JP5869293B2 - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5869293B2 JP5869293B2 JP2011229911A JP2011229911A JP5869293B2 JP 5869293 B2 JP5869293 B2 JP 5869293B2 JP 2011229911 A JP2011229911 A JP 2011229911A JP 2011229911 A JP2011229911 A JP 2011229911A JP 5869293 B2 JP5869293 B2 JP 5869293B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- semiconductor
- signal
- peak value
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 170
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 100
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 50
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 15
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 30
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Description
蓋体SCbは、有底筒体SCaに開閉自在に取り付けられている。
Claims (8)
- 側面部及び底面部を有し、前記側面部と前記底面部とで被測定物の収容空間を画成する収容部と、
少なくとも前記側面部を囲むように前記収容部に配置された第一シンチレータと、
前記収容部に配置され、前記第一シンチレータよりも小さい第二シンチレータと、
前記第一シンチレータからのシンチレーション光を検出する複数の第一半導体光検出素子と、
前記第二シンチレータからのシンチレーション光を検出する少なくとも一つの第二半導体光検出素子と、
前記複数の第一半導体光検出素子毎に設けられ、対応する前記第一半導体光検出素子からの出力信号に基づいてシンチレーション光の発光を計数して計数信号を出力する複数の計数手段と、
前記第二半導体光検出素子からの出力信号の波高値を計測して波高値計測信号を出力する波高値計測手段と、を備え、
前記第二シンチレータが、前記底面部に配置されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記第一シンチレータが、前記側面部に配置された第一部分と、前記底面部に配置された第二部分と、からなり、
前記複数の第一半導体光検出素子が、前記第一部分と前記第二部分とにそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記第一シンチレータが、前記側面部に配置された第一部分と、前記底面部に配置された第二部分と、からなり、
前記複数の第一半導体光検出素子が、前記第一部分と前記第二部分との角部に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記第一シンチレータが、前記側面部に配置された第一部分からなり、
前記複数の第一半導体光検出素子が、前記第一部分の端部に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記第一シンチレータが、プラスチックシンチレータであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線検出装置。
- 前記プラスチックシンチレータが、前記側面部を取り囲む筒状部を有していることを特徴とする請求項5に記載の放射線検出装置。
- 前記第二シンチレータが、結晶性を有するシンチレータ又はセラミックシンチレータであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線検出装置。
- 前記第一半導体光検出素子と前記第二半導体光検出素子とが、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードと、それぞれの前記アバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されたクエンチング抵抗と、を有しているフォトダイオードアレイであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の放射線検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011229911A JP5869293B2 (ja) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011229911A JP5869293B2 (ja) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 放射線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013088319A JP2013088319A (ja) | 2013-05-13 |
JP5869293B2 true JP5869293B2 (ja) | 2016-02-24 |
Family
ID=48532365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011229911A Active JP5869293B2 (ja) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 放射線検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5869293B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5823813B2 (ja) * | 2011-10-19 | 2015-11-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
JP2014163890A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Shin Nippon Denko Kk | 計測装置 |
JP6162595B2 (ja) | 2013-12-19 | 2017-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
JP6178272B2 (ja) | 2014-03-24 | 2017-08-09 | 株式会社東芝 | 放射線計測装置、および放射線計測プログラム |
WO2016174723A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | 三菱電機株式会社 | 線量率測定装置 |
JP7057630B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2022-04-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出装置 |
JP6938239B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-09-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器及び光検出装置 |
JP2018078304A (ja) * | 2017-12-07 | 2018-05-17 | 株式会社東芝 | 光検出器 |
JP7013225B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2022-01-31 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62179684A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 低レベル固体廃棄物中の含有放射性核種評価測定システム |
JP2996577B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2000-01-11 | アロカ株式会社 | 放射線測定装置 |
JP2001042040A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Aloka Co Ltd | 放射性ガスモニタ |
JP2002022839A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
JP2002107134A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Seiko Instruments Inc | 蛍光x線膜厚計 |
JP4150537B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2008-09-17 | アロカ株式会社 | 放射線測定装置 |
US20090121142A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-05-14 | Bjorn Heismann | Radiation detector module, radiation detector and imaging tomography device |
JP5475686B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2014-04-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | ソリッドステート放射線検出器 |
-
2011
- 2011-10-19 JP JP2011229911A patent/JP5869293B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013088319A (ja) | 2013-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5869293B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
US11101315B2 (en) | Detector, PET system and X-ray CT system | |
CN107665886B (zh) | 用于检测红外线辐射的盖革模式雪崩光电二极管阵列 | |
US9728667B1 (en) | Solid state photomultiplier using buried P-N junction | |
TWI614882B (zh) | 光檢測裝置 | |
EP3002794B1 (en) | Photodiode array | |
TWI549270B (zh) | Light detection device | |
JP5808592B2 (ja) | 基準電圧決定方法及び推奨動作電圧決定方法 | |
US20160011323A1 (en) | Photodetector and computed tomography apparatus | |
JP6663167B2 (ja) | 光検出装置 | |
CN109313072B (zh) | 光检测单元、光检测装置及光检测单元的制造方法 | |
US20210175376A1 (en) | Scattering structures for single-photon avalanche diodes | |
JP5297907B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP5823813B2 (ja) | 放射線検出器 | |
TWI778948B (zh) | 光電轉換元件及光電轉換模組 | |
JP2017117836A (ja) | 光電変換素子及び光電変換モジュール | |
KR100987057B1 (ko) | 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를포함하는 감마선 검출기 | |
JP7273545B2 (ja) | 受光装置及び距離計測装置 | |
TWI675219B (zh) | 檢測器 | |
CN117308773A (zh) | 三维位置灵敏闪烁探测器和闪烁成像探测器 | |
CN113994482A (zh) | 光电探测器 | |
EP4155781A1 (en) | Photon detector, detector device and imaging apparatus | |
WO2023233768A1 (ja) | 放射線検出器及び放射線検出装置 | |
Zhao et al. | Development of a back-contact, scalable silicon photomultiplier array for PET | |
KR20100047411A (ko) | 스트립 광센서 및 이를 이용한 방사선 2차원 위치정보 및 에너지 검출장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5869293 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |