WO2009153926A1 - テンプレートの製造方法、テンプレートの検査方法及び検査装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

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WO2009153926A1
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inspection
master
light
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大和壮一
大滝桂
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株式会社ニコン
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    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a template used for nanoimprinting.
  • the present invention relates to a template inspection method and apparatus used for nanoimprint, a nanoimprint apparatus, a nanoimprint system, and a device manufacturing method.
  • Patent Document 1 discloses a nanoimprint technique for transferring a predetermined pattern by embossing a template having a concavo-convex pattern inverted with respect to a pattern desired to be formed on a substrate against a curable resin formed on the surface of the substrate. Is disclosed.
  • replica templates In such a nanoimprint technology, in order to increase productivity, a plurality of replica templates (hereinafter referred to as replica templates) are created using the original master template (hereinafter referred to as master template), and each replica template is created. It is effective to use with a different nanoimprint apparatus.
  • master template master template
  • Patent Document 2 discloses a manufacturing method for manufacturing a replica template from a master template.
  • the replica template must be accurately manufactured corresponding to the master template.
  • it has been performed to inspect each concave / convex pattern of the replica template with scattered light obtained by irradiating an electron microscope or an electron beam, which requires a lot of inspection time. It had been.
  • the template manufacturing method includes a step of forming a resin film on a large substrate and an imprint on the large substrate by a step-and-repeat method using a small master template on the resist.
  • a dicing step of dicing into a plurality of replica templates and a step of removing the protective layer from the replica templates are provided.
  • a template manufacturing method includes a dicing step of dicing a large substrate into a plurality of small substrates, a step of cleaning the plurality of small substrates after the dicing step, and forming the plurality of cleaned small substrates into a mold.
  • the template inspection method is to inspect a replica template manufactured by an imprint method from a master template having a concavo-convex pattern.
  • the method includes a proximity step of bringing the master template and the replica template close to each other, a step of irradiating the master template and the replica template with plane wave inspection light, and a detection step of detecting component light different from the plane wave. .
  • the template inspection apparatus inspects a replica template manufactured by an imprint method from a master template having a concavo-convex pattern.
  • This apparatus includes an inspection light source unit that irradiates a plane wave inspection light, a stage that is irradiated with the inspection light and arranges a master template and a replica template in close proximity, and transmits a master template and a replica template. And a detection unit for detecting different component lights.
  • a nanoimprint apparatus includes a master template having a concavo-convex pattern, a replica template manufactured from the master template by an imprint method, an inspection light source unit that emits plane wave inspection light, and inspection light A stage in which the master template and the replica template are arranged close to each other, a detection unit that detects the component light that is transmitted through the master template and the replica template, and is different from the plane wave, and a defect in the replica template by the inspection unit.
  • the transfer unit that transfers the replica template, the holding unit that receives and holds the replica template from the transfer unit, and the replica template that is held by the holding unit are arranged opposite to each other, and liquid resin is applied.
  • a nanoimprint system includes a master template having a concavo-convex pattern, a replica template manufactured from the master template by an imprint method, an inspection light source unit that emits plane wave inspection light, and inspection light.
  • the transfer unit that transfers the replica template, the two holding units that receive and hold the replica template from the transfer unit, and the two replica templates that are held by the two holding units are arranged to face each other.
  • Resin applied Comprising two substrate mounting table for mounting a substrate that is, two pressing portions for pressing at least one of the replica template or substrate so that the resin is stamped uneven pattern.
  • a device manufacturing method includes a step of inspecting a concavo-convex pattern of a manufactured replica template using the replica template inspection apparatus of the fourth aspect, and a concavo-convex pattern of the replica template.
  • the device manufacturing method includes the step of inspecting the uneven pattern of the manufactured replica template using the nanoimprint apparatus of the fifth aspect, and the resin applying the uneven pattern of the replica template.
  • the mass productivity of the replica template can be improved. Moreover, according to the aspect of the present invention, a replica template can be inspected in a short time.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a first nanoimprint apparatus 200.
  • FIG. It is the figure which showed the relationship between the master template MTP and the replica template RTP.
  • It is a flowchart of manufacture of the master template MTP. It is the flowchart and conceptual diagram explaining the 1st manufacturing method of replica template RTP. It is the flowchart and conceptual diagram explaining the 1st manufacturing method of replica template RTP. It is the flowchart and conceptual diagram explaining the 1st manufacturing method of replica template RTP. It is the flowchart and conceptual diagram explaining the 2nd manufacturing method of replica template RTP. It is the flowchart and conceptual diagram explaining the 2nd manufacturing method of replica template RTP. It is the flowchart and conceptual diagram explaining the 2nd manufacturing method of replica template RTP.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a first replica template inspection apparatus 100.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a second replica template inspection apparatus 110.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a third replica template inspection apparatus 120.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a fourth replica template inspection apparatus 130.
  • FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a fifth replica template inspection apparatus 140.
  • FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a sixth replica template inspection apparatus 150. It is the graph which showed the relationship between the magnitude
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the size of dust and the intensity of scattered light. 6 is a graph showing the relationship between the size of dust and the intensity of scattered light. It is an expanded sectional view of the stage 40 of the master template MTP and the replica template RTP. An enlarged cross-sectional view of the stage 40 of the master template MTP and the replica template RTP, particularly showing a case where the replica template RTP has a defect DF. It is an expanded sectional view of the stage 40 'of the master template MTP and the replica template RTP arranged in the first replica template inspection apparatus 100.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing a second nanoimprint apparatus 210 incorporating a first replica template inspection apparatus 100. 1 is a conceptual diagram showing a nanoimprint system 300. FIG. It is the flowchart which showed the manufacturing method of the semiconductor element.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing the first nanoimprint apparatus 200.
  • the first nanoimprint apparatus 200 can transfer the uneven pattern of the master template MTP to the quartz glass QG, and the transfer is performed in the chamber 71 as shown in FIG.
  • the first nanoimprint apparatus 200 includes a holding unit 50 that holds the master template MTP.
  • the master template MTP is made of quartz glass, and its size is, for example, 25 mm ⁇ 25 mm.
  • This master template MTP is supported by a press elevator EV.
  • the press elevator EV is provided on the ceiling of the chamber 71 of the first nanoimprint apparatus 200.
  • the pressing elevator EV can move the master template MTP in the Z direction (up and down direction).
  • the pressing elevator EV can transfer the concavo-convex pattern to the curable resin formed on the quartz glass QG by bringing the master template MTP and the quartz glass QG close to each other.
  • the quartz glass QG is vacuum-sucked and fixed by the suction table 16.
  • the quartz glass QG is, for example, a rectangle having a side of about 150 mm or a circle having a diameter of about 200 mm.
  • the suction table 16 is supported by the XY stage 14.
  • the XY stage 14 can move in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the XY stage 14 can move, for example, with a maximum stroke of about 200 mm in the X-axis and Y-axis directions, and can transfer a concavo-convex pattern from one end to the other end of the quartz glass QG.
  • a reference mirror RM (not shown) extending in the X-axis direction and a reference mirror RM extending in the Y-axis direction are fixed to a part of the XY stage 14.
  • the XY stage 14 is provided with a linear motor 18, and the linear motor 18 drives the XY stage 14 in the X-axis and Y-axis directions.
  • the XY stage 14 is placed on the vibration isolator 12 so as not to be affected by external vibration.
  • a laser interferometer (not shown) is an X-axis laser interferometer that irradiates the reference mirror RM with a laser beam along the X axis and a Y-axis laser that irradiates the reference mirror RM with a laser beam along the Y axis.
  • An interferometer is used to measure the X and Y coordinates of the XY stage 14. Information on the X coordinate and the Y coordinate measured by the laser interferometer is supplied to the main control unit 90.
  • the main control unit 90 positions the XY stage 14 via the linear motor 18 while monitoring the supplied coordinates. Control the behavior.
  • the master template MTP is moved up and down by the pressing elevator EV, and the quartz glass QG is placed on the XY stage 14 and moves in the X-axis and Y-axis directions.
  • the structure may be such that the quartz glass QG moves in the Y-axis direction and moves up and down by a pressing elevator.
  • the chamber 71 of the first nanoimprint apparatus 200 includes a gate 79, and the quartz glass QG can be carried into the first nanoimprint apparatus 200 or carried out of the first nanoimprint apparatus 200.
  • a replica template is formed by cutting the quartz glass QG having the concavo-convex pattern transferred by the first nanoimprint apparatus 200 with a laser saw or a dicing saw.
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the master template MTP and the replica template RTP.
  • FIG. 2 shows an “F” -shaped uneven circuit pattern.
  • the actual pattern has a line width of about several tens of nanometers.
  • nine replica templates RTP are drawn on the quartz glass QG, actually, for example, 64 replica templates RTP are manufactured.
  • a dotted line is a scribe line cut by a laser saw or a dicing saw.
  • the concave / convex pattern of the master template MTP is formed of a convex area RA and a concave area IN.
  • a mirror-inverted “F” -shaped concavo-convex pattern is formed on the quartz glass QG, and the convex region RA and the concave region IN are formed.
  • the convex region RA and the concave region IN are formed.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the master template MTP.
  • Step P11 for example, a quartz glass of 25 mm ⁇ 25 mm and a thickness of 6.35 mm is prepared for the master template MTP. Then, a metal film such as Al (aluminum) is formed on the quartz glass by using CVD (Chemical Vapor Deposition) or sputtering.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • Step P12 a resist film for electron beam is formed on a metal film of quartz glass.
  • step P13 a circuit pattern having a line width of several tens of nanometers is drawn on a quartz glass resist film with an electron beam (not shown).
  • Step P14 a metal film such as Al is dry-etched with Cl 2 gas (chlorine gas). It is also possible to form a pattern by wet etching, but in this case, since the cross section is isotropic etching, it is not suitable for the master template MTP. On the other hand, in dry etching with Cl 2 gas (chlorine gas), the wall surface can be processed almost vertically, and circuit pattern drawing by an electron beam is reflected.
  • Cl 2 gas chlorine gas
  • step P15 dry etching of quartz glass is performed using a metal film such as Al as a mask.
  • a metal film such as Al as a mask.
  • the dry etching agent CHF 3 gas (methyl fluoride gas), CF 4 gas (carbon tetrafluoride gas), or the like is used.
  • the uneven pattern formed on the quartz glass by dry etching has a depth of 10 to 50 nanometers.
  • Step P16 the remaining resist and metal film are removed, and a master template MTP is formed.
  • First replica template RTP production method> 4 to 6 are flowcharts of a first manufacturing method of the replica template RTP by the first nanoimprint apparatus 200 shown in FIG. A conceptual cross-sectional view of each step is shown on the right side of each step in the flowchart.
  • a master template MTP is prepared. Further, for example, a hard mask layer HM is formed on a quartz glass QG of 150 mm ⁇ 150 mm by vacuum deposition or sputtering. As the hard mask layer HM, a Cr (chrome) layer or an aluminum (Al) layer is typically used. The hard mask layer HM is provided to improve the corrosion resistance of the etching chemical when the quartz glass QG is etched. An ultraviolet light curable resin PM is formed on the hard mask layer HM.
  • this resin PM for example, acrylic resin, aliphatic allyl urethane, nonvolatile material, aromatic acid methacrylate, aromatic acrylic ester, acrylated polyester oligomer, acrylate monomer, polyethylene glycol dimethacrylate, aliphatic diacrylate, trifunctional Acid esters or epoxy resins are used.
  • the resin PM is formed on the entire surface, but the liquid resin PM having a low viscosity may be applied only to a region corresponding to the area of the master template MTP.
  • Step P32 the pressure is applied so that the master template MTP presses the ultraviolet light curable resin PM against the quartz glass QG by the press elevator EV (see FIG. 1). Then, the resin PM in the gap between the master template MTP and the quartz glass QG follows the uneven pattern of the master template MTP. In this state, the resin PM is cured by irradiating the resin PM with the ultraviolet light UV emitted from the ultraviolet light source UVS provided in the pressing elevator EV.
  • Step P33 the master template MTP is peeled off from the cured resin PM.
  • a concavo-convex pattern is formed on the resin PM cured on the hard mask layer HM of the quartz glass QG.
  • Step P34 the XY stage 14 (see FIG. 1) moves in the X-axis direction or the Y-axis direction and the pressing elevator EV presses the master template MTP onto the resin PM.
  • step P35 of FIG. 5 as shown in the right figure, the master template MTP is embossed on the resin PM of the entire quartz glass QG.
  • Step P36 the hard mask layer HM is dry-etched. Then, the surface of the quartz glass QG appears.
  • step P37 the quartz glass QG is dry-etched using the hard mask layer HM as a mask.
  • the uneven pattern formed on the quartz glass by dry etching has a depth of 10 to 100 nanometers.
  • an optical inspection machine can be used. This is because even when the optical resolution does not reach the pattern dimension, a dimensional defect smaller than each pixel can be detected by comparing the signal intensity of each pixel of the image sensor.
  • the optical inspection machine has an advantage that the inspection time is short although the sensitivity of defect detection is lower than that of the inspection machine using an electron beam.
  • Step P38 of FIG. 6 the resin PM and the hard mask layer HM remaining on the quartz glass QG are removed.
  • a protective film PA is formed on the quartz glass QG in order to protect the replica template RTP from cutting waste (particles) PT generated during dicing.
  • a polymer material such as a jelly-like polyimide resin is used.
  • a thermosetting resin material or an ultraviolet curable resin material may be used as the protective film PA.
  • the protective film PA is applied by a screen printing method or a spray method by applying a resin from a spray. Moreover, you may make it affix a protective tape instead of apply
  • the replica template RTP is created by cutting the quartz glass QG with a dicing saw DS or a laser saw. Even if cutting chips (particles) PT are generated at this time, the replica template RTP is protected by the protective film PA, so that no defect occurs in the pattern of the replica template RTP. Finally, in step P41, the protective film PA is removed from the replica template RTP to complete a plurality of replica templates RTP.
