JP2011098436A - 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法 - Google Patents
化学機械研磨装置および化学機械研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011098436A JP2011098436A JP2010284361A JP2010284361A JP2011098436A JP 2011098436 A JP2011098436 A JP 2011098436A JP 2010284361 A JP2010284361 A JP 2010284361A JP 2010284361 A JP2010284361 A JP 2010284361A JP 2011098436 A JP2011098436 A JP 2011098436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- subcarrier
- pad
- substrate
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 218
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
- B24B47/22—Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
Abstract
【解決手段】化学機械研磨ヘッドは、研磨パッド上の基板に対する垂直方向位置を調整可能で、CMP中に高さを固定可能なサブキャリアと;エアを受入可能なチャンバを形成するようにサブキャリアに連結された挿入物とを備え、前記受け入れられたエアは前記チャンバ内に基板研磨ダウンフォースを供給する。
【選択図】図2
Description
したがって、上述した欠点を克服するシステムおよび方法が必要とされる。
Claims (56)
- 研磨パッド上の基板に対する垂直方向位置を調整可能で、CMP中に高さを固定可能なサブキャリアと;
エアを受入可能なチャンバを形成するように前記サブキャリアに連結された挿入物とを備え、前記受入れられたエアは前記チャンバ内に基板研磨ダウンフォースを供給する、化学機械研磨ヘッド。 - 研磨中に基板を把持可能な把持リングをさらに備えた、請求項1の研磨ヘッド。
- ダイアフラムに連結されたハウジングをさらに備え;
把持リングに下向きの力を形成するエアを受入可能なチャンバを形成するように前記把持リングが前記ダイアフラムに連結された、請求項1の研磨ヘッド。 - 前記サブキャリアレベルを前記研磨パッドと平行に維持するように、前記サブキャリアに連結され、前記サブキャリアを旋回可能なピボット機構をさらに備えた、請求項1の研磨ヘッド。
- 前記挿入物およびサブキャリアが、研磨中にエアを受入可能な複数のチャンバを形成する、請求項1の研磨ヘッド。
- 受入エアの圧力が可変である、請求項1の研磨ヘッド。
- 把持リングに下向きの力を形成する受入エアの圧力が可変である、請求項3の研磨ヘッド。
- 前記複数のチャンバ内の受入エアの圧力が可変である、請求項5の研磨ヘッド。
- 前記垂直方向位置が約0.5mm以下の分解能で制御される、請求項1の研磨ヘッド。
- 前記垂直方向位置が可変である、請求項1の研磨ヘッド。
- 前記サブキャリアは、前記基板を前記研磨パッドに押し付け可能である、請求項1の研磨ヘッド。
- 前記押し付け力が可変である、請求項11の研磨ヘッド。
- 前記押し付け力が制御可能である、請求項11の研磨ヘッド。
- 前記サブキャリアの底面に基準点をさらに備え、前記基準点はパッド上の基板に接触可能で、パッド上面のレベルを決定するように下向きの移動を制限可能である、請求項8の研磨ヘッド。
- 前記基準点の底面上に軟質パッドをさらに備えた、請求項14の研磨ヘッド。
- 前記軟質パッドは前記挿入物よりも圧縮性が低い、請求項15の研磨ヘッド。
- 研磨パッド上の基板に対する垂直方向位置を調整可能なサブキャリアを含む研磨ヘッドに基板をロードし;
前記垂直方向位置を調整し、その後、研磨の少なくとも一部の間で該垂直方向位置を固定し;
エアを受入可能なチャンバを形成するようにサブキャリアに連結された挿入物を用意して、前記受け入れられたエアにより前記チャンバ内に基板研磨ダウンフォースを供給し;
エアを前記チャンバに供給し;
研磨パッド上に研磨液を分配し;
前記研磨ヘッドと前記研磨パッドとの間に相対運動を与え、前記基板の表面を研磨する、化学機械研磨方法。 - 前記垂直方向位置が可変である、請求項17の方法。
- 前記サブキャリアは、前記研磨パッドに押し付ける下方位置に前記基板を配置可能で、下向きの移動を制限可能であり;
前記サブキャリアを前記下方位置に配置する、請求項17の方法。 - さらに、前記下方位置を記録する、請求項19の方法。
- さらに、前記基板を押し付ける前記サブキャリアのダウンフォースを制御する、請求項19の方法。
- 垂直方向位置の調整は前記下方位置に関するものである、請求項18の方法。
- さらに、研磨中に把持リングで前記基板を把持する、請求項17の方法。
- 前記研磨ヘッドは、前記把持リングにダウンフォースを形成するエアを受入可能なチャンバを形成するように前記把持リングに連結されたハウジングをさらに備え;
前記把持リングにダウンフォースを形成するエアを前記チャンバに供給する、請求項23の方法。 - 前記チャンバに供給され前記把持リングにダウンフォースを形成するエアの圧力が可変である、請求項24の方法。
- 前記挿入物およびサブキャリアは、研磨中にエアを受入可能な複数のチャンバを形成し;
前記複数のチャンバにエアを供給する、請求項17の方法。 - 前記複数のチャンバに受け入れられたエアの圧力が可変である、請求項26の方法。
- 前記受入エアの圧力が可変である、請求項17の方法。
- さらに、パッド摩耗を補償するよう前記サブキャリアの前記垂直方向位置を前記研磨パッドに対して調整する、請求項17の方法。
- さらに、研磨中に垂直方向位置を異なる位置に再調整し;該研磨の少なくとも一部の間に再調整された位置を固定する、請求項17の方法。
- 垂直方向位置の再調整は研磨中に2回以上なされる、請求項30の方法。
- 基板を保持可能なヘッドと;
垂直方向位置を調整可能で回転可能なシャフトと;
前記シャフトに連結され、前記シャフトに対する垂直方向距離が固定されたサブキャリアと;
前記エアを受入可能なチャンバを形成するように前記サブキャリアに連結された挿入物とを備え、前記受け入れられたエアは前記チャンバ内に基板研磨ダウンフォースを供給する、化学機械研磨システム。 - 前記サブキャリアをパッド上の基板に押し付ける下方位置に前記サブキャリアが配置されたときに、パッド厚さに対応する距離計測を行うことができるセンサと;前記センサと通信可能に連結され、前記下方位置を記憶可能な電子機器とをさらに備えた、請求項32のシステム。
- 前記シャフトは、前記サブキャリアをパッド上の基板に押し付けるダウンフォースを制御可能である、請求項32のシステム。
- 前記ダウンフォースが可変である、請求項34のシステム。
- 記憶された下方位置を保存することをさらに備えた、請求項33のシステム。
- 前記下方位置の保存データに基づいて研磨パッド厚さを計算することをさらに備えた、請求項36のシステム。
- 前記下方位置の保存データに基づいて研磨パッド摩耗を計算することをさらに備えた、請求項36のシステム。
- 前記計算された研磨パッド厚さが最小パッド厚さを超えるかどうかを判断し;前記計算された研磨パッド厚さが最小研磨パッド厚さを超える場合に最小研磨パッド厚さをオペレータに警告することをさらに備えた、請求項38のシステム。
- 研磨パッド上に置かれた基板を研磨する化学機械研磨装置であって、
サブキャリアと、
各研磨動作の準備時に前記サブキャリアを研磨パッドから所定の距離だけ離れた初期位置に位置させる位置決めシステムと、
前記サブキャリアに連結され、チャンバを形成するゴム挿入物とを備え、
前記位置決めシステムは、研磨パッドの摩耗を決定するパッド摩耗決定装置を有し、前記位置決めシステムは、前記サブキャリアを前記初期位置から第2位置にまで、前記研磨パッドの摩耗に応じた距離だけ移動させるように構成され、
