JP2016174067A - 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016174067A JP2016174067A JP2015053019A JP2015053019A JP2016174067A JP 2016174067 A JP2016174067 A JP 2016174067A JP 2015053019 A JP2015053019 A JP 2015053019A JP 2015053019 A JP2015053019 A JP 2015053019A JP 2016174067 A JP2016174067 A JP 2016174067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- layer
- electrode
- semiconductor
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 283
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 106
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 76
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 56
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
A−1.電力変換装置の構成
図1は、電力変換装置10の構成を示す説明図である。電力変換装置10は、交流電源Eから負荷Rに供給される電力を変換する装置である。電力変換装置10は、交流電源Eの力率を改善する力率改善回路の構成部品として、半導体装置100と、制御回路200と、4つのダイオードD1と、コイルLと、ダイオードD2と、キャパシタCとを備える。
図2は、第1実施形態における半導体装置100の構成を模式的に示す断面図である。図2には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。図2のXYZ軸のうち、X軸は、図2の紙面左から紙面右に向かう軸である。+X軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−X軸方向は、紙面左に向かう方向である。図2のXYZ軸のうち、Y軸は、図2の紙面手前から紙面奥に向かう軸である。+Y軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Y軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図2のXYZ軸のうち、Z軸は、図2の紙面下から紙面上に向かう軸である。+Z軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Z軸方向は、紙面下に向かう方向である。図2のXYZ軸は、他の図のXYZ軸に対応する。
図3は、第1実施形態における半導体装置100の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、半導体層112,114,116を形成する(工程P110)。本実施形態では、製造者は、結晶成長によって半導体層112,114,116を形成する。
以上説明した第1実施形態によれば、電極130pにおける金属層131,132,133に含まれる金属同士が熱処理(工程P158)によって合金化する前にエッチング(工程P154)を実施するため、エッチング(工程P154)によるソース電極130の接触抵抗の増大を回避できる。また、エッチング(工程P154)によってゲート電極150を形成しながら、エッチング(工程P154)によるソース電極130の接触抵抗の増大を回避できる。
図12は、第2実施形態における半導体装置100Bの構成を模式的に示す断面図である。第2実施形態の半導体装置100Bは、ボディ電極170Bを形成するために各部の構造が異なる点を除き、第1実施形態の半導体装置100と同様である。半導体装置100Bは、半導体装置100と異なる構成として、リセス122Bと、ソース電極130Bと、ボディ電極170Bとを備える。
図13は、第3実施形態における半導体装置100Cの構成を模式的に示す断面図である。第3実施形態の半導体装置100Cは、ソース電極130Bに代えてソース電極130Cを備える点を除き、第2実施形態の半導体装置100Bと同様である。半導体装置100Cのソース電極130Cは、半導体層116の上からボディ電極170Bの上にわたって形成されている点を除き、第2実施形態のソース電極130Bと同様である。第3実施形態によれば、第2実施形態と同様に、エッチング(工程P154)によるソース電極130Cの接触抵抗の増大を回避できる。
図14は、第4実施形態における半導体装置100Dの構成を模式的に示す断面図である。第4実施形態の半導体装置100Dは、絶縁膜140に代えて絶縁膜140Dを備える点を除き、第3実施形態の半導体装置100Cと同様である。半導体装置100Dの絶縁膜140Dは、ボディ電極170Bの外縁端より内側にコンタクトホール140hを有する点を除き、第3実施形態の絶縁膜140と同様である。第4実施形態によれば、第3実施形態と同様に、エッチング(工程P154)によるソース電極130Cの接触抵抗の増大を回避できる。
図15は、第5実施形態における半導体装置100Eの構成を模式的に示す断面図である。第5実施形態の半導体装置100Eは、絶縁膜140に代えて絶縁膜140Eを備える点を除き、第3実施形態の半導体装置100Cと同様である。半導体装置100Eの絶縁膜140Eは、2層の絶縁層141,142から成る多層構造を有する。他の実施形態では、絶縁膜140Eは、3層以上の絶縁層から成る多層構造を有してもよい。
図16は、第6実施形態における半導体装置100Fの構成を模式的に示す断面図である。半導体装置100Fは、GaN系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置100Fは、リセス構造を有する横型MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。
図17は、第7実施形態における半導体装置100Gの構成を模式的に示す断面図である。本実施形態では、半導体装置100Gは、横型HFET(Heterostructure Field-Effect Transistor)である。
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
100,100B〜100G…半導体装置
100a〜100h…半導体装置
110,110F…基板
112…半導体層
112F…半導体層
114…半導体層
114F…半導体層
116…半導体層
116F…半導体層
122B…リセス
128…トレンチ
128F…リセス
130,130B,130C,130F…ソース電極
130p…電極
131,132,133…金属層
140,140D,140E,140F,140G…絶縁膜
140h…コンタクトホール
140p…絶縁膜
141,142…絶縁層
143h,145h,146h…コンタクトホール
150,150F,150G…ゲート電極
150p…金属層
160,160F…ドレイン電極
170B…ボディ電極
200…制御回路
C…キャパシタ
CVD…プラズマ
D1…ダイオード
D2…ダイオード
DB…ダイオードブリッジ
E…交流電源
HFET…横型
L…コイル
R…負荷
Tn…負極出力端
Tp…正極出力端
Claims (14)
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体層を形成する工程と、
複数の金属層を積層したオーミック電極を、前記半導体層の上に形成する工程と、
前記複数の金属層における最外層の材質とは異なる種類の他の金属から主に成る他の金属層を、前記オーミック電極の上に形成する工程と、
前記オーミック電極の上から前記他の金属層をエッチングによって除去する工程と、
前記エッチングを行った後、前記オーミック電極に熱処理を加える工程と
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記オーミック電極の上から前記他の金属層をエッチングによって除去する際、前記オーミック電極の上とは異なる部位に前記他の金属層の一部を残すことによって、前記オーミック電極とは異なる他の電極を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチングは、ドライエッチングを含む、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドライエッチングは、塩素を含むガスを用いる、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オーミック電極を前記半導体層の上に形成する工程は、チタン(Ti)とバナジウム(V)との少なくとも1つの金属または合金から主に成る金属層を、前記複数の金属層のうち前記半導体層の上に形成される金属層として形成する工程を含む、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オーミック電極を前記半導体層の上に形成する工程は、アルミニウム(Al)またはアルミニウム(Al)を含有する合金から主に成る金属層を、前記複数の金属層のうち前記最外層とは異なる金属層として形成する工程を含む、請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オーミック電極を前記半導体層の上に形成する工程は、パラジウム(Pd)と金(Au)と白金(Pt)との少なくとも1つの金属または合金から主に成る金属層を、前記最外層として形成する工程を含む、請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記他の金属層を形成する工程は、アルミニウム(Al)またはアルミニウム(Al)を含有する合金から主に成る金属層を、前記他の金属層の少なくとも一部として形成する工程を含む、請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 1分から60分までの間、前記オーミック電極に前記熱処理を加える、請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 400℃から700℃までの雰囲気温度で、前記オーミック電極に前記熱処理を加える、請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 窒素(N2)から主に成る雰囲気ガスを用いて、前記オーミック電極に前記熱処理を加える、請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層は、窒化ガリウム(GaN)から主に成る、請求項1から請求項11までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置。
- 請求項13に記載の半導体装置を備える電力変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015053019A JP6406080B2 (ja) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
