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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5671253B2 (ja) * 2010-05-07 2015-02-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9136160B2 (en) * 2012-06-29 2015-09-15 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Solid hole array and method for forming the same
US8742587B1 (en) * 2012-11-18 2014-06-03 United Microelectronics Corp. Metal interconnection structure
US11018087B2 (en) 2018-04-25 2021-05-25 International Business Machines Corporation Metal interconnects
JP2021082703A (ja) 2019-11-19 2021-05-27 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004274020A (ja) * 2002-09-24 2004-09-30 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 電子デバイス製造
TW200428586A (en) * 2003-04-08 2004-12-16 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Electronic device and the manufacturing method thereof
JP3939711B2 (ja) * 2003-06-18 2007-07-04 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3977796B2 (ja) * 2003-10-29 2007-09-19 株式会社東芝 半導体装置
JP2005142325A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置及びその製造方法
JP4619705B2 (ja) * 2004-01-15 2011-01-26 株式会社東芝 半導体装置
US7208837B2 (en) * 2004-02-10 2007-04-24 United Microelectronics Corp. Semiconductor chip capable of implementing wire bonding over active circuits
WO2006016678A1 (ja) * 2004-08-12 2006-02-16 Nec Corporation 半導体装置及びその製造方法
JP2007012996A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Corp 半導体装置
JP4589835B2 (ja) * 2005-07-13 2010-12-01 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4523535B2 (ja) * 2005-08-30 2010-08-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP4236201B2 (ja) * 2005-08-30 2009-03-11 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4567587B2 (ja) * 2005-12-12 2010-10-20 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP4321570B2 (ja) * 2006-09-06 2009-08-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4364258B2 (ja) * 2007-05-15 2009-11-11 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2008288430A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5067039B2 (ja) * 2007-06-25 2012-11-07 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010182822A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法

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