  • FIG. 7 to FIG. 9 are flowcharts of a second manufacturing method of the replica template RTP by the first nanoimprint apparatus 200 shown in FIG. A conceptual cross-sectional view of each step is shown on the right side of each step in the flowchart.
  • the hard mask layer HM is formed on, for example, 150 mm ⁇ 150 mm quartz glass QG by vacuum deposition or sputtering.
  • step P52 the quartz glass QG is cut into a size of 25 mm ⁇ 25 mm using a dicing saw DS or a laser saw. Each of the cut quartz glasses QG is cleaned, and cutting chips (particles) generated during dicing are removed. Thereby, a plurality of quartz glasses QG are prepared. Note that if a 25 mm ⁇ 25 mm quartz glass is prepared from the beginning, step P52 is not necessary.
  • Step P53 the plurality of cleaned quartz glasses QG are arranged side by side on the mold FR. Thereafter, it is possible to handle a plurality of quartz glasses QG contained in the mold FR equivalent to one quartz glass QG.
  • step P54 a master template MTP is prepared. Further, an ultraviolet light curable resin PM is formed on the hard mask layer HM. In the right diagram of Step P54, the resin PM is formed on the entire surface, but the liquid resin PM having a low viscosity may be applied only to a region corresponding to the area of the master template MTP.
  • step P55 of FIG. 8 the pressure is applied so that the master template MTP presses the ultraviolet light curable resin PM against the quartz glass QG by the press elevator EV (see FIG. 1). Then, the resin PM in the gap between the master template MTP and the quartz glass QG follows the uneven pattern of the master template MTP. In this state, the resin PM is cured by irradiating the resin PM with ultraviolet light UV emitted from the ultraviolet light source UVS.
  • Step P56 the master template MTP is peeled off from the cured resin PM.
  • a concavo-convex pattern is formed on the resin PM cured on the hard mask layer HM of the quartz glass QG.
  • Step P57 the process in which the XY stage 14 (see FIG. 1) moves in the X-axis direction or the Y-axis direction and the pressing elevator EV presses the master template MTP onto the resin PM is repeated.
  • step P58 of FIG. 9 as shown in the right figure, the master template MTP is embossed on the resin PM of the entire quartz glass QG.
  • Step P59 the hard mask layer HM is dry etched. Then, the surface of the quartz glass QG appears.
  • Step P60 the quartz glass QG is dry-etched using the hard mask layer HM as a mask.
  • the uneven pattern formed on the quartz glass by dry etching has a depth of 10 to 100 nanometers. In this state, by comparing the patterns of the adjacent replica templates with each other, it is possible to inspect defects at the time of creating the replica template RTP.
  • Step P61 the resin PM and the hard mask layer HM remaining in the replica template RTP are removed.
  • step P62 the replica template RTP is taken out from the formwork FR.
  • the ultraviolet curable resin is used as the curable resin, but a thermosetting resin may be used.
  • quartz glass is used as a base material for the replica template RTP, other glass may be used.
  • an ultraviolet curable resin it is preferable to use a base material that can transmit ultraviolet rays.
  • FIG. 10 is a flowchart of a method for producing each replica template RTP, instead of creating a plurality of replica templates RTP at a time. A conceptual cross-sectional view at that step is shown on the right side of each block in the flowchart.
  • a master template (hereinafter referred to as a master template) MTP manufactured based on design data one by one with an electron beam or the like is prepared.
  • the master template MTP is formed with a concavo-convex pattern and has a convex area RA and a concave area IN.
  • This master template MTP is inspected using an electron beam inspection apparatus or an electron microscope.
  • quartz glass QG having a hard mask layer HM formed by vacuum deposition or sputtering is prepared.
  • An ultraviolet light curable resin PM is formed on the hard mask layer HM. This resin PM is a liquid having a low viscosity.
  • the master template MTP embosses the ultraviolet light curable resin PM on the quartz glass QG. Then, the resin PM in the gap between the master template MTP and the quartz glass QG follows the uneven pattern of the master template MTP. In this state, the resin PM is cured by irradiating the resin PM with ultraviolet light UV.
  • an acrylic resin is used as the resin PM.
  • Step P73 the master template MTP is peeled off from the cured resin PM. As shown on the right side of this step, an uneven pattern is formed on the cured resin PM on the hard mask layer HM of the quartz glass QG.
  • the resin PM is not limited to an ultraviolet curable resin, and a thermosetting resin may be used.
  • step P74 the hard mask layer HM is dry-etched. Then, the surface of the quartz glass QG appears. Further, the quartz glass QG is dry-etched using the hard mask layer HM as a mask to form a concavo-convex pattern of the replica template RTP.
  • Step P75 the resin PM and the hard mask layer HM remaining in the replica template RTP are removed, and the replica template RTP is completed.
  • the uneven pattern of the replica template RTP also has a convex area RA and a concave area IN.
  • the concavo-convex pattern is exaggerated, but the line and space is, for example, 10 nm (nanometer) to 50 nm, and the height of the concavo-convex is, for example, 10 nm to 100 nm.
  • FIG. 11 is a schematic configuration diagram of the first replica template inspection apparatus 100.
  • the first replica template inspection apparatus 100 includes an inspection light source unit 20, a collimator lens 31, a condenser lens 33, a light blocking block BL, an imaging lens 35, and a two-dimensional photosensor SE. Yes.
  • the inspection light source unit 20 includes, for example, a solid-state laser 21 that emits laser light having a wavelength of 193 nm and a condenser lens 23.
  • the solid laser 21 emits parallel light having a diameter of about 3 mm, and the condenser lens 23 converges the laser light to be a point light source.
  • the laser light emitted from the condenser lens 23 proceeds to the collimator lens 31.
  • the collimator lens 31 uses laser light as a parallel light beam.
  • the wavefront of this parallel light beam is a plane wave PW.
  • the stage 40 arranges the master template MTP and the replica template RTP so that the concave / convex pattern surface of the master template MTP and the concave / convex pattern surface of the replica template RTP face each other (one concave portion and the other convex portion face each other).
  • the surfaces of the master template MTP and the replica template RTP are arranged in parallel with the wave surface of the plane wave PW, in other words, perpendicular to the optical axis OA.
  • a replica template RTP may be arranged on the inspection light source unit 20 side.
  • the light beam that has passed through the master template MTP and the replica template RTP proceeds to the condenser lens 33 and the imaging lens 35.
  • a light blocking block BL is arranged.
  • a plane wave is modulated and a scattered light SL such as a spherical wave is generated (see FIG. 22). If there is no defect in the replica template RTP, the plane wave is not modulated and remains a plane wave.
  • the plane wave PW transmitted through the replica template RTP is shielded by the light shielding block BL, but the scattered light SL is not shielded by the light shielding block BL and reaches the two-dimensional photosensor SE. That is, if there is a defective portion in the replica template RTP, the scattered light at the defective portion is detected by the two-dimensional photosensor SE. If there is no defect in the replica template RTP, the two-dimensional photosensor SE has no light output. That is, the part without a defect is dark, and the defect is detected as a point light source.
  • the two-dimensional photosensor SE is, for example, a two-dimensional CCD, and the output from the two-dimensional photosensor SE is sent to the computer CP.
  • the computer CP displays a defective portion of the replica template RTP based on the magnification of the optical system and the output from the two-dimensional photosensor SE.
  • the first replica template inspection apparatus 100 is effective not only for inspecting the replica template RTP for defects but also for inspecting the presence of dust such as dust.
  • dust exists between the master template MTP and the replica template RTP, scattered light SL is generated. Therefore, the computer CP can display the dust location and the dust size based on the magnification of the optical system and the output from the two-dimensional photosensor SE.
  • FIG. 12 is a schematic configuration diagram of the second replica template inspection apparatus 110.
  • laser light was irradiated on the entire surface of the master template MTP and the replica template RTP.
  • laser light is irradiated onto a part of the surfaces of the master template MTP and the replica template RTP.
  • the same components as those in the first replica template inspection apparatus 100 are denoted by the same reference numerals.
  • the second replica template inspection apparatus 110 includes an inspection light source unit 20N, a collimator lens 31, a condenser lens 33, a light blocking block BL, an imaging lens 35, and a two-dimensional photosensor SE. Yes.
  • the inspection light source unit 20N includes, for example, a solid-state laser 21N that emits laser light having a wavelength of 193 nm and a second condenser lens 23N.
  • the solid-state laser 21N emits parallel light of about ⁇ 2 millimeters, and the second condenser lens 23N converges the laser light to become a point light source.
  • the laser light emitted from the second condenser lens 23 becomes a light beam having a diameter of about several millimeters. Laser light having a diameter of about several millimeters proceeds to the collimator lens 31.
  • the stage 40 on which the master template MTP and the replica template RTP are arranged is mounted on the moving table 55.
  • the moving table 55 has a long stroke, for example, a moving distance of about 25 mm in the X-axis direction and about 25 mm in the Y-axis direction.
  • the moving table 55 moves the stage 40 largely in the X-axis direction or the Y-axis direction, so that the entire surface of the master template MTP and the replica template RTP is irradiated with laser light.
  • the moving table 55 is arranged on the stage 40, it may be arranged on the inspection light source unit 20N. That is, it is only necessary that the inspection light and the template can be scanned relatively. If the stage 40 can move, for example, in nanometer units and can move about 25 mm in the X-axis direction and about 25 mm in the Y-axis direction, the moving table 55 is not necessarily prepared.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram of the third replica template inspection apparatus 120.
  • the scattered light SL imaged by the imaging lens 35 was observed by the two-dimensional photosensor SE.
  • the third replica template inspection apparatus 120 observes the light intensity distribution at the pupil position (the rear focal plane (Fourier transform plane) of the condenser lens 33).
  • the same components as those in the first replica template inspection apparatus 100 are denoted by the same reference numerals.
  • the third replica template inspection apparatus 120 includes an inspection light source unit 20, a collimator lens 31, a condenser lens 33, and a two-dimensional photosensor SE.
  • the first replica template inspection apparatus 100 has the light shielding block BL and the imaging lens 35, but the third replica template inspection apparatus 120 does not have them.
  • the two-dimensional photosensor SE receives the light intensity distribution of the laser beam and observes a substantial far field pattern (Far Field Pattern). If there is no defect in the replica template RTP, the plane wave is not modulated and remains a plane wave. First, the light intensity distribution of this plane wave is output from the two-dimensional photosensor SE and sent to the computer CP.
  • the computer CP stores the light intensity distribution. If there is a defect in the replica template RTP, a plane wave is modulated and scattered light SL such as a spherical wave is generated. The light intensity distribution of both the plane wave and the scattered light SL is output from the two-dimensional photosensor SE and sent to the computer CP. .
  • the computer CP stores the light intensity distribution.
  • the computer CP compares the light intensity distribution of only the plane wave with the light intensity distributions of both the plane wave and the scattered light SL, and detects a defective portion of the replica template RTP.
  • the moving table 55 may be applied to the third replica template inspection apparatus 120.
  • the third replica template inspection apparatus 120 is particularly suitable for dust detection.
  • FIG. 14 is a schematic configuration diagram of the fourth replica template inspection apparatus 130.
  • the fourth replica template inspection apparatus 130 includes an inspection light source unit 20, a collimator lens 31, a second condenser lens 37, a second imaging lens 38, and a second two-dimensional photosensor SE2. is doing.
  • the fourth replica template inspection apparatus 130 shown in FIG. 14 is different from the first replica template inspection apparatus 100 shown in FIG. 11 in that the second condenser lens 37 and the second imaging lens 38 are arranged on the optical axis OA. It is not arranged and is inclined with respect to the optical axis OA. Further, the light shielding block BL is not arranged. Further, the second two-dimensional photosensor SE2 is not disposed on the optical axis OA. Further, the second two-dimensional photosensor SE2 is arranged with respect to the optical axis OA so as to satisfy the tilting imaging relationship by the second condenser lens 37 and the second imaging lens 38 with respect to the master template MTP and the replica template RTP. It is inclined and arranged.
  • the scattered light SL generated by the defect is detected by the second two-dimensional photosensor SE2. If there is no defect in the replica template RTP, the second two-dimensional photosensor SE2 does not detect light and no light reception signal is output.
  • FIG. 15 is a schematic configuration diagram of the fifth replica template inspection apparatus 140.
  • the fifth replica template inspection apparatus 140 includes an inspection light source unit 20, a collimator lens 31, a second condenser lens 37, a second imaging lens 38, and a second two-dimensional photosensor SE2. is doing.
  • a fifth replica template inspection apparatus 140 shown in FIG. 15 differs from the first replica template inspection apparatus 100 shown in FIG. 11 in that the stage 40, the second condenser lens 37, the second imaging lens 38, and the second second
  • the two-dimensional photosensor SE2 is not arranged on the optical axis OA. They are arranged at the same angle with respect to the optical axis OA. Further, the light shielding block BL is not arranged.
  • the plane wave is incident on the tilted master template MTP and the replica template RTP, the plane wave is emitted from the master template MTP and the replica template RTP as a plane wave as it is.
  • FIG. 16 is a schematic configuration diagram of the sixth replica template inspection apparatus 150.
  • the sixth replica template inspection apparatus 150 includes an inspection light source unit 29, a collimator lens 31, a condenser lens 33, an imaging lens 35, and a time delay integration type sensor TDI.
  • the sixth replica template inspection apparatus 150 shown in FIG. 16 is different from the first replica template inspection apparatus 100 shown in FIG. 11 in that an inspection light source unit 29 and a time delay integration type sensor TDI are used. .
  • the inspection light source unit 29 includes, for example, a short wavelength lamp 25 that emits light having a wide spectrum from 150 nm to 400 nm, a condenser lens 26, a wavelength selection filter 27, and a pinhole plate 28. Wide-spectrum light from the short-wavelength lamp 25 is converged by the condenser lens 26 and converged at one focal point at the opening of the pinhole plate 28.