US15/055,357 US9685348B2 (en) | 2015-03-17 | 2016-02-26 | Semiconductor device, method of manufacturing the same and power converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015053019A JP6406080B2 (ja) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016174067A true JP2016174067A (ja) | 2016-09-29 |
JP2016174067A5 JP2016174067A5 (ja) | 2017-08-03 |
JP6406080B2 JP6406080B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=56924993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015053019A Active JP6406080B2 (ja) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9685348B2 (ja) |
JP (1) | JP6406080B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7167793B2 (ja) | 2019-03-22 | 2022-11-09 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10217819B2 (en) * | 2015-05-20 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact |
FR3113187B1 (fr) * | 2020-07-28 | 2022-09-02 | Commissariat Energie Atomique | Diode semiconductrice et procédé de fabrication d'une telle diode |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020568A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS647571A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPH03292744A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-12-24 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
JP2011071206A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなる半導体装置およびその製造方法、電力変換装置 |
JP2012109492A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
JP2014057012A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014089993A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014143291A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3154364B2 (ja) | 1994-01-28 | 2001-04-09 | 日亜化学工業株式会社 | n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法 |
EP0952617B1 (en) | 1993-04-28 | 2004-07-28 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
KR101316634B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2013-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
JP2008112834A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
KR100949571B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2010-03-25 | 포항공과대학교 산학협력단 | 광양자테 레이저 및 그 제조 방법 |
KR101718528B1 (ko) * | 2010-08-26 | 2017-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다결정 규소층의 형성 방법, 상기 다결정 규소층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 유기 발광 장치 |
US9305788B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-04-05 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Method of fabricating semiconductor device |
-
2015
- 2015-03-17 JP JP2015053019A patent/JP6406080B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-26 US US15/055,357 patent/US9685348B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020568A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS647571A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPH03292744A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-12-24 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
JP2011071206A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなる半導体装置およびその製造方法、電力変換装置 |
JP2012109492A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
JP2014057012A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014089993A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014143291A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7167793B2 (ja) | 2019-03-22 | 2022-11-09 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6406080B2 (ja) | 2018-10-17 |
US9685348B2 (en) | 2017-06-20 |
US20160276172A1 (en) | 2016-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5200936B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6211804B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2012053071A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006245317A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6330705B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JP6561874B2 (ja) | 縦型トランジスタおよび電力変換装置 | |
US20160260832A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same and power converter | |
TW201737395A (zh) | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
JP2013033918A (ja) | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 | |
JP6406080B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2017135174A (ja) | 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 | |
US9349856B2 (en) | Semiconductor device including first interface and second interface as an upper surface of a convex protruded from first interface and manufacturing device thereof | |
US10497572B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP5673501B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
US20170092754A1 (en) | Semiconductor device and power converter | |
JP2006286698A (ja) | 電子デバイス及び電力変換装置 | |
JP6485299B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
US9831311B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6166508B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2018160668A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
US9653564B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6485303B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JP2013120846A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2016111254A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6176131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6406080 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |