JP2011071206A - Iii族窒化物半導体からなる半導体装置およびその製造方法、電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】HFET100は、第1キャリア走行層103上の互いに離間した2つの領域上に、2つに分離して形成されたノンドープのGaNからなる第2キャリア走行層104と、2つの分離した第2キャリア走行層104上にそれぞれ位置するAlGaNからなるキャリア供給層105を有している。第2キャリア走行層104とキャリア供給層105は、第1キャリア走行層103上に選択的に再成長させて形成した層である。第2キャリア走行層104とキャリア供給層105のヘテロ接合界面110は平坦性が高く、そのヘテロ接合界面110近傍は再成長に伴って混入した不純物はほとんど見られないため、2DEGの移動度を低下させることがなく、オン抵抗が低減されている。
【選択図】図1
Description
102:バッファ層
103:第1キャリア走行層
104、204、404:第2キャリア走行層
105、205、305、405:キャリア供給層
106:ソース電極
107:ドレイン電極
108、208、550、650:絶縁膜
109、209、509、609、809:ゲート電極
750:キャリア走行抑止層
806:アノード電極
807:カソード電極
Claims (17)
- III 族窒化物半導体からなる第1キャリア走行層と、
前記第1キャリア走行層の一部領域上に位置し、選択的に再成長されたIII 族窒化物半導体からなる第2キャリア走行層と、
前記第2キャリア走行層上に接して位置し、選択的に再成長された、前記第2キャリア走行層よりもバンドギャップの大きなIII 族窒化物半導体からなるキャリア供給層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2キャリア走行層および前記キャリア供給層は、前記第1キャリア走行層上であって、互いに離間する2つの領域上に形成されており、
2つの領域の一方の領域の前記キャリア供給層上に設けられ、前記第2キャリア走行層と電気的に接続した第1電極と、
2つの領域の他方の領域の前記キャリア供給層上に設けられ、前記第2キャリア走行層と電気的に接続した第2電極と、
2つの前記第2キャリア走行層および前記キャリア供給層の領域に挟まれた前記第1キャリア走行層上と、2つの第2キャリア走行層およびキャリア供給層の領域が離間して向かい合う側の第2キャリア走行層およびキャリア供給層の2つの側端面と、に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された制御電極と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記絶縁膜は、前記キャリア供給層上にも形成されており、前記制御電極は、前記絶縁膜を介して前記キャリア供給層上に延伸していることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、その一部または全部が複数の層からなることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1キャリア供給層上に位置する前記絶縁膜と、前記キャリア供給層上に位置する前記絶縁膜とは、膜質が異なることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の厚さは、前記第2キャリア走行層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項2ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1電極と前記第2電極は、前記第2キャリア走行層にオーミック接触していることを特徴とする請求項2ないし請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1電極と前記第2電極のどちらか一方と、前記制御電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項2ないし請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2キャリア走行層から離れた領域でのキャリアの走行を抑止するキャリア走行抑止層をさらに有し、前記キャリア走行抑止層上に前記第1キャリア走行層が位置する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記キャリア走行抑止層は、前記第1キャリア走行層とは異なる伝導型のIII 族窒化物半導体からなることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記キャリア走行抑止層は、前記第1キャリア走行層よりもバンドギャップが大きいIII 族窒化物半導体からなることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の半導体装置。
- 前記キャリア走行抑止層は、前記キャリア走行抑止層よりもバンドギャップが大きいIII 族窒化物半導体からなる層上に位置する、ことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第2キャリア走行層は、複数の層からなることを特徴とする請求項1ないし請求項12のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記キャリア供給層上に、前記第2キャリア走行層よりもバンドギャップが小さく、選択的に再成長されたIII 族窒化物半導体からなる層と、その層よりもバンドギャップが大きく、選択的に再成長されたIII 族窒化物半導体からなる層との対が、さらに1対ないし複数対形成されている、ことを特徴とする請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2キャリア走行層およびキャリア走行層の側端面は、前記第1キャリア走行層から離れるにしたがって前記第2キャリア走行層およびキャリア走行層の素子面に平行な断面積が減少するような傾斜を有している、ことを特徴とする請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1ないし請求項16のいずれか1項に記載の半導体装置を少なくとも1つ以上用いて構成された電力変換装置。
- III 族窒化物半導体からなる第1キャリア走行層を形成する工程と、
前記第1キャリア走行層上の一部領域にマスクを形成する工程と、
前記マスクを形成していない前記第1キャリア走行層上の領域に、III 族窒化物半導体からなる第2キャリア走行層を選択的に再成長させる工程と、
前記第2キャリア走行層上に、前記第2キャリア走行層とはバンドギャップの異なるIII 族窒化物半導体からなるキャリア走行層を選択的に再成長させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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