JP2011165858A5 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011165858A5
JP2011165858A5 JP2010026424A JP2010026424A JP2011165858A5 JP 2011165858 A5 JP2011165858 A5 JP 2011165858A5 JP 2010026424 A JP2010026424 A JP 2010026424A JP 2010026424 A JP2010026424 A JP 2010026424A JP 2011165858 A5 JP2011165858 A5 JP 2011165858A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
comb
pad
power supply
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010026424A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011165858A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010026424A priority Critical patent/JP2011165858A/ja
Priority claimed from JP2010026424A external-priority patent/JP2011165858A/ja
Priority to US13/023,565 priority patent/US20110193215A1/en
Publication of JP2011165858A publication Critical patent/JP2011165858A/ja
Publication of JP2011165858A5 publication Critical patent/JP2011165858A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (19)

  1. 半導体チップを搭載し、前記半導体チップとワイヤボンディングによる接続を有する半導体装置であって、
    前記半導体装置は前記ワイヤボンディングの接続点であるグラウンドパッドを表層に有し、
    前記グラウンドパッドは前記半導体装置表層上で突出する櫛歯状グラウンドパッドを有し、
    前記櫛歯状グラウンドパッドに2以上のグラウンドワイヤが接続されることを特徴とする半導体装置
  2. 請求項1記載の半導体装置において、更に2以上の電源ワイヤが接続される電源パッドを有し、
    前記2以上のグラウンドワイヤの一のグラウンドワイヤと前記2以上の電源ワイヤの一の電源ワイヤは略平行かつ略同長の組みを構成することを特徴とする半導体装置
  3. 請求項2記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドは2以上存在し、
    前記電源パッドは2つの前記櫛歯状グラウンドパッドに挟まれるように前記半導体装置表層に配置されることを特徴とする半導体装置
  4. 請求項1記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドに接続される前記2以上のグラウンドワイヤの長さが前記半導体チップ側のワイヤパッドの間隔以上に差があることを特徴とする半導体装置
  5. 請求項4記載の半導体装置において、
    前記櫛歯状のグラウンドパッドの一部が電源パッドと平行する部分の2倍以上の長さを有し、
    前記2倍以上の長さを有する櫛歯状グラウンドパッドの先端側に前記半導体チップから前記グラウンドワイヤとは異なる長さのグラウンドワイヤが接続され、
    前記2倍以上の長さを有する櫛歯状グラウンドパッドの先端側に接続されたグラウンドワイヤと平行になるように信号ワイヤが配置されることを特徴とする半導体装置
  6. 請求項5記載の半導体装置において、さらに前記半導体装置表層上にI/O電源用パッドを有し、
    前記信号ワイヤと平行になるように前記I/O電源用パッドにI/O電源ワイヤが接続されていることを特徴とする半導体装置
  7. 請求項6記載の半導体装置において、
    前記電源パッドの前記半導体装置の外周側に接触するように電源ビアホールを有し、
    前記I/O電源用パッドの半導体チップ側に接触するようにI/O電源ビアホールを有し、
    前記電源ビアホールあるいは前記I/O電源ビアホール近傍の前記櫛歯状グラウンドパッドにグラウンドビアホールを有することを特徴とする半導体装置
  8. 請求項7記載の半導体装置において、
    前記I/O電源ワイヤ及び前記I/O電源ワイヤと平行かつ等しい長さである前記グラウンドワイヤは長いワイヤと短いワイヤが交互に配置され、
    前記信号ワイヤ及び、前記信号ワイヤと前記I/O電源ワイヤに平行かつ等しい長さであるグラウンドワイヤは長いワイヤと短いワイヤが交互に配置されることを特徴する半導体装置
  9. 半導体チップを搭載し、前記半導体チップとワイヤボンディングによる接続を有する半導体装置であって、
    前記半導体装置は前記ワイヤボンディングの接続点であるグラウンドパッド、及び電源パッドを表層に有し、
    前記グラウンドパッドは前記半導体装置表層上で突出する櫛歯状グラウンドパッドを有し、
    前記電源パッドは前記半導体装置表層上で突出する櫛歯状電源パッドを有し、
    前記櫛歯状グラウンドパッド及び前記櫛歯状電源パッドが前記半導体装置の周方向で隣接することを特徴とする半導体装置
  10. 請求項9記載の半導体装置において、前記グラウンドパッドを前記半導体装置の内周側に、前記電源パッドを前記半導体装置の外周側に配置することを特徴とする半導体装置
  11. 請求項10記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッド及び前記櫛歯状電源パッドにはそれぞれ長さの異なるワイヤが2本配置され、
    前記櫛歯状グラウンドパッドに配置された2本のワイヤ及び前記櫛歯状電源パッドに配置された2本のワイヤは長さの長いワイヤと長さの短いワイヤが交互になることを特徴とする半導体装置
  12. 請求項11記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッド及び前記櫛歯状電源パッドの形状がチップ端に対して斜めとなる略平行四辺形の形状を持つことを特徴とする半導体装置
  13. 請求項10記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドには2種類の長さを持つワイヤが計4本配置され、
    前記櫛歯状グラウンドパッドに配置された長いワイヤの接続点と短いワイヤの接続点の間にグラウンド接続用のビアホールが配置されることを特徴とする半導体装置
  14. 請求項13記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドをチップ端に対して斜めとなった平行四辺形とし、同じ前記櫛歯状グラウンドパッドに接続された4本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状グラウンドパッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置
  15. 請求項13記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドをチップ端に対して斜めとなった台形とし、同じ前記櫛歯状グラウンドパッドに接続された4本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状グラウンドパッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置
  16. 請求項10記載の半導体装置において、前記櫛歯状電源パッドには2種類の長さを持つワイヤが計4本配置され、
    前記櫛歯状電源パッドに配置された長いワイヤの接続点と短いワイヤの接続点の間に電源接続用のビアホールが配置されることを特徴とする半導体装置
  17. 請求項16記載の半導体装置において、前記櫛歯状電源パッドをチップ端に対して斜めとなった平行四辺形とし、同じ前記櫛歯状電源パッドに接続された4本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状電源パッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置
  18. 請求項16記載の半導体装置において、前記櫛歯状電源パッドをチップ端に対して斜めとなった台形とし、同じ前記櫛歯状電源パッドに接続された4本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状電源パッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置
  19. 請求項9ないし18のいずれか1項に記載の半導体装置において、
    前記半導体チップの表層にワイヤパッドに接続した配線を持ち、前記半導体チップ内配線との接続箇所において電源とグラウンドが交互になるように配置することを特徴とする半導体装置
JP2010026424A 2010-02-09 2010-02-09 半導体パッケージ Withdrawn JP2011165858A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010026424A JP2011165858A (ja) 2010-02-09 2010-02-09 半導体パッケージ
US13/023,565 US20110193215A1 (en) 2010-02-09 2011-02-09 Semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010026424A JP2011165858A (ja) 2010-02-09 2010-02-09 半導体パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011165858A JP2011165858A (ja) 2011-08-25
JP2011165858A5 true JP2011165858A5 (ja) 2012-10-04