  • the pinhole plate 28 is, for example, a plate obtained by depositing chromium on an optical glass except for an opening.
  • the wavelength selection filter 27 disposed between the condenser lens 26 and the pinhole plate 28 is a wavelength filter that can select light in a narrow band centered on a specific wavelength (for example, 193 nm, 365 nm, etc.).
  • the wavelength selection filter 27 can select not only one wavelength band but also a plurality of wavelength bands.
  • the light that has become a point light source at the pinhole plate 28 proceeds to the collimator lens 31.
  • the point light source that has passed through the pinhole plate 28 becomes parallel light having a necessary aperture by the collimator lens 31, and is incident on the master template MTP and the replica template RTP.
  • the sixth replica template inspection apparatus 150 can inspect at a wavelength of 193 nm and a wavelength of 365 nm, for example.
  • the wavelength is different, the state of generation of the scattered light SL from the defect differs depending on the shape of the defect and the defect size. In this way, it is possible to determine the properties such as the shape and material of the defect (when foreign substances are mixed) in the multi-wavelength inspection by the computer CP. Note that it is possible to simultaneously observe the wavelength of 193 nm and the wavelength of 365 nm, and the wavelength of 193 nm and the wavelength of 365 nm may be observed at different times.
  • the wavelength selection filter 27 can also select light having a spectral width obtained by cutting out a desired band, for example, a wavelength of 250 nm to 350 nm, from light having a broad spectrum of about 193 nm to 400 nm.
  • a desired band for example, a wavelength of 250 nm to 350 nm
  • scattering noise peculiar to laser called speckle may occur.
  • Inclusion of light having a spectral width obtained by cutting out a desired band into the master template MTP and the replica template RTP can also remove speckles.
  • fluorescence having a longer wavelength by irradiating with a short wavelength light such as 193 nm light. This is because when a foreign substance (for example, an organic substance) that absorbs 193 nm light is attached as a defect, fluorescence is often generated.
  • a foreign substance for example, an organic substance
  • the sixth replica template inspection apparatus 150 is a time delay integration type sensor TDI (Time Time) which is a two-dimensional line sensor instead of the two-dimensional photosensor SE such as a CCD. You are using Delay & Integration.
  • the time delay integration type sensor TDI realizes an improvement in sensitivity and a reduction in noise proportional to the number of stages of the line sensor by integrating the charge by the number of integration stages in the running direction of the sample. Since the scattered light SL from the defect is not detected as a large amount of light, it is effective to use the time delay integration type sensor TDI particularly when the amount of the scattered light SL is small.
  • the moving speed of the table 51 needs to be constant. Further, it is necessary to synchronize the moving speed of the table 51 and the image capture timing.
  • ⁇ Structure of other replica template inspection apparatus> a system in which short-wavelength light is incident from the observation optical system via a beam splitter, such as an epi-illumination microscope, may be used.
  • a plane wave having a wavelength of, for example, 193 nm or less may be incident on the master template MTP and the replica template RTP through the objective lens of the observation optical system.
  • the incident light only passes through the master template MTP and the replica template RTP.
  • the scattered light generated in that portion is reflected in the incident direction at a scattering angle of 90 ° or more and can be observed with the observation optical system.
  • the base material for the replica template RTP is not limited to quartz glass, but may be other glass as long as the base material is transparent to ultraviolet light and inspection light.
  • FIG. 17 is a simulation result showing the relationship between the size of the template defect and the intensity of the scattered light SL. This simulation result corresponds to the result of detecting the scattered light SL using the second replica template inspection apparatus 110 of FIG.
  • the defect 17 is the scattered light intensity (W: watts), and the horizontal axis is the defect height h.
  • the defect was a square column having a fixed length of 1000 nm and varying the width w and height h. It is understood that the intensity of the scattered light SL increases as the defect volume increases.
  • the laser light from the inspection light source unit 20N is linearly polarized light having a wavelength of 193 nm, and the direction of the electric field is parallel to the longitudinal direction of the defect.
  • the laser light is applied to the replica template RTP with an area of 1 mm square, and the irradiation intensity is 1 W.
  • FIG. 18 is a simulation result showing a relationship between the wavelength of the laser light from the inspection light source unit 20N and the intensity of the scattered light SL. This simulation result corresponds to the result of detecting the scattered light SL using the second replica template inspection apparatus 110 of FIG.
  • the replica template RTP has a defect size of a rectangular column having a length of 1000 nm, a width w of 20 nm, and a height h changed.
  • the wavelength wl of the laser light from the inspection light source unit 20N is 532 nm
  • the intensity of the scattered light SL is weak
  • the wavelength wl of the laser light is 266 nm
  • the intensity of the scattered light SL is high. It can be understood from FIG. 18 that when the wavelength of the laser beam is halved, the intensity of the scattered light SL is four times or more.
  • the intensity of the scattered light SL is further increased when the wavelength wl of the laser beam is 193 nm.
  • the laser beam from the inspection light source unit has a wavelength as short as possible.
  • the laser light from the inspection light source unit 20N is linearly polarized light in which the direction of the electric field and the longitudinal direction of the defect are parallel to each other.
  • the replica template RTP is irradiated with an area of 1 mm square, and the irradiation intensity is set to 1W. ing.
  • FIG. 19 is a simulation result showing the relationship between the size of dust and the intensity of scattered light SL. This simulation result corresponds to the result of detecting the scattered light SL using the second replica template inspection apparatus 110 of FIG.
  • the vertical axis represents the intensity of scattered light (W: watts), and the horizontal axis represents the height h of dust.
  • Garbage was a square column with a fixed length of 1000 nm and varying the width w and height h. It can be seen that the intensity of the scattered light SL increases as the volume of dust increases.
  • the laser light from the inspection light source unit 20N is linearly polarized light having a wavelength of 193 nm, and the direction of the electric field is parallel to the longitudinal direction of the dust.
  • the laser light is applied to the replica template RTP with an area of 1 mm square, and the irradiation intensity is 1 W.
  • FIG. 20 is a simulation result showing a relationship between the polarization direction of the laser light from the inspection light source unit 20N and the intensity of the scattered light SL. This simulation result corresponds to the result of detecting the scattered light SL using the second replica template inspection apparatus 110 of FIG.
  • the vertical axis represents the intensity of scattered light (W: watts), and the horizontal axis represents the height h of dust.
  • the dust was a rectangular column having a fixed length of 1000 nm, a width w of 50 nm, and a changed height h.
  • the laser light from the inspection light source unit 20N is linearly polarized light having a wavelength of 193 nm, and is irradiated onto the replica template RTP with an area of 1 mm square, and the irradiation intensity is 1 W.
  • the case where the polarization direction (the direction of the electric field) of the laser light is parallel to the longitudinal direction of the dust is shown as TE, and the case where it is perpendicular to the longitudinal direction of the dust is shown as TM.
  • FIG. 21 is an enlarged cross-sectional view of the periphery of the master template MTP and the replica template RTP arranged from the first replica template inspection apparatus 100 to the sixth replica template inspection apparatus 150.
  • laser light (plane wave PW) from the inspection light source unit 20 (see FIG. 11) is incident on the master template MTP and the replica template RTP from the direction of the arrow AR.
  • the master template MTP and the replica template RTP are held in the stage 40.
  • the master template MTP is held by the Z-axis movement clamp 45
  • the replica template RTP is held by the XY-axis movement clamp 43.
  • the XY axis moving clamp 43 is provided with an XY axis extending / contracting portion 44
  • the Z axis moving clamp 45 is provided with a Z axis extending / contracting portion 41.
  • the Z-axis expansion / contraction part 41 and the XY-axis expansion / contraction part 44 are configured by a drive unit that can be driven in nanometer units, such as a piezoelectric element.
  • the Z-axis expansion / contraction part 41 can adjust the distance D1 between the convex region RA of the master template MTP and the convex region RA of the replica template RTP by expanding and contracting in the direction indicated by the arrow DZ.
  • the XY-axis expansion / contraction part 44 can adjust the distance D2 between the convex region RA of the master template MTP and the concave region IN of the replica template RTP by expanding and contracting in the direction indicated by the arrow DY. Although only the Y-axis direction is shown in FIG.
  • the replica template RTP can also move in the X-axis direction, and the replica template RTP is rotated in the XY plane by changing the expansion and contraction of each of the plurality of XY-axis expansion / contraction portions 44. It is also possible. That is, the XY axis expansion / contraction part 44 adjusts the position of the master template MTP and the replica template RTP in the XY plane, and the concavo-convex pattern of the master template MTP and the concavo-convex pattern of the replica template RTP are opposed to each other (one recess and the other). It is possible to adjust to a state where the convex portion faces.
  • the distance D1 only needs to be sufficiently small with respect to the line-and-space pattern and the wavelength of the laser beam (for example, 193 nm).
  • the distance D1 may be equal to or less than the depth of the uneven pattern. Specifically, it is preferably 20 nm to 10 nm or less. However, it is not necessary to shorten the distance D1 until the convex area RA of the master template MTP and the concave area IN of the replica template RTP are fitted. A gas such as air exists between the master template MTP and the replica template RTP.
  • the plane wave PW that has passed through the master template MTP is modulated by the concavo-convex pattern of the master template MTP.
  • the modulation component remains incident on the concave / convex pattern of the replica template RTP.
  • the convex area RA and the concave area IN of the master template MTP are opposite to the convex area RA and the concave area IN of the replica template RTP.
  • this modulation component is canceled again, and after passing through the replica template RTP, it is emitted again as a plane wave PW.
  • FIG. 22 is an enlarged cross-sectional view of the periphery of the master template MTP and the replica template RTP having a defect DF arranged in the first replica template inspection apparatus 100. Also in FIG. 22, the laser light (plane wave PW) from the inspection light source unit 20 (see FIG. 11) enters the master template MTP and the replica template RTP from the direction of the arrow AR.
  • plane wave PW plane wave
  • the laser light that has passed through the master template MTP is modulated by the concavo-convex pattern of the master template MTP in the plane wave PW.
  • the modulation component remains incident on the concave / convex pattern of the replica template RTP.
  • the convex area RA and the concave area IN of the master template MTP and the convex area RA and the concave area IN of the replica template RTP are exactly opposite to each other, a plane wave is generated, but the convex area RA and the concave area IN are accurately reversed. If there is no defect DF, this modulation component is not canceled and scattered light SL is emitted. When there is no defect, no scattered light is generated from the template.
  • the first replica template inspection apparatus 100 detects the defect position as a point light source.
  • the inspection of the replica template RTP is completed in a considerably short time compared with the case where the pattern on the entire surface of the replica template RTP is inspected by the electron beam.
  • the wavefront that has passed through the master template MTP can be decomposed into its modulated component and plane wave component, but the proportion of the modulated component dissipated is shorter when the wavelength is longer and shorter.
  • the wavelength component preserves this modulation component longer. For this reason, it is better to use a laser beam having a wavelength as short as possible, for example, a wavelength of 193 nm as shown in FIG.
  • FIG. 23 is an enlarged cross-sectional view of the periphery of the master template MTP and the replica template RTP arranged in the first replica template inspection apparatus 100.
  • the structure of the stage 40 shown in FIG. 21 is different from the structure of the stage 40 ′ shown in FIG.
  • the master template MTP is held by the Z-axis movement clamp 45 and the replica template RTP is held by the XY-axis movement clamp 43.
  • An accordion portion 46 is disposed between the XY axis movement clamp 43 and the Z axis movement clamp 45.
  • a region surrounded by the master template MTP, the replica template RTP, and the accordion unit 46 is filled with the liquid LQ.
  • a pipe 47 is provided in a part of the accordion unit 46, and a pump 48 is connected to the pipe.
  • the distance D1 between the convex region RA of the master template MTP and the convex region RA of the replica template RTP can be adjusted from 20 nm to 10 nm or less, for example, 1 nm.
  • the pump 48 not only adjusts the distance D1 but also adjusts the warpage of the replica template RTP by reducing the amount of the liquid LQ and reducing the pressure. be able to.
  • FIG. 24 is a diagram illustrating a second nanoimprint apparatus 210 that incorporates the first replica template inspection apparatus 100.
  • the second nanoimprint apparatus 210 transfers the uneven pattern of the replica template RTP to the silicon wafer SW. As shown in FIG. 24, the transfer process is performed in the chamber 71 to prevent dust and the like. Since the first replica template inspection apparatus 100 has already been described, a description thereof will be omitted.
  • the second nanoimprint apparatus 210 has a holding unit 50 that holds the replica template RTP.
  • the holding unit 50 is supported by a pressing elevator EV, and the pressing elevator EV is provided on the ceiling of the chamber 71 of the second nanoimprint apparatus 210.
  • the pressing elevator EV can move the replica template RTP in the Z direction (vertical direction).
  • the silicon wafer SW is vacuum-sucked by the suction table 16 and fixed.
  • the silicon wafer SW has a diameter of about 300 mm, for example.
  • the suction table 16 is supported by the XY stage 14.
  • the XY stage 14 can move in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the XY stage 14 can move in the X-axis and Y-axis directions, for example, with a maximum stroke of about 400 mm, and can transfer the concavo-convex pattern from one end to the other end of the silicon wafer SW.
  • a reference mirror RM (not shown) extending in the X-axis direction and a reference mirror RM extending in the Y-axis direction are fixed to a part of the XY stage 14.
  • the XY stage 14 is provided with a linear motor 18, and the linear motor 18 drives the XY stage 14 in the X-axis and Y-axis directions.
  • a laser interferometer (not shown) is an X-axis laser interferometer that irradiates the reference mirror RM with a laser beam along the X axis and a Y-axis laser that irradiates the reference mirror RM with a laser beam along the Y axis.
  • An interferometer is used to measure the X and Y coordinates of the XY stage 14. Information on the X coordinate and the Y coordinate measured by the laser interferometer is supplied to the main control unit 90.
