JP2014229679A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、回路に安定的に電流を供給するため、半導体チップ内の電源グラウンド間に、キャパシタを挿入することがある。さらに、回路内には電源グラウンド間に寄生容量も存在する。
また、特許文献2においては、接地用の2つのパッドの間に同一回路に接続させた他のパッドを介在させて、2つのパッドを相互に離間して配置し、該2つのパッドを外部装置において接地した半導体装置が提案されている。
また、特許文献3においては、電源用金属細線と、1つのグランド用金属配線と、それら電源用およびグランド用金属細線で挟まれた信号用金属細線とで1組ずつとして、それぞれの金属細線の組内では、金属細線がほぼ平行でほぼ同一の長さになるようにワイヤボンディングすることが記載されている。
該基板上に搭載され、少なくとも電源パッドおよびグラウンドパッドが配置される半導体チップと、を備えた半導体装置であって、
前記電源パッドと前記グラウンドパッドとの間には、他のパッドが配置され、
前記電源パッドと前記電源パターンは、電源ワイヤで結線されるとともに、前記グラウンドパッドと前記グラウンドパターンは、グラウンドワイヤで結線され、
前記グラウンドパターンは、前記半導体チップに隣接して設けられる第1のグラウンドパターン、および前記半導体チップに対し前記第1のグラウンドパターンより外側に設けられた第2のグラウンドパターンを備え、
前記グラウンドワイヤは、前記グラウンドパッドと前記第1のグラウンドパターンとを結線する第1のグラウンドワイヤ、および前記電源ワイヤと互いに磁界が打ち消される位置に配置されて、前記第1のグラウンドパターンと前記第2のグラウンドパターンとを結線する第2のグラウンドワイヤを備えることを特徴とする。
図1に、従来の半導体装置の一例の概略平面図を示す。図2に、従来のインダクタンス低減方法を採用した半導体装置の概略平面図を示す。図3に、本発明の実施形態の半導体装置の一例の概略平面図を示す。
電源パッド15と電源パターン16は、電源ワイヤ17で結線されるとともに、グラウンドパッド16とグラウンドパターン14は、グラウンドワイヤ18で結線される。
グラウンドパターン14は、半導体チップ12に隣接して設けられている。グラウンドパターン14は、例えば、グラウンドパターン14をさらに延長して形成したリード、あるいは基板11の裏面に設けられた端子等に接続されて接地される。
半導体チップ12上に設けられるパッドには、電源パッド15、グラウンドパッド16の他、信号入力用のパッドがある。その信号入力用のパッドは、電源パッド等と同様に、基板11上に形成された信号入力用のリード(不図示)にワイヤにより接続される。
また、電源ワイヤ17およびグラウンドワイヤ18は、直径数十μmの金属リボンが用いられる。材料としては主に金(Au)が用いられる。
この半導体装置は、図2に示すように、半導体チップ12上の電源パッド15とグラウンドパッド16とを隣接して配置し、電源ワイヤ17とグラウンドワイヤ18を並走させている。このような配置にすることにより、電源ワイヤ17とグラウンドワイヤ18の電流位相は通常180°異なっているため、それぞれのワイヤが作り出す磁界が互いに打ち消しあい、インダクタンスを低減させることができる。このとき、電源ワイヤ17とグラウンドワイヤ18を近接させればさせるほど磁界を打ち消しあう効果が大きくなる。
そこで、発明者は、電源パッドとグラウンドパッドの位置に関係無く、インダクタンスを低減することが可能な半導体装置を発明するに至った。
以下、本発明の実施形態について説明する。
第1のグラウンドパターン24aは、半導体チップ22に隣接して設けられている。また、第2のグラウンドパターン24bは、半導体チップ22に対し第1のグラウンドパターン24aより外側に設けられている。
電源ワイヤ27は、電源パッド25と電源パターン26とを結線する。
第1のグラウンドワイヤ28は、グラウンドパッド26と第1のグラウンドパターン24aとを結線する。第2のグラウンドワイヤ29は、電源ワイヤ27と互いに磁界が打ち消される位置に配置されて、第1のグラウンドパターン24aと第2のグラウンドパターン24bとを結線する。