Family

ID=44353043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010026424A Withdrawn JP2011165858A (ja) 2010-02-09 2010-02-09 半導体パッケージ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110193215A1 (ja)
JP (1) JP2011165858A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165858A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Renesas Electronics Corp 半導体パッケージ
JP6361508B2 (ja) * 2013-02-01 2018-07-25 ソニー株式会社 半導体集積回路
US9554453B2 (en) * 2013-02-26 2017-01-24 Mediatek Inc. Printed circuit board structure with heat dissipation function
JP2014229679A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社リコー 半導体装置
JP6867268B2 (ja) 2017-10-13 2021-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5672909A (en) * 1995-02-07 1997-09-30 Amkor Electronics, Inc. Interdigitated wirebond programmable fixed voltage planes
JP3111974B2 (ja) * 1998-04-28 2000-11-27 日本電気株式会社 半導体装置用基板
US5903050A (en) * 1998-04-30 1999-05-11 Lsi Logic Corporation Semiconductor package having capacitive extension spokes and method for making the same
JP2000260809A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp 半導体装置のパッケージ
US6677637B2 (en) * 1999-06-11 2004-01-13 International Business Machines Corporation Intralevel decoupling capacitor, method of manufacture and testing circuit of the same
JP2001168223A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2002313937A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Sony Corp 集積回路装置
US7408196B2 (en) * 2002-12-25 2008-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US7489519B1 (en) * 2008-04-15 2009-02-10 International Business Machines Corporation Power and ground ring snake pattern to prevent delamination between the gold plated ring and mold resin for wirebond PBGA
JP5402355B2 (ja) * 2009-07-28 2014-01-29 ソニー株式会社 シャントスイッチ、半導体デバイス、モジュールおよび電子機器
JP2011165858A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Renesas Electronics Corp 半導体パッケージ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011165858A5 (ja) 半導体装置
JP2011066409A5 (ja) 半導体装置のパターン構造物
JP2009194059A5 (ja)
JP2008227531A5 (ja)
JP2014103148A5 (ja)
JP2010245417A5 (ja) 半導体装置
JP2013522887A5 (ja)
TW201614747A (en) Wire bond sensor package and method
JP2009192309A5 (ja)
JP2011129920A5 (ja)
JP2015015270A5 (ja)
JP2012209396A5 (ja)
JP2015153928A5 (ja)
JP2013042117A5 (ja)
JP2010287737A5 (ja)
JP2015119093A5 (ja)
JP2009158999A5 (ja)
JP2008091927A5 (ja)
JP2013222782A5 (ja)
JP2011023528A5 (ja)
JP2014030321A5 (ja)
JP2018198266A5 (ja)
JP2012134257A5 (ja)
JP2014107398A5 (ja)
JP2010278104A5 (ja)