前記サブキャリアが前記初期位置または前記第2位置にあるとき、前記チャンバに流体を供給して該チャンバ内に圧力を形成することで、前記基板を前記研磨パッドに対して押し付けることを特徴とする化学機械研磨装置。 - 研磨中に前記基板を把持することができる把持リングをさらに備えることを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。
- 前記化学機械研磨装置は、ダイアフラムに連結されるハウジングをさらに備え、前記把持リングは前記ダイアフラムに連結され、前記把持リングに下向きの力を付与する流体を受入可能なチャンバを形成することを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。
- 前記把持リングに下向きの力を付与する流体の圧力は可変であることを特徴とする請求項42に記載の化学機械研磨装置。
- 前記ゴム挿入物および前記サブキャリアは、研磨中に流体を受けることが可能な複数のチャンバを形成することを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。
- 前記複数のチャンバ内の流体の圧力は可変であることを特徴とする請求項44に記載の化学機械研磨装置。
- 前記流体の圧力は可変であることを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。
- 研磨中の前記サブキャリアと前記ゴム挿入物との間の距離は、前記研磨パッドの摩耗に伴って変化することを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。
- 前記化学機械研磨装置は、前記サブキャリアの底面に設けられた基準点をさらに備え、前記基準点は前記研磨パッド上の基板に接触可能であり、前記サブキャリアの下方への移動を制限して前記研磨パッドの上面の位置を決定することを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。
- 前記位置決めシステムは、
前記サブキャリアとともに移動する、該サブキャリアに連結されたブラケットと、
下位置から移動可能なストッパ、および該ストッパを前記ブラケットの移動経路に沿って移動させるサーボモータを有するストッパアッセンブリと、
前記ブラケットと前記下位置にある前記ストッパとの間の距離を測定するセンサとを備え、
前記ストッパアッセンブリのサーボモータは、前記ブラケットと前記下位置にある前記ストッパとの間の距離よりも大きいか、または等しい距離だけ前記ストッパを前記下位置から移動させることを特徴とする請求項40に記載の化学機械研磨装置。 - 研磨パッドに基板を押し付けて該基板を研磨する化学機械研磨方法であって、
研磨パッドを用いた基板の研磨動作の準備時にサブキャリアを位置決めする工程を含み、
前記サブキャリアは、前記基板を保持するゴム挿入物に連結され、さらに位置決めシステムに連結されており、
前記位置決めシステムは、研磨パッドの摩耗を決定するパッド摩耗決定装置を有し、
前記サブキャリアを位置決めする工程は、前記パッド摩耗決定装置が研磨パッドの摩耗を決定する工程と、前記位置決めシステムが前記サブキャリアを前記研磨パッドの摩耗に応じた所定の距離だけ前記研磨パッドから移動させる工程を含むことを特徴とする方法。 - 研磨動作の準備時における前記サブキャリアの位置決め工程は、前記ゴム挿入物が前記サブキャリアに対して押し付けられた位置から前記サブキャリアを移動させる工程を含み、前記研磨パッドを用いた先の研磨動作からの研磨パッド高さの変化に少なくとも基づいた正味の距離だけ前記サブキャリアが移動されることを特徴とする請求項50に記載の方法。
- 研磨動作の準備時における前記サブキャリアの位置決め工程は、前記研磨パッドの摩耗率に研磨回数を掛けた値に少なくとも基づいた正味の距離だけ前記サブキャリアを移動させる工程を含むことを特徴とする請求項50に記載の方法。
- 前記摩耗率は、被除数と除数との比率であり、前記被除数は、前記研磨パッドを用いた第1の研磨動作と前記研磨パッドを用いた第2の研磨動作の間での前記研磨パッドの高さの違いであり、前記除数は、前記第1の研磨動作から前記第2の研磨動作までの、前記研磨パッドを用いた研磨動作の回数であることを特徴とする請求項52に記載の方法。
- 前記方法は、前記研磨パッドの磨耗パラメータと前記ゴム挿入物の圧縮率パラメータとに少なくとも基づいて決定される位置までストッパを前記サブキャリアに対して相対的に移動させる工程をさらに含み、
研磨動作の準備時に前記サブキャリアを位置決めする工程は、前記サブキャリアに連結された部材が前記ストッパに接触するまで前記サブキャリアを移動させる工程を含むことを特徴とする請求項50に記載の方法。 - 前記磨耗パラメータは、前記研磨パッドを用いた先の研磨動作からの前記研磨パッドの高さの変化に関連付けられていることを特徴とする請求項54に記載の方法。
- 前記圧縮率パラメータは、前記ゴム挿入物が前記サブキャリアに対して押し付けられたときから、前記ゴム挿入物が前記サブキャリアに対して押し付けられなくなったときまでの、前記サブキャリアの位置の違いに相当することを特徴とする請求項54に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42512502P | 2002-11-07 | 2002-11-07 | |
US60/425,125 | 2002-11-07 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003377691A Division JP4673547B2 (ja) | 2002-11-07 | 2003-11-07 | 化学機械研磨装置およびその利用のための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011098436A true JP2011098436A (ja) | 2011-05-19 |
JP5161294B2 JP5161294B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=32108175
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003377691A Expired - Lifetime JP4673547B2 (ja) | 2002-11-07 | 2003-11-07 | 化学機械研磨装置およびその利用のための方法 |
JP2010284361A Expired - Lifetime JP5161294B2 (ja) | 2002-11-07 | 2010-12-21 | 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003377691A Expired - Lifetime JP4673547B2 (ja) | 2002-11-07 | 2003-11-07 | 化学機械研磨装置およびその利用のための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7326103B2 (ja) |
EP (1) | EP1418022B1 (ja) |
JP (2) | JP4673547B2 (ja) |
KR (2) | KR101164139B1 (ja) |
CN (1) | CN1498725B (ja) |
DE (2) | DE60330833D1 (ja) |
TW (1) | TWI238754B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014149755A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Design of disk/pad clean with wafer and wafer edge/bevel clean module for chemical mechanical polishing |