  • the main control unit 90 positions the XY stage 14 via the linear motor 18 while monitoring the supplied coordinates. Control the behavior.
  • the pressure is applied so that the replica template RTP presses the ultraviolet curable resin provided on the wafer SW by the press elevator EV.
  • the resin in the gap between the replica template RTP and the wafer SW follows the uneven pattern of the replica template RTP.
  • the resin is irradiated with ultraviolet light emitted from an ultraviolet light source UVS provided in the pressing elevator EV, and the resin is cured. Thereafter, the replica template RTP is peeled off from the cured resin, whereby an uneven pattern is formed in the cured resin.
  • the second nanoimprint apparatus 210 includes a transfer robot 75 and can transfer the replica template RTP and the silicon wafer SW.
  • the chamber 71 of the second nanoimprint apparatus 210 includes a gate 73 for the master template MTP and the replica template RTP and a gate 79 for the silicon wafer SW.
  • the master template MTP and the replica template RTP can be attached to the first replica template inspection apparatus 100 in the chamber 71 via the gate 73.
  • the transport robot 75 can transport the replica template RTP from the first replica template inspection apparatus 100 to the holding unit 50.
  • the second nanoimprint apparatus 210 incorporates the first replica template inspection apparatus 100, the defects generated in the replica template RTP are accurately detected before the start of the production of the semiconductor elements and every predetermined number of wafers being produced. In addition, the inspection can be performed in a short time. In addition, since the first replica template inspection apparatus 100 is disposed in the chamber 71 and the replica template RTP is attached to the holding unit 50 in the chamber 71, there is little possibility that dust such as dust adheres to the replica template RTP. Become.
  • FIG. 25 is a conceptual diagram showing a nanoimprint system 300 including two third nanoimprint apparatuses 220 and one first replica template inspection apparatus 100. Since the third nanoimprint apparatus 220 has a configuration in which the first replica template inspection apparatus 100 is removed from the second nanoimprint apparatus 210 described in FIG. 24, detailed description thereof is omitted. Since the first replica template inspection apparatus 100 has already been described, the description thereof is omitted here.
  • the third nanoimprint apparatus 220 includes a transfer robot 75 and can transfer the replica template RTP and the silicon wafer SW.
  • the chamber 71 of the third nanoimprint apparatus 220 has a gate 74 for the replica template RTP.
  • the transport robot 75 transports the replica template RTP from the first replica template inspection apparatus 100 to the holding unit 50 via the gate 74. Further, the transfer robot 75 can carry the silicon wafer SW into the third nanoimprint apparatus 220 via the gate 79 or carry it out of the third nanoimprint apparatus 220.
  • two third nanoimprint apparatuses 220 are provided, each of which transfers the concavo-convex pattern of the replica template RTP to the curable resin formed on the silicon wafer SW.
  • the replica template RTP attached to the holding unit 50 of the two third nanoimprint apparatuses 220 is transported by the transport robot 75 after it is confirmed that there is no defect in a short time by the first replica template inspection apparatus 100. Is done. Therefore, the production of defect-free semiconductor elements is doubled.
  • two third nanoimprint apparatuses 220 are arranged in FIG. 25, it goes without saying that three or more third nanoimprint apparatuses 220 may be arranged.
  • FIG. 26 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a semiconductor element of the present invention. An example in which the second nanoimprint apparatus 210 shown in FIG. 24 is used in the manufacture of a semiconductor element will be described.
  • Step P81 the silicon wafer SW is manufactured by cutting and polishing the silicon wafer SW from the silicon ingot.
  • step P82 the master template MTP is manufactured with an electron beam or the like based on the design data. And it is inspected whether it was manufactured according to design data.
  • Step P83 the replica template RTP is manufactured through the processes described with reference to FIGS.
  • Step P84 it is confirmed that the replica template RTP is free of defects using the first replica template inspection apparatus 100 to the sixth replica template inspection apparatus 150 described with reference to FIGS. If there is no defect, it is conveyed to the second nanoimprint apparatus 210.
  • step P85 a thermosetting or ultraviolet curable resin, such as an acrylic resin, is applied to the silicon wafer SW.
  • the concave / convex pattern of the replica template RTP is embossed on the resin on the silicon wafer SW by the second nanoimprint apparatus 210. Then, a concavo-convex pattern opposite to the concavo-convex pattern of the replica template RTP is formed on the resin.
  • the silicon wafer SW is dry-etched using the resin concavo-convex pattern as a mask.
  • a thin film forming process for forming a dielectric thin film or an insulating layer necessary for manufacturing a semiconductor element, a metal thin film for forming an electrode part, or the like is performed, or ion implantation is performed.
  • steps P85 to P87 a predetermined number of times, a plurality of layers are processed to form semiconductor elements on the silicon wafer SW.
  • Step P88 the semiconductor elements formed on the silicon wafer SW are diced one by one and assembled so that the diced semiconductor elements can be operated.
  • Step P89 the assembled semiconductor element is inspected.
  • a semiconductor element is commercialized through the above steps.
  • the master template MTP has been described on the premise that the master template MTP is drawn based on design data one by one with an electron beam or the like.
  • the grandchild replica template has the same uneven pattern as the master template MTP. In this way, the grandchild replica template can be applied in the same manner as the master template MTP.
  • Transport robot 90 ... Main controller 100 ... First replica template inspection apparatus 110 ... Second replica template inspection apparatus 120 ... Third replica template inspection apparatus 130 ... Fourth replica template inspection apparatus 140 ... Fifth replica template inspection apparatus 150 ... 6th replica template inspection apparatus 200 ... 1st nanoimprint apparatus 210 ... 2nd nanoimprint apparatus 220 ... 3rd nanoimprint apparatus, 300 ... Nanoimprint system AR ... Laser beam BL ... Shading block D1 ... Distance EV ... Press elevator HM ... Hard mask layer IN ... Concave region IrS ... Infrared lamp LZ ... Optical lens MTP ... Master template OA ... Optical axis PM ... Resin QG ... Quartz glass RA ... Convex region RTP ... Replica template SE ... Two-dimensional photosensor SL ... Scattered light SW ... Silicon wafer TDI ... Time delay integration type sensor UVS ... Ultraviolet light source

Abstract

【課題】　テンプレートを短時間で検査できる。 【解決手段】　テンプレートの検査装置は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するテンプレートの検査装置において、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともにマスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、を備える。

Description

テンプレートの製造方法、テンプレートの検査方法及び検査装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム、並びにデバイス製造方法
　本発明はナノインプリントに使用されるテンプレートの製造方法に関する。ナノインプリントに使用されるテンプレートの検査方法及び装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム並びにデバイス製造方法に関する。
　近年、半導体集積回路は微細化，集積化が進んでおり、その微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が進められてきた。さらなる微細化・高精度化を進めるために、フォトリソグラフィ技術に代わる技術が提案されている。例えば特許文献１は、基板上に形成したいパターンに対して反転した凹凸パターンを有するテンプレートを、基板の表面に形成された硬化性樹脂に対して型押しすることで所定のパターンを転写するナノインプリント技術を開示している。
　このようなナノインプリント技術では、生産性を上げるために、元となるマスターのテンプレート（以下、マスターテンプレートという）を用いて、複製のテンプレート（以下、レプリカテンプレートという）を複数作成して、各レプリカテンプレートを異なるナノインプリント装置に装着して使用することが有効である。例えば特許文献２では、マスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造する製造方法を開示している。
米国特許５,７７２,９０５号公報 特開２００７－１３０８７１号公報
　上述のように複数のレプリカテンプレートおよびナノインプリント装置を用いて生産を行う場合、高精度なレプリカテンプレートの製作にあたって量産性を向上させることが要望される。
　また、レプリカテンプレートは、マスターテンプレートに対応して正確に製造されている必要がある。従来、レプリカテンプレートの検査に際しては電子顕微鏡又は電子ビームを照射して得られる散乱光などでレプリカテンプレートの凹凸パターンの一つ一つを検査することが行われており、多大な検査時間が必要とされていた。
　本発明の態様は、レプリカテンプレートの量産性を向上させることができるテンプレートの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、テンプレートを短時間で検査することができるテンプレートの検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、これらを用いたナノインプリントシステムを提供することを目的とする。
