JP2008288430A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡素なプロセスでビア接続の多層配線層を精度良く製造する。
【解決手段】デュアルダマシンプロセスでハイブリッド構造の多層配線層を形成する際に、ビアパターンを先作りした後、配線溝パターンをビアパターンに直接位置合わせする。
【選択図】図4
【解決手段】デュアルダマシンプロセスでハイブリッド構造の多層配線層を形成する際に、ビアパターンを先作りした後、配線溝パターンをビアパターンに直接位置合わせする。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えばハイブリッド構造を有する多層配線層のデュアルダマシン加工を対象とする。
多層配線の半導体装置の製造においては、良好なデュアルダマシン形状を作成するために、層間絶縁膜に、材質の異なる2種類の膜、例えば炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜と有機系絶縁膜との積層膜を含める、いわゆるハイブリッド構造の多層配線層が近年広く用いられている。
このようなハイブリッド構造の多層配線層の形成にデュアルダマシン法を適用する場合、パターンに用いるレジストの組成に有機系絶縁膜の組成が近いために、レジスト除去の際に有機系絶縁膜も損傷を受けやすいという問題があった(例えば特許文献1、段落番号(0004)。このような問題を回避するため、従来、配線溝パターンを形成した後にビアパターンを形成する手法が用いられてきた(例えば特許文献1、特に図1乃至6並びに段落番号(0056)乃至(0078)を参照されたい)。
しかしながら、このような配線溝先作りの製造方法では、配線溝パターンおよびビアパターンが共に下層埋め込み配線に対し、位置合せを行っているため、配線溝とビアとが間接あわせとなる。この結果、それぞれの位置合せにおける位置ずれの量および方向に依存して隣接するビアと配線との間のショートマージンが小さくなる場合がある。この点を特許文献1の製造方法を取り上げてより具体的に説明する。
特許文献1の製造方法では、ビアパターンを有するレジストマスクの精度を高めるために下地層の段差を膜厚50nm程度に抑えているため(段落番号(0062)および図3(c)参照)、既に形成された上層埋め込み配線用の配線溝パターン10’に仮にビアパターン14’を合わせようとしても、チップ周囲のダイシングラインに形成された配線溝パターンのアライメントマークも同様の薄さ(50nm程度)で形成されているために十分なアライメント信号を得ることができない。ビアは下層埋め込み配線28と上層埋め込み配線とを接続するものであるため、ビアパターン14’を上層埋め込み配線に位置合せできなければ下層埋め込み配線28に対して位置合わせをせざるを得ない。従って、下層埋め込み配線28と同時にダイシングライン上に形成された下層埋め込み配線28のアライメントマークを用いて下層埋め込み配線28に対してビアパターン14’の位置合せを行う。このときの合わせずれの方向が、例えば互いに逆方向でかつそのずれ量が大きな場合には、製造後の半導体装置において、ビアと隣接する異電位の上層埋め込み配線とのマージンが小さくなり、隣接するビアと配線との間でショート不良を引き起こす可能性があるという問題があった。
図16は、このような従来技術による配線溝パターン先作りのデュアルダマシン法の欠点を説明する図である。同図(a)は従来技術により形成された配線構造の一例の部分平面図であり、同図(b)は(a)のA−A線に沿った断面図である。
図16に示すように、上層埋め込み配線M21,M22が下層埋め込み配線M11,M12に対して同図右側方向へそれぞれST1だけずれており、この一方、ビアパターンV2は、下層埋め込み配線M11に対して同図左側方向へST2以上ずれている。この結果、ビアパターンV2とこれに隣接する異電位の上層埋め込み配線M22とのマージンMGが著しく狭くなっている。
このような問題は、配線の微細化が進展して配線間の距離がより一層短くなるとさらに顕著になる。
特開2004−319616号公報
本発明の目的は、簡素なプロセスでビア接続の多層配線層を精度良く製造できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、
下層埋め込み配線となる配線層が形成された基板上に、第1乃至第4の絶縁膜および第1乃至第3のハードマスクを順次に形成する工程と、
ビアパターンに対応するマスクパターンが形成されたマスクを前記埋め込み配線層に位置合わせさせて前記第3のハードマスクおよび第2のハードマスクを選択的に除去してビアパターンを形成する工程と、
配線溝パターンに対応するマスクパターンが形成されたマスクを前記ビアパターンに位置合せさせて前記第3のハードマスクと前記第2のハードマスクの途中までを選択的に除去して配線溝パターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクをエッチングマスクとして前記第1のハードマスクおよび前記第4の絶縁膜を選択的に除去して前記第1のハードマスクおよび前記第4の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成するとともに、前記配線溝パターンの底面下方に残存する前記第2のハードマスクの部分を除去する工程と、
