JP2015195288A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 半導体層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆い、前記ゲート電極の上面及び側面の形状を反映した段差と、前記段差から前記ドレイン電極までの間に位置する平坦部とを表面に有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに、開口部と、前記開口部につながると共にオーバーハング形状を備えた窓を形成する工程と、
前記レジストをマスクとして利用して、前記絶縁膜上に金属材料を被着させ、前記段差の側面から前記平坦部に向けて延在するフィールドプレートを形成する工程と、を備え、
前記窓は、前記段差の側面が前記窓の内側に位置し、前記ゲート電極の前記上面における前記ドレイン電極側の端部が前記窓の外側に位置する関係で設けられ、
前記金属材料は、前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部が、前記ゲート電極の前記上面における前記ドレイン電極側の端部よりも前記ドレイン電極側に位置する関係で被着される、
半導体装置の製造方法。 - 前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部の膜厚は、前記フィールドプレートの前記ドレイン電極側における端部の膜厚よりも厚い、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体層と、
前記半導体層上に設けられるソース電極と、
前記半導体層上に設けられるドレイン電極と、
前記半導体層上に設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極を覆い、前記ゲート電極の上面及び側面の形状を反映した段差と、前記段差から前記ドレイン電極までの間に位置する平坦部とを表面に有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記段差の側面であって前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記側面から前記ドレイン電極に向けて延在するフィールドプレートと、
を備え、
前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部は、前記ゲート電極の前記上面における前記ドレイン電極側の端部よりも前記ドレイン電極側に位置する、
半導体装置。 - 前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部の膜厚は、前記フィールドプレートの前記ドレイン電極側における端部の膜厚よりも厚い、請求項３に記載の半導体装置。
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