JP2015204335A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体層と少なくとも一部においてショットキー接合する電極層であり、主にニッケルから形成される第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層を形成後、熱処理を行なう工程と、前記熱処理の後、主に、パラジウム、白金、およびイリジウムから選ばれる少なくとも1つの金属から形成される第2の電極層を、前記第1の電極層の上に形成する工程と、を含む。
【選択図】図2
Description
A−1.半導体装置の構成
図1は、第1実施形態における半導体装置10の構成を模式的に示す断面図である。図1には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。
図2は、半導体装置10の製造方法を示す工程図である。半導体装置10を製造する際には、製造者は、工程P110において、エピタキシャル成長によって基板110の上に半導体層120を形成する。
ショットキー電極192の端部と配線層160の端部との距離sを、図7に示す。ショットキー電極192の絶縁層180からの剥離を十分に抑制する観点から、距離sの下限は、3μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、10μm以上がさらに好ましい。一方、距離sが長すぎる場合、半導体装置10のサイズが大きくなり、製造コストが増大する。このため、距離sの上限は、1mm以下が好ましい。本実施形態において、距離sは10μmとする。
図8は、半導体層とショットキー電極とのバリア高さの評価結果を示すグラフである。図8の評価試験では、半導体装置として複数の試作例を用意し、半導体層とショットキー電極とのバリア高さを測定した。
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
110…基板
120…半導体層
121…界面
160…配線層
170…バリアメタル層
180…絶縁層
181…第1の絶縁層
182…第2の絶縁層
185…開口部
192…ショットキー電極
193…ニッケル層
194…パラジウム層
198…裏面電極
L…側壁
r…距離
s…距離
Claims (5)
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体層と少なくとも一部においてショットキー接合する電極層であり、主にニッケルから形成される第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層を形成後、熱処理を行なう工程と、
前記熱処理の後、主に、パラジウム、白金、およびイリジウムから選ばれる少なくとも1つの金属から形成される第2の電極層を、前記第1の電極層の上に形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の電極層は、膜厚が10nm以上200nm以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の製造方法であって、
前記半導体層は、主に窒化ガリウムから形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2の電極層の膜厚は、前記第1の電極層の膜厚以上である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9972725B2 (en) | 2016-09-02 | 2018-05-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
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-
2014
- 2014-04-11 JP JP2014082150A patent/JP2015204335A/ja not_active Withdrawn
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