JP2011171410A - インプリント装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】モールドの検査に有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板5上の未硬化樹脂12と型3とを互いに押し付けて、基板5上に樹脂12のパターンを形成するインプリント装置1であって、型3に投光して該型3で生じた散乱光を受光し、該散乱光を計測する計測手段8と、ユーザーインターフェイスとしての操作手段10と、計測手段8を制御する制御手段9とを有する。制御手段9は、計測手段8により型3を予め計測して得られた基準信号を記憶し、計測手段8に型3を計測させ、該計測により得られた計測信号と基準信号との相違を示す指標を求め、該指標に関する指標情報を操作手段10に出力させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板上の未硬化樹脂と型とを互いに押し付けて基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法に関する。
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、モールドと基板上の未硬化樹脂とを互いに押し付けて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応する樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の一つとして、光硬化法がある。光硬化法は、まず、基板(ウエハ)上のショット領域(インプリント領域)に紫外線硬化樹脂(インプリント樹脂、光硬化樹脂)を塗布する。次に、この樹脂(未硬化樹脂)とモールドとを互いに押し付ける。そして、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させたうえで離型することにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。この樹脂パターンは、エッチング等の加工を基板に行うためのマスクとして利用し得る。このようなインプリント技術を用いて樹脂のパターンを基板上に形成するインプリント装置は、高性能な投影光学系を必要とするフォトリソグラフィ装置に比べ、製造コストまたはサイズの点で有利となり得る。
一方、インプリント装置は、モールドを基板に接触させるため、硬化した樹脂が基板から剥がれてモールドに付着してしまう場合や、硬化した樹脂に引っ張られてモールドが欠損してしまう場合がある。モールドに異物が付着していたり欠損があったりすると、所望の樹脂パターンを形成することができず、歩留まりの点で好ましくない。そこで、特許文献1は、基板上に形成された膜の特性を測定することによりモールドの異常を判定する方法を開示している。
特表2007−523492号公報
しかしながら、特許文献1に開示された方法は、基板上に形成された膜の特性を測定しているところ、膜の特性の異常は、基板上の異物や欠損によっても生じるため、実際には異常がなくてもモールドに異常があると判定し得るものである。そのため、実際にはモールドに異常がなくても、インプリント装置からモールドを取り出し、取り出されたモールドの検査や洗浄を行う必要があった。
そこで、本発明は、モールドの検査に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂と型とを互いに押し付けて基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型に投光して該型で生じた散乱光を受光し、該散乱光を計測する計測手段と、ユーザーインターフェイスとしての操作手段と、計測手段を制御する制御手段とを有し、該制御手段は、計測手段により型を予め計測して得られた基準信号を記憶し、計測手段に型を計測させ、該計測により得られた計測信号と基準信号との相違を示す指標を求め、該指標に関する指標情報を操作手段に出力させることを特徴とする。
本発明によれば、例えば、モールドの検査に有利なインプリント装置を提供することができる。
本発明の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。 インプリント装置によるパターン形成工程を示す概略図である。 モールドに欠損がある場合のパターン形成工程を示す概略図である。 モールドに付着物がある場合のパターン形成工程を示す概略図である。 インプリント装置におけるモールド計測系の位置関係を示す概略図である。 走査計測時のモールド計測系の動作を示す概略図である。 モールド計測系による各状態における計測信号を示す概略図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
(インプリント装置)