　本発明の第１の態様に係るテンプレートの製造方法は、大型基板の上に樹脂膜を形成する工程と、レジスト上に小型のマスターテンプレートを利用して、大型基板にステップアンドリピート方式でインプリントするインプリント工程と、大型基板全体にマスターテンプレートのパターンを形成した後、樹脂膜を介して大型基板をエッチングするエッチング工程と、エッチング後の大型基板に保護層を形成する工程と、大型基板を複数のレプリカテンプレートにダイシングするダイシング工程と、レプリカテンプレートから保護層を取り除く工程と、を備えている。
　本発明の第２の様態に係るテンプレートの製造方法は、大型基板を複数の小型基板にダイシングするダイシング工程と、ダイシング工程後に複数の小型基板を洗浄する工程と、洗浄した複数の小型基板を型枠内に配置する工程と、型枠内に配置された複数の小型基板に樹脂膜を形成する工程と、レジスト上に小型のマスターテンプレートを利用して、小型基板ごとにステップアンドリピート方式でインプリントするインプリント工程と、複数の小型基板にマスターテンプレートのパターンを形成した後、樹脂膜を介して小型基板をエッチングするエッチング工程と、型枠から複数の小型基板を取り外す工程と、を備えている。
　本発明の第３の態様にかかるテンプレートの検査方法は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するである。この方法は、マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとを近接させる近接工程と、マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートに平面波の検査光を照射する工程と、平面波とは異なる成分光を検出する検出工程と、を備える。
　本発明の第４の態様にかかるテンプレートの検査装置は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査する。この装置は、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともにマスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、を備える。
　本発明の第５の態様にかかるナノインプリント装置は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともに、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、検査部によってレプリカテンプレートに欠陥がない場合に、レプリカテンプレートを搬送する搬送部と、搬送部からレプリカテンプレートを受け取るとともに保持する保持部と、保持部に保持されたレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する基板載置台と、凹凸パターンに樹脂が型打ちされるようにレプリカテンプレート又は基板の少なくとも一方を押圧する押圧部と、を備える。
　本発明の第６の態様にかかるナノインプリントシステムは、凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともに、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、検査部によってレプリカテンプレートに欠陥がない場合にレプリカテンプレートを搬送する搬送部と、搬送部からレプリカテンプレートを受け取るとともに保持する２つの保持部と、２つの保持部に保持された２つのレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する２つの基板載置台と、凹凸パターンに樹脂が型打ちされるようにレプリカテンプレート又は基板の少なくとも一方を押圧する２つの押圧部と、を備える。
　本発明の第７の態様にかかるデバイスの製造方法は、第４の態様のレプリカテンプレートの検査装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして基板をエッチングする工程と、を備える。
　本発明の第８の態様にかかるデバイスの製造方法は、第５の態様のナノインプリント装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして基板をエッチングする工程と、を備える。
　本発明の様態によれば、レプリカテンプレートの量産性を向上させることができる。また、本発明の態様によれば、短時間でレプリカテンプレートを検査することができる。
第１ナノインプリント装置２００を示した概念図である。 マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰとの関係を示した図である。 マスターテンプレートＭＴＰの製作のフローチャートである。 レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。 レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。 レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。 レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。 レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。 レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。 レプリカテンプレートＲＴＰの製作方法のフローチャートである。 第１レプリカテンプレート検査装置１００の構成概略図である。 第２レプリカテンプレート検査装置１１０の構成概略図である。 第３レプリカテンプレート検査装置１２０の構成概略図である。 第４レプリカテンプレート検査装置１３０の構成概略図である。 第５レプリカテンプレート検査装置１４０の構成概略図である。 第６レプリカテンプレート検査装置１５０の構成概略図である。 テンプレートの欠陥の大きさと散乱光の強度との関係を示したグラフである。 レーザー光の波長と散乱光の強度との関係を示したグラフである。 ゴミの大きさと散乱光の強度との関係を示したグラフである。 ゴミの大きさと散乱光の強度との関係を示したグラフである。 マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰのステージ４０の拡大断面図である。 マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰのステージ４０の拡大断面図で、特にレプリカテンプレートＲＴＰに欠陥ＤＦがある場合を示している。 第１レプリカテンプレート検査装置１００に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰのステージ４０’の拡大断面図である。 第１レプリカテンプレート検査装置１００を内蔵した第２ナノインプリント装置２１０を示した概念図である。 ナノインプリントシステム３００を示した概念図である。 半導体素子の製造方法を示したフローチャートである。
＜第１ナノインプリント装置２００＞
　図１は、第１ナノインプリント装置２００を示した概念図である。第１ナノインプリント装置２００は、マスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンを石英ガラスＱＧに転写することができ、図１に示すようにチャンバー７１内で転写が行われる。
　第１ナノインプリント装置２００はマスターテンプレートＭＴＰを保持する保持部５０を有している。マスターテンプレートＭＴＰは石英ガラスで作られておりその大きさは例えば２５ｍｍ×２５ｍｍの大きさである。このマスターテンプレートＭＴＰは押圧エレベータＥＶで支えられている。この押圧エレベータＥＶは第１ナノインプリント装置２００のチャンバー７１の天井に備え付けられている。押圧エレベータＥＶは、Ｚ方向（上下方向）にマスターテンプレートＭＴＰを移動させることができる。押圧エレベータＥＶは、マスターテンプレートＭＴＰと石英（ｑｕａｒｔｚ）ガラスＱＧとを近接させ、石英ガラスＱＧに形成された硬化性樹脂に凹凸パターンを転写することができる。
　一方、石英ガラスＱＧは吸着テーブル１６で真空吸着されて固定されている。この石英ガラスＱＧは例えば一辺１５０ｍｍ程度の矩形又は直径２００ｍｍ程度の円形である。この吸着テーブル１６はＸＹステージ１４に支えられている。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動することができる。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸及びＹ軸方向に例えば最大ストロークは２００ｍｍ程度で移動可能であり、石英ガラスＱＧの一端から他端まで凹凸パターンを転写することができる。ＸＹステージ１４は、その一部にＸ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭ（不図示）及びＹ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭが固定されている。ＸＹステージ１４にはリニアモータ１８が設けられており、リニアモータ１８はＸＹステージ１４をＸ軸及びＹ軸方向に駆動する。ＸＹステージ１４は、外部の振動の影響を受けないように、防振台１２の上に載置されている。
　レーザー干渉計（不図示）は、Ｘ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＸ軸用のレーザー干渉計及びＹ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＹ軸用のレーザー干渉計より構成されており、ＸＹステージ１４のＸ座標及びＹ座標が計測される。レーザー干渉計により計測されたＸ座標、及びＹ座標の情報が主制御部９０に供給され、主制御部９０は、供給された座標をモニターしつつリニアモータ１８を介して、ＸＹステージ１４の位置決め動作を制御する。
　なお、図１では、マスターテンプレートＭＴＰが押圧エレベータＥＶで上下し、石英ガラスＱＧがＸＹステージ１４に載置されてＸ軸及びＹ軸方向に移動する構成であるが、マスターテンプレートＭＴＰがＸ軸及びＹ軸方向に移動し、石英ガラスＱＧが押圧エレベータで上下するような構成でもよい。第１ナノインプリント装置２００のチャンバー７１は、ゲート７９を有しており、石英ガラスＱＧを第１ナノインプリント装置２００内へ搬入したり、第１ナノインプリント装置２００外へ搬出したりすることができる。
　第１ナノインプリント装置２００によって凹凸パターンが転写された石英ガラスＱＧをレーザーソー又はダイシングソーなどによって切断することでレプリカテンプレートが形成される。
　図２は、マスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰとの関係を示した図である。図２では説明の便宜上、「Ｆ」字状の凹凸の回路パターンが示されている。実際のパターンは、線幅で数十ナノメートル程度の大きさである。石英ガラスＱＧに９つのレプリカテンプレートＲＴＰを描いているが実際には例えば６４個のレプリカテンプレートＲＴＰが製造される。また点線はレーザーソー又はダイシングソーなどで切断されるスクライブラインである。
　図２に示されるように、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンは凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとから形成されている。マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧ上の硬化性樹脂に型押しされると、石英ガラスＱＧには、鏡反転した「Ｆ」字状の凹凸パターンが形成され、また凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとが逆になる。
　＜マスターテンプレートＭＴＰの製作＞
　図３は、マスターテンプレートＭＴＰの製作手順を示すフローチャートである。
　ステップＰ１１において、マスターテンプレートＭＴＰ用に、例えば２５ｍｍ×２５ｍｍで６．３５ｍｍ厚の石英ガラスを用意する。そしてＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学蒸着法)又はスパッタリングなどを使って石英ガラスにＡｌ（アルミ）などの金属膜を成膜する。
　ステップＰ１２において、石英ガラスの金属膜に電子ビーム用のレジスト膜を形成する。
　ステップＰ１３において、不図示の電子ビームで数十ナノメートルの線幅の回路パターンを石英ガラスのレジスト膜に描画する。
　ステップＰ１４において、Ａｌなどの金属膜をＣｌ２ガス（塩素ガス）によりドライエッチングする。なお、ウェットエッチングによってパターンを形成することも可能であるが、その場合等方性エッチングの断面になるためマスターテンプレートＭＴＰ用には適さない。一方、Ｃｌ２ガス（塩素ガス）によりドライエッチングでは、壁面をほぼ垂直に加工することが可能であり、電子ビームによる回路パターン描画が反映される。
　ステップＰ１５において、Ａｌなどの金属膜をマスクとして石英ガラスのドライエッチングを行う。ドライエッチング剤としてＣＨＦ３ガス（フッ化メチルガス）、ＣＦ４ガス（四フッ化炭素ガス）などが用いられる。ドライエッチングにより石英ガラスに形成される凹凸パターンは、１０～５０ナノメートルの深さである。
　ステップＰ１６では、残ったレジスト及び金属膜が除去されて、マスターテンプレートＭＴＰが形成される。
　＜レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法＞
　図４から図６は、図１で示された第１ナノインプリント装置２００によるレプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法のフローチャートである。また、フローチャートの各ステップの右側にはそのステップにおける概念断面図を示している。
　図４のステップＰ３１において、マスターテンプレートＭＴＰが準備される。また、例えば１５０ｍｍ×１５０ｍｍの石英ガラスＱＧにハードマスク層ＨＭが真空蒸着又はスパッタリングで形成される。ハードマスク層ＨＭは代表例としてＣｒ（クロム）層またはアルミニウム（Ａｌ）層が用いられる。ハードマスク層ＨＭは石英ガラスＱＧをエッチングする際にエッチング薬品の耐食性を向上するために設けられている。ハードマスク層ＨＭ上に紫外光硬化性の樹脂ＰＭが形成される。この樹脂ＰＭとして、例えばアクリル樹脂、脂肪族アリルウレタン、不揮発性材料、芳香族酸メタクリレート、芳香族アクリル酸エステル、アクリル化ポリエステルオリゴマー、アクリレートモノマー、ポリエチレングリコールジメタクリレート、脂肪族ジアクリレート、三官能性酸エステル、又はエポキシ樹脂が用いられる。このステップＰ３１の右図では樹脂ＰＭが全面に形成されているが、粘度が低い液体の樹脂ＰＭをマスターテンプレートＭＴＰの面積に相当する領域にのみ塗布してもよい。
　ステップＰ３２において、押圧エレベータＥＶ（図１を参照）により、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧに対し、紫外光硬化性の樹脂ＰＭを加圧するように圧力をかける。すると、マスターテンプレートＭＴＰと石英ガラスＱＧとの間隙における樹脂ＰＭがマスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、押圧エレベータＥＶ内に設けられた紫外光源ＵＶＳが発する紫外光ＵＶを樹脂ＰＭに照射させて、樹脂ＰＭを硬化させる。
　ステップＰ３３において、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰが剥がされる。このステップＰ３３の右側に示されるように、石英ガラスＱＧのハードマスク層ＨＭ上において硬化した樹脂ＰＭに凹凸パターンが形成される。なお、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰを容易に剥がせるように、予め樹脂ＰＭ上に剥離層を設けることが好ましい。
　ステップＰ３４において、ＸＹステージ１４（図１を参照）がＸ軸方向又はＹ軸方向に移動するとともに押圧エレベータＥＶがマスターテンプレートＭＴＰを樹脂ＰＭに型押しする工程を繰り返す。
　図５のステップＰ３５において、その右図に示されるように、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧ全体の樹脂ＰＭに型押しする。
　ステップＰ３６において、ハードマスク層ＨＭのドライエッチングが行われる。すると石英ガラスＱＧの表面が現れる。
　ステップＰ３７において、ハードマスク層ＨＭをマスクとして石英ガラスＱＧがドライエッチングされる。ドライエッチングにより石英ガラスに形成される凹凸パターンは、１０～１００ナノメートルの深さである。
　この状態で、隣り合うレプリカテンプレートのパターンを相互に比較することにより、レプリカテンプレートＲＴＰ作成時の欠陥を検査することができる。レプリカテンプレートＲＴＰの比較で検査を行う場合には、光学的な検査機を用いることが可能になる。それは、光学的な解像度がパターン寸法に及ばない場合でも、画像センサーの各ピクセルの信号強度を比較することで、各ピクセルよりも小さい寸法欠陥を検出できるからである。光学的な検査機は、電子ビームを用いる検査機よりも欠陥検出の感度は低いが、検査時間が短いという利点がある。
　図６のステップＰ３８において、石英ガラスＱＧに残っている樹脂ＰＭ及びハードマスク層ＨＭが除去される。
　ステップＰ３９において、ダイシングの際に生じる切削くず（パーティクル）ＰＴからレプリカテンプレートＲＴＰを保護するため、石英ガラスＱＧに保護膜ＰＡが形成される。保護膜ＰＡとして高分子材料例えばゼリー状のポリイミド系樹脂等が用いられる。また、保護膜ＰＡとして熱硬化性樹脂材料又は紫外線硬化性樹脂材料を用いても良い。スクリーン印刷法により又はスプレーからの樹脂の塗布によるスプレー法で保護膜ＰＡが塗布される。また、樹脂を塗布するのではなく保護テープを貼り付けるようにしてもよい。
　ステップＰ４０において、ダイシングソーＤＳ又はレーザーソーなどで石英ガラスＱＧを切断することでレプリカテンプレートＲＴＰが作成される。この際に切削くず（パーティクル）ＰＴが発生しても、保護膜ＰＡでレプリカテンプレートＲＴＰが保護されているため、レプリカテンプレートＲＴＰのパターンに欠陥が生じることがない。
　最後にステップＰ４１において、保護膜ＰＡがレプリカテンプレートＲＴＰから除去されて複数のレプリカテンプレートＲＴＰが完成する。以上のようにしてレプリカテンプレートＲＴＰが製作することで、レプリカテンプレートＲＴＰの量産性を向上させることができ、ひいては半導体素子の製造を向上させることができる。
　＜レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法＞
　図７から図９は、図１で示された第１ナノインプリント装置２００によるレプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法のフローチャートである。また、フローチャートの各ステップの右側にはそのステップにおける概念断面図を示している。
　図７のステップＰ５１において、例えば１５０ｍｍ×１５０ｍｍの石英ガラスＱＧにハードマスク層ＨＭが真空蒸着又はスパッタリングで形成される。
　ステップＰ５２において、ダイシングソーＤＳ又はレーザーソーなどで石英ガラスＱＧを２５ｍｍ×２５ｍｍなどの大きさに切断する。この切断された各石英ガラスＱＧは洗浄され、ダイシングの際に生じた切削くず（パーティクル）が除去される。これにより複数の石英ガラスＱＧが用意される。なお、最初から２５ｍｍ×２５ｍｍの石英ガラスを準備していれば、ステップＰ５２は必要ない。
　ステップＰ５３において、洗浄された複数の石英ガラスＱＧが型枠ＦＲに並べて配置される。以降、型枠ＦＲ内に入った複数の石英ガラスＱＧを一つの石英ガラスＱＧと同等に扱うことができる。
