JP2015119093A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成された第1半導体領域と、
   前記第１半導体領域内に二次元状に複数形成され、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第２半導体領域と、
   個々の前記第２半導体領域にそれぞれ電気的に接続された複数のクエンチング抵抗と、
   複数の前記クエンチング抵抗に電気的に接続された信号読出配線と、
   を備え、
   前記半導体基板と前記第１半導体領域との間の界面、又は、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との間の界面において、ガイガーモードで動作するＡＰＤを構成するｐｎ接合が形成された光検出器であって、
   前記クエンチング抵抗は、前記第２半導体領域上に位置しており、且つ、
   平面視において、
   前記信号読出配線は、
   個々の前記第２半導体領域の周囲をリング状に囲むと共に、
   前記第２半導体領域と前記第１半導体領域との間の境界線を覆っている、
   ことを特徴とする光検出器。
2. 平面視において、
   前記信号読出配線は、
   前記第２半導体領域と前記第１半導体領域との間の境界線を全て覆っている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光検出器。
3. 平面視において、
   前記信号読出配線は、
   前記第２半導体領域と前記第１半導体領域との間の境界線のうち一部のみを覆っており、
   前記信号読出配線における前記覆っている部分の前記信号読出配線の幅方向の寸法は、この部分に隣接する部分の幅方向の寸法よりも大きい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光検出器。
4. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成された第1半導体領域と、
   前記第１半導体領域内に二次元状に複数形成され、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第２半導体領域と、
   個々の前記第２半導体領域にそれぞれ電気的に接続された複数のクエンチング抵抗と、
   複数の前記クエンチング抵抗に電気的に接続された信号読出配線と、
   を備え、
   前記半導体基板と前記第１半導体領域との間の界面、又は、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との間の界面において、ガイガーモードで動作するＡＰＤを構成するｐｎ接合が形成された光検出器であって、
   前記クエンチング抵抗は、前記第２半導体領域上に位置しており、且つ、
   平面視において、
   前記信号読出配線は、個々の前記第２半導体領域の周囲をリング状に囲むと共に、
   個々の前記クエンチング抵抗は、屈曲すること無く直線的に延びている、
   ことを特徴とする光検出器。