前記第3のハードマスクを除去した後、前記配線溝パターンが形成された前記第2のハードマスクをエッチングマスクとして前記第1のハードマスクを選択的に除去し、前記第1のハードマスクに配線溝パターンを自己整合的に形成する工程と、
ビアパターンを有する第4の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第3の絶縁膜を選択に除去し、前記第3の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成する工程と、
配線溝パターンを有する前記第1のハードマスクをエッチングマスクとして前記第4の絶縁膜を選択に除去し、前記第4の絶縁膜に配線溝パターンを自己整合的に形成するとともに、ビアパターンを有する前記第4の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第2の絶縁膜を選択的に除去し、前記第2の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成する工程と、
前記第2のハードマスクを除去した後に、ビアパターンを有する前記第3の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第1の絶縁膜を選択的に除去して前記配線層に到達する開口部を形成する工程と、
配線溝パターンを有する前記第1のハードマスクをエッチングマスクとして前記第3の絶縁膜を選択に除去し、前記第3の絶縁膜に配線溝パターンを自己整合的に形成する工程と、
配線溝パターンおよびビアパターンに導電体を埋め込んでビアと前記ビアを介して前記下層埋め込み配線に接続される上層配線とを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
下層埋め込み配線となる配線層が形成された基板上に、第1乃至第4の絶縁膜および第1乃至第3のハードマスクを順次に形成する工程と、
ビアパターンに対応するマスクパターンが形成されたマスクを前記埋め込み配線層に位置合わせさせて前記第3のハードマスクおよび第2のハードマスクを選択的に除去してビアパターンを形成する工程と、
配線溝パターンに対応するマスクパターンが形成されたマスクを前記ビアパターンに位置合せさせて前記第3のハードマスクと前記第2のハードマスクの途中までを選択的に除去して配線溝パターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクをエッチングマスクとして前記第1のハードマスクおよび前記第4の絶縁膜を選択的に除去して前記第1のハードマスクおよび前記第4の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成するとともに、前記配線溝パターンの底面下方に残存する前記第2のハードマスクの部分を除去する工程と、
前記第3のハードマスクを除去した後、前記配線溝パターンが形成された前記第2のハードマスクをエッチングマスクとして前記第1のハードマスクを選択的に除去し、前記第1のハードマスクに配線溝パターンを自己整合的に形成する工程と、
ビアパターンを有する第4の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第3の絶縁膜を選択に除去し、前記第3の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成する工程と、
配線溝パターンを有する前記第1のハードマスクをエッチングマスクとして前記第4の絶縁膜を選択に除去し、前記第4の絶縁膜に配線溝パターンを自己整合的に形成するとともに、ビアパターンを有する前記第4の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第2の絶縁膜を選択的に除去し、前記第2の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成する工程と、
前記第2のハードマスクを除去した後に、ビアパターンを有する前記第3の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第1の絶縁膜を選択的に除去して前記配線層に到達する開口部を形成する工程と、
配線溝パターンを有する前記第1のハードマスクをエッチングマスクとして前記第3の絶縁膜を選択に除去し、前記第3の絶縁膜に配線溝パターンを自己整合的に形成する工程と、
