JP2015012174A5 - - Google Patents
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Description
本開示の光電変換装置は、活性領域と、前記活性領域を規定する絶縁体からなる分離部が設けられた半導体基板を有し、前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間に設けられ、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間に設けられ、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極を有する光電変換装置であって、前記半導体基板の表面への平面視において、前記第１のゲート電極の前記活性領域に位置する部分の前記第１の半導体領域の側の第１の辺の長さは、前記第１の辺に沿った前記活性領域の長さよりも短く、かつ、前記第１の辺に沿った前記第１の半導体領域の長さよりも長い。
Claims (11)
- 活性領域と、前記活性領域を規定する絶縁体からなる分離部が設けられた半導体基板を有し、
前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、
前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、
前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、
前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間に設けられ、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、
前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間に設けられ、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極を有する光電変換装置であって、
前記半導体基板の表面への平面視において、前記第１のゲート電極の前記活性領域に位置する部分の前記第１の半導体領域の側の第１の辺の長さは、前記第１の辺に沿った前記活性領域の長さよりも短く、かつ、前記第１の辺に沿った前記第１の半導体領域の長さよりも長いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記平面視において、前記第２のゲート電極の前記活性領域に位置する部分の前記第２の半導体領域の側の第２の辺の長さは、前記第２の辺に沿った前記活性領域の幅よりも短く、かつ、前記第２の辺に沿った前記第２の半導体領域の長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
- 前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域との間には、第２導電型の半導体領域が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
- 前記第１の半導体領域の上に設けられた第２導電型の第８の半導体領域と、前記第２の半導体領域の上に設けられた第２導電型の第９の半導体領域を有し、
前記第８の半導体領域と前記第９の半導体領域は接しており、
前記平面視において、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間に延在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記分離部は、前記分離部の上に前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極が位置し、前記活性領域の前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に位置する部分を含む第１の領域と、前記第１の領域以外の第２の領域を含み、
前記第１の領域における第２導電型の不純物濃度は、前記第２の領域における第２導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記第１の領域は、前記分離部の上に前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極が位置する部分を含む請求項５に記載の光電変換装置。
- 前記分離部の端部を覆うように設けられた第２導電型の第５の半導体領域を有し、
前記第５の半導体領域は、前記第２の領域に設けられ、前記第１の領域に設けられていないことを特徴とする請求項５又は６に記載の光電変換装置。 - 前記分離部は、前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に位置し、
前記分離部の端部は、前記第１の辺と、前記第１のゲート電極の前記第３の半導体領域の側の第３の辺との間に位置することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記第１の光電変換素子及び前記第２の光電変換素子に対して、１つのマイクロレンズが設けられている請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
- 活性領域と、前記活性領域を規定する絶縁体からなる分離部が設けられた半導体基板を有し、
前記活性領域に位置し、第１の光電変換素子を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記活性領域に位置し、第２の光電変換素子を構成する第１導電型の第２の半導体領域と、
前記活性領域に位置する第１導電型の第３の半導体領域と、
前記活性領域に位置する第１導電型の第４の半導体領域と、
前記活性領域の前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域の間に設けられ、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域と第１の転送トランジスタを構成する第１のゲート電極と、
前記活性領域の前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域の間に設けられ、前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域と第２の転送トランジスタを構成する第２のゲート電極と、
前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子に対して設けられる１つのマイクロレンズを含む光電変換装置において、
前記分離部の一部は、前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に位置し、
前記分離部の外縁を構成する辺は、前記第１のゲート電極の前記第１の半導体領域の側の第１の辺と同一、前記第１のゲート電極の前記第３の半導体領域の側の第２の辺と同一、あるいは前記第１の辺と前記第２の辺の間に位置することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理部を有する撮像システム。
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