JP2016174067A5 - - Google Patents
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Description
図８は、製造途中（工程Ｐ１４４）にある半導体装置１００ｅの構成を模式的に示す断面図である。本実施形態では、製造者は、ウェットエッチングによって、絶縁膜１４０ｐの部位のうちコンタクトホール１４０ｈに相当する部位を、電極１３０ｐの上から除去する。これによって、製造者は、コンタクトホール１４０ｈを有する絶縁膜１４０が形成された半導体装置１００ｅを得る。他の実施形態において、コンタクトホール１４０ｈをソース電極１３０の外縁端より外側に形成する場合、製造者は、絶縁膜１４０ｐを形成する工程（工程Ｐ１４０）からコンタクトホール１４０ｈを形成する工程（工程Ｐ１４４）までの工程を、トレンチ１２８を形成する工程（工程Ｐ１２０）とソース電極１３０を形成する工程（工程Ｐ１３０）との間に実施してもよい。
図９は、製造途中（工程Ｐ１５０）にある半導体装置１００ｆの構成を模式的に示す断面図である。本実施形態では、製造者は、アルミニウム（Ａｌ）から主に成る金属層１５０ｐを、スパッタリング（sputtering）によって形成する。これによって、製造者は、＋Ｚ軸方向側における表面の全域にわたって金属層１５０ｐが形成された半導体装置１００ｆを得る。
第７実施形態の半導体装置１００Ｇは、リセス１２８Ｆが形成されていない点、絶縁膜１４０Ｆに代えて絶縁膜１４０Ｇを備える点、ゲート電極１５０Ｆに代えてゲート電極１５０Ｇを備える点を除き、第６実施形態の半導体装置１００Ｆと同様である。
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