JP2011164091A - 角速度センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】センサの薄型化を実現することができる角速度センサを提供する。
【解決手段】角速度センサ1は、第1の面内において平行でない2つの方向に同一の駆動信号で駆動される複数の振動部を含む振動子部101と、振動子部を支持する枠体102とを有し、第1の面内における所定の2方向に沿った第1及び第2の軸回りの角速度と、第1の面と直交する方向に沿った第3の軸回りの角速度とに応じた信号を生成するセンサ素子100と、駆動信号を出力する自励発振回路201と、角速度各々に応じた信号に基づいて第1、第2及び第3の軸回りの角速度を出力する検出回路とを有するコントローラ200と、センサ素子とコントローラとが実装される回路基板400とを具備する。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば、ビデオカメラの手振れ検知やバーチャルリアリティ装置における動作検知、カーナビゲーションシステムにおける方向検知などに用いられる角速度センサに関する。
民生用の角速度センサとして、振動型のジャイロセンサが広く用いられている。振動型ジャイロセンサは、振動子を所定の周波数で振動させておき、振動子に生じるコリオリ力を圧電素子などで検出することによって角速度を検出する。上記ジャイロセンサは、例えば、ビデオカメラ、バーチャルリアリティ装置、カーナビゲーションシステムなどの電子機器に搭載され、それぞれ手振れ検知、動作検知、方向検知などのセンサとして活用されている。
この種のジャイロセンサを用いて空間内での姿勢変化を検出する場合、直交する2軸または3軸の方向に沿ってジャイロセンサを配置する構成が知られている。例えば特許文献1には、3個のジャイロスコープの振動子がフレキシブル基板上に実装されており、このフレキシブル基板を折り曲げて3個の振動子を互いに直交させることで、3次元の角速度検出を可能とする構成が記載されている。同様に、特許文献2には、基台上に3個の三脚音叉振動子を3軸方向に互いに直交するように配置した三次元角速度センサが記載されている。
特開平11−211481号公報(段落[0017]、図1) 特開2000−283765号公報(段落[0019]、図8)
近年、電子機器の小型化に伴い、これに搭載される電子部品の小型化、薄型化が要求されている。しかしながら、特許文献1及び2に記載の構成では、3つの振動子のうち1つはその長手方向を垂直方向(厚み方向)に向けて配置されていた。このため、センサの厚み寸法が大きくなるという問題があった。
また、上記垂直方向に配置される振動子の長さを短くすることでセンサの厚み寸法を低減することも考えられるが、この場合、当該厚み方向の軸回りの角速度を高精度に検出することが困難になるという問題がある。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、センサの薄型化を実現することができる角速度センサを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る角速度センサは、センサ素子と、コントローラと、回路基板とを具備する。
上記センサ素子は、第1の面内において平行でない2つの方向に同一の駆動信号で駆動される複数の振動部を含む振動子部と、上記振動子部を支持する枠体とを有する。上記センサ素子は、上記第1の面内における所定の2方向に沿った第1及び第2の軸回りの角速度と、前記第1の面と直交する方向に沿った第3の軸回りの角速度とに応じた信号を生成する。
上記コントローラは、上記駆動信号を出力する自励発振回路と、前記角速度各々に応じた信号に基づいて前記第1、第2及び第3の軸回りの角速度を出力する検出回路とを有する。
上記回路基板は、上記センサ素子と上記コントローラとが実装される。
上記角速度センサは、振動子部の複数の振動部を第1の面内で平行でない2つの方向に駆動させることで、第1の面に平行な所定の2軸(第1及び第2の軸)回りの角速度と、第1の面と直交する軸(第3の軸)回りの角速度とをそれぞれ検出する。すなわち上記角速度センサは、第3の軸回りの角速度を、第1の面内で振動する複数の振動部から出力される信号に基づいて検出する。これにより振動子の長手方向を必ずしも検出する回転の回転軸方向とする必要がなくなるため、垂直方向(厚み方向)の軸回りの角速度を検出する場合であっても、垂直方向に合わせて振動子の長手方向を配置する必要がなくなる。このため、センサの厚み寸法を大きくすることなく、厚み方向の軸回りの角速度を高精度に検出することができ、さらにセンサの薄型化を実現することが可能となる。
上記振動子部の構成は特に限定されず、例えば上記振動子部は、第1の梁の組と、第2の梁の組と、複数の接続部とを有する環状のフレームを含む。
上記第1の梁の組は、上記第1の面内で第1の方向に延在し、上記第1の方向と直交する第2の方向に相互に対向する。上記第2の梁の組は、上記第2の方向に延在し、上記第1の方向に相互に対向する。上記接続部は、上記第1の梁と上記第2の梁との間を接続する。
この場合、上記センサ素子は、駆動部と、第1の検出部とをさらに有する。
上記駆動部は、上記第1及び第2の梁の組のうち一方の組が近接したときに他方の組が離間し、上記一方の組が離間したときに上記他方の組が近接する振動モードで、上記フレームの第1の梁の組と第2の梁の組を、上記第1の面内において平行でない2つの方向に振動させる。
上記第1の検出部は、上記振動モードで振動する上記フレームの上記第1の面内における変形に基づいて、上記第1及び第2の方向と直交する第3の方向に沿った上記第3の軸回りの角速度を検出する。
上記フレームは、駆動部により、第1の面内において上記振動モードで励振される。このとき、第1及び第2の梁は、上記接続部を支点(振動節点)とする両持ち梁の形態で振動する。この状態で、フレームに上記第3の方向の軸(第3の軸)回りへの角速度が作用すると、上記の各梁に対しその瞬間での振動方向(単方向)と直交する方向のコリオリ力が発生する。上記コリオリ力は、上記第1及び第2の梁の組に作用し、フレームを第1の面内において略平行四辺形状に歪ませる。第1の検出部は、当該フレームの第1の面内において検出した歪み変形に基づいて、フレームに作用した角速度を検出する。なお、支持部は、フレームの接続部に接続されることで、上記振動モードを阻害することなく、また上記歪み変形を阻害することなく、フレームを支持する。
上記振動子部は、上記構成に加えて、第1の振り子部と、第2の振り子部と、第2の検出部とをさらに有してもよい。
上記第1の振り子部は、上記第1の面内において上記第1及び第2の方向と交差する第4の方向に延在するように上記接続部に設けられ、上記第1の面内で上記フレームの振動に同期して振動する。
上記第2の振り子部は、上記第1の面内において上記第1、第2及び第4の方向と交差する第5の方向に延在するように上記接続部に設けられ、上記第1の面内で上記フレームの振動に同期して振動する。
上記第2の検出部は、上記第1の面と直交する方向への上記第1及び第2の振り子部の変形に基づいて、上記第1の面内における上記第1及び第2の方向の軸回りの角速度を検出する。
上記角速度センサにおいて、第1及び第2の振り子部は、フレームの振動に同期して第1の面内で振動する。この状態で、第1及び第2の振り子部に上記第1の面と平行な軸回りへの角速度が作用すると、上記第1及び第2の振り子部にその瞬間での振動方向(単方向)と直交する方向のコリオリ力が発生する。上記コリオリ力は、上記第1及び第2の振り子部に作用し、第1及び第2の振り子部を上記第1の面に直交する方向(第3の方向)に変形(振動)させる。第2の検出部は、当該第1及び第2の振り子部の第1の面に直交する方向(第3の方向)への変形をそれぞれ検出し、その変形量に基づいて、第1及び第2の振り子部に作用した角速度を検出する。
上記回路基板は、第1の面と、第2の面と、ビアとを有する多層配線基板で構成されてもよい。
上記第1の面は、上記センサ素子と上記コントローラとがそれぞれ実装される。上記第2の面は、上記角速度センサを外部の基板に実装するための外部接続端子を有する。上記ビアは、上記コントローラと上記外部接続端子との間を電気的に接続する。
上記構成によれば、外部接続端子を介して上記回路基板を直接外部の基板に実装することができるため、センサ全体のさらなる薄型化を実現することができる。
センサ素子と回路基板との電気的接続構造は特に限定されず、例えば上記枠体は、上記第1、第2及び第3の軸回りの角速度に応じた信号を上記回路基板を介して前記コントローラへ出力するための、上記第1の面と電気的に接続される複数の端子部を有する。
上記枠体は、上記振動子部の外側を囲む略四角形の枠状のベース部をさらに有してもよい。この場合、上記複数の端子部は、上記ベースの相互に対向する2辺上にそれぞれ形成される。
上記コントローラは、第1の高さを有する略直方体状のIC部品で構成することができる。この場合、上記回路基板は、上記第1の面に形成され上記IC部品を収容可能な、上記第1の高さ以上の第2の高さを有する収容部をさらに有してもよい。これによりコントローラを回路基板の内部に実装できるため、センサを薄型化することができる。
この場合、センサ素子のベース部は、上記収容部を跨いで上記第1の面に実装されてもよい。これにより回路基板を小型化できる。
以上のように本発明によれば、センサの薄型化を実現することができる。
本発明の一実施形態に係る角速度センサの概略断面図である。 上記角速度センサの要部の概略平面図である。 上記角速度センサの要部の概略断面図である。 上記角速度センサの変形例を示す要部の概略平面図である。 本発明の一実施形態に係るセンサ素子の全体斜視図である。 上記センサ素子の要部の概略平面図である。 上記センサ素子の要部の概略断面図である。 上記センサ素子の振動モードを説明する図である。 上記センサ素子の動作を説明する図である。 上記センサ素子の他の動作を説明する図である。 上記角速度センサの配線系統を示すブロック図である。 上記センサ素子の製造方法を説明する工程図である。 上記センサ素子の電極パターンを説明する平面図である。 上記センサ素子の配線例を説明する要部の平面図である。 図14における[A]−[A]線方向断面図である。 上記センサ素子の分極工程を説明する概略配線図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
[全体構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る角速度センサを示す概略断面図である。本実施形態の角速度センサ1は、センサ素子100と、コントローラ200と、回路基板400と、カバー500とを備える。図2は、カバー500を取り外して見たときの角速度センサ1の概略平面図である。
図1に示す角速度センサ1は、全体的に略直方体形状に形成されており、X軸方向に縦方向、Y軸方向に横方向、Z軸方向に厚み方向を有する。センサ素子100及びコントローラ200はそれぞれ回路基板400の一方の面側に実装され、カバー500は、センサ素子100及びコントローラ200を被覆するようにして回路基板400の一方の面に機械的に固定される。このようにして角速度センサ1は、外部の回路基板に表面実装可能な単一のパッケージ部品として構成される。
(センサ素子及びコントローラの概要)
センサ素子100は、後述するように、XY平面(第1の平面)において同一の駆動信号で平行でない2つの方向に駆動される複数の振動部を有する振動子部101と、振動子部101を支持する枠体102とを有する。センサ素子100は、XY平面内における所定の2方向に沿った各軸(第1の軸及び第2の軸)回りの角速度と、XY平面に垂直な方向に沿ったZ軸(第3の軸)回りの角速度とに応じた信号を生成するためのセンサ素子として構成される。本実施形態では、第1の軸にX軸が、第2の軸にY軸がそれぞれ設定されるが、勿論これに限られない。
センサ素子100は、2枚のシリコン(Si)基板を貼り合わせたSOI(Silicon On Insulator)基板に微細加工を施すことで形成される。すなわちセンサ素子100は、第1の層111と、第2の層112と、第1及び第2の層111,112を接合する接合層113とを有する。
第1及び第2の層111,112はそれぞれシリコン基板で形成され、接合層113はシリコン酸化膜で形成される。第1の層111は、振動子部101及び枠体102をそれぞれ構成し、第2の層112は、第1の層の周縁に沿って枠状に形成される。第1及び第2の層111,112は、平面形状が長方形、正方形等の略四角形状に形成され、それぞれ同一又はほぼ同一の大きさで形成されている。
第1の層111は、第2の層112が接合される表面と、回路基板400と対向する裏面とを有する。第1の層111の裏面には、回路基板400と電気的に接合される複数の端子部114が形成されている。各端子部114は、第1の層111の周縁に沿って配列されており、本実施形態ではY軸方向に対向する1組の辺にのみ形成されている。本実施形態では第1の層111は略長方形状を有し、その短辺側の2辺に端子部114がそれぞれ形成されている。
枠体102は、ベース部81と、連結部82とを有する。ベース部81は、端子部114を有し、振動子部101の外側を囲む略四角形の枠状に形成される。連結部82は、ベース部81と振動子部101との間を連結し、XY平面内において変形可能な形状を有する。これにより、後述する振動子部101の振動を阻害することなく振動子部101を支持することができる。
コントローラ200は、後述するように、振動子部101を励振する駆動信号を出力する自励発振回路と、各軸回りの角速度各々に応じた信号に基づいてX,Y及びZ軸回りの角速度を出力する検出回路とを有する。
コントローラ200は、単一のIC部品で構成される。コントローラ200は、半導体ベアチップで構成されてもよいし、CSP(Chip Size Package)等の半導体パッケージ部品で構成されてもよい。コントローラ200は、平面形状が長方形、正方形等の四角形に形成された略直方体形状であり、少なくともY軸方向に対向する1組の辺がセンサ素子100の長辺よりも短く形成されている。コントローラ200は、回路基板400と対向する裏面側に能動面を有し、その能動面に複数の端子部211が配列されている。
(回路基板)
回路基板400は、平面形状が矩形状である多層配線基板で構成される。回路基板400は、カバー500によって被覆される表面401(第1の面)と、その反対側の裏面402(第2の面)とを有する。
回路基板400の表面401にはコントローラ200を収容する収容部403が形成されている。収容部403は矩形状の凹部からなり、コントローラ200の厚み寸法(第1の高さ)以上の深さ寸法(第2の高さ)で形成されている。収容部403のY軸方向に沿った開口幅は、センサ素子100のY軸方向に沿った幅寸法よりも小さい。本実施形態において収容部403は、平面形状が矩形状に形成されているが、これ以外の他の幾何学的形状に形成されてもよい。収容部403の周面及び底面もまた、回路基板400の表面401を形成する。
回路基板400はその両面及び内層にそれぞれ配線層を有しており、これら配線層は、表面401の表層に第1のランド411を、裏面402の表層に外部接続端子412を、基板内部に第2のランド413をそれぞれ形成する。これら配線層は、典型的には、銅箔やアルミニウム箔などの導体層をパターニングして形成される。
