JP2006294771A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁膜20上に配線溝パターン32を有するように第1マスク31を形成する工程と、前記第1マスク31上に接続孔パターン34を有するように第2マスク33を形成する工程と、前記第1マスク31と前記第2マスク33とを用いて前記絶縁膜20に配線溝26と接続孔25とを形成する工程とを備え、前記第1マスク31と前記第2マスク33とを用いて前記絶縁膜20に配線溝26と接続孔25とを形成する工程で前記絶縁膜20に接続孔25を先に形成する半導体装置の製造方法であって、前記接続孔パターン34は前記配線溝パターン32の配設方向に対して交差する方向に形成されるとともに、前記接続孔パターン34の端部は前記第1マスク31の一部上に形成される。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 絶縁膜上に配線溝パターンを有するように第1マスクを形成する工程と、
前記第1マスク上に接続孔パターンを有するように第2マスクを形成する工程と、
前記第1マスクと前記第2マスクとを用いて前記絶縁膜に配線溝と接続孔とを形成する工程とを備え、
前記第1マスクと前記第2マスクとを用いて前記絶縁膜に配線溝と接続孔とを形成する工程で前記絶縁膜に接続孔を先に形成する
半導体装置の製造方法であって、
前記接続孔パターンは、前記配線溝パターンの配設方向に対して交差する方向に形成されるとともに、前記接続孔パターンの端部は前記第1マスクの一部上に形成される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線溝パターンは複数列に形成され、
前記接続孔パターンは前記配線溝パターン間の第1マスク上の一部を横切るように形成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線溝パターンは前記接続孔パターンの径よりも幅広く形成され、
前記配線溝パターンの側壁側に形成される前記接続孔パターンは前記配線溝パターンの当該側壁側の前記第1マスクの一部上に延長形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接続孔パターンは長円形状に形成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は有機低誘電率膜を含む
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010143245A1 (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | パナソニック株式会社 | 配線形成方法及び半導体装置 |
WO2011018857A1 (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102522371A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 接触孔的制作方法 |
US8426978B2 (en) | 2009-02-17 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including a first wiring having a bending portion and a via including the bending portion |
US8492271B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-07-23 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US8652968B2 (en) | 2012-01-11 | 2014-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000003913A (ja) * | 1998-03-26 | 2000-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線構造体の形成方法 |
JP2000349150A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003318258A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法 |
JP2004228308A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000003913A (ja) * | 1998-03-26 | 2000-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線構造体の形成方法 |
JP2000349150A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003318258A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法 |
JP2004228308A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8426978B2 (en) | 2009-02-17 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including a first wiring having a bending portion and a via including the bending portion |
US8841774B2 (en) | 2009-02-17 | 2014-09-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including a first wiring having a bending portion a via |
WO2010143245A1 (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | パナソニック株式会社 | 配線形成方法及び半導体装置 |
WO2011018857A1 (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8703606B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-04-22 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method for manufacturing semiconductor device having a wiring structure |
JP5488603B2 (ja) * | 2009-08-14 | 2014-05-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8492271B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-07-23 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN102522371A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 接触孔的制作方法 |
US8652968B2 (en) | 2012-01-11 | 2014-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
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