JP2011066409A5 - 半導体装置のパターン構造物 - Google Patents

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  1. 基板上に形成され、データを伝送するラインパターンユニットと、
    前記ラインパターンユニットに連結され、前記データを受信及び出力するパッドであって、その形状を限定する周辺ラインと前記周辺ラインに形成される凹部とを含む前記パッドと、を具備することを特徴とする半導体装置のパターン構造物。
  2. 前記ラインパターンユニットは、
    ラインパターンと、
    前記ラインパターンと前記パッドとの間に配置され、前記ラインパターン及び前記パッドのうち、少なくとも一つと異なる幅を有する延長ラインと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  3. 前記ラインパターンは前記延長ラインに連結され、前記延長ラインに対して前記パッドと対向するように配置され、
    前記延長ラインは、前記ラインパターン及び前記パッドのうち、少なくとも一つと異なる方向に沿って配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置のパターン構造物。
  4. 前記延長ラインは、前記周辺ラインの対向する端部に連結される2つのライン端部を含み、前記パッドの周辺ラインの該当する対向端部の幅と同じ幅を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置のパターン構造物。
  5. 前記延長ラインは所定の幅を有し、
    前記パッドは、前記ラインパターンに対して前記延長ラインの幅と異なる可変的な幅を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置のパターン構造物。
  6. 前記パッドの凹部は、前記延長ラインに隣接するように配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置のパターン構造物。
  7. 前記周辺ラインは、前記延長ラインに直接連結される一側端部と、前記凹部を通じて前記延長ラインに連結される他側端部とを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置のパターン構造物。
  8. 前記パッドは、一定の幅を有する第1部分と前記凹部の配置に沿う方向に可変的な幅を有する第2部分を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  9. 前記パッドの周辺ラインは前記パッドの領域を形成し、
    前記パッドの領域は、前記パッド領域の幅が前記ラインパターンユニットの長手方向に対して平行となる方向に沿って変化しない第1部分と、前記ラインパターンユニットからの距離によって前記ラインパターンユニットの長手方向に対して平行となる方向に沿って変化する第2部分とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  10. 前記パッドは前記周辺ラインを前記ラインパターンユニットに連結する連結部を含み、
    前記連結部は第1領域で湾曲し、
    前記凹部は前記第1領域より大きい第2領域で湾曲することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  11. 前記パッドは、前記ラインパターンユニットと前記周辺ラインの一側端部との間に連結される第1端部と、前記ラインパターンユニットと前記凹部の一側端部との間に連結される第2端部とを有する連結部を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  12. 前記凹部と前記周辺ラインとの間に配置される突出部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  13. 前記凹部と前記周辺ラインから長さ方向に突出する突出部とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のパターン構造物。
  14. 第1ラインパターン、前記第1ラインパターンから延長する第1延長ライン、そして前記第1延長ラインに連結され、第1周辺ライン、第1凹部、及び前記第1周辺ラインと前記第1凹部との間に配置される第1突出部を有する第1パッドとを含む第1パターン構造物と、
    前記第1パターン構造物に隣接するように配置され、第2ラインパターン、前記第2ラインパターンから延長する第2延長ライン、そして前記第2延長ラインに連結され、第2周辺ライン、第2凹部、及び前記第2周辺ラインと前記第2凹部との間に配置される第2突出部を有する第2パッドとを含む第2パターン構造物と、を具備することを特徴とする半導体装置のパターン構造物。
  15. 第1方向に配置され、前記第1方向に対して角度を有する第2方向に沿って第1幅を有する第1ラインパターンと、前記第2方向に沿って前記第1ラインパターンから延び、前記第1方向に沿って前記第1幅より広い第2幅を有する第1延長ラインと、前記第1延長ラインの端部上に形成され、前記第2幅より広い第3幅を有する第1パッドとを含み、コントローラに連結される第1パターン構造物と、
    基板上に配置され、第4幅を有する第2ラインパターンと、前記第2ラインパターンの端部から延び、第5幅を有する第2延長ラインと、前記第2延長ラインの端部上に形成され、第6幅と前記第6幅より狭い第7幅を有する第2パッドと、前記第7幅の第2パッドの一部から突出する突出部とを含み、前記第1パターン構造物に向かい合うように配置され、前記コントローラに連結される第2パターン構造物と、を具備することを特徴とする半導体装置のパターン構造物。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8751977B2 (en) * 2010-11-18 2014-06-10 Texas Instruments Incorporated Method for generating ultra-short-run-length dummy poly features
KR101827893B1 (ko) 2012-02-22 2018-02-09 삼성전자주식회사 도전 라인 구조물 및 그 형성 방법
US8953336B2 (en) * 2012-03-06 2015-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Surface metal wiring structure for an IC substrate
US8980762B2 (en) * 2012-08-31 2015-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device
KR20140064458A (ko) * 2012-11-20 2014-05-28 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 장치
