JP2013138187A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 酸化物絶縁膜上の、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
   前記ゲート絶縁膜の上面の一部、及び前記ゲート電極層の側面を覆う領域を有する第１の側壁絶縁層と、
   前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う領域を有する第２の側壁絶縁層と、
   前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域、及び前記第２の側壁絶縁層の側面に接する領域を有するソース電極層と、
   前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域、及び前記第２の側壁絶縁層の側面に接する領域を有するドレイン電極層と、
   前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の層間絶縁膜と、を有し、
   前記第１の側壁絶縁層は、側面に凹部を有し、
   前記第１の側壁絶縁層は、酸化アルミニウムを含み、
   前記酸化物半導体膜において、前記ゲート電極層と重ならない領域は、ドーパントを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の側壁絶縁層は、酸化窒化シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記ゲート電極層と前記層間絶縁膜との間に、窒化物絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
4. 第１の酸化物絶縁膜を形成し、
   前記第１の酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体膜にドーパントを導入し、
   前記絶縁膜上及び前記ゲート電極層上に、酸化アルミニウム膜を形成し、
   前記酸化アルミニウム膜上に、第２の酸化物絶縁膜を形成し、
   前記第２の酸化物絶縁膜をエッチングして、前記酸化アルミニウム膜を介して前記ゲート電極層の側面を覆う領域を有する酸化物絶縁層を形成し、
   前記ゲート電極層及び前記酸化物絶縁層をマスクとして、前記酸化アルミニウム膜をエッチングして第１の側壁絶縁層を形成し、
   前記酸化物半導体膜上、前記絶縁膜上、前記ゲート電極層上、及び前記第１の側壁絶縁層上に第３の酸化物絶縁膜を形成し、
   前記第３の酸化物絶縁膜及び前記絶縁膜をエッチングして、前記第１の側壁絶縁層の側面を覆う領域を有する第２の側壁絶縁層及びゲート絶縁膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上、前記ゲート絶縁膜上、前記ゲート電極層上、前記第１の側壁絶縁層上、及び前記第２の側壁絶縁層上に導電膜を形成し、
   前記導電膜上に層間絶縁膜を形成し、
   前記層間絶縁膜及び前記導電膜を、前記ゲート電極層が露出するまで化学的機械研磨法により部分的に除去して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記酸化アルミニウム膜をエッチングする工程において、前記酸化物絶縁層は消失することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記酸化アルミニウム膜を、スパッタリング法を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４又は請求項５において、
   前記第３の酸化物絶縁膜を、化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項４乃至６のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜を形成する前に、前記第１の酸化物絶縁膜表面に平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項４乃至７のいずれか一項において、
   前記酸化アルミニウム膜を形成した後に、前記酸化アルミニウム膜の形成温度以上で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。