回路
1510 光センサ用駆動回路
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4040 導電層
4041a 絶縁層
4041b 絶縁層
4042a 絶縁層
4042b 絶縁層
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 スピーカ
9635 操作キー
9636 接続端子
9638 マイクロフォン
9651 太陽電池
9652 バッテリー
9653 ウインドウ型表示部
9672 記録媒体読込部
9676 シャッターボタン
9677 受像部
9680 外部接続ポート
9681 ポインティングデバイス
Claims (6)
- 駆動回路によって制御される表示部と、
前記駆動回路を制御するためのタイミングコントローラと、を有し、
前記タイミングコントローラには、静止画を表示するための画像信号が供給されており、前記タイミングコントローラにより、前記画像信号の階調数が小さいほど、前記表示部において前記画像信号に応じた画像を表示する際のリフレッシュレートを小さくすることを特徴とする液晶表示装置。 - 駆動回路によって制御される表示部と、
前記駆動回路を制御するためのタイミングコントローラと、を有し、
前記タイミングコントローラにより、前記表示部で静止画を表示するための第1の階調数の第1の画像信号に応じた画像を表示する際のリフレッシュレートよりも、前記第1の階調数より小さい第2の階調数の第2の画像信号に応じた画像を表示する際のリフレッシュレートを小さくすることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記タイミングコントローラは、前記画像信号の階調数を判定するための分析部と、
前記分析部からの信号を元にリフレッシュレートを記憶したルックアップテーブル部と、
前記ルックアップテーブル部により制御されるパネルコントローラと、
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3において、
前記分析部は、前記画像信号のビット毎に設けられたカウンタ回路と、
前記カウンタ回路でのカウント値を元に階調値を判定する判定部と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記表示部の各画素は、画像信号の書き込みを制御するためのトランジスタを有し、
前記トランジスタの半導体層は酸化物半導体であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の液晶表示装置を備えた電子機器。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014080731A1 (ja) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | シャープ株式会社 | 制御装置、表示装置、および表示装置の制御方法 |
JP2014112213A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
JP2014130336A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2014130337A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 情報処理装置の駆動方法、プログラム、および情報処理装置 |
JP2014142623A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR20150013025A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
US9710013B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processing device, program |
JP2018503845A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-02-08 | 小米科技有限責任公司XiaomiInc. | 液晶表示方法および装置 |
JP2018505432A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-02-22 | 小米科技有限責任公司Xiaomi Inc. | 液晶表示方法および装置 |
US10515609B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and operation method thereof, and electronic device |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101282383B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
TWI525377B (zh) | 2010-01-24 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
US9349325B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
CN103299448B (zh) * | 2010-09-29 | 2016-09-07 | Posco公司 | 使用辊形状母基板的柔性电子器件的制造方法、柔性电子器件及柔性基板 |
TWI462075B (zh) * | 2012-01-20 | 2014-11-21 | Hung Ta Liu | 一種驅動方法及使用該方法之顯示裝置 |
JP2014032396A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法、及び表示装置 |
JP2014032399A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR20140013931A (ko) | 2012-07-26 | 2014-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
US9984644B2 (en) * | 2012-08-08 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for driving the same |
US9761201B2 (en) * | 2012-09-28 | 2017-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid-crystal display device and drive method thereof |
US20140111558A1 (en) * | 2012-10-23 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and program |
KR20150085035A (ko) | 2012-11-15 | 2015-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
CN105051596B (zh) * | 2013-03-27 | 2019-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置以及电子设备 |
KR102008912B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2019-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR101481072B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2015-01-13 | 빛샘전자주식회사 | 계조 bit(데이터)에 따라 가변적 재생률을 갖는 영상 표시 장치, 영상 처리 방법 및 그를 이용한 전광판 시스템 |
KR102133978B1 (ko) | 2013-11-13 | 2020-07-14 | 삼성전자주식회사 | 압축 데이터를 이용하여 패널 셀프 리프레쉬를 수행할 수 있는 타이밍 컨트롤러, 이의 동작 방법, 및 상기 타이밍 컨트롤러를 포함하는 데이터 처리 시스템 |
KR102148482B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
KR102169034B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2020-10-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102254762B1 (ko) | 2014-08-01 | 2021-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102232915B1 (ko) | 2014-09-01 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2016066065A (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
US9952642B2 (en) * | 2014-09-29 | 2018-04-24 | Apple Inc. | Content dependent display variable refresh rate |
CN107003582A (zh) | 2014-12-01 | 2017-08-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、包括该显示装置的显示模块以及包括该显示装置或该显示模块的电子设备 |
CN105825822B (zh) * | 2015-01-04 | 2018-10-02 | 联咏科技股份有限公司 | 显示装置及其再刷新频率的控制方法 |
KR102516643B1 (ko) | 2015-04-30 | 2023-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
WO2017035383A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Parade Technologies, Ltd. | Data pattern-based charge sharing for display panel systems |
US10467964B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-11-05 | Apple Inc. | Device and method for emission driving of a variable refresh rate display |
JP2017083655A (ja) | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10528165B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
CN116775543A (zh) | 2016-09-06 | 2023-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备 |
WO2018058301A1 (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种oled屏幕保护方法及保护系统 |
CN109716426A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示系统及电子设备 |
KR20210010739A (ko) | 2019-07-18 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법 |
KR20210012089A (ko) | 2019-07-23 | 2021-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 오버드라이빙 데이터 획득 방법, 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치 |
US11210048B2 (en) | 2019-10-04 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
KR20210157523A (ko) | 2020-06-19 | 2021-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
KR20220022526A (ko) | 2020-08-18 | 2022-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN116189628A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-05-30 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 显示装置的驱动方法和显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002149118A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー液晶表示方法及びその装置並びにカラー液晶表示装置を搭載した携帯情報端末装置 |
JP2002196729A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型表示装置とマトリクス型表示装置の調整方法 |
JP2002236465A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置とその駆動方法および伝送フォーマット |
Family Cites Families (124)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3240218B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2001-12-17 | 株式会社日立製作所 | 多色表示可能な情報処理装置 |
JP3476241B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2003-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置の表示方法 |
US5821910A (en) * | 1995-05-26 | 1998-10-13 | National Semiconductor Corporation | Clock generation circuit for a display controller having a fine tuneable frame rate |
US5900886A (en) * | 1995-05-26 | 1999-05-04 | National Semiconductor Corporation | Display controller capable of accessing an external memory for gray scale modulation data |
EP0820644B1 (en) * | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11133921A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Sharp Corp | 表示制御回路及び表示制御方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000214831A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 表示処理装置及び情報処理装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3730159B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2005-12-21 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法および表示装置 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2002328655A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6956553B2 (en) * | 2001-04-27 | 2005-10-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Active matrix display device |
GB2378343B (en) * | 2001-08-03 | 2004-05-19 | Sendo Int Ltd | Image refresh in a display |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) * | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP4638117B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2011-02-23 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP5116202B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005140959A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Rohm Co Ltd | 表示装置及びこれを用いた携帯機器 |
JP4016942B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2007-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | Pwm信号生成回路及び表示ドライバ |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN1998087B (zh) | 2004-03-12 | 2014-12-31 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 非晶形氧化物和薄膜晶体管 |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
KR100911698B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2009-08-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
EP2453480A2 (en) * | 2004-11-10 | 2012-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
RU2358354C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Светоизлучающее устройство |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7692642B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-04-06 | Intel Corporation | Method and apparatus for controlling display refresh |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI472037B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI481024B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
CN100573647C (zh) * | 2005-05-16 | 2009-12-23 | 统宝香港控股有限公司 | 矩阵驱动方法及电路,及使用其的显示装置 |
JP4633538B2 (ja) | 2005-05-23 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 画像表示装置及び大型画像表示装置 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1998374A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
KR101142281B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2012-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 구동방법 |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101667544B (zh) * | 2005-11-15 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
US20080158217A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7596201B2 (en) * | 2007-03-15 | 2009-09-29 | Epson Imaging Devices Corporation | Gray code counter and display device therewith |
US7795613B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) * | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI383371B (zh) * | 2007-08-31 | 2013-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 時序控制器,顯示裝置與調整迦瑪電壓方法 |
JP2009128503A (ja) | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ回路とその駆動方法、ならびに発光表示装置 |
US8202365B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
GB2458958B (en) * | 2008-04-04 | 2010-07-07 | Sony Corp | Driving circuit for a liquid crystal display |
JP2009265260A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Fujitsu Ltd | 表示方法および表示装置 |
KR101492564B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2015-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그것의 공통전압 조절 방법 |
KR101533741B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2015-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널의 구동방법 및 이를 이용한 표시장치 |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010122493A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Eastman Kodak Co | 表示装置 |
US20100315396A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Himax Technologies Limited | Timing controller, display and charge sharing function controlling method thereof |
KR101613701B1 (ko) * | 2009-12-25 | 2016-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 구동 방법 |
KR101848684B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2018-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 장치 |
US8698852B2 (en) * | 2010-05-20 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
TWI440926B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-06-11 | Hongda Liu | 液晶顯示裝置 |
-
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2014
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002149118A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー液晶表示方法及びその装置並びにカラー液晶表示装置を搭載した携帯情報端末装置 |
JP2002196729A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型表示装置とマトリクス型表示装置の調整方法 |
JP2002236465A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置とその駆動方法および伝送フォーマット |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014112213A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
WO2014080731A1 (ja) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | シャープ株式会社 | 制御装置、表示装置、および表示装置の制御方法 |
US9697758B2 (en) | 2012-11-20 | 2017-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Control device, display device, and display device control method |
US9390665B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2014130336A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2014130337A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 情報処理装置の駆動方法、プログラム、および情報処理装置 |
US9406268B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving information processing device and program and information processing device |
JP2014142623A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2015043076A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置および電子機器 |
KR20150013025A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
JP2018173666A (ja) * | 2013-07-25 | 2018-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10338419B2 (en) | 2013-07-25 | 2019-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
KR102169962B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2020-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
US9710013B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processing device, program |
JP2018503845A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-02-08 | 小米科技有限責任公司XiaomiInc. | 液晶表示方法および装置 |
JP2018505432A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-02-22 | 小米科技有限責任公司Xiaomi Inc. | 液晶表示方法および装置 |
US10176769B2 (en) | 2015-11-12 | 2019-01-08 | Xiaomi Inc. | Liquid crystal display method and device, and storage medium |
US10515609B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and operation method thereof, and electronic device |
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