配線溝パターンおよびビアパターンに導電体を埋め込んでビアと前記ビアを介して前記下層埋め込み配線に接続される上層配線とを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、簡素なプロセスでビア接続の多層配線層を高い精度で製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1乃至図15は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する略示断面図である。本実施形態はビアパターンを形成した後に配線溝パターンを形成する、ビア先作りのデュアルダマシンプロセスでハイブリッド構造の多層配線層を形成する方法を提供するものであり、その特徴は、図4を参照して後に詳述するように、配線溝パターンをビアパターンに直接位置合わせして形成する点にある。
図1に示すように、図示しない基板の表面に形成された図示しない下地絶縁膜上に形成された有機膜1と炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜3とを含む配線間絶縁膜中に、バリアメタル5を介して銅(Cu)を埋め込むことにより下層埋め込み配線7が形成されている。まず、配線間絶縁膜および下層埋め込み配線7の上の全面に炭化シリコン(SiC)膜11を形成する。炭化シリコン(SiC)膜11は、本実施形態において例えば第1の絶縁膜に対応する。炭化シリコン(SiC)膜11はエッチングストッパ膜および配線材料(Cu)の拡散防止を目的として用いられ、その膜厚は例えば35nmである。
次に、炭化シリコン(SiC)膜11上に、例えば比誘電率2.3の炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13を形成する。炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13は、本実施形態において例えば第2の絶縁膜に対応する。炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13の膜厚は、例えば75nmである。炭化シリコン(SiC)膜11および炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13は、後の工程でビアが形成される層間絶縁膜として用いられる(図14参照)。
続いて、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13の上に、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13に添加された炭素と異なる炭素を主成分にしたポリアリールエーテル(PAE)膜15を形成する。ポリアリールエーテル(PAE)膜15は、本実施形態において例えば第3の絶縁膜に対応し、その比誘電率は例えば2.3であり、その厚さは例えば90nmである。ポリアリールエーテル(PAE)膜15は配線溝を構成する配線間絶縁膜として用いられる(図14参照)。
このように、第2の絶縁膜と第3の絶縁膜とを互いに異なる材料を用いて形成することにより、エッチング選択比を確保して配線溝を形成する際の溝の深さ制御を容易にすることができる。
次に、ポリアリールエーテル(PAE)膜15上に、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17を形成する。炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17は、本実施形態において例えば第4の絶縁膜に対応し、ポリアリールエーテル(PAE)膜15の保護膜として用いられて化学的機械的研磨(Chemical and Mechanical Polishing:以下、単に「CMPという」)後に配線溝の上層を構成する(図15参照)。ポリアリールエーテル(Poly (arylene) ether:PAE)膜15の保護膜として機能するためには、比誘電率が低く、かつ、CMPプロセスに耐え得る機械的強度の高さが要求される。そのため、本実施形態において炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17の比誘電率は3.0で、そのヤング率7GPa以上であり、その膜厚は80nmである。
次に、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17上に窒化シリコン(SiN)膜19を形成する。窒化シリコン(SiN)膜19は、本実施形態において例えば第1のハードマスクに対応し、その膜厚として、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17に配線溝パターンを形成する際(図11参照)と、炭化シリコン(SiC)膜11にビアパターンを形成する際(図12参照)に、エッチングに耐えるだけの充分な厚さが必要とされる。本実施形態において窒化シリコン(SiN)膜19の膜厚は、例えば60nmである。
次に、窒化シリコン(SiN)膜19上に、酸化シリコン(SiO2)膜21を形成する。酸化シリコン(SiO2)膜21は、本実施形態において例えば第2のハードマスクに対応し、その膜厚は、窒化シリコン(SiN)膜19よりも厚い、例えば100nmである。
続いて、酸化シリコン(SiO2)膜21上に窒化シリコン(SiN)膜23を形成する。窒化シリコン(SiN)膜23は、本実施形態において例えば第3のハードマスクに対応し、その膜厚は酸化シリコン(SiO2)膜21を選択的に除去する際のエッチングに耐えるだけの充分な厚さ、例えば50nmである。
次に、図2に示すように、第3のハードマスク23上に、ビアパターンPvを有するレジストマスクRM1を形成する。そのときのマスクは下層埋め込み配線7と同時に形成された下層埋め込み配線7のアライメントマークを用いて位置合わせを行う。続いて、レジストマスクRM1をエッチングマスクとしてエッチングにより窒化シリコン(SiN)膜23および酸化シリコン(SiO2)膜21を選択的に除去し、図3に示すように、ビアパターンPvを形成する。このときのエッチングには、例えば八フッ化炭素(C4F8)/一酸化炭素(CO)/アルゴン(Ar)の混合ガスを用い、酸化シリコン(SiO2)膜21と窒化シリコン(SiN)膜19とのエッチング選択比(SiO2/SiN)を10以上とし、窒化シリコン(SiN)膜19が突き抜けないように制御し、その後のレジストアッシング時に、窒化シリコン(SiN)膜19直下の炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17の表面が露出することがないようにする。
次に、レジストマスクRM1を除去した後、図4に示すように、ビアパターンPv内に有機系の材料を埋め込み、窒化シリコン(SiN)膜23上に平坦化層31を形成する。次いで、平坦化層31上に、エッチングにより平坦化層31を選択的に除去する際のマスクとなる酸化シリコン(SiO2)膜41を形成する。続いて、酸化シリコン(SiO2)膜41上に、配線溝パターンPwを有するレジストマスクRM3を形成する。このとき、レジストマスクRM3に配線溝パターンPwを形成する際のマスクは、下層埋め込み配線7ではなく、レジストマスクRM1にビアパターンPvと同時に形成されたアライメントマークを用いてビアパターンPvに対して位置合わせを行う。この点が本実施形態の特徴である。ビアパターンPvの底面は窒化シリコン(SiN)膜19内に達しているので、そのアライメントマークも、例えばビアパターンPvと同様の形状で形成された場合には、ビアパターンPvの深さと同様の約200nmの深さを有する。このため、配線溝パターンPwをビアパターンPvに位置合せすることは極めて容易である。この結果、スケールが厳しくても、隣り合う異電位の上層配線との間でビアパターンがショートを起こす可能性は非常に低くなる。
次に、レジストマスクRM3をエッチングマスクとして、図5に示すように、酸化シリコン(SiO2)膜41をエッチングにより選択的に除去して配線溝パターンPwを酸化シリコン(SiO2)膜41内に形成する。次いで、配線溝パターンPwが形成された酸化シリコン(SiO2)膜41をエッチングマスクとしてエッチングにより平坦化層31を選択的に除去し、これにより平坦化層31内の窒化シリコン(SiN)膜23から上方の部分に配線溝パターンPwを自己整合的に形成する。このとき、平坦化層31のうち、ビアパターンPv内に埋め込まれた部分はビアの途中まで落とし込むこととし、窒化シリコン(SiN)膜19が露出しないようにする。
続いて、レジストマスクRM3を除去し、配線溝パターンPwを有する酸化シリコン(SiO2)膜41および平坦化層31をエッチングマスクとして窒化シリコン(SiN)膜23および酸化シリコン(SiO2)膜21をエッチングにより酸化シリコン(SiO2)膜21の途中まで選択的に除去し、図6に示すように、配線溝パターンPwを窒化シリコン(SiN)膜23および酸化シリコン(SiO2)膜21(の途中までの部分)に自己整合的に形成する。
次いで、酸化シリコン(SiO2)膜41を除去し、図7に示すように、アッシングにより平坦化層31を除去する。この段階で、窒化シリコン(SiN)膜19および酸化シリコン(SiO2)膜21内でビアパターンPvが形成され、窒化シリコン(SiN)膜23内で配線溝パターンPwが形成されているため、これ以降はレジストマスクを形成したり除去したりするプロセスが必要ない点に着目されたい。これにより、レジスト除去に際して有機系絶縁膜が損傷を受けるという従来技術の問題が解消される。
次に、ビアパターンPvを有する酸化シリコン(SiO2)膜21をエッチングマスクとして窒化シリコン(SiN)膜19および炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17をエッチングにより選択的に除去し、図8に示すように、ポリアリールエーテル(PAE)膜15の上面が露出するまで自己整合的にビアパターンPvの底面を掘り下げる。これと同時に、配線溝パターンPwを有する窒化シリコン(SiN)膜23をエッチングマスクとして酸化シリコン(SiO2)膜21をエッチングにより選択的に除去し、窒化シリコン(SiN)膜19の上面が露出するまで自己整合的に配線溝パターンPwの底面を掘り下げる。その後、窒化シリコン(SiN)膜23を除去する。
続いて、図9に示すように、配線溝パターンPwを有する酸化シリコン(SiO2)膜21をエッチングマスクとして、窒化シリコン(SiN)膜19をエッチングにより選択的に除去して窒化シリコン(SiN)膜19内に配線溝パターンPwを自己整合的に形成する。
次いで、図10に示すように、ビアパターンPvを有する炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17をエッチングマスクとして、ポリアリールエーテル(PAE)膜15をエッチングにより選択的に除去してポリアリールエーテル(PAE)膜15内にビアパターンPvを自己整合的に形成する。ここでのエッチングには、酸素を含まないガス、例えばアンモニア(NH3)および窒素(N2)/水素(H2)ガスを用いることにより、ポリアリールエーテル(PAE)膜15のみを選択的に除去することが可能である。このため、酸化シリコン(SiO2)膜21、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17および炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13が上記エッチングにより除去されることはほとんど無い。
次に、配線溝パターンPwを有する酸化シリコン(SiO2)膜21および窒化シリコン(SiN)膜19をエッチングマスクとして炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17をエッチングにより選択的に除去し、図11に示すように、炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜17内に配線溝パターンPwを自己整合的に形成すると同時に、ポリアリールエーテル(PAE)膜15をエッチングマスクとして炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13を選択的に除去して炭化シリコン(SiC)膜11に達するように炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13内にビアパターンPvを自己整合的に形成する。このときのエッチングで、酸化シリコン(SiO2)膜21を除去する。
次に、ビアパターンPvを有するポリアリールエーテル(PAE)膜15をエッチングマスクとして炭化シリコン(SiC)膜11をエッチングにより選択的に除去し、図12に示すように、下層埋め込み配線7にまで到達する開口部を形成する。
続いて、図13に示すように、配線溝パターンPwを有する窒化シリコン(SiN)膜19をエッチングマスクとしてポリアリールエーテル(PAE)膜15をエッチングにより選択的に除去してポリアリールエーテル(PAE)膜15内に配線溝パターンPwを自己整合的に形成する。このエッチングには、酸素を含まないガス、例えばアンモニア(NH3)および窒素(N2)/水素(H2)ガスを用いることにより、ポリアリールエーテル(PAE)膜15のみを選択的に除去することが可能である。このため、窒化シリコン(SiN)膜19および炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜13が除去されることはほとんど無いので、配線溝の深さ制御を容易にすることができる。
次いで、図14に示すように、配線溝パターンPwおよびビアパターンPvの内壁を覆うようにバリアメタル45を成膜する。バリアメタル45は、例えばタンタル(Ta)を含有する金属膜であり、例えばスパッタ法により成膜することができる。その後、バリアメタル45上に、例えば電界メッキ法により銅(Cu)膜47を成膜する。
次いで、例えばCMP法により、窒化シリコン(SiN)膜19上の余分な銅(Cu)およびバリアメタル45を除去し、その後、窒化シリコン(SiN)膜19を除去して図15に示すように銅(Cu)配線51を形成する。銅(Cu)配線51は、本実施形態において、例えば上層埋め込み配線に対応する。
その後は、必要に応じて図1乃至図15を用いて説明した上記工程を繰り返すことにより、所望の多層配線を形成することができる。
このように、本実施形態によれば、ハイブリッド構造の多層配線層をデュアルダマシンプロセスで形成する際に、ビアパターンPvを先作りした後、配線溝パターンPwをビアパターンPvに直接位置合せして形成するので、スケールが厳しくてもショートを起こす可能性は非常に低い。これにより、簡素なプロセスでビア接続の多層配線層を高い精度で製造することができる。
以上、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施の一形態について説明したが、本発明は上記形態に限るものでは決して無く、その技術的範囲内で種々変形して適用できることは勿論である。例えば、上記実施形態において、第1乃至第4の絶縁膜として単一の層で構成されている場合について説明したが、これに限ることなく、いずれの絶縁膜についても複数層の膜で構成することが可能である。
7:下層埋め込み配線
11:炭化シリコン(SiC)膜(第1の絶縁膜)
13:炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜(第2の絶縁膜)
15:ポリアリールエーテル(PAE)膜(第3の絶縁膜)
17:炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜(第4の絶縁膜)
19:窒化シリコン(SiN)膜(第1のハードマスク)
21:酸化シリコン(SiO2)膜(第2のハードマスク)
23:窒化シリコン(SiN)膜(第3のハードマスク)
51:銅(Cu)配線(上層埋め込み配線)
Pv:ビアパターン
Pw:配線溝パターン
11:炭化シリコン(SiC)膜(第1の絶縁膜)
13:炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜(第2の絶縁膜)
15:ポリアリールエーテル(PAE)膜(第3の絶縁膜)
17:炭素含有シリコン酸化(SiOC)膜(第4の絶縁膜)
19:窒化シリコン(SiN)膜(第1のハードマスク)
21:酸化シリコン(SiO2)膜(第2のハードマスク)
23:窒化シリコン(SiN)膜(第3のハードマスク)
51:銅(Cu)配線(上層埋め込み配線)
Pv:ビアパターン
Pw:配線溝パターン
Claims (5)
- 下層埋め込み配線となる配線層が形成された基板上に、第1乃至第4の絶縁膜および第1乃至第3のハードマスクを順次に形成する工程と、
ビアパターンに対応するマスクパターンが形成されたマスクを前記埋め込み配線層に位置合わせさせて前記第3のハードマスクおよび第2のハードマスクを選択的に除去してビアパターンを形成する工程と、
配線溝パターンに対応するマスクパターンが形成されたマスクを前記ビアパターンに位置合せさせて前記第3のハードマスクと前記第2のハードマスクの途中までを選択的に除去して配線溝パターンを形成する工程と、
前記第2のハードマスクをエッチングマスクとして前記第1のハードマスクおよび前記第4の絶縁膜を選択的に除去して前記第1のハードマスクおよび前記第4の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成するとともに、前記配線溝パターンの底面下方に残存する前記第2のハードマスクの部分を除去する工程と、
前記第3のハードマスクを除去した後、前記配線溝パターンが形成された前記第2のハードマスクをエッチングマスクとして前記第1のハードマスクを選択的に除去し、前記第1のハードマスクに配線溝パターンを自己整合的に形成する工程と、
ビアパターンを有する第4の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第3の絶縁膜を選択に除去し、前記第3の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成する工程と、
配線溝パターンを有する前記第1のハードマスクをエッチングマスクとして前記第4の絶縁膜を選択に除去し、前記第4の絶縁膜に配線溝パターンを自己整合的に形成するとともに、ビアパターンを有する前記第4の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第2の絶縁膜を選択的に除去し、前記第2の絶縁膜にビアパターンを自己整合的に形成する工程と、
前記第2のハードマスクを除去した後に、ビアパターンを有する前記第3の絶縁膜をエッチングマスクとして前記第1の絶縁膜を選択的に除去して前記配線層に到達する開口部を形成する工程と、
配線溝パターンを有する前記第1のハードマスクをエッチングマスクとして前記第3の絶縁膜を選択に除去し、前記第3の絶縁膜に配線溝パターンを自己整合的に形成する工程と、
配線溝パターンおよびビアパターンに導電体を埋め込んでビアと前記ビアを介して前記下層埋め込み配線に接続される上層配線とを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜は、シリコン(Si)および炭素(C)を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜および前記第4の絶縁膜は、シリコン−酸素(Si−O)骨格を有する無機系材料で構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の絶縁膜は、炭素を主成分としてSiを含まない材料で構成されることを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のハードマスクは、シリコン−酸素(Si−O)骨格を有する無機系材料で構成され、前記第1のハードマスクの厚さおよび前記第3のハードマスクの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
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