　ステップＰ５４において、マスターテンプレートＭＴＰが準備される。また、ハードマスク層ＨＭ上に紫外光硬化性の樹脂ＰＭが形成される。このステップＰ５４の右図では樹脂ＰＭが全面に形成されているが、粘度が低い液体の樹脂ＰＭをマスターテンプレートＭＴＰの面積に相当する領域にのみ塗布してもよい。
　図８のステップＰ５５において、押圧エレベータＥＶ（図１を参照）により、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧに対し、紫外光硬化性の樹脂ＰＭを加圧するように圧力をかける。すると、マスターテンプレートＭＴＰと石英ガラスＱＧとの間隙における樹脂ＰＭがマスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、紫外光源ＵＶＳが発する紫外光ＵＶを樹脂ＰＭに照射させて、樹脂ＰＭを硬化させる。
　ステップＰ５６において、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰが剥がされる。このステップＰ５６の右側に示されるように、石英ガラスＱＧのハードマスク層ＨＭ上において硬化した樹脂ＰＭに凹凸パターンが形成される。なお、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰを容易に剥がせるように、予め樹脂ＰＭ上に剥離層を設けることが好ましい。
　ステップＰ５７において、ＸＹステージ１４（図１を参照）がＸ軸方向又はＹ軸方向に移動するとともに押圧エレベータＥＶがマスターテンプレートＭＴＰを樹脂ＰＭに型押しする工程を繰り返す。
　図９のステップＰ５８において、その右図に示されるように、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧ全体の樹脂ＰＭに型押しする。
　ステップＰ５９において、ハードマスク層ＨＭのドライエッチングが行われる。すると石英ガラスＱＧの表面が現れる。
　ステップＰ６０において、ハードマスク層ＨＭをマスクとして石英ガラスＱＧがドライエッチングされる。ドライエッチングにより石英ガラスに形成される凹凸パターンは、１０～１００ナノメートルの深さである。
　この状態で、隣り合うレプリカテンプレートのパターンを相互に比較することにより、レプリカテンプレートＲＴＰ作成時の欠陥を検査することができる。
　ステップＰ６１において、レプリカテンプレートＲＴＰに残っている樹脂ＰＭ及びハードマスク層ＨＭが除去される。
　最後にステップＰ６２において、型枠ＦＲからレプリカテンプレートＲＴＰを取り出す。以上のようにしてレプリカテンプレートＲＴＰを製作することで、レプリカテンプレートＲＴＰの量産性を向上させることができ、ひいては半導体素子の生産性を向上させることができる。
　また、上記実施例では硬化性樹脂として紫外光硬化の樹脂を使って説明したが、熱硬化性樹脂を使用しても良い。また、レプリカテンプレートＲＴＰ用の母材として石英ガラスを使用したが、他のガラスであってもよい。なお、樹脂として紫外線硬化性の樹脂を用いる場合には、紫外線が透過可能な母材とするとよい。
　＜レプリカテンプレートＲＴＰの製作方法＞
　図１０は、１度に複数のレプリカテンプレートＲＴＰを作るのではなく、１つ１つのレプリカテンプレートＲＴＰの製作方法のフローチャートである。また、フローチャートの各ブロックの右側にはそのステップにおける概念断面図を示している。
　ステップＰ７１において、電子ビームなどで１つ１つ設計データに基づいて製造されたマスターのテンプレート（以下、マスターテンプレートという）ＭＴＰが準備される。マスターテンプレートＭＴＰは凹凸パターンが形成され凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとを有している。このマスターテンプレートＭＴＰは電子ビーム検査装置又は電子顕微鏡などを用いて検査されている。また、真空蒸着又はスパッタリングで形成されたハードマスク層ＨＭを有する石英ガラスＱＧが準備される。このハードマスク層ＨＭ上に紫外光硬化性の樹脂ＰＭが形成される。この樹脂ＰＭは粘度が低い液体である。
　ステップＰ７２において、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧに対し、紫外光硬化性の樹脂ＰＭを型押しする。すると、マスターテンプレートＭＴＰと石英ガラスＱＧとの間隙における樹脂ＰＭがマスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、紫外光ＵＶを樹脂ＰＭに照射させて、樹脂ＰＭを硬化させる。なお、樹脂ＰＭとして、例えばアクリル樹脂が用いられる。
　ステップＰ７３において、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰが剥がされる。このステップの右側に示されるように、石英ガラスＱＧのハードマスク層ＨＭ上に硬化した樹脂ＰＭに凹凸パターンが形成される。なお、樹脂ＰＭは、紫外線硬化性の樹脂に限定されず、熱硬化性の樹脂を用いるようにしてもよい。
　ステップＰ７４において、ハードマスク層ＨＭのドライエッチングが行われる。すると石英ガラスＱＧの表面が現れる。さらにハードマスク層ＨＭをマスクとして石英ガラスＱＧがドライエッチングされ、レプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンが形成される。
　ステップＰ７５において、レプリカテンプレートＲＴＰに残っている樹脂ＰＭ及びハードマスク層ＨＭが除去され、レプリカテンプレートＲＴＰが完成する。レプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンも凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとを有している。なお、図１０では凹凸パターンが誇張して描かれているが、ラインアンドスペースが例えば１０ｎｍ（ナノメートル）から５０ｎｍであり、その凹凸の高さは例えば１０ｎｍから１００ｎｍである。
＜第１レプリカテンプレート検査装置１００の構造＞
　図１１は第１レプリカテンプレート検査装置１００の構成概略図である。
　図１１に示されるように、第１レプリカテンプレート検査装置１００は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、遮光ブロックＢＬ、結像レンズ３５、及び二次元フォトセンサＳＥを有している。
　検査光源部２０は、例えば１９３ｎｍの波長のレーザー光を射出する固体レーザー２１とコンデンサーレンズ２３とを有している。例えば固体レーザー２１はφ３ミリメートル程の平行光を射出し、コンデンサーレンズ２３はレーザー光を収斂させて点光源とする。コンデンサーレンズ２３から射出されたレーザー光はコリメータレンズ３１に進む。
　コリメータレンズ３１は、レーザー光を平行光束とする。この平行光束はその波面が平面波ＰＷとなっている。この平面波中には、図４から図１０で説明したマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰがステージ４０に配置される。ステージ４０はマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターン面とレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターン面とが互いに向かい合うように（一方の凹部と他方の凸部とが向かい合うように）配置する。またマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの面は、平面波ＰＷの波面と平行に、別言すれば、光軸ＯＡと垂直になるように配置される。なお、図１１のように検査光源部２０側にマスターテンプレートＭＴＰが配置される代わりに、検査光源部２０側にレプリカテンプレートＲＴＰが配置されてもよい。
　マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを通過した光束は、集光レンズ３３及び結像レンズ３５に進む。光軸ＯＡ上で、且つ集光レンズ３３と結像レンズ３５とからなる光学系の瞳位置（集光レンズ３３の後側焦点面（フーリエ変換面））の近傍には、所定の直径を有する遮光ブロックＢＬが配置されている。
　レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると平面波の変調が発生し球面波などの散乱光ＳＬが生じる（図２２参照）。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在しないと平面波の変調が発生せず平面波のままである。レプリカテンプレートＲＴＰを透過した平面波ＰＷは遮光ブロックＢＬで遮光されるが、散乱光ＳＬは遮光ブロックＢＬで遮光されず、二次元フォトセンサＳＥに到達する。つまりレプリカテンプレートＲＴＰに欠陥箇所があると、その欠陥箇所の散乱光が二次元フォトセンサＳＥで検出される。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥がまったく存在しないと二次元フォトセンサＳＥは光の出力がない。つまり欠陥のない部分は暗く、欠陥が点光源として光って検出される。
　二次元フォトセンサＳＥは例えば二次元ＣＣＤであり、二次元フォトセンサＳＥからの出力はコンピュータＣＰに送られる。コンピュータＣＰは光学系の倍率及び二次元フォトセンサＳＥからの出力に基づいてレプリカテンプレートＲＴＰの欠陥箇所を表示する。
　なお、第１レプリカテンプレート検査装置１００はレプリカテンプレートＲＴＰに欠陥を検査するだけでなく、埃などのゴミの存在を検査する際にも有効である。マスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰと間にゴミが存在する場合には、散乱光ＳＬが発生する。このため、コンピュータＣＰは光学系の倍率及び二次元フォトセンサＳＥからの出力に基づいてゴミの箇所及びゴミの大きさを表示することができる。
＜第２レプリカテンプレート検査装置１１０の構造＞
　図１２は第２レプリカテンプレート検査装置１１０の構成概略図である。
　第１レプリカテンプレート検査装置１００では、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの全面にレーザー光が照射された。第２レプリカテンプレート検査装置１１０では、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの一部の面にレーザー光が照射される。第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ構成には、同じ符号が付されている。
　図１２に示されるように、第２レプリカテンプレート検査装置１１０は、検査光源部２０Ｎ、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、遮光ブロックＢＬ、結像レンズ３５、及び二次元フォトセンサＳＥを有している。
　検査光源部２０Ｎは、例えば１９３ｎｍの波長のレーザー光を射出する固体レーザー２１Ｎと第２コンデンサーレンズ２３Ｎとを有している。固体レーザー２１Ｎはφ２ミリメートル程の平行光を射出し、第２コンデンサーレンズ２３Ｎはレーザー光を収斂させて点光源となる。第２コンデンサーレンズ２３から射出されたレーザー光は直径が数ミリ程度の光束となる。そして直径が数ミリ程度のレーザー光がコリメータレンズ３１に進む。
　マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰが配置されたステージ４０は、移動テーブル５５に搭載されている。移動テーブル５５は長いストローク、例えばＸ軸方向に約２５ｍｍ、Ｙ軸方向に約２５ｍｍの移動距離を有している。
　動作について簡単に説明する。第２レプリカテンプレート検査装置１１０は、検査光源部２０Ｎの照射範囲が狭い。このため、移動テーブル５５がステージ４０を大きくＸ軸方向又はＹ軸方向に移動させることによって、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの全面にレーザー光が照射される。
　また、移動テーブル５５はステージ４０に配置されたが、検査光源部２０Ｎに配置されてもよい。すなわち、検査光とテンプレートとを相対的にスキャンできればよい。なお、ステージ４０が例えばナノメートル単位で移動できるとともに、Ｘ軸方向に約２５ｍｍ、Ｙ軸方向に約２５ｍｍの移動ができるのであれば、移動テーブル５５を必ずしも用意する必要はない。
＜第３レプリカテンプレート検査装置１２０の構造＞
　図１３は第３レプリカテンプレート検査装置１２０の構成概略図である。
　第１レプリカテンプレート検査装置１００では、結像レンズ３５で結像された散乱光ＳＬを二次元フォトセンサＳＥで観察した。第３レプリカテンプレート検査装置１２０は、瞳位置（集光レンズ３３の後側焦点面（フーリエ変換面））で光強度分布を観察する。第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ構成には、同じ符号が付されている。
　図１３に示されるように、第３レプリカテンプレート検査装置１２０は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、及び二次元フォトセンサＳＥを有している。第１レプリカテンプレート検査装置１００は遮光ブロックＢＬ及び結像レンズ３５を有していたが、第３レプリカテンプレート検査装置１２０はそれらを有していない。
　二次元フォトセンサＳＥは、レーザー光の光強度分布を受光して、実質的な遠視野パターン（Far Field Pattern）を観察する。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在しないと平面波の変調が発生せず平面波のままである。まず、この平面波の光強度分布は二次元フォトセンサＳＥから出力されコンピュータＣＰに送られる。コンピュータＣＰはその光強度分布を記憶する。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると平面波の変調が発生し球面波などの散乱光ＳＬが生じ、平面波と散乱光ＳＬとの両方の光強度分布は二次元フォトセンサＳＥから出力されコンピュータＣＰに送られる。コンピュータＣＰはその光強度分布を記憶する。コンピュータＣＰは、平面波だけの光強度分布と平面波及び散乱光ＳＬの両方の光強度分布とを比較し、レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥箇所を検出する。
　図１２で説明された第２レプリカテンプレート検査装置１１０のように、レプリカテンプレートＲＴＰに対してレーザー光の照射範囲が狭い場合には、第３レプリカテンプレート検査装置１２０に移動テーブル５５を適用してもよい。第３レプリカテンプレート検査装置１２０は特にゴミの検出に適している。
＜第４レプリカテンプレート検査装置１３０の構造＞
　図１４は第４レプリカテンプレート検査装置１３０の構成概略図である。図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ部材には同じ記号を付けている。
　図１４に示されるように、第４レプリカテンプレート検査装置１３０は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、第２集光レンズ３７、第２結像レンズ３８、及び第２二次元フォトセンサＳＥ２を有している。
　図１４に示される第４レプリカテンプレート検査装置１３０は、図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と異なり、第２集光レンズ３７及び第２結像レンズ３８が光軸ＯＡ上に配置されておらず光軸ＯＡに対して傾いて配置されている。また遮光ブロックＢＬが配置されていない。さらに、第２二次元フォトセンサＳＥ２は光軸ＯＡ上に配置されていない。また第２二次元フォトセンサＳＥ２は、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに対して第２集光レンズ３７及び第２結像レンズ３８によるあおりの結像関係を満足するように、光軸ＯＡに対して傾いて配置されている。
　レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると平面波の変調が発生し球面波などの散乱光ＳＬが生じる。平面波は検査光源部２０とコリメータレンズ３１とを結ぶ光軸ＯＡ方向に進むが、散乱光ＳＬは光軸ＯＡ方向以外にも進む。このため、散乱光ＳＬの一部が第２集光レンズ３７と第２結像レンズ３８とからなる光学系に進み第２二次元フォトセンサＳＥ２上に集光され、レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥の像が結像される。この光学系には平面波の光が入射しないため、図１１に示された遮光ブロックＢＬが存在しなくてもよい。このように、レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥があると、その欠陥によって生じた散乱光ＳＬが第２二次元フォトセンサＳＥ２で検出される。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在しないと、第２二次元フォトセンサＳＥ２は光を検出せず、受光信号が出力されない。
＜第５レプリカテンプレート検査装置１４０の構造＞
　図１５は第５レプリカテンプレート検査装置１４０の構成概略図である。図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ部材には同じ記号を付けている。
　図１５に示されるように、第５レプリカテンプレート検査装置１４０は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、第２集光レンズ３７、第２結像レンズ３８、及び第２二次元フォトセンサＳＥ２を有している。
　図１５に示される第５レプリカテンプレート検査装置１４０は、図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と異なり、ステージ４０、第２集光レンズ３７、第２結像レンズ３８及び第２二次元フォトセンサＳＥ２が光軸ＯＡ上に配置されていない。そしてそれらは光軸ＯＡに対して同じ角度で傾いて配置されている。また遮光ブロックＢＬが配置されていない。
　平面波は、傾いたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射しても、そのまま平面波としてマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰから出射する。
　レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると散乱光ＳＬが生じる。平面波は検査光源部２０とコリメータレンズ３１とを結ぶ光軸ＯＡ方向に進むが、散乱光ＳＬは光軸ＯＡ方向以外にも進む。このため、散乱光ＳＬの一部が第２集光レンズ３７と第２結像レンズ３８とからなる光学系に進み第２二次元フォトセンサＳＥ２上に集光され、レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥の像が結像される。この光学系には平面波の光が入射しないため、図１１に示された遮光ブロックＢＬが存在しなくてもよい。
＜第６レプリカテンプレート検査装置１５０の構造＞
　図１６は第６レプリカテンプレート検査装置１５０の構成概略図である。図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ部材には同じ記号を付けている。