回路基板400の表面401には、第1のランド411と第2のランド413が形成され、回路基板400の内部には、第1のランド411と第2のランド413との間を電気的に接続するビア(図示略)、及び第2のランド413と外部接続端子412との間を電気的に接続するビア(図示略)が形成されている。ビアは、回路基板400を貫通する構造でもよいし、貫通しない構造であってもよい。また回路基板表面に設けた配線パターンでランド間の電気的接続をとってもよい。
第1のランド411は、センサ素子100の端子部114に電気的機械的に接続される。外部接続端子412は、図示しない外部基板(例えば、角速度センサ1が実装される電子機器の制御基板)の表面に電気的機械的に接続される。第2のランド413は、収容部403の底面に形成され、コントローラ200の端子部211に電気的機械的に接続される。上記電気的機械的な接続方式は特に限定されず、はんだ、導電性接着剤等の接合材が用いられてもよいし、超音波接合等の接合技術が用いられてもよい。
センサ素子100及びコントローラ200の支持する回路基板に上記のようなビアを有する両面回路基板を用いることで、専用の端子金具を回路基板に取り付けることなく角速度センサ1を外部の基板に表面実装することができる。
本実施形態の角速度センサ1においては、回路基板400がコントローラ200を収容する収容部403を有するため、回路基板400の表面401に対するコントローラ200の実装高さを低く抑えることができる。特に本実施形態では、収容部403の深さはコントローラ200の厚み以上であるため、回路基板400の表面401からコントローラ200を突出させることなく、コントローラ200を収容部403に実装することができる。これによりセンサ素子100よりもコントローラ200の厚みが大きい場合等においては、回路基板400に対する部品の実装高さをセンサ素子100の実装高さで決定できることになるため、角速度センサ1をより薄型で構成することができる。
また本実施形態では、センサ素子100のベース部81は、収容部403を跨いで回路基板400の表面401に実装される。これにより、回路基板400に対するセンサ素子100の実装領域とコントローラ200の実装領域とをオーバーラップさせることができるため、フットプリントの大幅な低減により回路基板400を小型化することができる。
なお、センサ素子100とコントローラ200との間の隙間は、センサ素子100の振動子部101の振動を妨げない程度の適宜の大きさに設定される。
センサ素子100は、回路基板400に対してフリップチップ方式で表面実装される。本実施形態では端子部114の形成領域に対応して枠状の第2の層112が形成されているため、第2の層112は実装時の補強層として機能する。これにより実装時におけるセンサ素子100の破損を防止することができる。またセンサ素子を製造する際のハンドリングも容易になる。
図3は、X軸方向から見たセンサ素子100の概略側面図である。端子部114は、第1の層111の裏面にX軸方向に沿って配列されている。図示の例では各端子部114は、はんだ等の接合材Jを介して回路基板400の第1のランド411に接合されている。
各端子部114は、第1の層111の裏面を被覆する絶縁膜115の上に形成される。これにより単結晶シリコンで形成される第1の層111を介して各端子部114が短絡することが防止される。絶縁膜115は、典型的には、シリコン酸化膜で形成されるが、勿論これに限られない。
一方、図3に示すように第1の層111の裏面には、端子部114に隣接して接地用端子116が形成されている。接地用端子116は、絶縁膜115に形成された開口を介して第1の層111に形成され、第1の層111と電気的に接続される。接地用端子116と接合される所定のランド部411aは、回路基板400の接地回路に接続される。
接地用端子116は、第1の層111の浮遊容量やチャージアップ、第1の層111を介しての各電極間のリークを防止する目的で形成される。すなわちSOI基板を用いてセンサ素子100が構成される場合、単結晶シリコン層と電極あるいは配線層との間は絶縁層を介して隔てられている。上記シリコン層は仕様によって比抵抗が調整されるものもあるが、一般的に導体としての電気的性質を有する。また、上記シリコン層の表面は絶縁膜(シリコン酸化膜113,115)で覆われているため、帯電した電荷を消失させるには工夫を必要とする。そこで本実施形態では、上述した構成の接地用端子116及びランド部411aを設けることで、第1の層111を接地電位に接続する。なお、接地用端子116はグラウンド電位に接続される場合に限られず、所定の直流電位であってもよい。
さらに、センサ素子100及び回路基板400がいずれも矩形状に形成される本実施形態においては、図2に示すようにセンサ素子100及び回路基板400の各辺が相互に平行となるようにセンサ素子100が実装される。このため例えば図4に示すように、回路基板400の各辺に対してセンサ素子100の各辺が斜めとなるようにセンサ素子100が実装される場合と比較して、センサ全体の横方向の寸法を小さくすることができる。
(カバー)
カバー500は、四側面と天面とを有する箱体であり、内部にはセンサ素子100及びコントローラ200を収容する空間部501を有する。カバー500は例えばアルミニウム製の金属板を折り曲げて形成され、空間部501内への外光の侵入を防止できる遮光性を有する。
後述するようにセンサ素子100の駆動及び角速度の検出には、圧電膜の圧電特性が利用されるが、この種の圧電膜は圧電効果だけでなく焦電効果も有する。カバー500は、外光の照射による分極特性の変化でセンサ素子100の駆動特性及び角速度の検出特性が変動することを防止する。
カバー500は、センサ素子100を覆うように回路基板400の第1の面401に固定される。接合方法は特に限定されず、接着剤を用いた接着のほか、機械的なカシメ固定であってもよい。回路基板400の第1の面401には、カバー500の端部が嵌合する溝部や段部などが形成されていてもよい。
[センサ素子]
以下、センサ素子100の構成の詳細について説明する。
図5は、センサ素子100の一構成例を示す全体斜視図であり、回路基板400と対向する素子の裏面側を示している。上述したようにセンサ素子100は、振動子部101と、枠体102とを有する。振動子部101は、複数の振動部として、第1の梁の組、第2の梁の組と接続部からなるフレーム10と、振り子部21a,21b,22a,22bとを有し、枠体102は、ベース部81と連結部82とを有する。
(フレーム)
図6は、振動子部101の構成を模式的に示す平面図である。本実施形態のセンサ素子100は、四辺を有する環状のフレーム10を備える。フレーム10は、a軸方向に横方向、b軸方向に縦方向、c軸方向に厚み方向を有する。一方、図6において、a軸に平行な軸方向にY軸が設定され、b軸に平行な方向にX軸が設定される。Z軸方向は、c軸方向と平行な軸方向である。
フレーム10の各辺は、振動梁として機能し、第1の梁の組11a、11bと、第2の梁の組12a、12bとを含む。第1の梁の組11a、11bは、図6においてa軸方向に相互に平行に延在し、a軸方向と直交するb軸方向に相互に対向する一組の対辺で構成される。第2の梁の組12a、12bは、b軸方向に相互に平行に延在し、a軸方向に相互に対向する他の一組の対辺で構成される。梁11a、11b、12a、12bは、それぞれ同一の長さ、幅及び厚みを有しており、フレーム10の外観は、中空の正方形状を有している。
フレーム10は、シリコン単結晶基板に微細加工技術を施すことで形成される。例えば、フレーム10は、公知のMEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)の製造技術を用いて形成することができる。フレーム10の大きさは特に限定されず、例えば、フレーム10の一辺の長さは1000〜4000μm、フレーム10の厚みは10〜200μm、梁11a、11b、12a、12bの幅は50〜200μmである。
フレーム10の四隅に相当する部位には、第1の梁の組11a、11bと第2の梁の組12a、12bとの間を接続する接続部13a、13b、13c、13dがそれぞれ形成されている。第1の梁の組11a、11b及び第2の梁の組12a、12bの両端は、接続部13a〜13dによってそれぞれ支持される。後述するように、各梁11a、11b、12a、12bは、接続部13a〜13dによって両端が支持された振動梁として機能する。フレーム10の四隅は、図示するように角張った形状に限らず、面取りされたり、丸みを帯びた形状に形成されたりしてもよい。
フレーム10は、さらに、第1の振り子部21a、21bと、第2の振り子部22a、22bとを有する。第1の振り子部21a、21bは、相互に対角関係にある1組の接続部13a、13cにそれぞれ形成されており、その対角線方向に沿ってフレーム10の内側に延在している。第1の振り子部21a、21bのそれぞれの一端は、接続部13a、13cに固定され、それぞれの他端は、フレーム10の中央付近において相互に対向している。第2の振り子部22a、22bは、相互に対角関係にある他の1組の接続部13b、13dにそれぞれ形成されており、その対角線方向に沿ってフレーム10の内側に延在している。第2の振り子部22a、22bのそれぞれの一端は、接続部13b、13dに固定され、それぞれの他端は、フレーム10の中央付近において相互に対向している。
振り子部21a、21b、22a、22bは、それぞれ典型的には同一の形状及び大きさを有しており、フレーム10の外形加工の際に同時に形成される。振り子部21a、21b、22a、22bの形状、大きさは特に限定されず、全く同一の形状でなくてもよい。本実施形態において、振り子部21a、21b、22a、22bは、自由端側に形成されたヘッド部Hと、ヘッド部Hと接続部13a〜13dとの間を接続するアーム部Lとを有する。アーム部Lは、後述するように梁11a、11b、12a、12bの振動によってXY平面内において励振される。ヘッド部Hは梁11a、11b、12a、12bからみて振動錘として機能する。
フレーム10は上述した正方形状に限られず、長方形状や平行四辺形状を含む他の四角形状であってもよい。また、フレーム10は、四角形に限られず、八角形等の他の多角形状であってもよい。四隅の接続部により両端が支持された各梁は直線でなく、屈曲した直線や曲線で構成されていてもよく、内周もしくは外周側に突出していてもよい。
(駆動電極)
センサ素子100は、フレーム10を振動させる駆動部として、圧電駆動層を有する。圧電駆動層は、第1の梁の組11a、11bにそれぞれ設けられた第1の駆動電極301と、第2の梁の組12a、12bにそれぞれ設けられた第2の駆動電極302とを有する。駆動電極301,302は、入力電圧に応じて機械的に変形し、その変形の駆動力で梁11a、11b、12a、12bを振動させる。変形の方向は、入力電圧の極性で制御される。
駆動電極301、302は、梁11a、11b、12a、12bの上面であってそれらの軸線に沿ってそれぞれ直線的に形成されている。図6においては、理解を容易にするため、駆動電極301、302をそれぞれ異なる種類のハッチングで示す。駆動電極301は、第1の梁の組11a、11bの外縁側に配置され、駆動電極302は、第2の梁の組12a、12bの外縁側とに各々平行に配置されている。
駆動電極301、302は、それぞれ同一の構成を有している。図7は、第2の梁12aに配置された駆動電極302の断面図である。駆動電極301、302は、下部電極層303と、圧電材料層304と、上部電極層305との積層構造を有する。駆動電極301、302は、例えば0.5〜3μmの厚みで形成される。なお、圧電駆動層が形成される梁を有するフレームはシリコン単結晶基板からなり、上記圧電駆動層が形成される面にはあらかじめシリコン酸化膜等の絶縁膜D1が形成されている。
圧電材料層304は、下部電極層303と上部電極層305との電位差に応じて伸縮するように分極配向されている。したがって、駆動電極301、302の各々の下部電極層303を共通の基準電位に接続し、各々の上部電極層305に交流電圧を印加することで、圧電材料層304を伸縮させることができる。また、上部電極層305と下部電極層303とに相互に逆位相の交流電圧が印加されてもよい。これにより約2倍の振幅で圧電材料層304を伸縮させることができる。
下部電極層303、圧電材料層304及び上部電極層305の構成材料は特に限定されず、例えば、下部電極層303はチタン(Ti)と白金(Pt)の積層膜、圧電材料層304はチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、上部電極層305は白金で構成される。これら各層は、スパッタリング法や真空蒸着法、CVD法等の薄膜製造技術を用いて形成することができる。また、形成された膜のパターニングには、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング加工を用いることができる。
(センサ素子の動作原理)
第1の駆動電極301と第2の駆動電極302とは、一方が伸びたとき他方が縮むように相互に逆位相の電圧が印加される。これにより、梁12a、12bは、両端が接続部13a〜13dに支持された状態でa軸方向に撓み変形を受け、XY平面内において双方が離間する方向と双方が近接する方向とに交互に振動する。第1の梁の組11a、11bも同様に、両端が接続部13a〜13dに支持された状態でb軸方向に撓み変形を受け、XY平面内において双方が離間する方向と双方が近接する方向とに交互に振動する。
したがって、第1の梁の組11a、11bが相互に近接する方向に振動する場合は、第2の梁の組12a、12bは相互に離間する方向に振動し、第1の梁の組11a、11bが相互に離間する方向に振動する場合は、第2の梁の組12a、12bは相互に近接する方向に振動する。このとき、各梁11a、11b、12a、12bの中央部は、振動の腹を形成し、それらの両端部(接続部13a〜13d)は、振動の節(ノード)を形成する。このような振動モードを以下、フレーム10の基本振動と称する。
梁11a、11b、12a、12bは、それらの共振周波数で駆動される。各梁11a、11b、12a、12bの共振周波数は、それらの形状、長さ等によって定められる。フレーム10の基本振動における共振周波数と、角速度検出時における共振周波数とが近いほど、検出出力を上げることができる。Z軸まわりの角速度を検出する場合、上記2つの共振周波数は、フレーム10の厚みにほとんど依存しないため、フレーム10の厚みを小さくすることで、圧電駆動による機械的変位をより大きくすることができる。一方、フレーム10が薄いとフレーム10の機械的強度が低下するため、デバイスとしての信頼性を確保できる厚みに設定される。
また、振動梁の動作周波数が低いほど振動子の振幅が大きくなるため、角速度センサとしては高特性が得られる。一方、振動梁が小型であるほど、その動作周波数は高くなる傾向にある。本実施形態では、梁11a、11b、12a、12bの共振周波数は、1〜100kHzの範囲で設定される。
図8は、フレーム10の基本振動の時間変化を示す模式図である。図8において「駆動信号1」は、第1の駆動電極301に印加される入力電圧の時間変化を示し、「駆動信号2」は、第2の駆動電極302に印加される入力電圧の時間変化を示す。図8に示すように、駆動信号1と駆動信号2とは相互に逆位相に変化する交流波形を有する。これによりフレーム10は、(a)、(b)、(c)、(d)、(a)、・・・の順に変化し、第1の梁の組11a、11bと第2の梁の組12a、12bのうち、一方の組が近接したときは他方の組が離間し、上記一方の組が離間したときは上記他方の組が近接する振動モードで、フレーム10は振動する。
なお、実際には入力信号が印加されてからフレームが変化(変位)するまでには圧電体の応答時間や入力動作周波数、フレーム共振周波数などの影響で遅延時間が存在する。本例においては、上記遅延時間は十分に小さいものとして図8の時間変化を説明している。
また、上述したフレーム10の基本振動に伴って、第1の振り子部21a、21b及び第2の振り子部22a、22bもまた、フレーム10の振動に同期して、接続部13a〜13dを中心としてXY平面内でそれぞれ振動する。振り子部21a、21b、22a、22bの振動は、梁11a、11b、12a、12bの振動により励起される。この場合、第1の振り子部21a、21bと第2の振り子部22a、22bとは、XY平面内における振り子部分の支点部すなわち上記接続部13a〜13dからの左右の揺動方向において、相互に逆位相で振動(揺動)する。
図8に示すように、第1の梁の組11a、11bが相互に近接する方向へ振動するときは、第1の振り子部21aと第2の振り子部22aとは相互に離間する方向へ振動し(状態(b))、第1の梁の組11a、11bが相互に離間する方向へ振動するときは、第1の振り子部21aと第2の振り子部22aとは相互に近接する方向へ振動する(状態(d))。第1の振り子部21bと第2の振り子部22bもまた、第2の梁の組12a、12bの振動方向によって、相互に離間する方向と近接する方向とに交互に振動する。以上のように、第1の振り子部21a、21bと第2の振り子部22a、22bとは、フレーム10の基本振動に同期して相互に逆位相で振動する。
以上のように駆動電極301、302に対して逆位相の交流電圧が印加されることで、フレーム10の各梁11a、11b、12a、12bは、図8に示した振動モードで振動する。このような基本振動を継続するフレーム10にZ軸まわりの角速度が作用すると、フレーム10の各点に当該角速度に起因するコリオリ力が作用することで、フレーム10は図9に示したようにXY平面内において歪むように変形する。したがって、このXY平面内におけるフレーム10の変形量を検出することで、フレーム10に作用した角速度の大きさ及び方向を検出することが可能となる。
図9は、Z軸まわりに角速度が作用したフレーム10のある瞬間におけるフレーム10の変形の様子を概略的に示す平面図である。なお説明を分かりやすくするため、フレーム10の形状及び変形の様子はやや誇張して示している。基本振動をするフレーム10にZ軸を中心とする時計回り方向の角速度が作用すると、フレーム10内の各点(梁11a、11b、12a、12b、振り子部21a、21b、22a、22b)には、Z軸と直交するXY平面内において、上記各点のその瞬間における移動方向(振動方向)と時計回り方向へ90度をなす方向に当該角速度の大きさに比例したコリオリ力が発生する。すなわち、コリオリ力の向きは、図9に示すように当該コリオリ力が作用する点の上記瞬間における振動の方向によって決まる。これにより、フレーム10は、正方形状から概略平行四辺形状となるように、XY平面内において、ひしゃげられる(歪む)。
なお、図9は、Z軸を中心として時計まわりに所定の角速度が作用したときの様子を示している。なお、角速度の向きが反対(反時計まわり)の場合は、各点に作用するコリオリ力の向きも反対となる。
(検出電極)
フレーム10に作用した角速度の検出にはどのような手段が用いられてもよい。本実施形態ではフレーム10に形成した圧電検出層によって角速度を検出する。センサ素子100は、Z軸回りの角速度を検出する圧電検出層として、図6に示すように一対の検出電極51aと一対の検出電極51bとを有する。
各検出電極51aは、対角関係にある一方の組の接続部13a、13c周辺にそれぞれ形成されている。一方の検出電極51aは、接続部13aから梁11a及び12aに沿って2方向に延びており、他方の検出電極51aは、接続部13cから梁11b及び12bに沿って2方向に延びている。また、各検出電極51bは、対角関係にある他方の組の接続部13b、13d周辺にそれぞれ形成されている。一方の検出電極51bは、接続部13bから梁11b及び12aに沿って2方向に延びており、他方の検出電極51bは、接続部13dから梁11a及び12bに沿って2方向に延びている。
接続部から梁に沿って延びる検出電極は、歪の検出効率を上げる観点から、フレームの1辺の長さの1/4を超えない範囲で接続部周辺に配置するとよい。
ここで、接続部周辺とは「接続部」または「接続部及び接続部に接続される梁の接続部隣接部」または「接続部に接続される梁の接続部隣接部」のいずれかを指す。例えば、図38に示す角速度センサは、Z軸回りの角速度検出用の検出電極51a、51bが接続部13a〜13dの周辺の内周側に形成された例を示す。これに代えて、検出電極51a、51bは、接続部13a〜13dの周辺の外周側に形成さたてもよい。
検出電極51a、51bは、駆動電極301、302と同様な構成を有しており、下部電極層と、圧電材料層と、上部電極層との積層体(図7)で構成され、各梁の機械的変形を電気信号に変換する機能を有する。
図6に示すセンサ素子100においては、Z軸回りに角速度が作用した際、フレーム10の内角の大きさが図9に示したように周期的に変動する。このとき、対角関係にある一方の接続部13a、13cの組と他方の接続部13b、13dの組とでは内角の変動が相互に逆位相となる。したがって接続部13a上の検出電極51aの出力と接続部13c上の検出電極51aの出力とは原理的には同一であり、接続部13b上の検出電極51bの出力と接続部13d上の検出電極51bの出力とは原理的には同一である。そこで、2つの検出電極51aの出力の和と2つの検出電極51bの出力の和との差分を算出することにより、フレーム10に作用するZ軸まわりの角速度の大きさ及び方向が高感度で検出可能となる。
一方、X軸回り及びY軸回りの角速度を検出する圧電検出層として、本実施形態のセンサ素子100は、振り子部21a、21b、22a及び22b上にそれぞれ形成された検出電極71a、71b、72a及び72bを有する。
検出電極71a、71b、72a、72bは、各振り子部21a、21b、22a、22bのアーム部Lの軸心上に直線的に形成されている。検出電極71a、71b、72a、72bは、第1及び第2の駆動電極301、302と同様な構成を有しており、下部電極層と、圧電材料層と、上部電極層との積層体(図7)で構成され、アーム部Lの機械的変形を電気信号に変換する機能を有する。特に、検出電極71a、71b、72a、72bは、アーム部LのZ軸方向の変形を検出する機能を有する。
本実施形態では、a軸に平行な軸方向に一方の角速度検出軸(Y軸)が設定され、b軸に平行な軸方向に他方の角速度検出軸(X軸)が設定される。このような構成において、振り子部21a、21b、22a、22bに形成された検出電極71a、71b、72a、72b各々は、X軸まわりの角速度及びY軸まわりの角速度をそれぞれ検出するための検出部として機能する。
駆動電極301、302には、相互に逆位相の交流電圧がそれぞれ印加される。これにより、フレーム10の各梁11a、11b、12a、12b及び振り子部21a、21b、22a、22bは、図8に示した振動モード(基本振動)で振動する。図10(A)は、フレーム10にX軸回りの角速度が作用したときの振り子部21a、21b、22a、22bの振動形態を説明する概略斜視図である。一方、図10(B)は、フレーム10にY軸回りの角速度が作用したときの振り子部21a、21b、22a、22bの振動形態を説明する概略斜視図である。
基本振動で振動するフレーム10にX軸まわりの角速度が作用すると、図10(A)に示すように各振り子部21a、21b、22a、22bにその瞬間での振動方向と直交する方向のコリオリ力F1がそれぞれ発生する。これにより、X軸方向に隣接する一方の振り子部21a及び振り子部22bの組は、コリオリ力F1によりZ軸の正の方向へ変形し、それらの変形量が検出電極71a、72bによって各々検出される。また、X軸方向に隣接する他方の振り子部22a、21bの組は、コリオリ力F1によりZ軸の負の方向へ変形し、それらの変形量が検出電極72a、71bによって各々検出される。
一方、基本振動で振動するフレーム10にY軸まわりの角速度が作用すると、図10(B)に示すように各振り子部21a、21b、22a、22bにその瞬間での振動方向と直交する方向のコリオリ力F2がそれぞれ発生する。これにより、Y軸方向に隣接する一方の振り子部21a及び振り子部22aの組は、コリオリ力F2によりZ軸の負の方向へ変形し、それらの変形量が検出電極71a、72aによって各々検出される。また、Y軸方向に隣接する他方の振り子部21b、22bの組は、コリオリ力F2によりZ軸の正の方向へ変形し、それらの変形量が検出電極71b、72bによって各々検出される。
X軸及びY軸に各々斜めに交差する方向の軸まわりに角速度が生じた場合にも上述と同様な原理で角速度が検出される。すなわち、各振り子部21a、21b、22a、22bは、当該角速度のX方向成分及びY方向成分に応じたコリオリ力によって変形し、それらの変形量が検出電極71a、71b、72a、72bによって各々検出される。センサ素子の駆動回路は、これら検出電極の出力に基づいて、X軸まわりの角速度及びY軸まわりの角速度をそれぞれ抽出する。これにより、XY平面に平行な任意の軸まわりの角速度を検出することができる。
(参照電極)
本実施形態のセンサ素子100は、参照電極61を有する。参照電極61は、梁12a及び梁12b上に駆動電極302と隣接して配置されている。参照電極61は、駆動電極301、302と同様な構成を有しており、下部電極層と、圧電検出層と、上部電極層との積層体(図2)で構成され、梁12aの機械的変形を電気信号に変換する機能を有する。
参照電極61は、駆動電極302によって励振される梁12aの振動を検出し、その検出出力は、フレーム10を基本振動で発振させるための参照信号の生成に用いられる。なお、参照電極61の形成に代えて、第1及び第2の検出電極51a、51bの各出力の和信号を生成し、これを上記参照信号とすることも可能である。
[コントローラ]
次に、コントローラ200の詳細について説明する。
図11は、コントローラ200の構成を示すブロック図である。コントローラ200は、同一の駆動信号で複数の振動部(フレーム10、振り子部21a,21b,22a,22b)をXY平面内で振動させる駆動信号を生成する自励発振回路201と、上記振動部から出力される角速度に応じた信号に基づいてX,Y及びZ軸回りの角速度を出力する検出回路(演算回路203、検波回路204、平滑回路205)とを有する。
コントローラ200は、Go1端子と、Go2端子と、GFB端子と、Gxy1端子と、Gxy2端子と、Gxy3端子と、Gxy4端子と、Gz1端子と、Gz2端子と、Vref端子とを有する。
Go1端子は、一対の駆動電極301各々の上部電極層305(図7)に接続されている。Go2端子は、一対の駆動電極302各々の上部電極層305に接続されている。GFB端子は、一対の参照電極61各々の上部電極層に接続されている。Gxy1端子は、検出電極71aの上部電極層に接続され、Gxy2端子は、検出電極72bの上部電極層に接続されている。Gxy3端子は、検出電極71bの上部電極層に接続され、Gxy4端子は、検出電極72aの上部電極層に接続されている。Gz1端子は、一対の検出電極51a各々の上部電極層に接続され、Gz2端子は、一対の検出電極51b各々の上部電極層に接続されている。Vref端子は、駆動電極301、302の各々の下部電極層303(図2)と、参照電極61の下部電極層と、検出電極51a、51b、71a、71b、72a、72bの各々の下部電極層とに、それぞれ接続されている。
コントローラ200の上記各端子は、コントローラ200の端子部211にそれぞれ対応し、回路基板400の表面401に形成されたランド411、回路基板400内部に形成されたビア等を介してセンサ素子100の対応する各端子部114にそれぞれ接続される。一方、センサ素子100の第1の層111には、各端子部114と、上記駆動電極、検出電極及び参照電極をそれぞれ構成する下部電極層及び上部電極層とを電気的に接続する配線パターンがそれぞれ形成されている。
Go1端子は、自励発振回路201の出力端に接続されている。自励発振回路201は、駆動電極301、302を駆動するための1つの駆動信号(交流信号)を生成する。Go2端子は、反転アンプ202を介して自励発振回路201の出力端に接続されている。反転アンプ202は、自励発振回路201にて生成された駆動信号の位相を反転させる。これにより、第1の駆動電極301と第2の駆動電極302とは、同一の駆動信号で相互に逆位相で伸縮される。Vref端子は、所定の基準電位に接続されている。基準電位は、グラウンド電位でもよいし、一定のオフセット電位でもよい。あるいはVref端子には、各駆動電極301,302の上部電極層に入力される駆動信号とは逆位相の駆動信号が入力されてもよい。
GFB端子、Gxy1端子、Gxy2端子、Gxy3端子、Gxy4端子、Gz1端子及びGz2端子はそれぞれ演算回路203の入力端に接続されている。演算回路203は、X軸まわりの角速度信号を生成するための第1の差分回路と、Y軸まわりの角速度信号を生成するための第2の差分回路と、Z軸まわりの角速度信号を生成するための第3の差分回路とを有する。検出電極71aの出力をxy1、検出電極72bの出力をxy2、検出電極71bの出力をxy3、検出電極72aの出力をxy4、検出電極51aの出力をz1、そして、検出電極51bの出力をz2とする。このとき、上記第1の差分回路は、(xy1+xy2)−(xy3+xy4)を演算し、その演算値を検波回路204xへ出力する。上記第2の差分回路は、(xy1+xy4)−(xy2+xy3)を演算し、その演算値を検波回路204yへ出力する。そして、上記第3の差分回路は、(z1−z2)を演算し、その演算値を検波回路204zへ出力する。
すなわち本実施形態の角速度センサは、a軸に平行はY軸まわりの角速度と、b軸に平行なX軸まわりの角速度とを出力する。
検波回路204x、204y、204zは、自励発振回路201からの駆動信号の出力あるいは参照信号に同期して上記差分信号を全波整流し、直流化する。平滑回路205x、205y、205zは、検波回路の出力を平滑化する。平滑回路205xから出力される直流電圧信号ωxは、X軸まわりの角速度の大きさ及び方向に関する情報が含まれる。また、平滑回路205yから出力される直流電圧信号ωyは、Y軸まわりの角速度の大きさ及び方向に関する情報が含まれる。さらに、平滑回路205zから出力される直流電圧信号ωzは、Z軸まわりの角速度の大きさ及び方向に関する情報が含まれる。すなわち、基準電位Vrefに対する上記直流電圧信号ωx、ωy、ωzの大きさが角速度の大きさに関する情報に相当し、当該直流電圧の極性が角速度の方向に関する情報に相当する。
[角速度センサの作用]
以上のように本実施形態の角速度センサ1は、振動子部101の複数の振動部をXY平面内で平行でない2つの方向に駆動させることで、XY平面に平行な所定の2軸(X,Y軸)回りの角速度と、XY平面と直交するZ軸回りの角速度とをそれぞれ検出する。すなわち角速度センサ1は、Z軸回りの角速度を、XY平面内で振動する振動子部101から出力される信号に基づいて検出する。これにより振動子の長手方向を必ずしも検出する回転の回転軸方向とする必要がなくなるため、垂直方向(厚み方向)の軸回りの角速度を検出する場合であっても、垂直方向に合わせて振動子の長手方向を配置する必要がなくなる。このため、センサの厚み寸法を大きくすることなく、厚み方向の軸回りの角速度を高精度に検出することができ、さらにセンサの薄型化を実現することが可能となる。
また、本実施形態に係る角速度センサ1は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、バーチャルリアリティ装置、カーナビゲーションシステム等の電子機器に内蔵され、手振れ検知や動作検知、方向検知等のためのセンサ部品として広く用いられる。特に、本実施形態によれば、センサの小型化、薄型化を図ることができるため、電子機器の小型化、薄型化等に対する要求にも十分に応えることが可能である。
さらに本実施形態の角速度センサ1は、外部回路に実装するために四角形のパッケージに収められる。この形態ではパッケージの四角形の辺に平行な方向の軸回りの角速度を出力することが一般的である。このような場合、ab軸に平行な軸回りの角速度を出力できる本実施の形態を用いれば、パッケージの大きさを小さくすることができる。
また以上のように構成される本実施形態の角速度センサ1においては、X軸方向の角速度及びY軸方向の角速度を高精度に検出することができるため、これらから簡単な演算によりXY平面内の任意の方向の軸回りの角速度を出力することが可能である。
同様に、a軸、b軸に対しab平面内で45°回転したX軸方向の角速度及びY軸方向の角速度を高精度に検出することができる。従ってこれらから簡単な演算によりab(XY)平面内の任意の方向の軸回りの角速度を出力することが可能である。
[センサ素子の製造方法]
次に、センサ素子100の製造方法について説明する。
図12(A)〜(E)は、センサ素子100の製造方法を説明する概略的な工程フローである。
まず、図12(A)に示すように第1の層111及び第2の層112を、接合層113を介して接合したSOI基板を準備する。第1及び第2の層111,112は、いずれもシリコン基板が用いられる。第1の層111は、振動子部101の厚み(例えば100μm)と同等のシリコン基板が用いられるが、第2の層112の厚みは特に限定されず、典型的には、第1の層111よりも大きな厚み(例えば300μm)のシリコン基板が用いられる。これにより、ハンドリング性が向上し、取り扱いを容易にすることができる。
接合層113は第1の層111又は第2の層112の表面に形成された熱酸化膜で、その厚みは例えば1μmである。第1及び第2の層111,112は、例えば陽極接合法等によって相互に接合される。第1の層111の表面には、熱酸化膜(シリコン酸化膜)からなる絶縁膜D1が形成される。
次に図12(B)に示すように、第1の層111の表面に圧電機能層600が形成される。圧電機能層600は、駆動電極や検出電極、参照電極等に対応し、図15に示すように下部電極層601、圧電層602及び上部電極層603の積層構造を有する。
下部電極層601、圧電層602及び上部電極層603はそれぞれスパッタリング法、CVD法等の適宜の成膜方法を用いて順次成膜される。その後、最上層から順に所定形状に各層がパターニングされる。上部電極層603のパターニングには例えばイオンミリング法が適用され、例えば図6に示したような各電極に対応するパターンに形成される。圧電層602のパターニングには例えばRIE(反応性イオンエッチング)法が用いられる。下部電極層601のエッチングには例えばウェットエッチング法が用いられ、例えば図13に示すようなパターンPに形成される。なお上部電極層603の電極パターンは、上記パターンPの領域内に形成される。
圧電機能層600の形成後、必要に応じて圧電層602の回復アニールを実施する。次に、圧電機能層600を保護するための保護層(図示略)を形成した後、当該保護層の上に端子部114と各圧電機能層600の上部電極層603と下部電極層601との間を接続する配線パターンを第1の層111の表面にそれぞれ形成する。配線パターンの一例を図14に示す。
図14は、検出電極51aと検出電極72aとを含むセンサ素子100の要部の拡大平面図である。図15は、図14における[A]−[A]線方向の断面図である。配線パターンCは、センサ素子100のベース部81と振動子部101との間を連結する連結部82の表面に沿って形成される(図5、図14)。配線パターンCは、圧電機能層600を被覆する保護層604の表面に形成される。保護層604には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜が用いられる。各配線と電極との層間の接続にはビアが用いられる。
配線パターンCのうち、配線C1は、振り子部22aに形成された検出電極72aの上部電極層に接続される。配線C2は、ビアB2を介して、接続部13d周辺の梁11a及び梁12bに形成された検出電極51aの上部電極層に接続される。配線C3は、ビアB3を介して、梁11aに形成された駆動電極301の上部電極層に接続される。駆動電極301の下部電極層には、配線E1がビアB4を介して接続される。
Z軸回りの角速度検出用の検出電極51a,51bは、フレーム10の四隅(接続部)周辺に形成される。本実施形態では図14及び図15に示すように、梁11a上の検出電極51aと梁12b上の検出電極51aの上部電極層が共通の電極層510で形成される。これにより、各梁の電極層ごとに配線を引き出す必要がなくなるため、配線数を削減することができる。
またこの場合、振り子部22a上の検出電極72aに接続される配線C1は、梁11a,12b上の検出電極51aを連絡する電極層510と交差させる必要が生じる。本実施形態では、保護層604を検出電極51aの電極層510と配線C1との間の層間絶縁膜として利用し、配線C1と電極層510とを立体的に交差させることで、これらの電気的短絡を防止する。他の接続部13a〜13cにおける検出電極51a,51bに関しても上述と同様に構成される。
配線パターンCの形成後、端子部114と配線パターンCを分極用配線として利用した圧電機能層600の分極処理が行われる。図16は、分極処理工程を説明する配線図である。本実施形態では、分極用配線d1を介して各圧電機能層600の上部電極層603に正電圧が印加され、分極用配線d2を介して下部電極層601に負電圧が印加される。下部電極層601の配線パターンは領域ごとに分離しているため、図16に示すように電極パターンPの各部を相互に接続する接続配線d3が設けられる。
接続配線d3は、中央に位置する環状パターン部P1と周囲の駆動電極用のパターン部P2,P3,P4及びP5とを各々接続するように形成される。これにより電極パターンPの各領域を同電位にすることができ、また電極パターンPの各領域に独立した分極用配線を引き回す必要がなくなるため配線数を削減することができる。
接続配線d3は、例えば各パターン部P1〜P5に連絡するコンタクトホール(図示略)を介して保護層604の表面に形成される。接続配線d3は分極処理用に一時的に形成されるものであるため、分極処理後は例えばウェットエッチングにより除去される。この場合、配線パターンCとは異なる金属材料で接続配線d3を形成することで、接続配線d3のエッチング除去時に高い選択性をもって接続配線d3を除去することができる。
続いて図12(C)に示すように、第1の層111をその厚み全域にわたってエッチングすることで振動子部101の外形を形成する。第1の層111の加工には例えばフッ素プラズマによるドライエッチング(RIE)が適用可能である。このとき、シリコン酸化膜からなる接合層113は、エッチングストッパ層として機能する。
次に12(D)に示すように、第2の層112を枠状にエッチング加工する。これにより、振動子部101が第2の層112側から露出される。第2の層112の加工には例えばフッ素プラズマによるドライエッチング(RIE)が用いられ、この場合も接合層113がエッチングストッパ層として用いられる。
続いて図12(E)に示すように、振動子部101及び連結部82直下の接合層113がウェットエッチングにより除去される。これによりセンサ素子100が作製される。エッチング液には例えばフッ化アンモニウム水溶液が用いられる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば以上の実施形態では、回路基板400に対してセンサ素子100及びコントローラ200がいわゆるフリップチップ方式で実装されたが、これに代えて、ワイヤボンディング方式で実装されてもよい。この場合、端子部114、211はカバー500の天面側に向けられて回路基板上に固定される。
また以上の実施形態では、センサ素子100の振動子部101がフレーム10と振り子部21a,21b,22a,22bで構成されるとともに、センサ素子100の枠体がベース部81と連結部82で構成される例を説明した。これに代えて、各振り子部を支持するフレームを直接回路基板上に実装してもよい。この場合、当該フレームは上記枠体に対応する。このとき、当該フレームは振り子部とともに振動してもよいし、振動しなくてもよい。
1…角速度センサ
10…フレーム
21a,21b,22a,22b…振り子部
51a,51b、71a,71b,72a,72b…検出電極
81…ベース部
82…連結部
100…センサ素子
101…振動子部
102…枠体
200…コントローラ
301,302…駆動電極
400…回路基板
403…収容部
500…カバー

Claims (17)

  1. 第1の面内において平行でない2つの方向に同一の駆動信号で駆動される複数の振動部を含む振動子部と、前記振動子部を支持する枠体とを有し、前記第1の面内における所定の2方向に沿った第1及び第2の軸回りの角速度と、前記第1の面と直交する方向に沿った第3の軸回りの角速度とに応じた信号を生成するセンサ素子と、
    前記駆動信号を出力する自励発振回路と、前記角速度各々に応じた信号に基づいて前記第1、第2及び第3の軸回りの角速度を出力する検出回路とを有するコントローラと、
    前記センサ素子と前記コントローラとが実装される回路基板と
    を具備する角速度センサ。
  2. 請求項1に記載の角速度センサであって、
    前記振動子部は、前記第1の面内で第1の方向に延在し前記第1の方向と直交する第2の方向に相互に対向する第1の梁の組と、前記第2の方向に延在し前記第1の方向に相互に対向する第2の梁の組と、前記第1の梁と前記第2の梁との間を接続する複数の接続部とを有する環状のフレームを含み、
    前記センサ素子は、
    前記第1及び第2の梁の組のうち一方の組が近接したときに他方の組が離間し、前記一方の組が離間したときに前記他方の組が近接する振動モードで、前記フレームの前記第1の梁の組と前記第2の梁の組を、前記第1の面内において平行でない2つの方向に振動させる駆動部と、
    前記振動モードで振動する前記フレームの前記第1の面内における変形に基づいて、前記第1及び第2の方向と直交する第3の方向に沿った前記第3の軸回りの角速度を検出する第1の検出部とをさらに有する
    角速度センサ。
  3. 請求項2に記載の角速度センサであって、
    前記振動子部は、
    前記第1の面内において前記第1及び第2の方向と交差する第4の方向に延在するように前記接続部に設けられ、前記第1の面内で前記フレームの振動に同期して振動する第1の振り子部と、
    前記第1の面内において前記第1、第2及び第4の方向と交差する第5の方向に延在するように前記接続部に設けられ、前記第1の面内で前記フレームの振動に同期して振動する第2の振り子部と、
    前記第1の面と直交する方向への前記第1及び第2の振り子部の変形に基づいて、前記第1の面内における前記第1及び第2の方向の軸回りの角速度を検出する第2の検出部とをさらに有する
    角速度センサ。
  4. 請求項1に記載の角速度センサであって、
    前記回路基板は、
    前記センサ素子と前記コントローラとがそれぞれ実装される第1の面と、
    前記角速度センサを外部の基板に実装するための外部接続端子を有する第2の面と、
    前記コントローラと前記外部接続端子との間を電気的に接続するビアとを有する
    角速度センサ。
  5. 請求項4に記載の角速度センサであって、
    前記センサ素子を覆うように前記第1の面に固定される遮光性のカバーをさらに具備する
    角速度センサ。
  6. 請求項4に記載の角速度センサであって、
    前記枠体は、前記第1、第2及び第3の軸回りの角速度に応じた信号を前記回路基板を介して前記コントローラへ出力するための、前記第1の面と電気的に接続される複数の端子部を有する
    角速度センサ。
  7. 請求項6に記載の角速度センサであって、
    前記枠体は、前記振動子部の外側を囲む略四角形の枠状のベース部をさらに有し、
    前記複数の端子部は、前記ベースの相互に対向する2辺上にそれぞれ形成される
    角速度センサ。
  8. 請求項6に記載の角速度センサであって、
    前記コントローラは、第1の高さを有する略直方体形状のIC部品で構成され、
    前記回路基板は、前記第1の面に形成され前記IC部品を収容可能な、前記第1の高さ以上の第2の高さを有する収容部をさらに有する
    角速度センサ。
  9. 請求項8に記載の角速度センサであって、
    前記枠体は、前記複数の端子部が形成され前記振動子部の外側を囲む略四角形の枠状のベース部をさらに有し、
    前記ベース部は、前記収容部を跨いで前記第1の面に実装される
    角速度センサ。
  10. 請求項7に記載の角速度センサであって、
    前記枠体は、前記ベース部と前記接続部との間を連結する変形可能な連結部をさらに有する
    角速度センサ。
  11. 請求項2に記載の角速度センサであって、
    前記センサ素子は、前記フレームに形成され前記振動子部を前記駆動信号で駆動するための圧電駆動層をさらに有する
    角速度センサ。
  12. 請求項3に記載の角速度センサであって、
    前記第1の検出部は、前記フレームに形成され前記角速度に応じた信号を生成する第1の圧電検出層を含む
    角速度センサ。
  13. 請求項12に記載の角速度センサであって、
    前記第2の検出部は、前記第1及び第2の振り子部に形成され前記角速度に応じた信号を生成する第2の圧電検出層を含む
    角速度センサ。
  14. 請求項13に記載の角速度センサであって、
    前記第1及び第2の圧電検出層はそれぞれ、前記振動子部上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成された圧電層と、前記圧電層上に形成された第2の電極層とを有する
    角速度センサ。
  15. 請求項14に記載の角速度センサであって、
    前記センサ素子は、
    前記第1の圧電検出層の前記上部電極に接続される第1の配線と、
    前記第2の圧電検出層の前記上部電極に接続される第2の配線と、
    前記第1の配線と前記第2の配線との間に形成された層間絶縁層とをさらに有する
    角速度センサ。
  16. 請求項1に記載の角速度センサであって、
    前記センサ素子は、シリコン基板で形成された第1の層と、前記第1の層に接合されシリコン基板で形成された第2の層とを有し、
    前記振動子部及び前記枠体は、前記第1の層を形成する
    角速度センサ。
  17. 請求項16に記載の角速度センサであって、
    前記センサ素子は、前記第1の層と電気的に接続される接地用端子を有し、
    前記回路基板は、前記接地用端子と電気的に接続され前記第1の層を所定の接地電位に接続するランド部を有する
    角速度センサ。
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