JP2011077221A - 半導体レーザ及びその高周波特性測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1クラッド層20、活性層30、電流ブロック部40、第2クラッド層50、コンタクト層60、第1オーミック電極70、第2オーミック電極76、絶縁膜64、第1コンタクト電極80、貫通電極90及び第2コンタクト電極86を備えて構成される。第1コンタクト電極は、絶縁膜上に形成されていて、第1オーミック電極と電気的に接続されている。貫通電極は、第1クラッド層、電流ブロック部、第2クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成されていて、第2オーミック電極と電気的に接続されている。第2コンタクト電極は絶縁膜上に形成されていて、貫通電極と電気的に接続されている。第1コンタクト電極は第2コンタクト電極を挟む位置に電極パッド84を有している。
【選択図】図1
Description
図1及び図2は、この発明の半導体レーザの構成例を説明するための概略図である。図1は半導体レーザの斜視図であり、一部を切り欠いて示している。図2(A)及び(B)は、半導体レーザの切断端面を示す図である。図2(A)は、図1のA−A線、すなわち、半導体レーザの共振方向に沿って切った図である。また、図2(B)は、図1のB−B線、すなわち、半導体レーザの共振方向に対して直交方向に沿って切った図である。
図3(A)及び(B)を参照して、半導体レーザの高周波特性測定方法について説明する。図3(A)及び(B)は、半導体レーザの高周波特性測定方法について説明するための模式図である。図3(A)は、半導体レーザの平面図である。図3(B)は、高周波プローブの平面図である。なお、図3(A)及び(B)中、構成要素にハッチングを施してあるが、このハッチングは断面を表示するのではなく、各構成要素の領域を強調して示してあるに過ぎない。
図4〜図7を参照して、半導体レーザの製造方法について説明する。図4(A)〜(C)、図5(A)及び(B)、図6(A)及び(B)並びに図7(A)及び(B)は、半導体レーザの製造方法を説明するための工程図であって、各工程で得られた構造体の主要部の切断端面図で示している。これら各図は、図2(B)に対応する面での切断端面図である。
20 第1クラッド層(下部クラッド層)
22、23 基底部
24 メサ構造部
25 第1導電型基板
26 メサ基板
30 活性層
35 前駆活性層
40 電流ブロック部
42 p−InP電流ブロック層
44 n−InP電流ブロック層
50 第2クラッド層(上部クラッド層)
52 ストライプクラッド層
54 上部p型クラッド層
55 前駆ストライプクラッド層
58 シリコン酸化膜マスク
60 コンタクト層
64、92 絶縁膜
70 第1オーミック電極
76 第2オーミック電極
80 第1コンタクト電極
84 電極パッド
86 第2コンタクト電極
90 貫通電極
100 高周波プローブ
Claims (4)
- 第1主表面側にメサ構造部を有する第1クラッド層と、
前記メサ構造部上に形成された活性層と、
前記第1クラッド層の前記第1主表面上の、前記活性層の両側に形成された電流ブロック部と、
前記活性層及び前記電流ブロック部上に形成された第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上に形成されたコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成された第1オーミック電極と、
前記第1クラッド層の第2主表面上に形成された第2オーミック電極と、
前記コンタクト層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第1オーミック電極と電気的に接続される第1コンタクト電極と、
前記第1クラッド層、前記電流ブロック部、前記第2クラッド層及び前記コンタクト層を貫通する貫通孔内に形成され、前記第2オーミック電極と電気的に接続された貫通電極と、
前記絶縁膜上に形成され、前記貫通電極と電気的に接続される第2コンタクト電極と
を備え、
前記第1コンタクト電極は、前記第2コンタクト電極を挟む位置に電極パッドを有する
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第1オーミック電極と前記第2オーミック電極の材質が異なる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 第1主表面側にメサ構造部を有する第1クラッド層と、
前記メサ構造部上に形成された活性層と、
前記第1クラッド層の前記第1主表面上の、前記活性層の両側に形成された電流ブロック部と、
前記活性層及び前記電流ブロック部上に形成された第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上に形成されたコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成された第1オーミック電極と、
前記第1クラッド層の第2主表面上に形成された第2オーミック電極と、
前記コンタクト層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第1オーミック電極と電気的に接続される第1コンタクト電極と、
前記第1クラッド層、前記電流ブロック部、前記第2クラッド層及び前記コンタクト層を貫通する貫通孔内に形成され、前記第2オーミック電極と電気的に接続された貫通電極と、
前記絶縁膜上に形成され、前記貫通電極と電気的に接続される第2コンタクト電極と
を備える半導体レーザであって、前記第1コンタクト電極が、前記第2コンタクト電極を挟む位置に電極パッドを有する当該半導体レーザを用意するステップ、及び
接地−信号−接地構造又は信号―接地構造を持つ高周波プローブを用いて、前記半導体レーザの順方向に直流電圧を印加するステップ
を備えることを特徴とする半導体レーザの高周波特性測定方法。 - 前記半導体レーザとして、前記第1オーミック電極と前記第2オーミック電極の材質が異なるものを用意する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザの高周波特性測定方法。
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