KR20200047739A (ko) * | 2017-09-25 | 2020-05-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 제어 파라미터들을 생성하는 것에 대해 기계 학습 접근법을 사용하는 반도체 제조 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7217175B2 (en) * | 2001-05-29 | 2007-05-15 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP2005039087A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Yaskawa Electric Corp | 基板処理装置 |
EP2797109B1 (en) * | 2004-11-01 | 2018-02-28 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US7207871B1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multiple chambers |
JP2008100295A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
TWI451488B (zh) * | 2007-01-30 | 2014-09-01 | Ebara Corp | 拋光裝置 |
DE112007003710T5 (de) * | 2007-11-20 | 2010-12-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierkopf und Poliervorrichtung |
JP5248127B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2013-07-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
DE102008045035B4 (de) * | 2008-08-29 | 2017-11-16 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Verbessern der Strukturintegrität von Dielektrika mit kleinem ε in Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen unter Anwendung einer Risse verhindernden Materialschicht |
JP5648954B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-01-07 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
DE112012002493T8 (de) * | 2011-06-29 | 2014-06-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierkopf und Poliervorrichtung |
JP6028410B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-11-16 | 不二越機械工業株式会社 | ワーク研磨装置 |
JP2015220402A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板洗浄装置で実行される方法 |
KR102173323B1 (ko) | 2014-06-23 | 2020-11-04 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 헤드, 화학적 기계식 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 |
CN105643419A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-06-08 | 成都广度进出口贸易有限公司 | 建筑用板材的智能抛光装置及其使用方法 |
CN108723910A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-02 | 芜湖中驰机床制造有限公司 | 一种工件加工生产机床 |
CN108723909A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-02 | 芜湖中驰机床制造有限公司 | 一种打磨机床 |
CN108747753A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-06 | 芜湖中驰机床制造有限公司 | 一种用于打磨加工的机床 |
US11623320B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head with membrane position control |
CN110948383B (zh) * | 2019-11-27 | 2021-05-25 | 英展新能源科技(昆山)有限公司 | 用于片式枢轴盖体加工的载具系统 |
CN111571444A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-25 | 中国科学院微电子研究所 | 研磨垫修整装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH079324A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Toyota Motor Corp | ホーニング加工装置 |
JPH08300256A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-19 | Speedfam Co Ltd | ワーク厚さ測定装置付き平面研磨装置 |
JPH1158193A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-03-02 | Seibu Jido Kiki Kk | 平面研削方法及び平面研削装置 |
JP2000167767A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-20 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨装置およびそれを用いたウェーハ製造方法 |
JP2002187060A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-02 | Ebara Corp | 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62188671A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-18 | Supiide Fuamu Kk | 平面研磨機における定寸装置 |
JPS6362668A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研摩装置 |
JPH06278018A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-04 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハ用研磨装置 |
US5423716A (en) * | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
JP3795128B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2006-07-12 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