US9378979B2 (en) 2012-11-20 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating semiconductor devices and devices fabricated thereby
KR102059183B1 (ko) 2013-03-07 2019-12-24 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 장치
TW201530726A (zh) * 2014-01-29 2015-08-01 Eorex Corp 記憶體與記憶體儲存裝置
JP2015176573A (ja) * 2014-03-18 2015-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法
KR20160022637A (ko) 2014-08-20 2016-03-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리 소자의 제조 방법
KR20160084236A (ko) * 2015-01-05 2016-07-13 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20160120964A (ko) 2015-04-09 2016-10-19 삼성전자주식회사 반도체 소자
CN106340519B (zh) * 2015-07-07 2019-11-29 旺宏电子股份有限公司 半导体装置及其制造方法
US9911693B2 (en) * 2015-08-28 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices
TWI704647B (zh) 2015-10-22 2020-09-11 聯華電子股份有限公司 積體電路及其製程
KR20170091833A (ko) 2016-02-01 2017-08-10 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
KR20170120895A (ko) 2016-04-22 2017-11-01 삼성전자주식회사 집적회로 소자 및 그 제조 방법
KR102467884B1 (ko) * 2018-03-30 2022-11-16 에스케이하이닉스 주식회사 패턴 형성 방법 및 그를 이용한 반도체장치 제조 방법
JP2020047634A (ja) * 2018-09-14 2020-03-26 キオクシア株式会社 パターン形成方法、マスタテンプレートおよびテンプレートの製造方法
CN111640658B (zh) * 2019-03-01 2023-04-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法
CN113611702B (zh) * 2021-08-04 2023-07-18 福建省晋华集成电路有限公司 半导体存储装置及半导体装置的形成方法
US20230043973A1 (en) * 2021-08-04 2023-02-09 Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. Semiconductor memory device and method of forming semiconductor device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2894254B2 (ja) * 1995-09-20 1999-05-24 ソニー株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP3706533B2 (ja) 2000-09-20 2005-10-12 三洋電機株式会社 半導体装置および半導体モジュール
US7173336B2 (en) 2000-01-31 2007-02-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP4979154B2 (ja) * 2000-06-07 2012-07-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2001358215A (ja) * 2000-06-16 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6987323B2 (en) * 2002-02-05 2006-01-17 Oki Electric Industry Co., Ltd. Chip-size semiconductor package
JP4103497B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-18 ソニー株式会社 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
US6858944B2 (en) * 2002-10-31 2005-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Bonding pad metal layer geometry design
KR100584965B1 (ko) 2003-02-24 2006-05-29 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조 방법
KR20060113162A (ko) 2005-04-29 2006-11-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR100850216B1 (ko) 2007-06-29 2008-08-04 삼성전자주식회사 더블 패터닝 공정을 이용하는 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법
KR100790998B1 (ko) * 2006-10-02 2008-01-03 삼성전자주식회사 셀프 얼라인 더블 패터닝법을 사용한 패드 패턴 형성 방법 및 셀프 얼라인 더블 패터닝법을 사용한 콘택홀 형성방법
KR100810616B1 (ko) 2006-10-02 2008-03-06 삼성전자주식회사 미세 선폭의 도전성 라인들을 갖는 반도체소자 및 그제조방법
JP2008098271A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Rohm Co Ltd 検査用パッド
KR100843236B1 (ko) 2007-02-06 2008-07-03 삼성전자주식회사 더블 패터닝 공정을 이용하는 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법
KR100914289B1 (ko) 2007-10-26 2009-08-27 주식회사 하이닉스반도체 스페이서를 이용한 반도체 메모리소자의 패턴 형성방법

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