　図１６に示されるように、第６レプリカテンプレート検査装置１５０は、検査光源部２９、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、結像レンズ３５、及び時間遅延積分型センサＴＤＩを有している。
　図１６に示される第６レプリカテンプレート検査装置１５０は、図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００に対して検査光源部２９及び時間遅延積分型センサＴＤＩを使っている点で異なっている。
　検査光源部２９は、例えば１５０ｎｍから４００ｎｍまでの広域スペクトルの光を射出する短波長ランプ２５と、コンデンサーレンズ２６と、波長選択フィルター２７と、ピンホール板２８とを有している。短波長ランプ２５からの広域スペクトルの光は、コンデンサーレンズ２６で収斂されピンホール板２８の開口部で焦点を一点に収斂する。ピンホール板２８は例えば光学ガラスに開口部を除いてクロムを蒸着させた板である。
　コンデンサーレンズ２６とピンホール板２８との間に配置された波長選択フィルター２７は、特定の波長（例えば１９３ｎｍ，３６５ｎｍ等）を中心とする狭帯域の光を選択することができる波長フィルターである。波長選択フィルター２７は、１つの波長帯域だけでなく、複数の波長帯域を選択することも可能である。ピンホール板２８で点光源となった光はコリメータレンズ３１に進む。ピンホール板２８を通過した点光源は、コリメータレンズ３１により必要な口径を有する平行光となり、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射する。
　つまり、第６レプリカテンプレート検査装置１５０は例えば１９３ｎｍの波長と３６５ｎｍの波長とで検査することも可能となる。波長が異なると欠陥の形状や欠陥サイズの関係で、欠陥からの散乱光ＳＬの発生の様子が異なる。このように多波長の検査で欠陥の形状や材質（異物質混入の場合）などの性質がコンピュータＣＰで判断することが可能となる。なお、１９３ｎｍの波長と３６５ｎｍの波長とを同時に観察することも可能であり、１９３ｎｍの波長と３６５ｎｍの波長とを異なる時間に観察してもよい。
　さらに、波長選択フィルター２７は１９３ｎｍから４００ｎｍ程度の広帯域スペクトルの光から、所望の帯域を切り出したスペクトル幅、例えば２５０ｎｍから３５０ｎｍの波長、の光を選択することも可能である。図１１で使用した固体レーザー２１ではスペックルと呼ばれるレーザー特有の散乱雑音が生じる場合がある。所望の帯域を切り出したスペクトル幅の光をマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射することは、スペックルを除去することも可能となる。
　なお、１９３ｎｍ光などの短波長光を照射して、より長波長の「蛍光」を観察することもできる。欠陥として１９３ｎｍ光を吸収する異物（たとえば、有機物質）が付着している場合には、蛍光が発生することが多いからである。
　また第６レプリカテンプレート検査装置１５０は、ＣＣＤのような二次元フォトセンサＳＥに代えて二次元ラインセンサである時間遅延積分型センサＴＤＩ（Time
Delay & Integration）を使用している。時間遅延積分型センサＴＤＩは、試料の走行方向に積分段数だけ電荷を積分することにより、ラインセンサの段数に比例する感度向上及びノイズの軽減を実現する。欠陥からの散乱光ＳＬはそれほど大きな光量として検出されないので、特に散乱光ＳＬの光量が小さいときには、時間遅延積分型センサＴＤＩを使用することは有効である。なお、時間遅延積分型センサＴＤＩでは、テーブル５１の移動速度が一定である必要がある。また、テーブル５１の移動速度と画像取り込みタイミングを同期させる必要がある。
＜その他のレプリカテンプレート検査装置の構造＞
　特に図示しないが、落射照明顕微鏡のように、観察光学系の方からビームスプリッターを介して短波長光を入射する方式でもよい。この場合、観察光学系の対物レンズを通して、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに、例えば１９３ｎｍ以下の波長の平面波を入射させるとよい。この際、レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥のない場合には、入射光はマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを通過するのみである。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥があると、その部分で発生した散乱光が、入射方向に散乱角９０°以上で反射的に発生して、観察光学系で観察することができる。
　なお、レプリカテンプレートＲＴＰ用の母材は、石英ガラスに限定されず、紫外光と検査光とに対して透明な母材であれば他のガラスであってもよい。
＜欠陥又はゴミの大きさと散乱光の強度との関係＞
　図１７は、テンプレートの欠陥の大きさと散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。
　図１７の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸は欠陥の高さｈである。欠陥は、長さを１０００ｎｍで固定にして幅ｗと高さｈとをいろいろ変化させた四角柱とした。欠陥の体積が大きくなればなるほど散乱光ＳＬの強度が大きくなっていることが理解される。検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、波長１９３ｎｍの直線偏光であり、その電場の向きと欠陥の長手方向とが平行にされている。そのレーザー光は、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。
　図１８は、検査光源部２０Ｎからのレーザー光の波長と散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。
　図１８の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸は欠陥の高さｈである。レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥の大きさは、長さが１０００ｎｍ及び幅ｗが２０ｎｍであり、高さｈを変化させた四角柱とした。検査光源部２０Ｎからのレーザー光の波長ｗｌが５３２ｎｍであると散乱光ＳＬの強度は弱く、レーザー光の波長ｗｌが２６６ｎｍであると散乱光ＳＬの強度は強くなる。レーザー光の波長が半分になると、散乱光ＳＬの強度は４倍以上になっていることが図１８から理解される。レーザー光の波長ｗｌが１９３ｎｍであると散乱光ＳＬの強度はさらに強くなることがわかる。このため、検査光源部からのレーザー光はできるだけ短波長であることが好ましい。なお、検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、電場の向きと欠陥の長手方向とが平行にされた直線偏光であり、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。
　図１９は、ゴミの大きさと散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。
　図１９の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸はゴミの高さｈである。ゴミは、長さを１０００ｎｍで固定にして幅ｗと高さｈとをいろいろ変化させた四角柱とした。ゴミの体積が大きくなればなるほど散乱光ＳＬの強度が大きくなっていることが理解される。検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、波長１９３ｎｍの直線偏光であり、その電場の向きとゴミの長手方向とが平行にされている。そのレーザー光は、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。
　図２０は、検査光源部２０Ｎからのレーザー光の偏光方向と散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。
　図２０の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸はゴミの高さｈである。ゴミは、長さを１０００ｎｍ、幅ｗを５０ｎｍで固定にして、高さｈを変化させた四角柱とした。検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、波長１９３ｎｍの直線偏光であり、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。このレーザー光の偏光方向（電場の方向）が、ゴミの長手方向と平行な場合をＴＥとして示し、ゴミの長手方向と直交する場合をＴＭとして示してある。この結果より、偏光方向がゴミの長手方向と平行な直線偏光の場合に散乱光ＳＬの強度が大きくなるため、互いに直交する２本の直線偏光のレーザー光を使うことで、ゴミの大きさ及びゴミの向きが特定できることがわかる。
＜ステージ４０の構造＞
　図２１は、第１レプリカテンプレート検査装置１００から第６レプリカテンプレート検査装置１５０に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの周辺の拡大断面図である。図２１では検査光源部２０（図１１を参照）からのレーザー光（平面波ＰＷ）が矢印ＡＲ方向からマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射する。
　マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰはステージ４０に保持されている。マスターテンプレートＭＴＰはＺ軸移動クランプ４５に保持されており、レプリカテンプレートＲＴＰはＸＹ軸移動クランプ４３に保持されている。ＸＹ軸移動クランプ４３にはＸＹ軸伸縮部４４が配置され、Ｚ軸移動クランプ４５にはＺ軸伸縮部４１が配置されている。Ｚ軸伸縮部４１及びＸＹ軸伸縮部４４はピエゾ素子などのナノメートル単位で駆動できる駆動部で構成されている。
　Ｚ軸伸縮部４１は矢印ＤＺに示される方向に伸縮することで、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡとの距離Ｄ１を調整することができる。ＸＹ軸伸縮部４４は矢印ＤＹに示される方向に伸縮することで、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凹領域ＩＮとの距離Ｄ２を調整することができる。図２１ではＹ軸方向しか示していないが、Ｘ軸方向にも移動することができ、また、複数のＸＹ軸伸縮部４４がそれぞれの伸縮を変えることによりレプリカテンプレートＲＴＰをＸＹ平面内で回転させることも可能である。すなわちＸＹ軸伸縮部４４は、マスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰとをＸＹ面内で位置調整し、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンとレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンとが相対する状態（一方の凹部と他方の凸部とが向かい合う状態）に調整することができる。
　距離Ｄ１は、ラインアンドスペースのパターンとレーザー光の波長（例えば１９３ｎｍ）とに対して十分に小さければよい。例えば距離Ｄ１は、凹凸パターンの深さと同等以下であればよい。具体的には２０ｎｍから１０ｎｍ以下であることが好ましい。しかし、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凹領域ＩＮとが勘合するまで距離Ｄ１を短くする必要はない。またマスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰとの間には空気などの気体が存在している。
　マスターテンプレートＭＴＰを通過した平面波ＰＷは、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンで変調される。この変調成分が残ったままレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンに入射する。図４から図１０で示されたように、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとが逆である。レプリカテンプレートＲＴＰではこの変調成分が再び打ち消され、レプリカテンプレートＲＴＰを通過すると再び平面波ＰＷとして射出される。
　図２２は、第１レプリカテンプレート検査装置１００に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及び欠陥ＤＦのあるレプリカテンプレートＲＴＰの周辺の拡大断面図である。図２２でも検査光源部２０（図１１を参照）からのレーザー光（平面波ＰＷ）が矢印ＡＲ方向からマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射する。
　マスターテンプレートＭＴＰを通過したレーザー光は、平面波ＰＷがマスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンで変調される。この変調成分が残ったままレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンに入射する。マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとが正確に逆の箇所では平面波となるが、正確に凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮが逆になっていない欠陥ＤＦではこの変調成分が打ち消されず散乱光ＳＬが射出される。欠陥がない場合にはテンプレートからの散乱光の発生はない。欠陥がある場合には、第１レプリカテンプレート検査装置１００は欠陥位置を点光源として検出する。この検査方法により、電子ビームによってレプリカテンプレートＲＴＰ全面のパターンを検査する場合などに比べて、レプリカテンプレートＲＴＰの検査が大幅に短時間で終了する。
　図２１及び図２２で示されたように、マスターテンプレートＭＴＰを通過した波面はその変調された成分と平面波の成分に分解できるが、変調された成分が散逸する割合は波長が長いほうが短く、短波長のほうがこの変調の成分が長く保存される。このため、できるだけ短波長、例えば図１８で示されたように、１９３ｎｍの波長のレーザー光を使用した方が良い。
＜ステージ４０’の構造＞
　図２３は、第１レプリカテンプレート検査装置１００に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの周辺の拡大断面図である。図２１で示されたステージ４０と図２３で示されたステージ４０’との構造が異なる。
　図２３で示されたステージ４０’では、マスターテンプレートＭＴＰはＺ軸移動クランプ４５に保持されており、レプリカテンプレートＲＴＰはＸＹ軸移動クランプ４３に保持されている。ＸＹ軸移動クランプ４３とＺ軸移動クランプ４５との間にアコーディオン部４６が配置されている。マスターテンプレートＭＴＰ、レプリカテンプレートＲＴＰ及びアコーディオン部４６で囲まれた領域は液体ＬＱで満たされている。アコーディオン部４６の一部にはパイプ４７が設けられ、パイプにはポンプ４８が接続されている。ポンプ４８が液体ＬＱの量を調整することにより、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡとの距離Ｄ１を２０ｎｍから１０ｎｍ以下、例えば１ｎｍに調整することができる。
　レプリカテンプレートＲＴＰが図２３中の点線で示されるように反っていたりした場合、ポンプ４８が液体ＬＱの量を減らし減圧させることで、距離Ｄ１を調整するばかりでなくレプリカテンプレートＲＴＰの反りも調整することができる。
　なお、液体はその屈折率がマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの材料である石英ガラスの屈折率と異なる液体を選ぶ。内部に残る液体の屈折率が、マスターテンプレートＭＴＰ又はレプリカテンプレートＲＴＰと同じ屈折率だとすると、マスターテンプレートＭＴＰを通過したあとの波面の変調がなくなってしまうからである。
＜第２ナノインプリント装置２１０＞
　図２４は、第１レプリカテンプレート検査装置１００を内蔵する第２ナノインプリント装置２１０を示した図である。第２ナノインプリント装置２１０は、レプリカテンプレートＲＴＰの凸凹パターンをシリコンウエハＳＷに転写する。図２４に示すように埃などを防ぐため転写工程はチャンバー７１内で行われる。第１レプリカテンプレート検査装置１００はすでに説明したので説明を割愛する。
　第２ナノインプリント装置２１０はレプリカテンプレートＲＴＰを保持する保持部５０を有している。保持部５０は押圧エレベータＥＶで支えられ、この押圧エレベータＥＶは第２ナノインプリント装置２１０のチャンバー７１の天井に備え付けられている。押圧エレベータＥＶは、Ｚ方向（上下方向）にレプリカテンプレートＲＴＰを移動させることができる。
　一方、シリコンウエハＳＷは吸着テーブル１６で真空吸着されて固定されている。このシリコンウエハＳＷは直径が例えば３００ｍｍ程度である。この吸着テーブル１６はＸＹステージ１４に支えられている。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動することができる。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸及びＹ軸方向に例えば最大ストロークは４００ｍｍ程度で移動可能であり、シリコンウエハＳＷの一端から他端まで凹凸パターンを転写することができる。ＸＹステージ１４は、その一部にＸ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭ（不図示）及びＹ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭが固定されている。ＸＹステージ１４にはリニアモータ１８が設けられており、リニアモータ１８はＸＹステージ１４をＸ軸及びＹ軸方向に駆動する。
　レーザー干渉計（不図示）は、Ｘ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＸ軸用のレーザー干渉計及びＹ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＹ軸用のレーザー干渉計より構成されており、ＸＹステージ１４のＸ座標及びＹ座標が計測される。レーザー干渉計により計測されたＸ座標、及びＹ座標の情報が主制御部９０に供給され、主制御部９０は、供給された座標をモニターしつつリニアモータ１８を介して、ＸＹステージ１４の位置決め動作を制御する。
　第２ナノインプリント装置２１０では、押圧エレベータＥＶにより、レプリカテンプレートＲＴＰがウエハＳＷ上に設けられた紫外光硬化性の樹脂を加圧するように圧力をかける。これにより、レプリカテンプレートＲＴＰとウエハＳＷとの間隙における樹脂がレプリカテンプレートＲＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、押圧エレベータＥＶ内に設けられた紫外光源ＵＶＳが発する紫外光を樹脂に照射させて、樹脂を硬化させる。その後、硬化した樹脂からレプリカテンプレートＲＴＰが剥がされることで、その硬化した樹脂に凹凸パターンが形成される。
