JP2006245499A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板42の一方の面に、該基板42中に形成された光電変換素子PDからの信号を読み出す読出し回路(Tr1 ,Tr2 )が形成され、半導体基板42の他方の面から入射光Lを取り込む裏面照射型の固体撮像装置41であって、読出し回路(Tr1 ,Tr2)の少なくとも一部の下に形成された光電変換領域部52c1 で発生した電荷eを、光電変換素子PD内に形成された電界により、光電変換素子PDの基板42の一方の面側の電荷蓄積領域52aに集めるようにして成る。
【選択図】 図1
Description
他のリセットトランジスタ、アンプトランジスタ、垂直選択トランジスタなどのトランジスタTr2 は、一部図示せざるも同様に対のn+ソース・ドレイン領域14と、その間のp型半導体ウェル領域9上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極15とにより形成される。
このCMOS固体撮像装置1は、半導体基板2の表面側から光LをフォトダイオードPDに入射し、フォトダイオードPD内において光電変換された受光量に応じた信号電荷(この例では電子)eをn+電荷蓄積領域6aに蓄積し、これより各MOSトランジスタTr1 ,Tr2 による読出し回路を通じて読出すようになされる。
他のリセットトランジスタ、アンプトランジスタ、垂直選択トランジスタなどのトランジスタTr2 は、一部図示せざるも同様に対のソース・ドレイン領域31、32と、その間のp型半導体ウェル領域24上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極33とにより形成される。基板裏面側は、図示せざるも平坦化膜を兼ねる絶縁膜を介してカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズが形成される。
さらに、好ましくは光電変換素子の基板深さ方向に、基板の他方の面から一方の面に向ってポテンシャルが深くなるようなポテンシャル分布を形成する。
さらに、p型半導体ウェル領域46直下のn型半導体領域52c1 を含む近傍領域から略横方向にn型電荷蓄積領域52aに向ってポテンシャルが深くなるようなポテンシャル分布を形成する。
Claims (3)
- 半導体基板の一方の面に、該基板中に形成された光電変換素子からの信号を読み出す読出し回路が形成され、前記半導体基板の他方の面から入射光を取り込む裏面照射型の固体撮像装置であって、
前記読出し回路の少なくとも一部の下に形成された光電変換領域部で発生した電荷を、前記光電変換素子内に形成された電界により、前記光電変換素子の前記基板の一方の面側の電荷蓄積領域に集めるようにして成る
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光電変換素子内の前記光電変換領域部と前記電荷蓄積領域との間に、前記光電変換領域部から前記電荷蓄積領域に向ってポテンシャルが深くなるようなポテンシャル分布が形成されて成る
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子の基板深さ方向に、前記基板の他方の面から一方の面に向ってポテンシャルが深くなるようなポテンシャル分布が形成されて成る
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
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