まず、本発明の実施形態に係るインプリント装置の構成について説明する。図1は、インプリント装置の構成を示す概略図である。本実施形態におけるインプリント装置は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理基板であるウエハ上(基板上)に対してモールドの凹凸パターンを転写する加工装置であり、インプリント技術の中でも光硬化法を採用した装置である。なお、以下の図において、モールドに対する紫外線の照射軸に平行にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で後述のインプリントヘッドに対してモールド計測系が移動する方向にX軸を取り、該X軸に直交する方向にY軸を取って説明する。本発明のインプリント装置1は、照明系ユニット2と、モールド3と、インプリントヘッド4と、ウエハ5と、ウエハステージ6と、塗布装置7と、モールド計測系8と、制御装置9と、コンソール部10とを備える。
照明系ユニット2は、インプリント処理の際に、モールド3に対して紫外線50を照射する照明手段である。この照明系ユニット2は、不図示であるが、光源と、該光源から射出された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学素子から構成される。モールド3は、ウエハ5に対する対向面に、所定の凹凸パターン(例えば、回路パターン)が3次元状に形成された型(型材)である。凹凸パターンの表面は、ウエハ5の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。なお、モールド3の材質は、石英等、紫外線を透過させることが可能な材料である。
インプリントヘッド4は、モールド3を保持、固定するための型保持手段である不図示のマウントと、該マウントを駆動する不図示のマウント駆動機構と、アライメント検出系11とを備えた型保持部である。マウント駆動機構は、具体的には、ウエハ5上に形成された紫外線硬化樹脂12にモールド3を押し付けるために、マウントをZ軸方向に駆動する駆動系である。駆動機構に採用するアクチュエータは、少なくともZ軸方向で駆動するものであれば、特に限定するものではなく、リニアモータやエアシリンダ等が採用可能である。若しくは、紫外線硬化樹脂12からモールド3を引き離す離型動作の際に、硬化した紫外線硬化樹脂12が破壊しないように高精度に離型動作を行うために、粗動作及び微動作を分割して実施するアクチュエータであっても良い。アライメント検出系11は、モールド3に形成されたアライメントマークと、ウエハ5上に形成されたアライメントマークとを光学的に観察して、両者の相対位置関係を計測する位置計測手段である。なお、アライメント検出系11は、モールド3とウエハ5との相対位置関係が計測できれば良いので、両者を画像観察する結像光学系を内部に構成したものでも良いし、又は、両者の干渉信号やモアレ(干渉縞)等の相乗効果による信号を検知するものでも良い。
ウエハ5は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板であり、被処理面には、成形部となる紫外線硬化樹脂12が塗布される。また、ウエハステージ6は、ウエハ5を真空吸着により保持し、かつ、XY平面内を自由に移動可能な基板保持手段である。ウエハステージ6を駆動するためのアクチュエータとしては、リニアモータが採用可能であるが、特に限定するものではない。
塗布装置7は、ウエハ5上に紫外線硬化樹脂12を塗布する塗布手段である。紫外線硬化樹脂12は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂(インプリント樹脂)であって、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択される。以下、簡単化のために、紫外線硬化樹脂12を単に「樹脂」と表記し、紫外線照射前の未硬化の状態の樹脂を「未硬化樹脂」と表記する。
モールド計測系8は、投光部8aと受光部8bとを備え、モールド3に形成された凹凸パターンを、モールド3がインプリント装置1内に存在する状態で直接検査する計測手段である。なお、モールド3に形成される凹凸パターンは、実際には極微細であるが、簡単化のために、以下、3つの凸部(図2以下における凸部3a〜3c)を有するものとして説明する。モールド計測系8は、投光部8aより照射した照射光(図5における照射光31)を、モールド3の凹凸パターン、例えば凸部3aに当てて、該凸部3aからの散乱光(図5における散乱光32)を受光部8bにて検出する。検出された信号は、後述の制御装置9に送信される。本実施形態では、投光部8aは、凹凸パターンの形成方向、即ち、Z軸に対して傾斜を有するように設置し、一方、受光部8bは、Z方向に垂直となる位置に設置する。この設置方法によれば、インプリント装置1内におけるモールド計測系8を小型化でき、かつ、凹凸パターンの各凸部における計測信号を好適に検出することができる。なお、この設置方法は、限定するものではなく、適宜選択可能である。また、後述するが、凹凸パターンを計測する方式により、モールド計測系8は、不図示であるが、X軸方向に適宜移動可能とする計測系駆動機構を有する構成としても良い。
制御装置9は、インプリント装置1の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。制御装置9は、不図示であるが、インプリント装置1の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、及びシーケンサ等で構成され、プログラム、若しくはシーケンスにより、各構成要素の制御を実行する。なお、制御装置9は、インプリント装置1と一体で構成しても良いし、若しくは、インプリント装置1とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。