第1のグラウンドパターン24a、および第2のグラウンドパターン24bは、例えば、第1のグラウンドパターン24a、第2のグラウンドパターン24bをさらに延長して形成したリード、あるいは基板21の裏面に設けられた端子等に接続される。これにより、半導体チップ22を接地している。
したがって、電源ワイヤ27と第2のグラウンドワイヤ29は電流位相が180°異なっているため、それぞれのワイヤが作り出す磁界を互いに打ち消し合い、インダクタンスを低減させることができる。
磁界を打ち消す効果は、第2のグラウンドワイヤ29と電源ワイヤ27とを近接させればさせるほど大きくなる。このため、第2のグラウンドパターン24bと電源ワイヤ27とは、互いに磁界が打ち消される位置に近接して配置されることが望ましい。この場合、ワイヤボンディングの能力制限を考慮して近接させる。
また、第2のグラウンドパターン24bの形成位置は、電源ワイヤ27が電源パターン23に結線される位置より外側に設けてもよい。これにより、第2のグラウンドワイヤ29をより近接させることが可能である。
ここで、「平行に」とは、一方のワイヤが他方のワイヤの磁界を打消し合う効果を最大に引き出すことが可能な程度の平行性を有していれば良く、厳密な平行性を意味するものではない。
本発明の電磁界シミュレーション結果は、図7(a)に示すように、インピーダンスが100[MHz]で2.4654[Ω]となった。なお、0[Hz]におけるインピーダンスは、0.4548[Ω]であった。
一方、従来技術の場合、電磁界シミュレーション結果は、図7(b)に示すように、100[MHz]で3.2607[Ω]であった。なお、0[Hz]におけるインピーダンスは、0.4513[Ω]であった。
L=√(Z2−R2)/ω
L:インダクタンス[nH]
Z:インピーダンス[Ω]
R:ワイヤの抵抗値[Ω]
ω:周波数[Hz]
このように、本発明の半導体装置によれば、良好にインダクタンスの低減を実現することがわかった。
12、22 半導体チップ
13、23 電源パターン
15、25 電源パッド
16、26 グラウンドパッド
17、27 電源ワイヤ
24a 第1のグラウンドパターン
24b 第2のグラウンドパターン
28 第1のグラウンドワイヤ
29 第2のグラウンドワイヤ
31 グラウンドプレーン層
41 金ワイヤ
Claims (4)
- 少なくとも電源パターンおよびグラウンドパターンが配置される基板と、
該基板上に搭載され、少なくとも電源パッドおよびグラウンドパッドが配置される半導体チップと、を備えた半導体装置であって、
前記電源パッドと前記グラウンドパッドとの間には、他のパッドが配置され、
前記電源パッドと前記電源パターンは、電源ワイヤで結線されるとともに、前記グラウンドパッドと前記グラウンドパターンは、グラウンドワイヤで結線され、
前記グラウンドパターンは、前記半導体チップに隣接して設けられる第1のグラウンドパターン、および前記半導体チップに対し前記第1のグラウンドパターンより外側に設けられた第2のグラウンドパターンを備え、
前記グラウンドワイヤは、前記グラウンドパッドと前記第1のグラウンドパターンとを結線する第1のグラウンドワイヤ、および前記電源ワイヤと互いに磁界が打ち消される位置に配置されて、前記第1のグラウンドパターンと前記第2のグラウンドパターンとを結線する第2のグラウンドワイヤを備える
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2のグラウンドパターンは、前記電源パターンの領域内に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記他のパッドは、外部からの信号入力用のパッドであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1のグラウンドワイヤは、前記グラウンドパッドと前記第1のグラウンドパターンとを最短距離で結線することを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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