　また、第２ナノインプリント装置２１０は搬送ロボット７５を有しており、レプリカテンプレートＲＴＰ及びシリコンウエハＳＷを搬送することができる。第２ナノインプリント装置２１０のチャンバー７１は、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰ用のゲート７３とシリコンウエハＳＷ用のゲート７９とを有している。ゲート７３を介して、チャンバー７１内の第１レプリカテンプレート検査装置１００にマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを取り付けることができる。
第１レプリカテンプレート検査装置１００がレプリカテンプレートＲＴＰの検査を終えると、搬送ロボット７５は、レプリカテンプレートＲＴＰを第１レプリカテンプレート検査装置１００から保持部５０に搬送することができる。
　第２ナノインプリント装置２１０は、第１レプリカテンプレート検査装置１００を内蔵しているため、半導体素子の生産の開始前、及び生産中の所定のウエハ生産枚数ごとに、レプリカテンプレートＲＴＰに生じる欠陥を高精度に且つ短時間で検査することが可能になる。また、チャンバー７１内に第１レプリカテンプレート検査装置１００が配置され、そのチャンバー７１内で、レプリカテンプレートＲＴＰが保持部５０に取り付けられるため、埃などのゴミなどがレプリカテンプレートＲＴＰに付着するおそれも少なくなる。
＜ナノインプリントシステム３００＞
　図２５は、２台の第３ナノインプリント装置２２０と１台の第１レプリカテンプレート検査装置１００を含むナノインプリントシステム３００を示した概念図である。第３ナノインプリント装置２２０は、図２４で説明された第２ナノインプリント装置２１０から第１レプリカテンプレート検査装置１００を除いた構成であるので、詳細な説明は割愛する。また第１レプリカテンプレート検査装置１００はすでに説明したので、ここでの説明を割愛する。
　また、第３ナノインプリント装置２２０は搬送ロボット７５を有しており、レプリカテンプレートＲＴＰ及びシリコンウエハＳＷを搬送することができる。第３ナノインプリント装置２２０のチャンバー７１は、レプリカテンプレートＲＴＰ用のゲート７４を有している。搬送ロボット７５は、ゲート７４を介してレプリカテンプレートＲＴＰを第１レプリカテンプレート検査装置１００から保持部５０に搬送する。また、搬送ロボット７５は、ゲート７９を介してシリコンウエハＳＷを第３ナノインプリント装置２２０内へ搬入したり、第３ナノインプリント装置２２０外へ搬出したりすることができる。
　図２５に示されるように、第３ナノインプリント装置２２０が２台設けられており、それぞれがレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンをシリコンウエハＳＷに形成された硬化性樹脂に転写する。これにより、２つのレプリカテンプレートＲＴＰを使ってシリコンウエハＳＷに形成される半導体素子の生産量を２倍にすることができる。そして、２台の第３ナノインプリント装置２２０の保持部５０に取り付けられるレプリカテンプレートＲＴＰは、１台の第１レプリカテンプレート検査装置１００で短時間に欠陥がないことが確認されてから搬送ロボット７５で搬送される。したがって欠陥のない半導体素子の生産が２倍になることになる。図２５では２台の第３ナノインプリント装置２２０が配置されているが、３台以上の第３ナノインプリント装置２２０が配置してもよいことは言うまでもない。
＜半導体素子の製造方法＞
　本実施形態に係る半導体素子（メモリ、ＬＳＩを含む半導体デバイス）の製造方法の実施の形態の例を説明する。図２６は、本発明の半導体素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。半導体素子の製造において、図２４に示された第２ナノインプリント装置２１０を使用する例で説明する。
　ステップＰ８１において、シリコンインゴットからシリコンウエハＳＷを切り出し研磨することでシリコンウエハＳＷを製造する。
　一方ステップＰ８２において、設計データに基づいて電子ビームなどでマスターテンプレートＭＴＰを製造する。そして設計データ通りに製造されたかが検査される。
　ステップＰ８３において、図４から図１０で説明したような工程を経て、レプリカテンプレートＲＴＰが製造される。
　ステップＰ８４において、図１１から図１６で説明した第１レプリカテンプレート検査装置１００から第６レプリカテンプレート検査装置１５０を使って、レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥がないことを確認する。欠陥がなかったら第２ナノインプリント装置２１０に搬送される。
　ステップＰ８５において、シリコンウエハＳＷには熱硬化性又は紫外線硬化性の樹脂、例えばアクリル樹脂が塗布される。
　ステップＰ８６において、第２ナノインプリント装置２１０でレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンがシリコンウエハＳＷ上の樹脂に型押しされる。すると、レプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンと逆になった凹凸パターンが樹脂に形成される。
　ステップＰ８７において、樹脂の凹凸パターンをマスクとしてシリコンウエハＳＷをドライエッチングする。また半導体素子の製造に必要な、絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング）が行われたり、イオン注入が行われたりする。
　ステップＰ８５からＰ８７を所定回数繰り返すことにより、複数の層を加工しシリコンウエハＳＷに半導体素子が形成される。
　ステップＰ８８では、シリコンウエハＳＷ上に形成された半導体素子を１個ずつダイシングし、そのダイシングされた半導体素子が動作可能になるように組み立てられる。
　ステップＰ８９では、組み立てられた半導体素子を検査する。
　以上の工程を経て、半導体素子が製品化される。
　以上の説明では、マスターテンプレートＭＴＰは、電子ビームなどで１つ１つ設計データに基づいて描画されたものを前提に説明されてきた。しかし、レプリカテンプレートＲＴＰに基づいてさらに孫のレプリカテンプレートを製作すると、孫のレプリカテンプレートはマスターテンプレートＭＴＰと同じ凹凸パターンを有する。このように孫のレプリカテンプレートもマスターテンプレートＭＴＰと同視して適用することができる。
１４　…　ＸＹステージ
１６　…　吸着テーブル
２１　…　固体レーザー
２０，２０Ｎ，２９　…　検査光源部
２３　…　コンデンサーレンズ
２５　…　短波長ランプ
２６　…　コンデンサーレンズ
２７　…　波長選択フィルター
２８　…　ピンホール板
３１　…　コリメータレンズ
３３　…　集光レンズ（３７　…　第２集光レンズ）
３５　…　結像レンズ（３８　…　第２結像レンズ）
４０，４０’　…　ステージ
４１　…　Ｚ軸伸縮部、４４　…　ＸＹ軸伸縮部
４３　…　ＸＹ軸移動クランプ
４５　…　Ｚ軸移動クランプ
４６　…　アコーディオン部、４８　…　ポンプ
５０　…　保持部
７１　…　チャンバー
７３，７９　…　ゲート
７５　…　搬送ロボット
９０　…　主制御部
１００　…　第１レプリカテンプレート検査装置
１１０　…　第２レプリカテンプレート検査装置
１２０　…　第３レプリカテンプレート検査装置
１３０　…　第４レプリカテンプレート検査装置
１４０　…　第５レプリカテンプレート検査装置
１５０　…　第６レプリカテンプレート検査装置
２００　…　第１ナノインプリント装置
２１０　…　第２ナノインプリント装置
２２０　…　第３ナノインプリント装置、
３００　…　ナノインプリントシステム
ＡＲ　…　レーザー光
ＢＬ　…　遮光ブロック
Ｄ１　…　距離
ＥＶ　…　押圧エレベータ
ＨＭ　…　ハードマスク層
ＩＮ　…　凹領域
ＩｒＳ　…　赤外光ランプ
ＬＺ　…　光学レンズ
ＭＴＰ　…　マスターテンプレート
ＯＡ　…　光軸
ＰＭ　…　樹脂
ＱＧ　…　石英ガラス
ＲＡ　…　凸領域
ＲＴＰ　…　レプリカテンプレート
ＳＥ　…　二次元フォトセンサ
ＳＬ　…　散乱光
ＳＷ　…　シリコンウエハ
ＴＤＩ　…　時間遅延積分型センサ
ＵＶＳ　…　紫外光源

Claims (27)

  1. 　大型基板の上に樹脂膜を形成する工程と、
    　前記レジスト上に小型のマスターテンプレートを利用して、前記大型基板にステップアンドリピート方式でインプリントするインプリント工程と、
    　前記大型基板全体に前記マスターテンプレートのパターンを形成した後、前記樹脂膜を介して前記大型基板をエッチングするエッチング工程と、
    　前記エッチング後の大型基板に保護層を形成する工程と、
    　前記大型基板を複数のレプリカテンプレートにダイシングするダイシング工程と、
    　前記レプリカテンプレートから前記保護層を取り除く工程と、
    を備えていることを特徴とするテンプレートの製造方法。
  2. 　前記保護層は、高分子材料又は保護テープであることを特徴とする請求項１に記載のテンプレートの製造方法。
  3. 　大型基板を複数の小型基板にダイシングするダイシング工程と、
    　前記ダイシング工程後に前記複数の小型基板を洗浄する工程と、
    　前記洗浄した複数の小型基板を型枠内に配置する工程と、
    　前記型枠内に配置された複数の小型基板に樹脂膜を形成する工程と、
    　前記レジスト上に小型のマスターテンプレートを利用して、前記小型基板ごとにステップアンドリピート方式でインプリントするインプリント工程と、
    　前記複数の小型基板に前記マスターテンプレートのパターンを形成した後、前記樹脂膜を介して前記小型基板をエッチングするエッチング工程と、
    　前記型枠から前記複数の小型基板を取り外す工程と、
    を備えていることを特徴とするテンプレートの製造方法。
  4. 　前記インプリント工程は紫外線硬化方式で実行されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のテンプレートの製造方法。
  5. 　前記マスターテンプレートは紫外線を透過する透明材料からなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法。
  6. 　前記大型基板は紫外線透過の透明材料からなることを特徴とする求項１から請求項４のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法。
  7. 　前記マスターテンプレートのパターンはウエハ基板に転写されるパターンと同じ形状であり、前記レプリカテンプレートのパターンは前記ウエハ基板に転写されるパターンと鏡像関係で且つ凹凸が逆の形状であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法。
  8. 凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するテンプレートの検査方法において、
    　前記マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとを近接させる近接工程と、
    　前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートに平面波の検査光を照射する工程と、
    　前記平面波とは異なる成分光を検出する検出工程と、
    　を備えることを特徴とするテンプレートの検査方法。
  9. 前記近接工程は、前記凹凸パターンの深さと同等以下に前記マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとを近接させることを特徴とする請求項８に記載のテンプレートの検査方法。
  10. 前記近接工程は、前記マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとの間に液体が満たされていることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のテンプレートの検査方法。
  11. 前記液体の屈折率は前記マスターテンプレートの屈折率又は前記レプリカテンプレートの屈折率とは異なることを特徴とする請求項１０に記載のテンプレートの検査方法。
  12. 前記検査光は、可視光より短い短波長の光である第１短波長とこの第１短波長と異なる第２短波長の光であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のテンプレートの検査方法。
  13. 前記検出工程は、前記平面波を遮光することで前記平面波とは異なる成分光を検出することを特徴とする請求項８から請求項１２のいずれか一項に記載のテンプレートの検査方法。
  14. 前記平面波とは異なる成分光は、球面波成分を含むことを特徴とする請求項１３に記載のテンプレートの検査方法。
  15. 凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するテンプレートの検査装置において、
    　平面波の検査光を照射する検査光源部と、
    　前記検査光が照射されるとともに、前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、
    　前記マスターテンプレートとテンプレートとを透過し、前記平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、
    　を備えることを特徴とするテンプレートの検査装置。
  16. 前記ステージは前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとの距離を可変することを特徴とする請求項１５に記載のレプリカテンプレートの検査装置。
  17. 前記ステージは前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとの間に液体を満たしていることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載のテンプレートの検査装置。
  18. 前記前記液体の屈折率は前記マスターテンプレートの屈折率又は前記レプリカテンプレートの屈折率とは異なることを特徴とする請求項１７に記載のテンプレートの検査装置。
  19. 前記検出部と前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートとの間であって前記検査光の照射方向に配置された光学系と、
    　前記光学系の瞳位置に配置され前記平面波を遮光する遮光部材と、
    を備えることを特徴とする請求項１５から請求項１８のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
  20. 前記検出部と前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートとの間であって前記検査光の照射方向と異なる方向に配置された光学系を備えることを特徴とする請求項１５から請求項１８のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
  21. 前記検査光は、可視光より短い波長の第１短波長とこの第１短波長と異なる第２短波長の光であることを特徴とする請求項１５から請求項２０のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
  22. 前記検出部は、前記平面波とは異なる成分光を検出することを特徴とする請求項１５から請求項２１のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
  23. 前記平面波とは異なる成分光は、球面波成分を含むことを特徴とする請求項２２に記載のテンプレートの検査装置。
  24. 凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、
    　前記マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、
    　平面波の検査光を照射する検査光源部と、
    　前記検査光が照射されるとともに、前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、
    　前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、前記平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、
    　前記検査部によって前記レプリカテンプレートに欠陥がない場合に、前記レプリカテンプレートを搬送する搬送部と、
    　前記搬送部から前記レプリカテンプレートを受け取るとともに保持する保持部と、
    　前記保持部に保持されたレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する基板載置台と、
    　前記凹凸パターンに前記樹脂が型打ちされるように前記レプリカテンプレート又は前記基板の少なくとも一方を押圧する押圧部と、
    　を備えることを特徴とするナノインプリント装置。
  25. 凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、
    　前記マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、
    　平面波の検査光を照射する検査光源部と、
    　前記検査光が照射されるとともに、前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、
    　前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、前記平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、
    　前記検査部によって前記レプリカテンプレートに欠陥がない場合に、前記レプリカテンプレートを搬送する搬送部と、
    　前記搬送部から前記レプリカテンプレートを受け取るとともに保持する２つの保持部と、
    　前記２つの保持部に保持された２つのレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する２つの基板載置台と、
    　前記凹凸パターンに前記樹脂が型打ちされるように前記レプリカテンプレート又は前記基板の少なくとも一方を押圧する２つの押圧部と、
    　を備えることを特徴とするナノインプリントシステム。
  26. デバイスの製造方法であって、
    　請求項１５から請求項２２のうちいずれか１項に記載のレプリカテンプレートの検査装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、
    　前記レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、
    　型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程と、
    を備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
  27. デバイスの製造方法であって、
    　請求項２４に記載のナノインプリント装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、
    　前記レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、
    　型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程と、
    を備えることを特徴とするデバイス の製造方法 。
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