コンソール部10は、制御装置9に接続され、インプリント装置1とのユーザーインターフェイスの役割を担う、モニタ及び入力装置等で構成される操作手段である。ユーザーは、コンソール部10により、装置全体の各種設定値(パラメータ値)や動作内容の入力及び装置の動作命令等を実施する。また、コンソール部10は、装置全体の動作状況の表示や装置トラブルが発生した場合のエラー表示を行い、ユーザーに対して装置の可動状況を適宜伝える。
まず、比較のために、一般的なインプリント装置によるパターン形成(インプリント処理)について説明する。図2は、インプリント装置によるパターン形成工程を示す概略図である。なお、図2において、図1と同一構成のものには同一の符号を付す。まず、図2(a)に示すように、インプリント装置1は、ウエハステージ6にウエハ5を載置し、固定した後、ウエハステージ6を塗布装置7の塗布位置へ移動させる。その後、塗布装置7は、ウエハ5の所定のショット(被処理領域)に樹脂(未硬化樹脂)12を塗布する。次に、図2(b)に示すように、インプリント装置1は、ウエハ5上の塗布面がモールド3の直下に位置するように、ウエハステージ6を移動させる。次に、図2(c)に示すように、インプリント装置1は、モールド3の押印面とウエハ5上の塗布面との位置合わせを実施した後、インプリントヘッド4内のマウント駆動機構を駆動させ、ウエハ5上の樹脂12にモールド3を押印する。このとき、樹脂12は、モールド3の押印により、モールド3に形成された凹凸パターンに沿って流動する。この状態で、照明系ユニット2は、モールド3の背面(上面)から紫外線50を照射し、モールド3を透過した紫外線50により、樹脂12が硬化する。そして、図2(d)に示すように、樹脂12が硬化した後、インプリント装置1は、インプリントヘッド4内の駆動機構を再駆動させ、モールド3をウエハ5から離型させる。以上の工程により、ウエハ5上のショットの表面には、モールド3の凹凸パターンに倣った3次元形状の樹脂12の層が形成される。
次に、モールド3の凹凸パターンに異常がある場合の一般的なインプリント装置によるパターン形成工程について説明する。例えば、図3は、欠損した凸部3a´を有するモールド3を使用した場合のパターン形成工程を示す概略図である。ここで、図3a〜図3dに示す工程は、図2a〜図2dに示す工程にそれぞれ対応している。図3に示すように、モールド3に欠損した凸部3a´が存在すると、そのパターン形状がそのまま樹脂12に転写され、インプリント装置は、欠損した微細パターン部12aを形成することになる。一方、図4は、凹凸パターンにおける凸部3aと凸部3bとの間の凹部に付着物13が存在するモールド3を使用した場合のパターン形成工程を示す概略図である。ここで、図4は、図3(d)に示す工程に対応している。通常、インプリント装置は、樹脂12が完全に硬化してから、モールド3を引き剥がすが、樹脂12が完全に硬化する前にモールド3を引き剥がしてしまう場合がある。この場合、図4に示すように、樹脂12の一部が付着物13として凹凸パターンの凹部に付着し、凹凸パターンの異常となる。
インプリント装置では、モールド3に形成された凹凸パターンの形状そのものが、ウエハ5上に形成されるデバイスパターンの線幅を決定することになる。したがって、図2に示すように、凹凸パターンに異常がない場合は、デバイスパターンの線幅には異常が生じないが、図3及び図4に示すように、凹凸パターンに異常が生じると、デバイスパターンに不良が発生することとなる。例えば、図3に示すモールド3のように、凹凸パターンに欠損が生じると、欠損部分に相当するデバイスパターンは、所望の線幅を満足できず、製品として使用できないため、歩留まりの悪化となる。更に、図4に示すモールド3のように、凹凸パターンに付着物が付着したモールド3を使い続けると、付着部分に相当するデバイスパターンは、所望の線幅より太い線幅となり、この場合も、製品として使用できないため、歩留まりの悪化となる。一般に、インプリント装置では、1つのモールド3を繰り返し使用し、複数のデバイスパターンを形成するため、ダメージを受けて凹凸パターンに上記のような異常が生じる可能性は、特に考えられる。そこで、本発明では、インプリント装置1内に搭載されたモールド計測系8により、モールド3の凹凸パターン自体を計測することで、凹凸パターンの異常を簡易的に判定する。
次に、本実施形態に係るインプリント装置1の作用について説明する。まず、インプリント装置1における凹凸パターンの状態を計測するモールド計測系8の位置関係について説明する。図5は、インプリント装置1におけるモールド計測系8の位置関係を示す概略図である。特に、図5(a)は、インプリント装置1の内部にモールド3が装填された後に、ウエハ5の交換時に、モールド3に対してモールド計測系8を走査させるパターン検査の場合の位置関係を示す概略図である。なお、この場合の「ウエハ交換時」とは、ウエハステージ6に保持された第1のウエハ(第1の基板)5を、新たな第2のウエハ(第2の基板)5に交換する時を示す。この場合、制御装置9は、ウエハ5の交換時、即ち、図5(a)に示すように、ウエハステージ6が押印位置から移動している間に、インプリントヘッド4に装填されたモールド3の凹凸パターンの計測を行うようにモールド計測系8を制御する。具体的には、モールド計測系8は、インプリント処理中には、モールド3の周辺位置に待機しており、インプリント処理が終了し、ウエハ5の交換のためにウエハステージ6が移動した後、モールド3の直下の空いた空間に移動する。この方式の利点は、モールド計測系8は、ウエハ5の交換時のウエハステージ6の移動に伴って、モールド3の凹凸パターンの計測を自動で実施するので、スループットに影響を与えることがない点にある。なお、モールド計測系8は、ウエハ5の交換時に、凹凸パターンを毎回計測できるように、ウエハステージ6の一部(例えば、側面部)に一体として配置しても良い。
一方、図5(b)は、インプリント装置1の内部にモールド3が装填された後に、モールド3の交換時に、モールド計測系8に対してモールド3を走査させるパターン検査の場合の位置関係を示す概略図である。なお、この場合の「モールド交換時」とは、インプリント処理後に、既に保持されているモールド(第1の型)3を交換する場合と、一方、インプリント処理前に、これから保持されるモールド(第2の型)3を交換する場合とを含む。即ち、制御装置9は、図5(b)に示すように、モールド(第1の型)3をインプリントヘッド4から取り外して移動させている間に、モールド3の凹凸パターンの計測を自動で実施するようにモールド計測系8を制御する。若しくは、制御装置9は、モールド(第2の型)3をインプリントヘッド4に向けて移動させている間に、モールド3の凹凸パターンの計測を自動で実施するようにモールド計測系8を制御する。この方式の利点は、一般にインプリント装置では、形成するデバイスパターンの線幅によってモールド3を交換する必要があるため、モールド3を交換する頻度が多い場合に好適となる点にある。
次に、凹凸パターンの走査計測時におけるモールド計測系8の動作について説明する。図6は、走査計測時のモールド計測系8の動作を示す概略図である。ここで、図6に示す走査計測は、図5(a)に対応し、モールド3がインプリントヘッド4に装填された状態で、モールド3に対してモールド計測系8がX軸方向で紙面左側より右側へ走査する場合を想定する。モールド計測系8は、以下の図6(a)〜図6(c)に示すような走査計測を連続して実施する。まず、図6(a)に示すように、モールド計測系8は、モールド3の凹凸パターンの最端部から中心部に向かって走査計測を行い、逐一計測信号を得て、まず、凸部3aの計測信号を得る。引き続き、モールド計測系8は、走査計測を行い、図6(b)に示すように、凹凸パターンの中心部において凸部3bの計測信号を得る。更に引き続き、モールド計測系8は、モールド3の凹凸パターンの中心部から一方の最端部に向かって走査計測を行い、図6(c)に示すように、凸部3cの計測信号を得る。
次に、モールド計測系8が走査計測にて計測する計測信号について説明する。図7は、モールド計測系8によるモールド3の各状態における計測信号を示す概略図である。本実施形態では、まず、モールド計測系8は、インプリント装置1の外部から内部にモールド3が装填された際、装填されたモールド3の凹凸パターンを走査計測し、該走査計測で得られた信号を基準信号として、制御装置9内の記憶手段等に記憶する。図7(a)は、最初に使用するモールド3の凹凸パターンの基準信号を示す図である。図7(a)に示すように、モールド3は、まだインプリント処理に使用されておらず、凹凸パターンに異常がない新品であるので、基準信号60は、各凸部3a〜3cにおいて均一な山型形状のパターン信号部61を有する。
次に、インプリント装置1でモールド3を使用する過程で、モールド3に欠損が生じた場合について説明する。図7(b)は、凹凸パターンに欠損した凸部3a´が存在する場合の計測信号及び指標データを示す図である。まず、モールド計測系8は、走査計測により、図7(b)に示すような計測信号62を得る。この場合、計測信号62は、凹凸パターンの凸部3a´に欠損が存在するので、凸部3a´に対応する部分には、他の信号形状とは異なる山型形状のパターン信号部63を有する。次に、制御装置9は、得られた計測信号62と、予め記憶した基準信号60とを比較することで、図7(b)に示すような指標データ64を得る。この指標データ64は、例えば、基準信号60と得られた計測信号62との差分を計算して算出された差分データである。なお、指標データ(指標)は、差分データに限定するものではなく、基準信号と得られた計測信号との相違を示すものであればよい。例えば、指標データは、信号の全体又は対応する各部分に関して求めた計測信号と基準信号との相関度(相関係数)であってもよい。次に、制御装置9は、算出した指標データ64の値が、予め設定した上限値及び下限値を有する閾値65を超えたかどうかを判定した情報である指標情報を得て、コンソール部10に出力する。ここで、制御装置9は、図7(b)に示すように、万が一閾値65を超えた場合は、モールド3に異常が発生したと判定し、コンソール部10に対して異常の発生を通知し、コンソール部10は、エラー表示を行う。これにより、ユーザーは、モールド3に異常が生じたことを即座に確認することができる。
次に、インプリント装置1でモールド3を使用する過程で、モールド3に付着物が存在した場合について説明する。図7(c)は、凹凸パターンに、付着物13が存在する場合の計測信号及び指標データを示す図である。この場合も、モールド計測系8は、走査計測により、図7(c)に示すような計測信号66を得る。該計測信号66は、凹凸パターンに付着物13が存在するので、付着物13に対応する部分には、他の信号形状とは異なる大きな山型形状のパターン信号部67を有する。次に、制御装置9は、得られた計測信号66と、予め記憶した基準信号60とを比較することで、図7(c)に示すような指標データ68を得る。次に、制御装置9は、算出した指標データ68の値が、予め設定した閾値65を超えたかどうかを判定した情報である指標情報を得て、コンソール部10に出力する。この場合も、制御装置9は、図7(c)に示すように、万が一閾値65を超えた場合は、モールド3に異常が発生したと判定する。コンソール部10によるエラー表示は、上記と同様である。
なお、比較のために、インプリント装置1でモールド3を使用する過程で、モールド3には異常が生じなかった場合について説明する。図7(d)は、凹凸パターンに異常がない場合の計測信号及び指標データを示す図である。この場合も、モールド計測系8は、走査計測により、図7(d)に示すような計測信号70を得るが、凹凸パターンには異常がないので、計測信号70は、基準信号60と同等の信号となる。次に、制御装置9は、得られた計測信号70と、予め記憶した基準信号60とを比較することで、図7(c)に示すような指標データ72を得る。そして、制御装置9は、算出した指標データ72の値が予め設定した閾値65を超えたかどうかを判定した情報である指標情報を得て、コンソール部10に出力する。この場合は、制御装置9は、図7(d)に示すように、指標データ72は閾値65を超えないので、モールド3には異常がないと判定する。
以上のように、本実施形態のインプリント装置1によれば、インプリント装置1内に設置されたモールド計測系8により、簡易にモールド3の凹凸パターンを検査することができるので、モールド3に異常が生じた際は、即座にモールド3を交換することができる。したがって、インプリント装置1により製造される物品の歩留まりに対して有利である。
(物品の製造方法)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
例えば、図7では、信号について、簡単化のために1次元的に説明したが、実際のモールド3は2次元であり、モールド計測系8は、モールド3を2次元で計測するとより好適である。また、図7に示した、制御装置9に予め設定した、ある一定の閾値65は、常に一定ではなく、任意のタイミングで書き換えても良い。
1 インプリント装置
3 モールド
5 ウエハ
8 モールド計測系
8a 投光部
8b 受光部
9 制御装置
10 コンソール部
12 紫外線硬化樹脂

Claims (9)

  1. 基板上の未硬化樹脂と、型とを互いに押し付けて、前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型に投光して該型で生じた散乱光を受光し、該散乱光を計測する計測手段と、
    ユーザーインターフェイスとしての操作手段と、
    前記計測手段を制御する制御手段と、を有し、
    前記制御手段は、前記計測手段により前記型を予め計測して得られた基準信号を記憶し、前記計測手段に前記型を計測させ、該計測により得られた計測信号と前記基準信号との相違を示す指標を求め、該指標に関する指標情報を前記操作手段に出力させる、ことを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記制御手段は、前記計測信号と前記基準信号との差を前記指標として求め、該指標に対する閾値を前記指標が超えたことを示す情報を前記指標情報として前記操作手段に出力させる、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記制御手段は、前記インプリント装置の外部から前記インプリント装置の内部に前記型が装填された場合、該型を用いた前記押し付けを行う前に、該型を前記計測手段に計測させ、該計測により得られた信号を前記基準信号として記憶する、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  4. 前記押し付けのために前記型を保持する型保持手段、を有し、
    前記制御手段は、前記型保持手段に保持された第1の型を第2の型と交換する場合に、前記第1の型を前記計測手段に計測させて前記計測信号を得る、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  5. 前記押し付けのために前記型を保持する型保持手段、を有し、
    前記制御手段は、前記型保持手段に保持された第1の型を第2の型と交換する場合に、前記第2の型を前記計測手段に計測させて前記計測信号を得る、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  6. 前記押し付けのために前記基板を保持する基板保持手段、を有し、
    前記制御手段は、前記基板保持手段に保持された第1の基板を第2の基板に交換する間に、前記型を前記計測手段に計測させて前記計測信号を得る、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  7. 前記押し付けのために前記基板を保持する可動の基板保持手段、を有し、
    前記計測手段は、前記投光を行う投光部と、前記受光を行う受光部とを有し、
    前記投光部と前記受光部とは、前記基板保持手段に配置され、
    前記制御手段は、前記基板保持手段を移動させて前記計測手段に前記型を計測させる、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  8. 前記制御手段は、前記閾値として上限値および下限値を記憶し、前記上限値および前記下限値のいずれを前記指標が超えたかを示す情報を前記指標情報として前記操作手段に出力させる、ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180083928A (ko) * 2015-11-20 2018-07-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
JP2020017597A (ja) * 2018-07-24 2020-01-30 キヤノン株式会社 検査方法、インプリント装置、および物品製造方法
JP2020047733A (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013098181A (ja) * 2011-10-27 2013-05-20 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法、インプリントシステム及びデバイス製造方法
JP6188382B2 (ja) * 2013-04-03 2017-08-30 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
JP6315904B2 (ja) * 2013-06-28 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
JP6671160B2 (ja) 2015-11-30 2020-03-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品製造方法および位置合わせ方法
JP6821414B2 (ja) * 2016-12-13 2021-01-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品の製造方法
JP7262939B2 (ja) * 2018-07-20 2023-04-24 キヤノン株式会社 クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法
JP2022034165A (ja) * 2020-08-18 2022-03-03 Towa株式会社 検査装置、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04355350A (ja) * 1991-05-31 1992-12-09 Dainippon Printing Co Ltd 欠陥検査装置
JPH08247958A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Nec Corp 外観検査装置
JP2005191444A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Bussan Nanotech Research Institute Inc パターン転写装置、型の洗浄方法、パターン転写方法
JP2005214980A (ja) * 2005-01-31 2005-08-11 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JP2006228843A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Renesas Technology Corp 半導体デバイスのプロセス制御方法および製造方法
JP2007078356A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Horiba Ltd 欠陥検査装置
JP2008194838A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Sii Nanotechnology Inc ナノインプリントリソグラフィーのモールド検査方法及び樹脂残渣除去方法
JP2009143089A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 微細構造転写用モールド及びその製造方法
WO2009153926A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 株式会社ニコン テンプレートの製造方法、テンプレートの検査方法及び検査装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050037143A1 (en) * 2000-07-18 2005-02-17 Chou Stephen Y. Imprint lithography with improved monitoring and control and apparatus therefor
US7019835B2 (en) * 2004-02-19 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate
JP2008276920A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Pioneer Electronic Corp インプリント装置およびインプリント方法
JP2008302519A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Hitachi Maxell Ltd ナノインプリント装置及びナノインプリント方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04355350A (ja) * 1991-05-31 1992-12-09 Dainippon Printing Co Ltd 欠陥検査装置
JPH08247958A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Nec Corp 外観検査装置
JP2005191444A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Bussan Nanotech Research Institute Inc パターン転写装置、型の洗浄方法、パターン転写方法
JP2005214980A (ja) * 2005-01-31 2005-08-11 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JP2006228843A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Renesas Technology Corp 半導体デバイスのプロセス制御方法および製造方法
JP2007078356A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Horiba Ltd 欠陥検査装置
JP2008194838A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Sii Nanotechnology Inc ナノインプリントリソグラフィーのモールド検査方法及び樹脂残渣除去方法
JP2009143089A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 微細構造転写用モールド及びその製造方法
WO2009153926A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 株式会社ニコン テンプレートの製造方法、テンプレートの検査方法及び検査装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム、並びにデバイス製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180083928A (ko) * 2015-11-20 2018-07-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
JP2018534623A (ja) * 2015-11-20 2018-11-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. インプリント装置
KR20210016483A (ko) * 2015-11-20 2021-02-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
KR102215539B1 (ko) * 2015-11-20 2021-02-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
JP2021119622A (ja) * 2015-11-20 2021-08-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の動作方法
KR102410381B1 (ko) * 2015-11-20 2022-06-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
JP2020017597A (ja) * 2018-07-24 2020-01-30 キヤノン株式会社 検査方法、インプリント装置、および物品製造方法
JP7129259B2 (ja) 2018-07-24 2022-09-01 キヤノン株式会社 検査方法、インプリント装置、および物品製造方法
JP2020047733A (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP7117955B2 (ja) 2018-09-18 2022-08-15 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法

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