JP2011049446A - 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1画素を構成するフォトダイオード22の領域内に、読み出しトランジスタの読み出しゲート電極23と、読み出しゲート電極23に囲まれたフローティングディフージョン部24とを有する。
【選択図】図2
Description
1.MOS固体撮像装置の概略構成例
2.第1実施の形態(固体撮像装置の構成例とその製造方法)
3.第2実施の形態(固体撮像装置の構成例)
4.第3実施の形態(固体撮像装置の構成例)
5.第4実施の形態(固体撮像装置の構成例)
6.第5実施の形態(電子機器の構成例)
図1に、本発明の各実施の形態に適用されるCMOS固体撮像装置の一例の概略構成を示す。本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に複数の光電変換部となるフォトダイオードを含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部(いわゆる撮像領域)3と、周辺回路部とを有して構成される。画素2は、フォトダイオードと、複数の画素トランジスタ(いわゆるMOSトランジスタ)を有して成る。複数の画素トランジスタは、例えば読み出しトランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタの3つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタを追加して4つのトランジスタで画素トランジスタを構成することもできる。画素部3は、1つのフォトダイオードと複数の画素トランジスタからなる単位画素を2次元アレイ状に配列して構成することができる。また、画素部3は、前述した複数画素共有構造を単位として、この複数画素共有構造を2次元アレイ状に配列して構成することもできる。
[固体撮像装置の構成例]
図2及び図3に、本発明に係る固体撮像装置、すなわちMOS固体撮像装置の第1実施の形態を示す。図2は、1画素を構成するフォトダイオード、フローティングディフージョン部及び読み出しトランジスタを含む基本の概略平面構造(レイアウト)を示し、図3は、図2のA−A線上の概略断面構造を示す。本実施の形態は、裏面照射型の固体撮像装置に適用した例である。
図8〜図17に、第1実施の形態の固体撮像装置21の製造方法の実施の形態を示す。先ず、図8に示すように、n型の半導体基板31を用意し、このn型半導基板31にp型半導体領域による素子分離領域25を選択的にイオン注入により形成する。素子分離領域25は基板31の所要の深さまで形成する。画素部において、素子分離領域25は、画素を構成する各フォトダイオードを区画し、画素トランジスタを含む各画素を区画するように形成される。図では、素子分離領域25は、フォトダイオードの領域を区画している。
[固体撮像装置の構成例]
図18及び図19に、本発明に係る固体撮像装置、すなわちMOS固体撮像装置の第2実施の形態を示す。図18は、1画素を構成するフォトダイオード、フローティングディフージョン部及び読み出しトランジスタを含む概略平面構造(レイアウト)を示し、図19は、図18のA−A線上の概略断面構造を示す。本実施の形態は、裏面照射型の固体撮像装置に適用した例である。
[固体撮像装置の構成例]
図20に、本発明に係る固体撮像装置、すなわちMOS固体撮像装置の第3実施の形態を示す。図20は、画素部のレイアウトの要部を示す。本実施の形態は、裏面照射型の固体撮像装置に適用した例である。
[固体撮像装置の構成例]
本発明に係る固体撮像装置、すなわちMOS固体撮像装置の第4実施の形態は、表面照射型の固体撮像装置に適用した場合である。第4実施の形態に係る固体撮像装置は、図示しないが、基本的に前述したと同様に、フォトダイオード22の領域内にフローティングゲート部24と、フローティングディフージョン部24を囲む読み出しゲート電極23を有する画素が2次元アレイ状に配列される。読み出しゲート電極23を有する読み出しトランジスタ及び他の画素トランジスタが形成された基板表面側に、複数層の配線を有する多層配線層が形成される。配線は、フローティングディフージョン部24等を含むフォトダイオードの領域に対応する部分を除いて形成される。さらに、多層配線層上に平坦化膜を介してオンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズが積層される。
[電子機器の構成例]
本発明に係る固体撮像装置は、電子機器に適用することができる。すなわち、本発明では、固体撮像装置を備えたデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、一眼レフカメラ等のカメラ、カメラ付き携帯機器、固体撮像装置を備えたその他の機器、等の電子機器に適用することができる。
さらに、図22の構成は、光学系92、固体撮像装置93、信号処理回路94がモジュール化した撮像機能を有するモジュール、いわゆる撮像機能モジュ−ルとして構成することができる。本発明は、このような撮像機能モジュールを備えた電子機器を構成することができる。
Claims (16)
- 1画素を構成するフォトダイオードの領域内に、
読み出しトランジスタの読み出しゲート電極と、
前記読み出しゲート電極に囲まれたフローティングディフージョン部と
を有する固体撮像装置。 - 前記フォトダイオードに囲まれた半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域に囲まれた前記フローティングディフージョン部
を有し、
前記読み出しゲート電極が形成された面とは反対側の基板裏面から光入射される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 電荷蓄積時に前記トランスファゲート電極に負バイアス電圧が印加されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記読み出しゲート電極が前記フローティングディフージョン部の周囲を囲む環状に形成されている
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフージョン部が前記フォトダイオードの光学中心に配置されている
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフージョン部及び前記半導体ウェル領域が光電変換領域として作用する
請求項2記載の固体撮像装置。 - 横2画素、縦4×n画素(nは正の整数)のフォトダイオード配列と、
少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを含んで1共有単位としたレイアウトを有する
請求項2記載の固体撮像装置。 - 1画素のフォトダイオードを構成する第1導電型半導体領域の表面にゲート絶縁膜を介して読み出しゲート電極を形成する工程と、
前記読み出しゲート電極をマスクにしてセルフアラインにより、前記読み出しゲート電極に囲まれた第1導電型半導体領域の表面側に第2導電型不純物をイオン注入する工程と、
熱処理して前記第2導電型不純物を拡散し、第2導電型の半導体ウェル領域を形成する工程と、
前記読み出しゲート電極の端部にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールをマスクにしてセルフアラインにより、第1導電型不純物をイオン注入し、前記第2導電型の半導体ウェル領域内に第1導電型のフローティングディフージョン部を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記読み出しゲート電極が形成された面とは反対側の基板裏面を光入射面として形成する
請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記読み出しゲート電極を環状に形成する
請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記読む出しゲート電極を、前記フォトダイオードを構成する第1導電型半導体領域の中央部に形成し、
前記フローティングディフージョン部をフォトダイオードの光学中心に形成する
請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置のフォトダイオードに入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
1画素を構成するフォトダイオードの領域内に、
読み出しトランジスタの読み出しゲート電極と、
前記読み出しゲート電極に囲まれたフローティングディフージョン部と
を有する
電子機器。 - 前記フォトダイオードに囲まれた半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域に囲まれた前記フローティングディフージョン部
を有し、
前記読み出しゲート電極が形成された面とは反対側の基板裏面から光入射される
請求項12記載の電子機器。 - 電荷蓄積時に前記トランスファゲート電極に負バイアス電圧が印加されている
請求項13記載の電子機器。 - 前記読み出しゲート電極が前記フローティングディフージョン部の周囲を囲む環状に形成され
前記フローティングディフージョン部が、前記フォトダイオードの光学中心に配置されている
請求項14記載の電子機器。 - 前記固体撮像装置は、
横2画素、縦4×n画素(nは正の整数)のフォトダイオード配列と、
少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを含んで1共有単位としたレイアウトを有する
請求項13記載の電子機器。
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