JP5935703B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
A1.半導体装置の構成:
図1は、半導体装置10の構成を模式的に示す断面図である。半導体装置10は、窒化ガリウム(GaN)を用いて形成されたGaN系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置10は、トレンチ型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。
図2は、半導体装置10の製造方法を示す工程図である。図3は、N型半導体層140に形成される電極240の中間品240sを示す説明図である。
A3.電極の評価試験:
図4は、ドライエッチングによる接触抵抗の増加に膜厚比T2/T3が及ぼす影響を評価した結果を示すグラフである。図4の評価試験では、発明者は、膜厚比T2/T3が異なる複数の試料を用意し、ドライエッチングの前後で電極240の接触抵抗を測定した。これによって、発明者は、膜厚比T2/T3と、ドライエッチングによる接触抵抗の増加率との関係を確認した。
以上説明した実施形態によれば、エッチングによる接触抵抗の増大を抑制可能な電極240をN型半導体層140に形成できる。その結果、半導体装置10を製造する工程の自由度を向上できる。
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
110…基板
111…界面
112…界面
120…N型半導体層
121…界面
122…界面
130…P型半導体層
131…界面
132…界面
140…N型半導体層
141…界面
142…界面
143…界面
210…電極
230…電極
240…電極
240s…中間品
241…第1の金属層
242…第2の金属層
243…第3の金属層
250…電極
260…電極
330…絶縁膜
340…絶縁膜
Claims (9)
- N型半導体層を備える半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
(a) 窒化ガリウム(GaN)から主に成る前記N型半導体層を形成する工程と、
(b) 前記N型半導体層に電極を形成する工程と
を備え、
前記工程(b)は、
(b1) チタン(Ti)とバナジウム(V)との少なくとも1つの金属または合金から成る第1の金属層を前記N型半導体層に形成する工程と、
(b2) アルミニウム(Al)またはアルミニウム(Al)を含有する合金から成る第2の金属層を前記第1の金属層に積層する工程と、
(b3) パラジウム(Pd)とモリブデン(Mo)との少なくとも1つの金属または合金から成る第3の金属層を前記第2の金属層に積層する工程であって、前記第2の金属層の厚みT2と前記第3の金属層の厚みT3との関係がT2/T3<10を満たすように前記第3の金属層を形成する工程と、
(b4) 2分から10分までの間、前記第1の金属層と前記第2の金属層と前記第3の金属層とを焼成することによって、前記電極を形成する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b3)は、T2/T3≦6を満たすように前記第3の金属層を形成する工程である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b3)は、T2/T3≦4を満たすように前記第3の金属層を形成する工程である、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b1)は、前記第1の金属層の厚みが5nm以上になるように前記第1の金属層を形成する工程である、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b2)は、前記厚みT2が100nm以上になるように前記第2の金属層を形成する工程である、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b4)は、2分から5分までの間、前記第1の金属層と前記第2の金属層と前記第3の金属層とを焼成することによって、前記電極を形成する工程である、請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b4)は、窒素(N2)から主に成る450〜700℃の雰囲気ガスを用いて、前記第1の金属層と前記第2の金属層と前記第3の金属層とを焼成することによって、前記電極を形成する工程である、請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b4)は、窒素(N 2 )から主に成る500〜650℃の雰囲気ガスを用いて、前記第1の金属層と前記第2の金属層と前記第3の金属層とを焼成することによって、前記電極を形成する工程である、請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(b4)は、窒素(N 2 )から主に成る550〜600℃の雰囲気ガスを用いて、前記第1の金属層と前記第2の金属層と前記第3の金属層とを焼成することによって、前記電極を形成する工程である、請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013010746A JP5935703B2 (ja) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014143291A JP2014143291A (ja) | 2014-08-07 |
JP5935703B2 true JP5935703B2 (ja) | 2016-06-15 |
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ID=51424371
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JP2013010746A Active JP5935703B2 (ja) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5935703B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6237553B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-11-29 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6406080B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2018-10-17 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6369366B2 (ja) | 2015-03-26 | 2018-08-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003050849A2 (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-19 | Hrl Laboratories, Llc | High power-low noise microwave gan heterojunction field effet transistor |
JP2010212406A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4676577B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2011-04-27 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014143291A (ja) | 2014-08-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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