US5957751A (en) * | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US5964653A (en) * | 1997-07-11 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US6113479A (en) * | 1997-07-25 | 2000-09-05 | Obsidian, Inc. | Wafer carrier for chemical mechanical planarization polishing |
US5934974A (en) * | 1997-11-05 | 1999-08-10 | Aplex Group | In-situ monitoring of polishing pad wear |
US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6531397B1 (en) * | 1998-01-09 | 2003-03-11 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing |
JP2973403B2 (ja) | 1998-03-30 | 1999-11-08 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
FR2778129B1 (fr) * | 1998-05-04 | 2000-07-21 | St Microelectronics Sa | Disque support de membrane d'une machine de polissage et procede de fonctionnement d'une telle machine |
US6220930B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-04-24 | United Microelectronics Corp. | Wafer polishing head |
JP2000190212A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Toshiba Mach Co Ltd | ポリッシング装置 |
US6390908B1 (en) * | 1999-07-01 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Determining when to replace a retaining ring used in substrate polishing operations |
US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
CN100433269C (zh) | 2000-05-12 | 2008-11-12 | 多平面技术公司 | 抛光装置以及与其一起使用的基片托架 |
US6540590B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-01 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring |
JP2002239894A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2002264005A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法及びその研磨装置 |
US6641461B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-11-04 | Multi Planar Technologyies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus having edge, center and annular zone control of material removal |
US7217175B2 (en) | 2001-05-29 | 2007-05-15 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
US6893327B2 (en) * | 2001-06-04 | 2005-05-17 | Multi Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface |
US6579151B2 (en) * | 2001-08-02 | 2003-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Retaining ring with active edge-profile control by piezoelectric actuator/sensors |
US20030060127A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Kaushal Tony S. | Sensor for in-situ pad wear during CMP |
US6835125B1 (en) * | 2001-12-27 | 2004-12-28 | Applied Materials Inc. | Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing |
US6872130B1 (en) * | 2001-12-28 | 2005-03-29 | Applied Materials Inc. | Carrier head with non-contact retainer |
US6705923B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-03-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Chemical mechanical polisher equipped with chilled wafer holder and polishing pad and method of using |
JP2004154874A (ja) | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Ebara Corp | ポリッシング装置及びポリッシング方法 |
US6796887B2 (en) * | 2002-11-13 | 2004-09-28 | Speedfam-Ipec Corporation | Wear ring assembly |
-
2003
- 2003-11-03 TW TW092130611A patent/TWI238754B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-04 US US10/700,984 patent/US7326103B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-06 EP EP03025624A patent/EP1418022B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-06 DE DE60330833T patent/DE60330833D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-06 DE DE03025624T patent/DE03025624T1/de active Pending
- 2003-11-06 KR KR1020030078471A patent/KR101164139B1/ko active IP Right Grant
- 2003-11-07 JP JP2003377691A patent/JP4673547B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 CN CN2003101148667A patent/CN1498725B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-12-21 JP JP2010284361A patent/JP5161294B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-04-14 KR KR1020110034892A patent/KR101151766B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH079324A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Toyota Motor Corp | ホーニング加工装置 |
JPH08300256A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-19 | Speedfam Co Ltd | ワーク厚さ測定装置付き平面研磨装置 |
JPH1158193A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-03-02 | Seibu Jido Kiki Kk | 平面研削方法及び平面研削装置 |
JP2000167767A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-20 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨装置およびそれを用いたウェーハ製造方法 |
JP2002187060A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-02 | Ebara Corp | 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014149755A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Design of disk/pad clean with wafer and wafer edge/bevel clean module for chemical mechanical polishing |
US9508575B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-29 | Applied Materials, Inc. | Disk/pad clean with wafer and wafer edge/bevel clean module for chemical mechanical polishing |
KR20200047739A (ko) * | 2017-09-25 | 2020-05-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 제어 파라미터들을 생성하는 것에 대해 기계 학습 접근법을 사용하는 반도체 제조 |
KR102450925B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2022-10-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 제어 파라미터들을 생성하는 것에 대해 기계 학습 접근법을 사용하는 반도체 제조 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE03025624T1 (de) | 2005-03-31 |
CN1498725A (zh) | 2004-05-26 |
TWI238754B (en) | 2005-09-01 |
JP5161294B2 (ja) | 2013-03-13 |
DE60330833D1 (de) | 2010-02-25 |
EP1418022A1 (en) | 2004-05-12 |
JP2004154933A (ja) | 2004-06-03 |
KR20110058752A (ko) | 2011-06-01 |
CN1498725B (zh) | 2010-08-04 |
TW200414972A (en) | 2004-08-16 |
US7326103B2 (en) | 2008-02-05 |
KR101151766B1 (ko) | 2012-05-31 |
KR101164139B1 (ko) | 2012-07-11 |
EP1418022B1 (en) | 2010-01-06 |
JP4673547B2 (ja) | 2011-04-20 |
KR20040041042A (ko) | 2004-05-13 |
US20040121704A1 (en) | 2004-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5161294B2 (ja) | 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法 | |
US8592313B2 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
US6458015B1 (en) | Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers | |
JP4817687B2 (ja) | 研磨装置 | |
EP1412130B1 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
JPH11165256A (ja) | 化学的機械的研磨方法及びその装置 | |
US6722962B1 (en) | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad | |
US10391603B2 (en) | Polishing apparatus, control method and recording medium | |
US6984168B1 (en) | Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates | |
JP2018001325A (ja) | ヘッド高さ調整装置およびヘッド高さ調整装置を備える基板処理装置 | |
US20220111484A1 (en) | Polishing head retaining ring tilting moment control | |
US7018269B2 (en) | Pad conditioner control using feedback from a measured polishing pad roughness level | |
US20020137448A1 (en) | Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates | |
JP2006263876A (ja) | 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法 | |
EP1307320B1 (en) | Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates | |
JP2001113457A (ja) | 化学機械研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR20230148377A (ko) | 부동 에지 제어를 갖는 연마 캐리어 헤드 | |
JP2022126248A (ja) | 研磨装置および研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5161294 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |